專利名稱：：金屬電鍍組合物和方法金屬電鍍組合物和方法本發(fā)明涉及金屬電鍍組合物和方法。更具體地，本發(fā)明涉及改進了整平性能(leveling)和勻鍍能力(throwingpower)的金屬電鍍組合物和方法。金屬電鍍是一個復(fù)雜的過程，其電鍍組合物中包括多種組分。除了用于提供金屬源和離子導(dǎo)電性的金屬鹽和其它離子，其它組分還包括添加劑，以改進金屬沉積物的光亮度，延展性和鍍層的分布能力。這些添加劑可以包括表面活性劑，光亮劑，載流劑(carrier)和整平劑(levder)。金屬在基底上的均勻分布是必需的，例如在對具有表面層、許多通孔和盲孔的印刷線路f肚進行金屬化時。如果在上艦孑L和盲孔中只沉積有薄層金屬，在熱或機械應(yīng)力下例如在焊接過程中該金屬層可育挪裂，這樣會中斷電流3I^各。這種失誤將生產(chǎn)出不適于電子應(yīng)用的印刷線路板。由于5見在制造出的印刷線路板具有m越小的孑L徑，例如0.25mm或更小，在這種表面上和通孑Lt中同時電鍍出均勻分布的電鍍層也就M^t。已發(fā)現(xiàn)很多印刷線路板中的金屬層厚度令人不滿意，特別是那些具有小直徑的孔中。獲得具有高熱穩(wěn)定性的均勻厚度的光亮金屬鍍層對很多印刷線路板設(shè)計來說具有挑戰(zhàn)性。很多電鍍配方通過在鍍液中添加整平劑的化學(xué)方法來解決電鍍不均勻的問題。采用了性能不同的多種化合物。銅電鍍液中整平劑的一個典型例子如U.S.6，425，996中公開的由表卣代醇，二卣代醇或1—鹵一2，3—丙二醇和聚醐安基胺(polyamidoamine)的重排產(chǎn)物。另外的整平劑的例子可參見日本專利S63-52120公開的內(nèi)容。這些整平劑都是乙縫化的二羧酸和乙氧基化的二胺。雖然上述兩專利中公開的化合物依其陳述具有可被接受的整平能力，仍然需要可,金屬電鍍性能的化合物。本發(fā)明的一方面包括具有如下通式的化合物H-A，p-Q-[C(0)-CH20-((R,CH)t誦OVCH2-C(0)-NH-A]u-H(1)其中A，是-(NH-(CH2)x')y，-;-N^CKtKCHCHR^Xv'-CKCHA'-;或-麗-((11諷2114-;A是-((CH^-NHVKCH^HCKCHROrVCKCHA-NH-;或-((R'CHVOVCA-NH-;R,是一H或一CH3，當(dāng)p二l時，Q是一NH-或當(dāng)p二0時Q是一O—，p是0或l，其中當(dāng)p二0時H-和Q形成化學(xué)鍵，r'是從2到4的M，w，是從1到50的整數(shù)，x'是從2到6的整數(shù)，y'是從0到5的整數(shù)，其中y'為0時H-和Q形成化學(xué)鍵，r是從2到4的Mf，w是從1到50的整數(shù)，x是從2到6的m，y是從0到5的整數(shù)，其中y為0時H-與一C(O)-NH-端部的氮鍵合，t皿2到4的Mtu是從1到20的整數(shù)，w是從1到50的整數(shù)，和z是從1到50的。本發(fā)明的另一方面包括金屬電鍍組合物，其包括一種或多種金屬離子源和一種或多種具有以下通式的化合物H-A，p-Q-[C(0)-CH20-((R,CH)t-0)z-CHrC(0)-NH-A]u-H(1)其中A，是-(NH-(CH2)x，)y，-;-N^CH^^CKCHROr'V-CKCH^-;或-麗-((11諷2}^-，A是-((CH2)x-NH)y-;-(CH2)x-(0-(CHR,)r)w-0-(CH2)x-NH-;或-肌CHVO)w-C2H4-NH-，R,是一H或一CH3，當(dāng)p二l時，Q是一NH-或當(dāng)