專利名稱：：包括噻吩和硒吩的單體、低聚物和聚合物的制作方法包括噻吩和硒吩的單體、低聚物和聚合物發(fā)明領域本發(fā)明涉及包括噻吩和硒吩的新穎的單體、低聚和聚合化合物。本發(fā)明進一步涉及它們在光、光電或者電子器件中作為半導體或者電荷遷移材料的用途。本發(fā)明進一步涉及包括新穎化合物的光、光電或者電子器件。背景和現(xiàn)有技術有機材料最近有希望作為有機基薄膜晶體管和有機場效應晶體管的活性層[見H.E.Katz,Z.BaoandS.L.Gilat，Acc.Chem.Res"2001,34,5,359]。這種器件在智能卡、安全標簽和平板顯示器的開關元件中具有應用前景。如果有機材料能夠從溶液中沉積，因此這能夠實現(xiàn)快速、大面積制造的途徑，能夠預見它們具有超過它們硅同系物相當大的成本優(yōu)點。該器件的性能主要基于半導材料的載流子遷移率和電流的開/斷比例，因此理想的半導體應該在斷態(tài)具有低的導電率，同時具有高的載流子遷移率(〉1X10—3cm2V—V1)。另外，因為氧化導致器件性能降低，重要的是該半導電材料對于氧化相對穩(wěn)定，即它具有高的電離電勢。已經(jīng)報道區(qū)域規(guī)整的頭對尾聚(3-己基噻吩)的載流子遷移率為1x10-5-4.5xl(T2cm2v"s",但電流開/斷比例相當?shù)蜑?0-103[見Z.Baoetal.，Appl.Pys.Lett.，1996，69，4108]。所述低的開/斷電流部分是由于聚合物低的電離電勢引起的，它們在環(huán)境條件下能導致氧摻雜聚合物，隨后導致高的斷開電流[見H.Sirringhausetal.,Adv.SolidState.,1999，39，101]。高的區(qū)域規(guī)整度導致改進的充填和優(yōu)化的顯微結構，導致改進的載流子遷移率[見H.Sirringhausetal.，Science,1998，280,1741-1744;H.Sirringhausetal.,Nature,1999,401，685-688;andH.Sirringhaus,etal.，SyntheticMetals，2000，111-112，129-132]。通常，聚(3-烷基噻吩)顯示改進的溶解度，能進行溶液處理制造大面積的膜。然而，聚(3-垸基噻吩)具有相對低的電離電勢，并在空氣中容易被摻雜。本發(fā)明的目的是提供一種用作半導體或者電荷遷移材料的新材料，它們?nèi)菀缀铣?，具有高的電荷流動性，良好的可加工性和氧化穩(wěn)定性。本發(fā)明另外的目的是提供新的半導體和電荷遷移元件，新的和改進的包括這些組分的光電、電子和發(fā)光器件。對于本領域普通技術人員本發(fā)明的其他目的從以下的說明中顯而易見。本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)這些目的能夠通過提供如在本發(fā)明中要求的雙(噻吩基)硒吩的單體、低聚物和聚合物實現(xiàn)。EP-A-14395卯公開了單體的、低聚的和聚合的雙(噻吩基)亞芳基，但是沒有公開本發(fā)明的化合物。S.Tiemey，M.HeeneyandI.McCulloch，SynthMet"148(2)，195-198，(2005)公開了聚雙(3-辛基-噻吩-2-基)硒吩，但是沒有公開本發(fā)明的化合物。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明涉及包括一個或多個硒吩-2，5-二基和一個或多個噻吩2，5-二基的單體、低聚或者聚合化合物，每一個任選在3-和/或4-位取代，條件是不包括2,5-雙(3-辛基-噻吩-2-基)硒吩的均聚物。本發(fā)明進一步涉及通式I的化合物作為半導體、電荷遷移或者發(fā)光材料的用途。本發(fā)明進一步涉及包括至少一種通式I化合物的半導體、電致發(fā)光或者電荷遷移材料、元件或者器件。本發(fā)明進一步涉及通式I化合物在光、光電或者電子元件或者器件、有機場效應晶體管(OFET)、集成電路(IC)、薄膜晶體管(TFT)、平板顯示器、無線電頻率識別(RFID)標簽、電致發(fā)光或者光致發(fā)光器件或元件、有機發(fā)光二極管(OLED)、顯示器背光、光致電壓或者感光器件、電荷注入層、肖特基二極管、平面層、抗靜電膠片、導電襯底或者圖樣、電池的電極材料、光電導體、電攝影應用、電子照相記錄、生物記憶器件、定位層、化妝品或者藥用組合物、生物傳感器、生物晶片中作為電荷輸送、半導體、導電、光導或者發(fā)光材料的用途，或者用于檢測和識別DNA序列。本發(fā)明進一步涉及包括本發(fā)明化合物、半導體或者電荷遷移材料、元件或者器件的光、光電或者電子器件、場效應晶體管、集成電路(IC)、TFT、OLED或者定位層。本發(fā)明進一步涉及包括本發(fā)明化合物、半導體或者電荷遷移材料、元件或者器件或者FET、IC、TFT或者OLED的用于平板顯示器、無線電頻率識另ij(RFID)標簽、電致發(fā)光顯示器或者背光中的TFT、TFT陣列。本發(fā)明進一步涉及包括本發(fā)明FET或者RFID標簽的安全識別標志或者器件。附圖簡述圖1顯示在晶體管器件中實施例1的聚合物的傳輸特性。本發(fā)明的詳細說明本發(fā)明的聚合物能夠是均聚物，即具有相同的重復單元，或者為具有不同重復單元的共聚物。特別優(yōu)選的是具有相同重復單元的均聚物。本發(fā)明的化合物是有利的，因為它們與相似的全噻吩體系相比顯示較高的載流子遷移率。硒的原子半徑增加(103pm(皮米)超過硫的原子半徑(88pm)，增強了聚合物鏈之間的分子重疊，促進電荷的跳動過程。另外，硒吩的引入導致超過在全噻吩體系范圍內(nèi)最大吸收波長的紅移。本發(fā)明的化合物尤其是用作電荷遷移或者半導體材料。將垸基側鏈引入噻吩和/或硒吩基團能進一步提高尤其是聚合物的溶解度和溶液的可加工性。本發(fā)明聚合物的區(qū)域規(guī)整度優(yōu)選至少為90%，特別為95%或更大，非常優(yōu)選98%或更大，最優(yōu)選99-100%。區(qū)域規(guī)整的聚合物是有利的，因為它們顯示強烈的7t-7T-疊層相互作用，具有很高的結晶度，使它們成為有效的具有高載流子遷移率的電荷遷移材料。進一步優(yōu)選的是介晶性或者液晶的單體、低聚物和聚合物，特別是形成桿狀液晶相的聚合物，和包括一個或多個基團P-Sp-并可形成桿狀液晶相的可聚合的單體。單體、低聚和聚合化合物優(yōu)選選自通式I:其中R"彼此獨立，在多次出現(xiàn)情況下彼此獨立，為H，鹵素，任選取代的芳基或者雜芳基，P-Sp-，P*-Sp-，或者具有l(wèi)-20個C原子的直鏈、支鏈或者環(huán)狀的烷基，它們?nèi)芜x被F、Cl、Br、I或者CN單或者多取代，其中，一個或多個非相鄰的CH2基團在每一情況下彼此獨立任選被-O-，-S-,-NH-,-NR。-,-SiRQR00-,-CO-，-COO陽，-OCO-，-O隱CO-O-，-s-co-，-co-s-,-cx^cx2-或-oc-以o禾卩/或s原子彼此不直接連接的方式取代，R0和RGG彼此獨立地是H，芳基或者具有1-12個C原子的烷基，X1和X2彼此獨立地是H、F、Cl或者CN，P是可聚合基團，P*是能夠轉變?yōu)榭删酆匣鶊FP或者被可聚合基團P取代的基團，Sp是間隔基團或者單鍵，a，b，c和d彼此獨立地是O,1，2或者3,其中a+c>l#nb+d>l,n是21的整數(shù)，其中該重復單元是相同或不同的，條件是不包括如下的化合物其中a=b=c=1，d二0，R^禾卩R"為n-C8H17，R3,R4，R5和R6為H，以及n>1。