用于有機發(fā)光二極管的光電材料及使用該光電材料的元件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種用于有機發(fā)光二極管的光電材料以及使用該光電材料的元件，該光電材料具有下列化學式(Ⅰ)所示的結構：化學式(Ⅰ)其中，R1為擇自由以下化學式(Ⅱ)至(Ⅵ)所組成的群組：-CN化學式(Ⅱ)化學式(Ⅲ)化學式(Ⅳ)化學式(Ⅴ)化學式(Ⅵ)R2與R3為相同且擇自由以下化學式(Ⅶ)至(Ⅷ)所組成的群組：-H化學式(Ⅶ)化學式(Ⅷ)借此，該光電材料具有優(yōu)異的發(fā)光特性，且同時兼?zhèn)淞己玫臒岱€(wěn)定性，適合做為有機發(fā)光二極管元件的材料。
【專利說明】用于有機發(fā)光二極管的光電材料及使用該光電材料的元件

【技術領域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種用于有機發(fā)光二極管的光電材料及使用該光電材料的有機發(fā)光 二極管元件，尤指一種兼?zhèn)鋬?yōu)異發(fā)光特性與熱穩(wěn)定性的有機發(fā)光二極管的光電材料，以及 使用該光電材料的有機發(fā)光二極管兀件。

【背景技術】
[0002] 近年來，隨著市場對于電子產(chǎn)品的需求逐漸擴增，以及各界在照明應用技術的要 求升高，造就發(fā)光二極管（Light emitting diode,簡稱LED)與有機發(fā)光二極管（Organic light emitting diode,簡稱0LED)的技術快速發(fā)展，并漸漸取代傳統(tǒng)燈具，且相對影響外 圍產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，如大量使用顯示面板技術的電子產(chǎn)品。其中，雖有機發(fā)光二極管的進展速度 較慢，然，由于其本身具備自發(fā)光、低耗電、可撓曲、高對比與輕薄體積等優(yōu)點，自然成為各 家廠商競相研發(fā)的重點。
[0003] -般的有機發(fā)光二極管如美國專利公開第US2009/0295278號所示，其具有一陽 極、一陰極以及一設于該陽極與該陰極之間的有機發(fā)光單兀，該有機發(fā)光單兀包括一與該 陽極連接的空穴傳輸層、一與該陰極連接的電子傳輸層以及一設于該空穴傳輸層與該電子 傳輸層之間的有機發(fā)光層，當一偏壓電場施加于該陽極與該陰極之間時，將空穴與電子分 別注入該空穴傳輸層與該電子傳輸層，并驅使空穴與電子的移動而于該有機發(fā)光層內形成 再結合，進而發(fā)出光線。
[0004] 以現(xiàn)階段的有機發(fā)光二極管的技術發(fā)展而言，若以一般的光電材料做為發(fā)光 層、電子傳輸層或空穴傳輸層，如廣為熟知的α -NPB (Ν，Ν' -Bi s- (1 -naphthal eny 1) -N，N '-bis-phenyl- (1, 1' -biphenyl)-4, 4' -diamine)> Alq3 (Tris (8-hydroxyquinolinato) aluminium)、TPBI (N-arylbenzimidazole)等，其效能明顯不足以符合消費需求。為解決此 問題，遂有業(yè)者在既有的發(fā)光層、電子傳輸層和空穴傳輸層外，額外增加其它材料層，使其 成為一復合結構的發(fā)光二極管元件，以提升整體的元件效能。然，此解決方式的缺點為，當 元件發(fā)生問題時，由于結構較為復雜，無法很快找出問題的起因并快速解決。再者，當制成 復合結構的發(fā)光二極管元件時，所花費的材料成本和工藝的成本相當可觀，以至于最后商 品化的價格居高不下，因此，在商業(yè)上難以取代傳統(tǒng)的發(fā)光元件。


【發(fā)明內容】

[0005] 本發(fā)明的主要目的在于提供一種用于有機發(fā)光二極管的光電材料及使用該光電 材料的元件，解決現(xiàn)有有機發(fā)光二極管的光電材料效能不佳的問題。
[0006] 為達上述目的，本發(fā)明提供一種用于有機發(fā)光二極管的光電材料，具有下列化學 式（I )所示的結構：

【權利要求】
1. 一種用于有機發(fā)光二極管的光電材料，其特征在于，具有下列化學式（I )所示的結 構：
其中，Ri為擇自由以下化學式（II )至（VI)所組成的群組： -CN化學式（I]

R2與R3為相同且擇自由以下化學式（VII)至（VDI)所組成的群組： -Η化學式（ΥΠ )
2. 根據(jù)權利要求1所述的用于有機發(fā)光二極管的光電材料，其特征在于，該光電材料 具有一介于105 °C至169 °C間的玻璃轉移溫度。
3. 根據(jù)權利要求1所述的用于有機發(fā)光二極管的光電材料，其特征在于，該光電材料 具有一介于385°C至492°C間的分解溫度。
4. 一種有機發(fā)光二極管元件，其特征在于，包括有： 一基板； 一形成于該基板上的下電極； 一形成于該下電極上的復合層； 一形成于該復合層上的空穴傳輸層；以及 一形成于該空穴傳輸層上的上電極； 其中，該復合層包含有權利要求1所述的用于有機發(fā)光二極管的光電材料。
5. 根據(jù)權利要求4所述的有機發(fā)光二極管元件，其特征在于，該復合層包括一形成于 該下電極上的電子傳輸層以及一設于該電子傳輸層與該空穴傳輸層之間的發(fā)光層，該電子 傳輸層以一具有前述化學式（I)所不的結構的光電材料所形成。
6. 根據(jù)權利要求4所述的有機發(fā)光二極管元件，其特征在于，該復合層包括一形成于 該下電極上的電子傳輸層以及一設于該電子傳輸層與該空穴傳輸層之間的發(fā)光層，該發(fā)光 層以一具有前述化學式（I)所示的結構的光電材料所形成。
【文檔編號】C07C255/58GK104109105SQ201310217342
【公開日】2014年10月22日 申請日期:2013年6月3日 優(yōu)先權日:2013年4月17日
【發(fā)明者】陳建添, 趙韋善, 劉浩瑋, 蘇湋盛 申請人:陳建添