p二0時Q是一0—，P是0或1，其中當(dāng)p二0時H-和Q形成化學(xué)鍵，r'是從2到4的m，w'是從1到50的整數(shù)，x'是從2到6的整數(shù)，y，是從0到5的整數(shù)，其中y'為0時H-和Q形成化學(xué)鍵，r是從2到4的整數(shù)，w是從1到50的整數(shù)，x題2至關(guān)微，y是從0到5的整數(shù)，其中y為0時H-與一C(O)-NH-端部的氮鍵合，1^>人2到4的，u是從1到20的整數(shù)，w是從l到50的整數(shù)，和z是從1到50的」。本發(fā)明的又一方面涉及一種方法，該方法包括提供金屬電鍍組合物，該組合物包含一種或多種金屬離子源和一種或多種具有以下通式的化合物H-A，p-Q-[C(0)陽CH20-((R,CH)t-0)z-CH2-C(0)-NH-A]u-H(1)其中A，是-(NH-(CH2)x')y，-;-麗(012)廣(0-(01^)^，-0-(012)廣；或A是-((CH2)x-NHV;-(CH2)x-(0-(CHIUXv-0-(CH2)x-NH-;或-((RiCHVOVCyirNH-,是一H或一CH3，當(dāng)p二l時，Q是一NH-或當(dāng)p二0時Q是一O—，p是0或l，其中當(dāng)p二0時H-和Q形成化學(xué)鍵，r'是從2到4的Mtw'是從1到50的整數(shù)，x'是從2到6的整數(shù)，y'是從0到5的整數(shù)，其中y'為0時H-和Q形成化學(xué)鍵，r是從2到4的整數(shù)，w是從1到50的整數(shù)，x是從2到6的M(，y是從0到5的徵，其中y為0時H-與一C(O)-NH-端部的氮鍵合，t是從2到4的整數(shù)，U^/人1到20的整數(shù)，w是從1到50的整數(shù)，和Z是從1到50的;將基底與該組合物接觸；和將金屬沉積到基底上。水溶性化合物可以用在金屬電鍍組合物中，從而用于任何金屬電鍍工業(yè)。例如，金屬電鍍組合物可用于電子元件制造業(yè)，比如印刷線路板(一般為通孔或孔)、集成電路、電接觸表面和連，對牛、電解箔、用于微片的硅晶片、半導(dǎo)體和半導(dǎo)體封裝、太陽能電池、，引線框、光電設(shè)備及封裝和焊接凸起。金屬電鍍組合物也可用于金屬電鍍裝飾制品，比如珠寶，家具裝配，汽車部件和衛(wèi)生設(shè)施。除非上下文明確地說明，否則在整個說明書中下述縮寫具有下列含義°C=攝氏度；『克；m『毫克；L-升；m^毫升；dnF分米；A-安；mir^毫米；cm=厘米;ppb^十億分之一;ppm-百萬分之一;mbai^毫巴;miH).OOl英寸;2.54cm=l英寸；Wt。/o^重量百分比；NMR—亥磁共振；SEO尺寸排阻色譜法；并且"勻鍍能力"=通孔中心金屬電鍍的厚度與表面金屬電鍍厚度的比值。如無另外說明，所有的百分比都是重量比，所有的M量都是彌摩爾。所有的數(shù)值范圍都包括該范圍內(nèi)的所有數(shù)值并且可以任何頓序結(jié)合，除非邏輯上數(shù)值范圍合計達(dá)ioo/b0化合物具有以下通式H-A，p-Q-[C(0)-CH20-((RiCH)「0)z-CHrC(0)-NH-A]u-H(I)其中A，是-(NH-(CH2)x，)y，-;-NI^CHKCHCHROr^-CKCHA-;或-NH-((R,CHV-0)w'-C2H4-,A是-((CH^-NHVKC&MCKCHRWw-O-(CH2)X-NH-;或-肌CHVO)w-C2H4-NH-，R,是—H或一CH3，當(dāng)p=l時，Q是一NH-或當(dāng)p=0時Q是一O—，p是0或l，其