尤其是優(yōu)選通式II的化合物:其中R"6，a，b，c,d和n具有通式I的含義，R7和R8彼此獨立地具有W其中之一的含義或者表示-Sn(RQ)3,-B(OR')(OR"),-CH2C1，-CHO，-CH=CH2或-SiR0R0011000，RQ，RQG,RQQQ彼此獨立地是H，芳基或者具有1-12個C原子的院基,R'和R"彼此獨立地是H或者具有l(wèi)-12個C原子的烷基，或者OR'和OR"與硼原子一起形成具有2-20個碳原子的環(huán)狀基團。進一步優(yōu)選的是通式I和II的化合物，其中-n是2-5000的整數(shù)，優(yōu)選10-5000，非常優(yōu)選100-1000，-分子量(Mw)為50OO-3O0，O0O，特別為20,000-100,000，-n是1,-a和/或c是1，-b是1或2,-d是0，-a=c=l,b=1或2,d=0,-a=c=l,b=d=1，-b=d=l,c=1或2,a=0,-a=b=l,c=d=0，-R1,R2，R3,R4，W和R6彼此獨立地是卣素，任選取代的芳基或者雜芳基，P-Sp-，P*-Sp-，或者具有9-20個C原子的直鏈、支鏈或者環(huán)狀的烷基，它們?nèi)芜x被F、Cl、Br、I或者CN單或者多取代，其中，一個或多個非相鄰的CH2基團在每一情況下彼此獨立任選被-O-，-S-，-NH-，-NR0-,-SiR0R00-,-CO-,-COO-，-OCO-，-O-CO-O-,-S-CO-,-CO-S-,-CX^C^^-OC-以o和/或s原子彼此不直接連接的方式取代，-R3，R4，R5和R6是H,-Ri和R2不是H，-R1和R2相同，-r1和r2逸自CrC2o烷基，d-C2o烷氧基，<:2-(:2()烯基，<32-<:2()炔基,C廣C2o硫代垸基，C廣C2Q甲硅垸基，C廣C2o酯，C廣C2Q氨基，CrC2Q氟烷基,任選取代的芳基或者雜芳基，非常優(yōu)選CrC2。垸基或者d-C2o氟烷基，-R1和R2選自CVC20垸基，CVC20垸氧基，CVC20烯基，C9-C2。炔基，Cg-C20硫f^烷基，C9-C20甲硅'烷基,CVC20酉旨,Cg-C20氨基,CVC20氟烷基,任選取代的芳基或者雜芳基，非常優(yōu)選CVC20烷基或者CVC2。氟垸基，最優(yōu)選Q。-C2。垸基或者Cn)-C2。氟垸基，-R、r2，R5和R6是H,-R3和R4不是H，-R3和R4相同，-R3和R4選自d-C2。烷基，CVC2G烷氧基，C2-C20烯基，(32-<:2()炔基，CrC2o硫代烷基，CrC2()甲硅烷基，CrC2o酯，CVC2o氨基，d-C2o氟烷基，任選取代的芳基或者雜芳基，非常優(yōu)選CrC2。垸基或者d-C^氟烷基，-R和R4選自C9-C20烷基，C9-C2。垸氧基，C9-C20烯基，CVC20炔基，C9-C20硫代烷基，C9-C20甲硅垸基，C9隱C20酉旨，C9隱C2o氨基，C9-C20氟垸基，任選取代的芳基或者雜芳基，非常優(yōu)選C9-C2。烷基或者C9-C2Q氟垸基，最優(yōu)選Cn)-C20烷基或者CK)-C20氟烷基，隱R!,R2,R3禾卩R4是H,-R5和116不是H，-rs和r6相同，-rs是h，r6不是h,-R6是H，R5不是H，-R5和/或R6選自CrC20烷基，d-C20烷氧基，C2-C20烯基，C2-C20炔基，C廣C2o硫代垸基，Q-C2o甲硅烷基，C廣C2o酯，CrC2o氨基，d-C^氟烷基，任選取代的芳基或者雜芳基，非常優(yōu)選Q-C20垸基或者d-C20氟烷基，-r5和/或R6選自CVC20垸基，C9-C2Q垸氧基，CVC2()烯基，C9-C20炔基，CVC2。硫代垸基，CVC20甲硅垸基，CVC20酯，CVC2()氨基，C9-C20氟垸基,任選取代的芳基或者雜芳基，非常優(yōu)選C9-C20烷基或者C9-C20氟烷基，最優(yōu)選Ci(rC2()垸基或者CKrC2。氟烷基，-P*是-OH或-O-Si-R0R00R000,優(yōu)選其中R0，R0Q和R000是相同或不同的基團，選自芳基或者Q—12烷基、優(yōu)選C廣C6烷基，如甲基、乙基、異丙基、叔丁基或者苯基，-R7和R8選自H,鹵素，Sn(R°)3,B(OR')(OR"),CH2C1，CHO,CH=CH2，SiRGR^R,和任選取代的芳基或者雜芳基，-n是1，117和R8的一個或兩個是優(yōu)選為Br，Cl或I的鹵素，Sn(R0)3,B(OR')(OR"),CH2C1，CHO,CH=CH2或SiR0R00Rooc-R1，R2,R3，R4，R5和R6的至少之一是P-Sp-，-n是l，R7和R8的一個或兩個是P-Sp-或P*-Sp-。尤其是優(yōu)選以下通式的化合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage16</formula>其中R1-8和n具有通式I1中的含義。尤其是優(yōu)選以下化合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage16</formula>Ilal<formula>formulaseeoriginaldocumentpage16</formula>11a2<formula>formulaseeoriginaldocumentpage16</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage16</formula>其中n具有通式I的含義，R具有通式I中R1的含義之一但不是如果R1-8之一是芳基或者雜芳基，它優(yōu)選是具有最高達25個碳原子的單、雙或者三環(huán)的芳族或者雜芳族基團，其中環(huán)能夠稠合。雜芳族基團包含至少一個選自N、O和S的雜環(huán)原子。該芳族或者雜芳族基團任選用一個或多個基團L取代。L是F,Cl,Br，I，CN或者具有1-20個碳原子的直鏈、支鏈或者環(huán)狀的烷基，它們是未取代的，被F,Cl,Br，I,-CN或者-OH單或者多取代的，其中一個或多個非相鄰的CH2基團在每一情況下彼此獨立以0禾口/或S原子不彼此直接連接的形式被-O-，-S-，-NH-,-NRQ-，-SiRQRQQ-，-CO-,-COO-，OCO-，-OCO-O，-S-CO-，-CO-S-，-CH-CH-或-C《-取代。尤其優(yōu)選的芳基和雜芳基是苯基、氟化苯基、吡啶、嘧啶、聯(lián)苯、萘、任選氟化或者烷基化或者氟烷基化的苯并[l，2-b:4,5-b']二硫代苯、任選氟化或者垸基化或者氟烷基化的噻吩并[3,2-b]噻吩、任選氟化或者烷基化或者氟烷基化的2,2-二硫代苯、噻唑和噁唑，所有的是未取代的，用如上定義L單或者多取代的。如果R1—8之一是烷基或者烷氧基，即其中末端CH2基團被-0-取代，則可以是直鏈或者支鏈的。它優(yōu)選是直鏈的，具有2-8個碳原子，因此優(yōu)選是乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、或者辛氧基，而且例如甲基、壬基、癸基、十一烷基、十二垸基、十三烷基、十四基、十五垸基、壬氧基、癸氧基、十一烷氧基、十二烷氧基、十三烷氧基或者十四垸氧基。氟烷基或者氟化烷基或者烷氧基優(yōu)選是直鏈的(0)CiF2w,其中i是1-20的整數(shù)，特別為1-15，非常優(yōu)選(0)CF3，(0)C2F5,(0)C3F7，(0)C4F9，(0)C5Fu,(0)C6F13，(0)C7F15或(0)C8F17，最優(yōu)選(0)C6F13。CX^CX2優(yōu)選為-CH=CH-，-CH-CF-，-CF=CH-，-CF=CF-，-CH=C(CN)-或-C(CN)-CH-。鹵素優(yōu)選為F,Br或Cl。