專利名稱：鹽、光致抗蝕劑組合物和用于生產(chǎn)光致抗蝕劑圖案的方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及一種鹽、光致抗蝕劑組合物和用于生產(chǎn)光致抗蝕劑圖案的方法。
背景技術(shù)：
待用于半導體的光致抗蝕劑組合物通常包含作為酸生成劑的鹽。
US2007/0122750A提到由下式表示的鹽作為酸生成劑。
權(quán)利要求
1.
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鹽,其中式(I)的C-OH部分由式(U-l)表示，
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鹽，其中X1表示-0-*1、-NR2-*1、-O-CO-*1、-0-CH2-*1 或-NR2-^-*1，其中V表示與W的結(jié)合位置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的鹽，其中Z+是三芳基锍陽離子。
5.一種光致抗蝕劑組合物，所述光致抗蝕劑組合物包含根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的鹽 和樹脂，所述樹脂難溶或不溶于堿性水溶液但是通過酸的作用可溶于堿性水溶液。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光致抗蝕劑組合物，所述光致抗蝕劑組合物還包含堿性化合物。
7.一種用于生產(chǎn)光致抗蝕劑圖案的方法，所述方法包括下列步驟(I)至(5)(1)將根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的光致抗蝕劑組合物涂敷在基材上的步驟，(2)通過進行干燥而形成光致抗蝕劑膜的步驟，(3)將所述光致抗蝕劑膜對輻射曝光的步驟，(4)將曝光的光致抗蝕劑膜烘焙的步驟，和(5)將烘焙的光致抗蝕劑膜顯影，由此形成光致抗蝕劑圖案的步驟。
全文摘要
本發(fā)明提供鹽、光致抗蝕劑組合物和用于生產(chǎn)光致抗蝕劑圖案的方法。所述鹽由式(I)表示，其中Q1和Q2各自獨立表示氟原子或C1-C6全氟烷基；L1表示C1-C20三價脂肪族飽和烴基，其中與脂肪族飽和烴鏈部分的亞甲基結(jié)合的氫原子可以被氟原子或羥基代替并且其中亞甲基可以被氧原子、-NR2-或羰基代替，其中R2表示氫原子或C1-C6烷基，L1-OH的羥基位于L1的脂肪族飽和烴鏈部分；W表示C3-C36脂環(huán)烴基，其中亞甲基可以被氧原子、硫原子、羰基或磺?；?，并且其中氫原子可以被羥基、C1-C12烷基、C1-C12烷氧基、C3-C18脂環(huán)烴基或C6-C14芳香族烴基代替；和Z+表示有機陽離子。
文檔編號C07D333/46GK102924341SQ20121027452
公開日2013年2月13日 申請日期2012年8月3日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月8日
發(fā)明者市川幸司, 向井優(yōu)一, 吉田勛 申請人:住友化學株式會社