中當(dāng)p二O時H-和Q形成化學(xué)鍵，r'是從2到4或例如2到3的纖，w，是從1到50或例如1到40或例如2到35的整數(shù)，x'是從2到6或例如2到3的整數(shù)，y'是從0到5或例如從2到3的整數(shù)，其中y'為0時H-和Q形成化學(xué)鍵，r是2到4或例如2到3的M，w是1到50或例如1到40或例如2到35的整數(shù)，x是2到6或例如2到3的微，y是0到5或例如2到3的整數(shù)，其中y為0時H-與一C(O)-NH-端部的氮鍵合，t是2到4或例如2到3的微，u是1到20或例如1到10的整數(shù)，w是1到50或例如1到40或例如2到35的整數(shù)，禾口z是1到50或例如1到40或例如1到16的整數(shù)。典型的化合物具有以下的通式H-A，p-Q-[C(0)-CH20-((R,CHVOVCH2-C(0)-麗-A]u-H(1)其中A'是-(NH-(CH2)x，)y，-;-NT^CH^KCKCH^WCKCH^-;或匿NH畫肌CH)r'-OV-C2H4畫；A是-((CH^-NHVKCHKCKCHROrXv-CKCHzVNH-;或-((I^CHVOVQIlrNH-;R,是—H或一CH3,Q是-NH-或一O—，p是0或l，當(dāng)p二0時Q是一O—和當(dāng)p二l時Q是一NH-，r'是從2到4或例如從2到3的整數(shù)，w'是從2到36或例如32到36的整數(shù)，x'是從2到6或例如從3到6的整數(shù)，y'是從0到5或例如從2到5或例如從3到5的整數(shù)，其中y'為0時H-和Q形成化學(xué)鍵，r是2到4或例如2到3的整數(shù)，w是2到36或例如32到36的整數(shù)，x是2到6或例如3到6的M，y是0到5或例如2到5或例如3到5的Mt其中y為0時H-與一C(O)-NH-端部的氮鍵合，t是2到4或例如2到3的整數(shù)，u是1到5、或例如1到4、或例如1到2、或例如2到5、或例如3到5的整數(shù)，和z是1到13或例如9到13或例如1到3的整數(shù)更典型的化合物包括，并不限于下式H-^CH^p-Q-tCXCOCHACRmC^-CHrCXO)-,,,],:H(n)其中R,是一H或一CH3，當(dāng)p為1時Q是-NH-，p為0時Q是一0—，并且t是2到4或例如2到3或為2的整數(shù)；H(ffl)其中R,是一H或一CH3，當(dāng)p為l時Q是-NH-，p為0時Q是一O—，并且t是2到4或例如2到3或為2的整數(shù)；H-(NH(CH2)3-(0-(CHR,)r')2-0(CH2)3)-Q-[C(0)-CH20-((R,CH)tO)w3-CH2-C(0)-麗-(CH2)3-(0-(R'CH)r)2-0-(CH2)3-NH]24-H(IV)其中R,是一H或一CH3，當(dāng)p為1時Q是-NH-并且p為0時Q是一O—，r和r'可以相同或不同，是2到4或例如2到3或為2的整數(shù)，和t是2到4或例如2到3或為2的整數(shù)；H-(NH(CH2)3-(0-(CHR",)2-0(CH2)3)p-Q-[C(0)-CH2-0-((R,CH)tHC(0)-NH-(CH2)3-(0-(R,CH)》2-0-(CH2)3-NH]2(H(V)其中R,是一H或一CH3，當(dāng)p為1時Q是一NH-和p為0時Q是一O—，r和r'可以相同或不同，是2到4或例如2到3或為2的M，禾口t是2到4或例如2到3或為2的;H畫(NH-(CH2)3-(0-(C服,)r,)32.36-0-(CH2)3)p^Q-[C(0)-CH2畫0-((R,CH)