雜原子優(yōu)選選自N、0和S。可聚合基團P是能夠參與聚合反應如自由基或者離子鏈聚合、加聚或者縮聚的基團，或者在類聚合反應(polymeranaloguousreaction)中能夠例如通過縮合或者加成而接枝到聚合物骨架的基團。尤其優(yōu)選的是用于鏈聚合反應如自由基、陽離子或者陰離子聚合的可聚合基團。非常優(yōu)選的是包括C-C雙或者三鍵的可聚合基團，和能夠通過開環(huán)反應如氧雜環(huán)丁垸或者環(huán)氧化物聚合的可聚合基團。非常優(yōu)選的可聚合的基團P選自<formula>formulaseeoriginaldocumentpage18</formula>(CH2=CH)2CH-OCO-，(CH2=CH-CH2)2CH-OCO-，(CH2=CH)2CH-0-，(CH2=CH-CH2)2N-，(CH2=CH-CH2)2N-CO-，HO-CW2W3-,HS-CW2W3-,HW2N-，HO-CW2W3-NH-，CH^CWLCO-NH-,CH2=CH-(COO)kl-Phe-(0)k2-，CH2=CH-(CO)kl-Phe-(0)k2-，Phe-CH=CH-，HOOC隱，OCN-，和W4W5W6Si-，其中^^是H，C1，CN,CF3，苯基或者具有1-5個C原子的垸基，特別是H，CI或者CH3，W2和W3彼此獨立是H或者具有1-5個C原子的垸基，特別是H、甲基、乙基或者正丙基，W4,5和\￥6彼此獨立地是Cl,具有1-5個C原子的氧雜院基或者氧雜羰基烷基，7和W8彼此獨立是H、CI或者具有1-5個C原子的烷基，Phe是1，4-亞苯基，任選被如上定義的一個或多個基團L取代，ld和k2彼此獨立地是0或者1。尤其是優(yōu)選的基團P是CH2=CH-COO-，CH2=C(CH3)-COO-，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage19</formula>非常優(yōu)選的是丙烯酸酯和氧雜環(huán)丁烷基團。氧雜環(huán)丁烷一經(jīng)聚合(交聯(lián))就不太產(chǎn)生收縮，導致在膜之內(nèi)的應力形成更小，導致較高的有序保持性并且缺陷更少。氧雜環(huán)丁烷交聯(lián)同樣需要陽離子引發(fā)劑，不像自由基引發(fā)劑，它們對氧是惰性的。作為間隔基團Sp，能被使用的用于該目的所有的基團對于本領域普通技術人員是熟知的。間隔基團Sp優(yōu)選通式為Sp'-X,因此P-Sp-是P-Sp'-X-，以及P(Sp-是P氺-Sp'-X-，其中Sp'是具有最高達20個碳原子的亞垸基，它們可以是未取代的，被F、Cl、Br、I或者CN單或者多取代的，同樣對于一個或多個非相鄰的CH2基團在每一情況下彼此獨立可以O和/或S原子不能彼此直接連接方式被-O-,-S-，-NH-,-NR°-，-SiR0R°0-,-CO-，-COO-,-OCO-,-OCO-O-,-S-CO-,-CO-S-，-CH=CH-或國C三C-取代。X是陽O-,-S-，-CO-，-COO-,-OCO-，-O-COO-，-CO-NR0-,-NR0-CO-,-CO-NR0-CO-，-OCH2-，-CH20-，-SCH2-，-CH2S-，-CF20-，-OCF2-，-CF2S-，-SCF2-，-CF2CH2-，-CH2CF2-，-CF2CF2-，-CH=N-，-N=CH-，-N=N-，-CH=CR0-，-CX^CX2-,-OC-，-CH=CH-COO-，-OCO-CH=CH-或單鍵，和RQ，RQG，X1和X2具有以上給出的含義之一。X優(yōu)選為-O-,-S-，-OCH2-，-CH20-，-SCH2-，-CH2S-，-CF20-，-OCF2-，-CF2S-，-SCF2-,-CH2CH2-，-CF2CH2-，-CH2CF2-，-CF2CF2-，-CH-N-，-N-CH墨，-N-N-,-CH=CR0-,-CX^CX2-,-C三C-或單鍵,特別是_0_,_S_,_CsC_,-CX^CX2-或單鍵，非常優(yōu)選的是能形成共軛體系的基團，例如-OC-或-CX^CX2-,或單鍵。典型的Sp'例如是-(CH2)p-，-(CH2CH20)q-CH2CH2-，-CH2CH2-S-CH2CH2-or《112(:112^11-(:112012-或-(SiR0R00-O)p-,其中p是2-12的整數(shù)，q是1-3的整數(shù)，R。和R^具有以上給出的含義。優(yōu)選的基團Sp'例如是亞乙基、亞丙基、亞丁基、亞戊基、亞己基、亞庚基、亞辛基、亞壬基、亞癸基、亞H~—烷基、亞十二烷基、亞十八烷基、亞乙基氧亞乙基、亞甲基氧亞丁基、亞乙基硫亞乙基、亞乙基-N-甲基-亞氨基亞乙基、1-甲基亞烷基、亞乙烯基、亞丙烯基和亞丁烯基。進一步優(yōu)選的是具有一個或二個基團P-Sp-或者P、Sp-的化合物，其中Sp是單鍵。在分別具有兩個基團P_Sp或者P、Sp-化合物的情況下，基團P或者pg和間隔基團的每一個是相同或者不同的。另外的優(yōu)選實施方式涉及包括一個或多個基團P、Sp-的化合物，其中Pf是能轉化為如上定義的可聚合基團P的基團或者被如上定義的可聚合基團P取代的基團。優(yōu)選？*是比P例如對于自發(fā)聚合反應性更差的基團。這些化合物例如能在具有一個或多個基團P的通式I可聚合化合物的合成中用作中間體，或者作為反應性太強以至于不能較長時間貯藏或者輸送的可聚合化合物的前體材料。優(yōu)選選擇基團？*以使它能容易地通過已知的方法轉化為基團P或者被基團P取代。例如，它可是基團P的保護形式。其他優(yōu)選的基團PM列如是-OH或者甲硅烷基如-0-Si-RGR^R,,例如-0-Si(CH3)3，-0-31-(異丙基)3,-0-&-(苯基)3,-0^-(013)2(苯基)，-0-Si(CH3)2(叔丁基)等等，它們能夠例如反應成為可聚合的(甲基)丙烯酸酯端基。通過聚合或者共聚作用從本發(fā)明的化合物或者混合物得到的SCLCPs具有由可聚合基團P形成的骨架。本發(fā)明的單體、低聚物和聚合物能根據(jù)已知的或者實施例描述的或者類似的方法合成。本發(fā)明另外的方面涉及本發(fā)明化合物和材料的氧化和還原形式。電子的損失或者增加導致形成具有高電導率的高度離域離子的形式。一經(jīng)接觸通常的摻雜物就發(fā)生上述情況。適當?shù)膿诫s物和摻雜方法是本領域普通技術人員眾所周知的，例如見EP0528662，US5,198,153或者WO96/21659。摻雜方法通常意味著用氧化或者還原劑在氧化還原反應中處理半導體材料以在材料中形成離域離子中心，同時相應的平衡離子來源于施加的摻雜物。適當?shù)膿诫s方法包括例如在大氣壓力或者減壓下接觸摻雜蒸汽，在包括摻雜物的溶液中電化學摻雜，將摻雜物與要熱擴散的半導體材料接觸和將摻雜物離子植入半導體材料中。當電子用作載體時，適當?shù)膿诫s物例如是鹵素(例如I2,Cl2,Br2,IC1，IC13，Ibr和IF)，路易斯酸(例如PF5,AsF5，SbF5，BF3，BC13，SbCl5，BBr3禾nS03),質子酸、有機酸或者氨基酸(例如HF,HCl，HN03，H2S04，HC104,FS03H禾nC1S03H)，過渡金屬化合物(例如FeCl3,FeOCl,Fe(C104)3，F(xiàn)e(4-CH3C6H4S03)3,TiCl4，ZrCl4,HfCl4，NbF5,NbCl5,TaCl5,MoF5，MoCl5，WF5，WC16，UF6禾卩LnCl3(其中Ln是鑭系元素),陰離子(例如CI-,Br隱，r，13-,HSCV,S042-，NO"Cl(V，BF4-，PF"AsF"SbF"Fed"Fe(CN),，和各種各樣的磺酸比如芳基-303-的陰離子)。當空穴用作載體時，摻雜物的例子是陽離子(例如H+,Li+,Na+,K+,Rb+和Cs+)，堿金屬(例如Li,Na,K，Rb和Cs),堿土金屬(例如Ca，Sr和Ba)，02,XeOF4，(N02+)(SbF6)(N02+)(SbCV)，(N02+)(BF4—)，AgC104，H2IrCl6,La(N03)3'6H20，F(xiàn)S02OOS02F,Eu,乙酰膽堿，R4N+,(R是烷基)，R4P+(R是垸基)，R6As+(R是垸基)，和R3S+(R是烷基)。本發(fā)明導電形式的化合物和材料能夠在如下應用場合例如而不限于有機發(fā)光二極管應用場合中的電荷注入層和ITO極化層、平板顯示器和觸屏膜、抗靜電膠片、印刷導電基材、電子應用場合比如印刷電路板和電容器中的圖樣或者區(qū)域，中用作有機"金屬"。本發(fā)明優(yōu)選實施方式涉及為介晶性或者液晶的通式I和II和它們優(yōu)選的次通式的單體、低聚物和聚合物，非常優(yōu)選包括一個或多個可聚合基團。非常優(yōu)選的該類型材料是通式I或者II和它們優(yōu)選的次通式的單體和低聚物，其中n是l-15的整數(shù)，W和/或r8表示P-Sp-。這些材料特別用作半導體或者電荷遷移材料，因為在它們的液晶相中它們能通過已知的技術調(diào)整為高度一致的有序取向，因此顯示較高的導致特別高載流子遷移率的有序度。該高度有序的液晶態(tài)能通過原位聚合或者經(jīng)由基團P交聯(lián)固定，以得到具有高載流子遷移率，高熱、力學和化學穩(wěn)定性的聚合物膜。例如，如果器件由通過原位聚合由可聚合的液晶材料制備，則該液晶材料優(yōu)選包括一個或多個通式II和其優(yōu)選次通式的單體或者低聚物，其中W和rs的一個或者兩個表示P-Sp-。如果液晶聚合物首先例如通過在溶液中聚合進行制備，分離的聚合物用于制備器件，該聚合物優(yōu)選由包括一個或多個通式II和其優(yōu)選的次通式的單體或者低聚物的液晶材料制造，其中R"和r8之一表示P-Sp-。同樣可以共聚本發(fā)明的可聚合單體、低聚物和聚合物和其他現(xiàn)有技術熟知的可聚合的介晶性或者液晶單體，以誘導或者提高液晶相行為。因此，本發(fā)明另外的方面涉及可聚合的液晶材料，包括如上和如下所述本發(fā)明的一個或多個單體、低聚物或者聚合物，及包括至少一個可聚合基團，和任選包括一個或多個另外的可聚合化合物，其中至少一個本發(fā)明的可聚合單體、低聚物和聚合物和/或另外的可聚合化合物是介晶性或者液晶。特別優(yōu)選的是具有向列相和/或層列相的液晶。對于FET應用場合，尤其是優(yōu)選層列的(液晶相)材料。對于OLED應用場合，尤其優(yōu)選向列相或者層列相的(液晶)材料。尤其優(yōu)選的是層列的A(SA)相，而且高度有序的層列相如SB、Se、Sg和Sf相。本發(fā)明另外的方面涉及從如上定義的可聚合液晶材料得到的具有電荷遷移性能的各向異性聚合物膜，所述的液晶材料在其液晶相調(diào)整為宏觀上取向一致并聚合或者交聯(lián)以固定該取向狀態(tài)。優(yōu)選在包括本發(fā)明的半導體材料的電子或者光學器件制造期間，優(yōu)選原位聚合該材料的涂敷層而進行聚合。在液晶材料情況下，優(yōu)選在它們的液晶態(tài)調(diào)整為垂直取向之后聚合，其中共軛兀電子體系與電荷遷移方向垂直。這確保分子間距減少到最小，由此在分子之間電荷輸送需要的能量減少到最小。然后聚合或者交聯(lián)該分子以固定取向一致的液晶態(tài)。在該材料液晶相中或者中間相中進行定位和固化。該技術本領域中是已知的，在例如D丄Broer,etal.，Angew.Makromol.Chem.183,(1990)，45-66中有一般的描述。例如通過處理在其上涂敷該材料的基材，通過在涂敷期間或者在涂敷之后剪切該材料，通過向該涂布材料施加磁性或者電場，或者通過將表面活性化合物加成到該液晶材料上實現(xiàn)液晶材料的定位。例如以下文獻給出了定位技術的綜述I.Sage的"ThermotropicLiquidCrystals",G.W.Gray編輯，JohnWiley&Sons,1987，pages75-77,andT.Uchida禾口H.Seki的"LiquidCrystals-ApplicationsandUsesVol.3"，B.Bahadur編輯,WorldScientificPublishing,Singapore1992,pages1-63。J.Cognard，Mol.Cryst.Liq.Cryst.78，Supplement1(1981),pages1-77中給出了定位材料和技術的綜述。通過置于熱或者光化輻射之下發(fā)生聚合。光化輻射意思是用光如紫外線、IR光或者可見光照射，用X-光或者Y射線照射，或者用高能粒子比如離子或者電子照射。優(yōu)選通過紫外線在非吸收波長照射進行聚合。作為光化輻射源，例如能使用單一的紫外線燈或者一組紫外線燈。當使用高功率燈時，減少固化時間。另外可能的光化輻射源是激光，如紫外激光器，IR激光或者可見光激光器。優(yōu)選在光化輻射波長處吸收的引發(fā)劑存在下進行聚合。例如，當通過紫外線聚合時，使用的光引發(fā)劑能在紫外線照射下分解產(chǎn)生引發(fā)聚合反應的自由基或者離子。當用丙烯酸酯或者甲基丙烯酸酯基團固化可聚合的材料時，優(yōu)選使用自由基光引發(fā)劑，當用乙烯基、環(huán)氧化物和氧雜環(huán)丁烷基團固化可聚合的材料時，優(yōu)選使用陽離子的光引發(fā)劑。同樣可以使用聚合引發(fā)劑，當加熱時分解產(chǎn)生引發(fā)聚合的自由基或者離子。作為自由基聚合的光引發(fā)劑，可以使用例如商業(yè)獲得的Irgacure651,Irgacure184,Darocure1173或者Darocure4205(都得自CibaGeigyAG),而在陽離子光聚作用情況下，使用商業(yè)獲得的UVI6974(UnionCarbide)。該可聚合的材料能另外包括一種或多種其他適當?shù)慕M分，比如催化劑、敏化劑、穩(wěn)定劑、抑止劑、鏈轉移劑、共反應單體、表面活性化合物、脫模劑、潤濕劑、分散劑、疏水劑、粘合劑、流動改進劑、消泡劑、脫氧劑、稀釋劑、活性稀釋劑、助劑、顏料、染料或者顏料。包括一個或多個基團P-Sp-的單體、低聚和聚合物也可以與可聚合的介晶性化合物共聚以誘導或者提高液晶相行為。作為適當?shù)墓簿蹎误w的可聚合介晶性化合物在現(xiàn)有技術中是熟知的，例如公開在wo93/22397;EPQ,261，712;DE195，04，224;WO95/22586和WO97/00600。本發(fā)明另外的方面涉及從如上定義的可聚合液晶材料通過聚合或者類聚合反應得到的液晶側鏈聚合物(SCLCP)。特別優(yōu)選的是從一個或多個通式II和其優(yōu)選的次通式單體得到的SCLCPs，其中W和R8的一個或者兩個，優(yōu)選一個是可聚合的或者活性基團，或者從包括一個或多個所述單體的可聚合的混合物得到。本發(fā)明另外的方面涉及通過從一個或多個通式II和其優(yōu)選次通式單體，其中W和RS的一個或者兩個是可聚合的基團，或者從如上定義的可聚合的液晶混合物，與一個或多個其他介晶性或者非介晶性共聚單體一起共聚或者類聚合反應得到的SCLCP。其中半導體組份通過脂族間隔基團與撓性骨架分開作為側基設置的側鏈液晶聚合物或者共聚物(SCLCPs)，提供得到高度有序薄層狀形態(tài)的可能性。該結構由密堆積的共軛芳族介晶性相組成，其中出現(xiàn)非常緊密的(通?！碅)的;w:疊層。該疊層可使分子間電荷更容易遷移，導致高載流子遷移率。