rO)9.,3-CH2-C(0)-麗-(CH2)3-(0-(R,CH)》勝0-(CH2)3-卿-5-H(VI)其中R,是一H或一CH3，當(dāng)p為1時Q是-NH-和p為O時Q是一0—，r和r'可以相同或不同，是2到4或例如2到3或為2的M，和t是2到4或例如2到3或為2的整數(shù)；H-((NH-(CH2)6)p-Q-[C(0)-CHrO-((R1CH)rO)1-3-CHrC(0)-NH-(CH2)6-NH]3.5-10h(vn)其中R,是一H或一CHs,當(dāng)p為l時Q是一NH-和p為0時Q是一O—，禾口t是2到4或例如2到3或為2的;H-((NH-(CH2)6)p-Q-[C(0)-CHrO-肌CH)t-0)9-。-CH2-C(0)-藩(CH2)6畫NH]24-H(vn)其中R,是一H或一CH3，當(dāng)P為1時Q是一NH-和P為0時Q是一O—，禾口t是2到4或例如2到3或為2的整數(shù)；H-((NH-(CH線-Q-[C(0)-CH2-0-((R,CH)t-0),-rCH2-C(0)隱麗-((CH2)6陽NH)2WH(DC)其中R,是一H或一CH3，當(dāng)p為1時Q是-NH-和p為0時Q是一0—，并且t是2到4或例如2到3或為2的整數(shù)；H醫(yī)(NH-(CH2)6)2)p-Q-[C(0)-CH2陽0-肌CHVOV。-CH2-C(0)陽NH畫((CH2)6卿2L-rH(X)其中R,典型地是一H或一CH3，當(dāng)p為l時Q是-NH-和P為0時Q是一0—，和t是2到4或例如2到3或為2的M;H-(NH-肌CHV-0-)2-C2H4VQ陽[C(0)-CH2-0-((R,CH)t隱0:h-3-CH2-C(0)誦NH-((R,CH)廣0)rC2H4-NH]24-H(XI)其中R,是一H或一CH3，當(dāng)p為l時Q是-NH-，p為0時Q是一O—，并且t是2到4或例如2到3或為2的微；H麗(NH-肌CH)rO-)2-C2H4)p-Q-[C(0)-CH2畫0-((R'CH)「0)9-,3-CH2-C(0)-NH-((R,CH)2-0)2-C2H4-NH],—3-H卿其中R,典型地是一H或一CH3，當(dāng)p為1時Q是一NH-和p為0時Q是一O—，禾口t是2到4或例如2到3或為2的整數(shù)；和H-((NH-((CH2)3)3)p-Q-[C(0)-CH2-0-((R,CH)t-0)9—13-CH2-C(0)-NH-((CH2)3-NH)3],-2-H卿)其中R,是一H或一CH3，當(dāng)p為1時Q是-NH-和p為0時Q是一0—，和t是2到4或例如2到3或為2的M?！猦3S化合物的數(shù)均^量大于或等于250，或例如從500至U15，000，或例如從900到10，000。上述化合物的分子量可由ftf可本領(lǐng)域常規(guī)方法確定。式(i)-(xm)的化合物可采用一種或多種聚乙二醇和一種或多種聚垸氧基化二胺g撐三胺M:常規(guī)縮合反應(yīng)得到。肯^用于制備式(I)-(Xffl)的化合物的聚乙二醇二酸可包括但不限于具有以下的iK;的聚乙二醇二酸HO-C(0)-CH2-(0-(CHR2)g)h-OCHrC(0)-OH(XIV)其中8是2到4的，h是1至U150的^l女，和R2是-H或-CH3。這種聚乙二醇二酸的數(shù)均分子量大于或等于250。用于制備式(I)-(Xffl)的化合物的聚烷,化二S,括但不限于下式H2N-(CH2)r(0-(CHR2)g)h-(CH2)k-NH2(XV)或H2N(CH2)mNH2(XVI)其中g(shù)、h和R2如前定義，j是2到6的Mtk是0至U6的Mt和m是6到10的整數(shù)。