SCLCPs對于特定應用是有利的，因為它們能在處理加工以前容易地合成，然后例如從有機溶劑溶液中處理。如果SCLCPs用于溶液，則當涂敷在適當表面上時以及當在它們中間相溫度下時它們能自然取向，這能導致大面積高度有序的區(qū)域。SCLCPs能通過上面描述的方法從本發(fā)明可聚合的化合物或者混合物制備，或者通過常規(guī)的本領域普通技術人員眾所周知的聚合技術制備，例如包括自由基、陰離子或者陽離子鏈聚合、加聚或者縮聚。例如在不需要涂敷和預先定位的情況下在溶液中聚合，或者原位聚合進行聚合。同樣可以通過用適當?shù)幕钚曰鶊F或者其混合物將本發(fā)明化合物接枝在同類聚合反應中預合成的各向同性或者各向異性聚合物骨架上形成SCLCPs。例如，具有羥端基的化合物能連接到具有側羧酸或者酯基的聚合物骨架上，具有末端異氰酸酯基的化合物能連接到具有自由羥基的骨架上，具有末端乙烯基或者乙烯氧基的化合物能連接到例如具有Si-H基團的聚硅氧垸骨架上。同樣可以通過從本發(fā)明的化合物以及常規(guī)的介晶性或者非介晶性共聚單體的共聚作用或者類聚合反應形成SCLCPS。適當?shù)墓簿蹎误w是本領域普通技術人員眾所周知的。原則上，可以使用本領域熟知所有常規(guī)的載帶能夠進行形成希望聚合物反應的反應性或者可聚合基團的共聚單體，例如如上定義的可聚合的或者活性基團P。典型的介晶性共聚單體例如是在WO93/22397,EP0261712，DE19504224，WO95/22586，WO97/00600和GB2351734中提到的那些。典型的非介晶性共聚單體例如是具有l(wèi)-20個碳原子垸基的丙烯酸垸基酯或者甲基丙烯酸烷基酯，如丙烯酸甲酯或者甲基丙烯酸甲酯。本發(fā)明的單體、低聚物和聚合物能用作光、電子和半導體材料，特別作為場效應晶體管(FETs)中的電荷遷移材料，例如作為集成電路原件的元件、ID標簽或者TFT應用場合?；蛘?，它們可以用于電致發(fā)光顯示器應用場合中的有機發(fā)光二極管(OLEDs)，或者例如作為液晶顯示器的背光，作為光致電壓或者傳感器材料，用于電子照相記錄和其他半導體應用場合。尤其是本發(fā)明的低聚物和聚合物顯示有利的溶解性能，這能使生產(chǎn)工藝使用這些化合物的溶液。因此包括層和涂層的膜可以通過低成本生產(chǎn)技術例如旋涂產(chǎn)生。適當?shù)娜軇┗蛘呷軇┗旌衔锇ㄍ闊N和/或者芳烴，尤其是它們的氟化衍生物。本發(fā)明的材料用作光、電子和半導體材料，特別作為場效應晶體管(FETs)中的電荷遷移材料，作為光致電壓或者傳感器材料，用于電子照相記錄和用于其他半導體應用場合。這種其中有機半導體材料布置在柵絕緣體和漏電極和源電極之間作為薄膜的場效應晶體管，在例如US5,892,244，WO00/79617,US5,998,804中以及在背景和現(xiàn)有技術章節(jié)中和以下列舉的參考文獻中有一般的描述。由于該優(yōu)點，利用本發(fā)明化合物溶解性能的低成本生產(chǎn)因此能實現(xiàn)大表面的可加工性，這些場效應晶體管優(yōu)選的應用場合比如是集成電路元件，TFT顯示器和安全應用場合。在安全應用場合中，場效應晶體管及其他具有半導體材料的器件，如晶體管或者二極管，可以用于ID標簽或者安全標記以鑒定和防止仿造有價證券如鈔票、信用卡或者身份證、國家ID文獻、執(zhí)照或者任何具有金融價值的產(chǎn)品如郵票、券、股票、支票等?；蛘?，本發(fā)明的單體、低聚物和聚合物可以用于有機發(fā)光器件或者二極管(OLEDs)中，例如用于顯示器應用場合或者作為例如液晶顯示器的背光。使用多層結構實現(xiàn)通常的OLEDs。發(fā)光層通常夾在一個或多個電子傳遞和/或空穴傳輸層之間。通過施加電壓，電子和作為載流子的空穴向發(fā)光層移動，其中它們的再結合導致激發(fā)，由此包含于該發(fā)光層中的發(fā)光團單元發(fā)光。本發(fā)明的化合物、材料和膜可以用于對應于它們的電和/或光學性質的一個或多個電荷遷移層和/或用于發(fā)光層中。而且，如果本發(fā)明的化合物、材料和膜本身顯示電致發(fā)光性能或包括電致發(fā)光基團或化合物，則它們在發(fā)光層之內(nèi)的用途是特別有利的。用于OLEDs中適當?shù)膯误w、低聚物和聚合物或材料的選擇、表征以及處理加工通常是本領域普通技術人員熟知的，例如見Meerholz,SyntheticMaterials,111-112，2000,31-34，Alcala，J.Appl.Phys.,88,2000,7124-7128和在其中所引用的文獻。根據(jù)其它用途，本發(fā)明的化合物、材料或膜特別是顯示光致發(fā)光性能的那些可以用作光源材料，例如顯示器的光源材料，如EP0889350Al或C.Wederetal.，Science,279,1998，835-837中的描述。根據(jù)其它用途，本發(fā)明的化合物、材料或膜能單獨用于或與其他材料一起用于LCD或OLED器件中的定位層中或作為定位層，例如US2003/0021913中的描述。使用本發(fā)明電荷遷移化合物能增強定位層的電導率。當用于LCD中時，增加電導率能降低不利的可換向LCD單元中殘余直流電影響，并抑制圖像粘貼，或例如用于鐵電的LCDs中，通過轉換鐵電LCS的自發(fā)極化電荷降低殘余電荷。當用于包括定位層上提供的發(fā)光材料的OLED器件時，增加電導率能提高該發(fā)光材料的電致發(fā)光(性能)。本發(fā)明具有介晶性或液晶性能的化合物或材料能形成如上所述各向異性的取向膜，這特別用作定位層誘導或提高在所述各向異性薄膜上提供的液晶介質中的定位。本發(fā)明的材料也可以與可光異構化的化合物和/或發(fā)色團一起用于光定位層中或作為光定位層，如US2003/0021913中的描述。根據(jù)其它用途，本發(fā)明的材料和聚合物，特別是它們水可溶的衍生物(例如含有極性的或離子的側基)或離子摻雜形式，能用作化學傳感器或材料用于檢測和識別DNA序列。這樣的用途例如描述在L.Chen，D.W.McBranch,H.Wang，R.Helgeson，F(xiàn).WudlandD.G.Whitten，Proc.Natl.Acad.Sci.U.S.A.1999,96，12287;D.Wang，X.Gong，P.S.Heeger,F.Rininsland,G.C.BazanandA.J.Heeger,Proc.Natl.Acad.Sci.U.S.A.2002，99，49;N.DiCesare,M.R.Pinot,K.S.SchanzeandJ.R.Lakowicz,Langmuir2002，18，7785;D.T.McQuade,A.E.Pullen，T.M.Swager,Chem.Rev.2000，100，2537中。本發(fā)明的化合物和材料也可以用于化妝品或藥用組合物中，例如公開在EP1498112A2中的用于頭發(fā)護理的化妝品組合物。以下實施例用來說明本發(fā)明而不限制本發(fā)明。在上述及以下，除非另有說明，所有給出的溫度以攝氏溫度計，所有的百分數(shù)按重量計算。實施例1聚合物1以如下所述制備<formula>formulaseeoriginaldocumentpage29</formula>12,5-雙(三甲基甲錫垸基)硒吩向在無水己烷(90ml)和TMEDA(17.4g,150mmol)溶液中的硒吩(7.4g,56.5mmol)溶液中，在0°C在氮氣下在5分鐘之內(nèi)逐滴地加入正丁基鋰(55ml的2.5M己烷溶液，137.5mmol)。得到的溶液回流30分鐘，然后冷卻到0。C，一次加入固體的三甲基氯化錫(25.6g，129mmo1)。得到的溶液放置溫熱到室溫，并在該溫度下攪拌20小時。