用于制備式(I)-(Xffl)的化合物的'離三胺包括但不限于下式H2N-(CHrCH2-NH)n-(CH2)2-NH2(XVH),或H2N-(CH2)n-NH-(CH2)n-NH2(XVm)任何現(xiàn)有技術(shù)已知的或文獻己公開的常規(guī)方法可用于制備式(i)-(xm)的化合物。反應(yīng)物可以通過購買或采用現(xiàn)有技術(shù)和文獻已知的方法合成得到。酸封端的聚乙二醇的合成可通過氧化U.S.5,250,727和U.S.5,166,423中公開的聚烷二醇來得到羧酸，直到每個分子中的羥基都被氧化成羧基以形成二羧酸。酸封端的聚烷二醇也可采用已知的Williamson醚合^&3131在堿存在的^#下將聚烷二醇和氯乙酸反應(yīng)得到。聚(環(huán)氧乙烷)二胺可通過二羥基魏始物與環(huán)氧乙烷反應(yīng)、接著將得到的端部羧基轉(zhuǎn)化為胺基而制得。杰夫胺(Jeffamine)牌聚(環(huán)氧乙烷)胺可購自美國德克薩斯州休斯頓市的亨曼功能化學(xué)試劑廠(HuntsmanPerfomiancechemicals,Houston,TX,U.S.A.),丙胺封端的聚環(huán)氧乙烷可購于阿爾德里奇公司(ALDRICH)。一般來說，反應(yīng)物的重量比在l:l到3:l之間?？s合反應(yīng)在惰性氣體條件下比如在N2(g)氣氛下進行。溫度范圍在18(TC到25(TC以及壓力范圍在10mbar到大氣壓。反皿程可用光譜方法比如NMR光譜法進行監(jiān)測。酉劃安化合物可添加到金屬電鍍組合物中來改進其性能。所述酉劃安化合物添加到金屬電鍍組合物中的量為0.001g/L到5g/L，或例如0.01g/L到lg/L。金屬電鍍組合物中包括一種或多種金屬離子源，以電鍍金屬。所述的一種或多種金屬離子源用于提供金屬離子，其包括但不限于銅，錫，鎳，金，銀，鈀，鉑和銦。合金包括但不限于前述金屬的二元或三元合金。典型地，禾傭金屬電鍍組合物電鍍選自銅，錫，鎳，金，銀或銦的金屬。更典型地，電f鵬自銅，錫，銀或銦的金屬。最典型地，電鍍銅。金屬電鍍組合物可使用的銅鹽包括但不限于鹵化銅，硫勝同，f，磺酸銅，鏈烷醇磺酸銅和檸檬酸銅中的一種或多種。典型地，電鍍組合物中〗頓硫酸銅，麟醇磺酸銅或其混合物。金屬電鍍組合物可使用的錫鹽包括但不限于硫酸錫、鹵化錫、鏈烷磺酸錫比如甲烷磺酸錫、乙烷磺酸錫和丙烷磺酸錫、芳基磺酸錫比如苯磺酸錫和甲苯磺酸錫、和f繊醇磺酸錫中的一種或斜中。典型地，電鍍組，中l(wèi)頓硫酸錫，鏈烷醇磺酸錫。金屬電鍍組合物可使用的金鹽包括但不限于三氯化金，三溴化金，金的氰化物，氯化金鉀，氰化金鉀，氯化魅內(nèi)和氰化魅內(nèi)中的一種或多種。。金屬電鍍組合物可使用的銀鹽包括但不限于硝酸銀，氯化銀，醋酸銀和溴酸銀中的一種或多種。典型地，可《柳硝酸銀。金屬電鍍組合物可使用的鎳鹽包括但不限于氯化鎳，醋酸鎳，硫酸鎳銨和硫酸鎳中的一種或多種。金屬電鍍組合物可使用的鈀鹽包括但不限于氯化鈀，硝酸鈀，氯化鉀鈀和氯化鉀鈀中的一種或多種?？墒褂玫你K鹽包括但不限于四氯化鉬，硫酸鉑和氯鉑酸鈉中的一種或多種。可4頓的銦鹽包括但不限于f繊磺勝因鹽和芳基磺麟因鹽(例如甲磺翻，乙磺酸銦，丁磺醱因，苯磺酸銦和甲苯磺酸銦)，氨基磺,鹽，硫酸銦鹽，氯化銦，和溴化銦鹽，硝酸銦鹽，氫氧化銦，氧化銦，氟硼酸銦鹽，羧酸銦鹽(例如檸檬酸銦鹽，乙酰乙酸銦鹽，水合乙醛酸銦鹽，丙酮酸銦鹽，羥基乙酸銦鹽，丙二酸銦鹽，異l勁虧酸(hydroamicacid)銦鹽,亞氨基二乙勝因鹽，水楊麟因鹽，甘油酸銦鹽，丁二酸銦鹽，蘋果酸銦鹽，酒石酸銦鹽，羥丁酸銦鹽)，氨基酸銦鹽(例如精氨酸銦鹽，天冬氨勝因鹽，門冬酰銦胺，谷氨酸銦鹽，甘氨麟因鹽，谷翻安銦鹽，亮氨酸銦鹽，賴氨酸銦鹽，蘇氨酸銦鹽，異亮氨酸銦鹽，和纈氨酸銦鹽)中的一種或多種。