用水(IOOml)驟冷溶液，加入乙酸乙酯(100ml)。分層后，用另外的水(4X100ml)、鹽水(100ml)洗滌該有機層，干燥(Na2S04)，過濾和在減壓下濃縮。得到的固體從乙腈中重結晶四次以提供白色針狀產(chǎn)品(25.8g，83%)。M/Z簇中心，456(M+)。發(fā)現(xiàn)C，26.3;H，4.6.Calc.forC10H20SeSn2C,26.3;H，4.2.畫R(300MHz,CDC13)S7.68(s，2H)，0.37(s,卿.13CNMR(75MHz,CDC13)S150.2，138.7,-7.7.5,5，-二溴-4,4'-雙(癸基)-2，2，-聯(lián)噻吩:以類似于公開的步驟制備4，4'-雙(癸基)-2,2'-聯(lián)噻吩(見M.ZagorskaandB.KrischePolymer,1990，31，p1379)。向在氯仿(100ml)和冰醋酸(100ml)中的4，4'-雙(癸基)-2，2'-聯(lián)噻吩(6.60g,14.8mmol)的溶液中，在5'C下在黑暗中在1小時之內(nèi)逐份加入N-溴琥珀酰亞胺(5.40g，30mmol)。得到的溶液溫熱到20°C,另外攪拌16小時。在減壓下除去溶劑，殘余物懸浮在MTBE(200ml)中。過濾該溶液除去琥珀酰亞胺副產(chǎn)品。用5。/。碳酸鈉(100ml)、水(100ml)和鹽水(100ml)洗滌濾液，干燥(硫酸鈉)，過濾和在減壓下濃縮。得到的粗產(chǎn)品通過反相柱色譜法用RP18硅石(23g)，用乙腈/THF2:1洗膠而進一步提純。從乙酸乙酯中最后的重結晶提供產(chǎn)品(2.94g)。HRMS602.1248(calc.forC28H44S2Br792602.1251).!HNMR(300MHz，CDC13)S6.77(s，2H),2.70(t,4H)，1.57(五重峰，4H)，1.28(m，28H),0.88(t,6H).13CNMR(75MHz,CDC13)S143.0,136.1,124.5，107.9,31.9,29.62，29.57，29.40，29.35，29.2,22.7,14.2.聚(2,5-雙(3-癸基噻吩-2-基)硒吩)[1〗向20ml的小玻璃管中用攪棒填充5，5'-二溴-4,4'-雙(癸基)-2,2'-聯(lián)噻吩(604.6mg，1mmol)，2，5-雙-三甲基甲錫烷基硒吩(456.6mg，1mmol),三(二亞芐基丙酮)二鈀(0)(18.3mg，0.02mmol，4mol。/。Pd)，三(鄰甲苯基)膦(24.4mg，0.08mmo1，8mol%)和氯苯(15ml)。用氮氣吹掃小玻璃管并關緊密封。將小玻璃管放置到微波反應器中(EmrysCreator,PersonalChemistryLtd),依次加熱到14(TC保持1分鐘，然后加熱到16(TC保持1分鐘，最后加熱到185'C保持20分鐘。冷卻到室溫之后，反應混合物沉淀進入甲醇(150ml)和37。/。鹽酸(15ml)的混合物中，攪拌14小時。過濾聚合物，用甲醇洗滌，真空下千燥。用甲醇((6h)，丙酮(24h)和己烷(24h)(經(jīng)由索格利特萃取器)洗滌聚合物。得到的聚合物溶解在熱的氯仿(50ml)中，過濾并沉淀進入甲醇中，得到產(chǎn)品(540mg)。GPC(氯苯，60°C)Mn(127,100g/mol)，Mw(58,700g/mol).、ax570nm(固體膜).&NMR(300MHz,,50。C,CDC13)S7.25(s,2H，由于CHCl3波峰模糊)7.01(s,2H)，2.76(t,4H)，1.70(m,4H),1.45-1.20(m，28H),0.88(t，6H).實施例2聚合物2以如下所述制備5,5，-二溴-4，4，-雙(十二垸基)-2，2，-聯(lián)噻吩:以類似于公開的步驟制備4，4'-雙(十二垸基)-2,2，-聯(lián)噻吩(見M.ZagorskaandB.KrischePolymer,1990,31,p1379)。向在氯仿(200ml)和冰醋酸(200ml)中4，4'-雙(十二垸基)-2，2，-聯(lián)噻吩(28.8g，57.3mmol)的溶液中在25'C在黑暗中在1小時之內(nèi)分批加入N-溴琥珀酰亞胺(19.88g,111.7mmol)。得到的溶液攪拌6小時。在減壓下除去溶劑，殘余物溶解在二氯甲垸(1000ml)和水(500ml)的混合物中。分離有機層，用二氯甲烷(500ml)萃取水層。用5%碳酸鈉(500ml)、水(500ml)和鹽水(500ml)洗滌合并的有機物，干燥(硫酸鈉)，過濾和在減壓下濃縮。得到的粗產(chǎn)品通過硅石芯棒(洗脫液:汽油40-60'C)過濾并在減壓下濃縮。從丁酮中重結晶得到淺黃晶體產(chǎn)品(43.1g，73%)。M/Z660(M+).發(fā)現(xiàn)C，58.1;H，7.9;S，9.2.計算為C32H52S2Br2C，58.2;H，7.9;S,9.7。！H麵R(300MHz,CDC13)S6.77(s2H)，2.51(t，4H)，1.57(五重峰，4H)，1.28(m,36H)，0.88(t，6H)。13CNMR(75MHz，CDC13)5142.8，136.0,124.3,107.7,31.8，29.6(2C)，29.5(4C),29.2(2C)，29.0,22.6，14.0。聚(2,5-雙(3-十二垸基噻吩-2-基)硒吩)[2]:向20ml的小玻璃管中用攪棒填充5,5'-二溴-4，4，-雙(十二烷基)-2,2'-聯(lián)噻吩(660.711^,1mmol)，2,5-雙-三甲基甲錫垸基硒吩(466.6mg，1mmol)，三(二亞芐基丙酮)二鈀(O)(18.3rag，0.02mmol，4mol%Pd)，三(鄰甲苯基)膦(24.4mg,0.08mmol,8mol%)和氯苯(15ml)。用氮氣吹掃小玻璃管并關緊密封。將小玻璃管放置到微波反應器中(EmrysCreator,PersonalChemistryLtd)，依次加熱到140。C保持1分鐘，然后加熱到160'C保持1分鐘，最后加熱到1S(TC保持15分鐘。冷卻到室溫之后，反應混合物沉淀進入甲醇(150ml)和37。/。鹽酸(15ml)的混合物中，攪拌14小時。過濾聚合物，用甲醇洗滌，真空下干燥。用甲醇(6h),丙酮(24h)和己烷(24h)(經(jīng)由索格利特萃取器)洗滌聚合物。得到的聚合物溶解在熱氯苯(50ml)中，通過硅石(2g)芯棒過濾，在6(TC沉淀進入甲醇中以得到產(chǎn)品(466mg)。GPC(氯苯，60°C)Mn(23,800g/mol)，Mw(46，400g/mol).w(固體膜)572，620(sh)亂)Wx(CHC13)486nm.'HNMR(300MHz,,50°C，CDC13)57.25(s,2H,由于CHCl3波峰模糊)7.01(s，2H)，2.75(t，4H),1.70(m,4H)，1.45-1.20(m,36H),0.87(t，6H)。實施例3以如下所述制備聚合物3:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage32</formula>34，4'-雙(己基)-2,2，-二硒吩:根據(jù)公開的步驟(C.Mahatsekakeetal，Phosphorus,SulfurandSilicon,1990，47,35-41;1.0g，4.64mmol)制備3-己基硒吩。向無水THF(25ml)中的3-己基硒吩(4.30g，20mmol)禾口N,N,N，,N，-四甲基乙二胺(2.44g,21mmol)中在-4(TC加入正丁基鋰(8.5ml2.5M己垸溶液，21.3mmol)。在30分鐘之內(nèi)使溶液溫熱到25°C，在25'C下攪拌45分鐘。得到的溶液冷卻到-2(TC，一次加入固體的氯化銅(II)(2.96g，22mmol)。在25t:下攪拌反應另外的16h，通過加入5%的HCl(50ml)驟冷。用乙酸乙酯(3X50ml)萃取有機物。用5%HCl(2X50ml)、水(50ml)和飽和的氯化鈉(50ml)洗滌合并的有機物，干燥(Na2S04)，過濾和在減壓下濃縮。通過柱色譜法用硅石(洗提液:汽油40-6(TC)進一步提純得到的油。第一餾分包含3-己基硒吩，第二餾分包含產(chǎn)品。從THF/乙腈在-70。C下重結晶得到白色固體產(chǎn)品。M/Z430(M+).^NMR(300MHz,CDC13)57.36(s,2H),7.11(s，2H)，2.52(t，4H)，1.60(五重峰，4H),1.30(m,12H)，0.89(t，6H).13CNMR(75MHz，CDC13)5145.9，144.0，128.3，122.9，32.3，31.7，30,2,29.0，22.7，14.2。5，5'-二溴-4，4，-雙(己基)-2，2，-二硒吩:在25。C在黑暗中向四氫呋喃(25ml)中4，4，-雙(己基)-2,2，-二硒吩(1.0g，2.33mmol)的溶液在30分鐘之內(nèi)以兩份加入N-溴琥珀酰亞胺(0.84g,4.72mmol)。得到的溶液攪拌6小時。在減壓下除去溶劑，溶解在乙酸乙酯(50ml)中的殘余物，用水(2X30ml)和飽和的氯化鈉(30ml)洗滌，過濾和在減壓下濃縮。得到的粗產(chǎn)品通過硅石芯棒(洗脫液:汽油40-6(TC)過濾并在減壓下濃縮。從乙醇中重結晶提供白色晶體產(chǎn)品(0.75g，55%)。M/Z三重態(tài)中心，456(M+)。NMR(300MHz,CDC1-3)56.84(s，2H),2.48(t，4H)，1.55(五重峰，4H)，1.3(m，12H),0.89(t，6H).13C畫R(75MHz，CDC13)5145,3，142.9,127.7，110.3，31.6,30.9,39,6，29.6,22.6，14.2。聚(2，5-雙(3-己基硒苯-2-基)噻吩)[3]:用攪棒向10ml小玻璃管中填充5,5，-二溴-4,4，-雙(己基)-2，2，-二硒吩(300mg,0.512mmol)，2,5-雙-三甲基甲錫烷基噻吩(209.7mg,0.512mmol),三(二亞節(jié)基丙酮)二鈀(O)(9.37mg，0.01mmol,4mol%Pd),三(鄰甲苯基)膦(12.46mg，0.04mmol,8mol%)和氯苯(5ml)。用氮氣吹掃小玻璃管并關緊密封。將小玻璃管放置到微波反應器中(EmrysCreator,PersonalChemistryLtd)，依次加熱到140。C保持1分鐘，然后加熱到16(TC保持1分鐘，最后加熱到18(TC保持15分鐘。冷卻到室溫之后，反應混合物沉淀進入甲醇(50ml)和37。/。鹽酸(5ml)的混合物中，攪拌14小時。過濾聚合物，用甲醇(6h)，丙酮(24h)和異己烷(24h)(經(jīng)由索格利特萃取器)洗滌。得到的聚合物溶解在熱氯仿中，沉淀進入甲醇中提供產(chǎn)品(210mg)。GPC(氯苯，60°C)Mn(12，700g/mo1),Mw(26,000g/mo1).入薩(固體膜)550，578(sh)，628(sh)nm。Xmax(CHC13)483nm.&NMR(300MHz，，50。C，CDC13)57.11(s,2H),7.01(s,2H)，2.73(t，4H)，1.68(m,4H)，1.45-1.20(m,12H),0.90(t，6H)。實施例4以如下所述制備聚合物4:4聚(2,5-雙(3-己基硒苯-2-基)噻吩)[4]:用攪棒向10ml小玻璃管中填充5,5'-二溴-4，4，-雙(己基)-2，2，-b二硒吩(300mg，0.512mmol),5,5，-雙-三甲基甲錫垸基-[2，2']二硫苯基(251.7mg，0.512mmol),三(二亞芐基丙酮)二鈀(O)(9.37mg，0.01nrniol,4mol%Pd)，三(鄰甲苯基)膦(12.46mg，0.04mmol，8mol%)禾口氯苯(5ml)。用氮氣吹掃小玻璃管并關緊密封。將小玻璃管放置到微波反應器中(EmrysCreator,PersonalChemistryLtd),依次加熱到140°C保持1分鐘，然后加熱到160。C保持1分鐘，最后加熱到19(TC保持15分鐘。冷卻到室溫之后，反應混合物沉淀進入甲醇(50ml)和37%鹽酸(5ml)的混合物中，攪拌14小時。過濾聚合物，用甲醇(6h),丙酮(16h)和異己烷(16h)(經(jīng)由索格利特萃取器)洗滌。得到的聚合物溶解在熱氯仿中，沉淀進入甲醇中提供產(chǎn)品(230mg)。GPC(氯苯，60°C)Mn(18,500g/mol)，Mw(40,700g/mol).X^x544nm(固體膜)。\^482nm(CHC13)&畫R(300MHz,,50°C,CDC13)S7.11(brs，4H),6.98(d，2H),2.73(t，4H),1.68(m,4H)，1.45-1.20(m，12H),0.90(t,6H)。實施例5以如下所述制備聚合物5:聚(2，5-雙(3,4-二癸基噻吩-2-基)硒吩)[5]:用攪棒向10ml小玻璃管中填充2，5-二溴-3,4，-二癸基噻吩(100mg，0.19mmol)，2,5-雙-三甲基甲錫垸基硒吩(87.2mg,0.191mmol)，三(二亞芐基丙酮)二鈀(O)(3.5mg,0.004mmol，4mol%Pd)，三(鄰甲苯基)膦(4.65mg，0.016mmol，8mol%)和氯苯(3ml)。用氮氣吹掃小玻璃管并關緊密封。將小玻璃管放置到微波反應器中(EmrysCreator,PersonalChemistryLtd),依次加熱到14(TC保持2分鐘，然后加熱到16(TC保持2分鐘，最后加熱到1S0。C保持15分鐘。冷卻到室溫之后，反應混合物沉淀進入甲醇(75ml)和37。/。鹽酸(25ml)的混合物中，攪拌1.5小時。過濾聚合物，用丙酮洗滌(經(jīng)由索格利特萃取器)(4h)。用氯仿提取得到的聚合物，在減壓下濃縮提供產(chǎn)品(60mg)。GPC(氯苯，60°C)Mn(4，700g/mo1),Mw(7,000g/mo1).514nm(固體膜)。\ax(CHC13)454nm&NMR(300MHz，，THF-d8)S7.33(brs，2H),2.77(brt,4H)，1.63(m，4H)，1.4-1.2(m,28H)，0.9(brt,6H)。晶體管制造和測量在高度摻雜的硅襯底上用熱生長的二氧化硅(Si02)絕緣層制造薄膜有機場效應晶體管(OFETs)，其中該襯底作為共用的柵電極。在二氧化硅層上用照相平板印刷術形成晶體管源-漏金電極。在有機半導體沉積之前，用硅烷化劑六甲基二硅氮烷(HMDS)或辛基三氯硅烷(OTS)處理場效應晶體管襯底。然后通過在氯仿、二甲苯、氯苯或二氯苯(0.4-1.0wt。/cO中在FET襯底上旋轉涂敷聚合物溶液沉積半導體薄膜。在環(huán)境大氣下使用計算機控制的Agilent4155C半導體參數(shù)分析儀進行晶體管器件的電學特性表征。在通過旋涂制備的膜上測定晶體管特性。薄膜在氮氣下加熱到IO(TC保持IO分鐘以除去剩余溶劑，然后冷卻到室溫測量晶體管特性。圖1顯示在10微米通道長度和20，000微米通道寬度的晶體管器件中實施例1的電流(i)-電壓(V)傳輸特性。對于兩種不同設置的源漏電壓(Vsd)，晶體管門電壓(Vg)在40和-60伏之間變化。分別對于Vsd=-5V(曲線a)和-60V(曲線b)Isd對Vg作圖。該器件顯示典型的p型行為，具有良好的電流調(diào)制和充分限定的線形和飽和區(qū)。使用如下公式(l)計算飽和區(qū)中的場效應流動性(Vd〉(Vg-V0)):<formula>formulaseeoriginaldocumentpage37</formula>其中W是通道寬度，L是通道長度，Ci是絕緣層電容，Vg是柵壓，Vd是漏電壓，Id是漏電流，V()是導通電壓，和^"是飽和的載流子遷移率。導通電壓(V。)確定為源-漏電流產(chǎn)生的電壓(圖1)?；衔?-3的流動性值總結在表1中。<table>tableseeoriginaldocumentpage37</column></row><table>表1.聚合物1-3電氣數(shù)據(jù)的一覽表。<image>imageseeoriginaldocumentpage38</image>權利要求1.一種包括一個或多個硒吩-2，5-二基和一個或多個噻吩2，5-二基的單體、低聚或者聚合化合物，每一個任選在3-和/或4-位取代，條件是不包括2，5-雙(3-辛基-噻吩-2-基)硒吩的均聚物。2.根據(jù)前述的權利要求的化合物，特征在于它們選自通式I:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula>其中R"M皮此獨立，在多次出現(xiàn)情況下彼此獨立，為H，鹵素，任選取代的芳基或者雜芳基，P-Sp-，P*-Sp-，或者具有l(wèi)-20個C原子的直鏈、支鏈或者環(huán)狀的垸基，它們?nèi)芜x被F、Cl、Br、I或者CN單或者多取代，其中，一個或多個非相鄰的CH2基團在每一情況下彼此獨立任選被-O-,-S-，-NH-,-NR°-，-SiR0R0()-,-CO-,-COO-，-OCO-，-O-CO-O-,-s-co-，-co-s-,-cx^cx2-或-oc-以o禾口/或s原子彼此不直接連接的方式取代，RQ和RGQ彼此獨立地是H，芳基或者具有1-12個C原子的垸基，X1和X2彼此獨立地是H、F、Cl或者CN，P是可聚合基團，P*是能夠轉變?yōu)榭删酆匣鶊FP或者被可聚合基團P取代的基團，Sp是間隔基團或者單鍵，a,b，c和d彼此獨立地是0，1，2或3，其中a+c>l，b+d>l，n是^1的整數(shù)，其中該重復單元是相同或不同的，條件是不包括其中a=b=c=1,d=0，R1禾口R2為n-C8H17，R3，R4:R5和R6為H,禾nn>1的化合物。3.根據(jù)前述權利要求至少一項的化合物，特征在于它們選自通式<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>其中R"6,a，b，c，d和n具有通式I的含義，117和R8彼此獨立地具有Rl的含義之一或表示-Sn(RQ)3，-B(OR')(OR")，-CH2C1,-CHO，-CH=CH2或-SiR0R00R000，RQ，RQG，彼此獨立地是H,芳基或具有1-12個C原子的烷基，R'和R"彼此獨立地是H或者具有1-12個C原子的烷基，或者OR'和OR"與硼原子一起形成具有2-20個碳原子的環(huán)狀基團。4.根據(jù)前述權利要求至少一項的化合物，特征在于它們選自以下的通式<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>其中R"8,a,b,c,d和n具有通式I的含義。5.根據(jù)前述權利要求至少一項的化合物，特征在于R3，R4，W和R6是H，W和r2不是H。6.根據(jù)前述權利要求至少一項的化合物，特征在于Ri和W選自C1-C20院基，C廣C20院氧基，Ci-C20稀基，C廣C20塊基，C廣C20硫代院基，Q-C20甲硅烷基，C廣C2o酯，C廣C2o氨基，Q-C2o氟烷基。7.根據(jù)前述權利要求至少一項的化合物，特征在于W和RZ選自C9-C20烷基,C9-C20烷氧基，C9-C20烯基,C9-C20炔基，C9-C20硫代烷基，C9-C20甲硅垸基，CVC20酯，C9-C加氨基，CVC2o氟烷基,和任選取代的芳基或者雜芳基，非常優(yōu)選CVC2。烷基或者CVC2()氟垸基。8.根據(jù)前述權利要求至少一項的化合物，特征在于n是2-5000的整數(shù)。9.根據(jù)前述權利要求至少一項的化合物，特征在于n是l，117和R8的一個或兩個是鹵素，-Sn(RQ)3，-B(OR')(OR"),-CH2C1,-CHO，-CH=CH2或-SiRORO。R000。10.根據(jù)前述權利要求至少一項的化合物，特征在于n是1，R7和R8的一個或兩個是P-Sp-或P*-Sp-。11.根據(jù)前述權利要求至少一項的化合物，選自以下通式<formula>formulaseeoriginaldocumentpage5</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage6</formula>其中n具有通式I的含義，R具有W的含義之一但不是H。12.可聚合的液晶材料，包括根據(jù)前述權利要求至少一項的一種或多種含有至少一個可聚合基團的噻吩并噻吩化合物，任選包括一種或多種其他可聚合的化合物，其中所述噻吩并噻吩化合物或所述其他可聚合的化合物的至少一種是介晶性或液晶性。13.具有電荷遷移性能的各向異性聚合物膜，從前述權利要求的可聚合的液晶材料得到，所述的液晶材料在其液晶相中宏觀上定位為一致的取向，并聚合或交聯(lián)以固定取向的狀態(tài)。14.側鏈液晶聚合物，任選在一種或多種其他的介晶性或非介晶性共聚單體存在情況下，通過聚合根據(jù)前述權利要求至少一項的一種或多種化合物或可聚合的材料得到，或通過將所述的化合物或材料在同系聚合反應中接枝到聚合物骨架而得到。15.根據(jù)前述權利要求至少一項的化合物、材料或聚合物在光、光電或者電子元件或者器件、有機場效應晶體管(OFET)、集成電路(IC)、薄膜晶體管(TFT)、平板顯示器、無線電頻率識別(RFID)標簽、電致發(fā)光或者光致發(fā)光器件或元件、有機發(fā)光二極管(OLED)、顯示器背光、光致電壓或者感光器件、電荷注入層、肖特基二極管、平面層、抗靜電膠片、導電襯底或者圖樣、電池的電極材料、光電導體、電攝影應用、電子照相記錄、生物記憶器件、定位層、化妝品或者藥用組合物、生物傳感器、生物晶片中作為電荷輸送、半導體、導電、光導或者發(fā)光材料的用途，或者用于檢測和識別DNA序列。16.半導體、電致發(fā)光或電荷遷移材料、元件或器件，包括根據(jù)前述權利要求至少一項的至少一種化合物、材料或聚合物。17.光、電光學或電子器件、FET、集成電路(IC)、TFT、OLED或定位層，包括根據(jù)前述權利要求至少一項的材料、元件或器件。18.平板顯示器的TFT或TFT陣列、無線電頻率識別(RFID)標簽、電致發(fā)光顯示器或背光，包括根據(jù)前述權利要求至少一項的材料、元件、器件、FET、IC、TFT或OLED。19.安全識別標志或器件，包括根據(jù)前述權利要求的FET或RFID標簽。20.根據(jù)前述權利要求至少一項的化合物、材料或聚合物，它們被氧化或還原摻雜以形成導電離子物種。21.用于電子應用場合或平板顯示器中的電荷注入層、極化層、抗靜電膠片或導電襯底或圖樣，包括根據(jù)前述權利要求的化合物、材料或聚合物。全文摘要本發(fā)明涉及新穎的包括噻吩和硒吩的單體、低聚物和聚合物，它們在光、光電或電子器件中用作半導體或電荷遷移材料的用途，以及包括該新穎化合物的光、光電或電子器件。文檔編號C08G61/12GK101160338SQ200680007850公開日2008年4月9日申請日期2006年2月23日優(yōu)先權日2005年3月11日發(fā)明者史蒂文·蒂爾尼,拉因·麥卡洛克,瓦倫·達菲,馬丁·希尼申請人:默克專利有限公司