金屬電鍍組合物中還可包括的其它金屬包括但不限于鉍，鈷，鉻和鋅中的一種或多種。這些金屬可以與前述金屬中的一種或多種組成合金。鉍離子源包括但不限于檸檬酸鉍銨和磷酸鉍中的一種或多種。鈷離子源包括但不限于硫酸鈷銨，醋酸鈷，硫酸鈷和氯化鈷中的一種或斜巾。鉻離子源包括但不限于醋酸鉻、硝酸鉻和溴化鉻中的一種或多種。鋅離子源包括但不限于溴酸鋅，氯化鋅，硝酸鋅和硫酸鋅中的一種或多種。金屬電鍍組合物可電鍍的二元合金包括但不限于錫銅合金，錫鉍合金，金銀合金，銦鉍合金，銦l^金和金鈷合金。典型地，可電鍍錫銅合金。金屬電鍍組合物可電鍍的三元合金包括但不限于鋅、銀與銅的合金，和金、銀與銅的合金。一般來說，電鍍組合物中包括的金屬鹽的量為金屬離子濃度范圍在O.Olg/L到200g/L，或例如0.5g/L至Ul50g/L，或例如1g/L至lj100g/L，或例如5g/L到50g/L。典型地，金屬鹽的量為金屬離子濃度在0.01到100^，更典型地O.l^到60,。金屬電鍍組合物也可包括一種或多種常規(guī)的稀釋劑。典型地，金屬電鍍組合物是水溶液；但是根據(jù)需要，也可使用常規(guī)有機稀釋劑。電鍍組合物可選地也可包括常規(guī)的電鍍組合物添加劑。這些添加劑包括但不限于光亮劑，抑制劑，表面活性劑，無機酸，有機酸，光亮分解抑制化合物，5臉屬鹽和pH調(diào)節(jié)化合物中的一種或多種。金屬電鍍組合物中其它添加劑用于調(diào)整用于電鍍特定基底的金屬的性能。這些其它添加齊何包括但不限于，其它影響勻鍍能力的整平劑和化合物。典型地，當(dāng)電鍍銅或一種銅合金時，電鍍組合物包括一種或多種光亮劑和一種或多種抑制劑。光亮劑包括但不限于3—巰基—丙基磺勝內(nèi)鹽，2—巰基—乙烷磺酸鈉鹽，雙磺丙基二硫化物(BSDS)，N,N—二甲基二硫代氨基甲酸(3—磺丙基)酯鈉鹽(DPS),(O-乙基二硫代碳酸)—S-(3醫(yī)磺丙萄-酯鉀鹽(OPX)，3-[(氨基一亞氨甲萄一硫代]-l-丙烷磺酸(UPS)，3-(2-芐(benz)噻唑基硫)-l-丙烷磺酸鈉鹽(ZPS)，雙磺丙基二硫化物的硫醇(MPS),含硫化合物例如3-(節(jié)(benz)噻唑基一2—硫)-丙磺酸鈉鹽，3—巰基丙烷一1—磺勝內(nèi)鹽，亞乙基(ethylene)二硫代二丙磺酸鈉鹽，雙(對-磺苯基)-二硫化二鈉鹽，雙(co-磺丁萄二硫化二鈉鹽，雙(co-磺羥丙基)-二硫化二鈉鹽，雙(o磺丙萄—二硫二鈉鹽，雙(o)-磺丙萄—硫化二鈉鹽，甲基如—磺丙萄-二硫二鈉鹽，甲基(co—磺丙萄-三硫二鈉鹽，O-乙基-二硫代碳酸-S如—磺丙萄-酯，硫代乙醇酸鉀鹽，硫代磷酸—O-乙基-二如-磺丙基)-酯二鈉鹽，和硫代磷酸-3(co-磺丙基)-酯三鈉鹽中的一種或多種。金屬電鍍組合物中光亮劑可以常規(guī)的量加入。一般來說，加入的光亮劑的量為lppb到lg/L，或例如從10ppb到500ppm。抑制劑包括但不限于高分子量的含氧化合物例如羧甲基纖維素，壬基苯酚聚乙二醇醚，辛二醇雙-(聚烷撐二iW)，辛醇聚烷撐二醇醚，油酸聚乙二醇酯，聚乙二醇丙二醇(polyethylenepropyleneglycol),聚乙二醇，聚乙二醇二甲醚，聚氧丙二醇，聚丙二醇，聚乙烯醇，硬脂酸聚乙二醇酯，和硬脂醇聚乙二醇醚中的一種或多種。典型地使用聚(烷氧基化)乙二醇。上述抑制劑可以常規(guī)量加入到金屬電鍍制齊忡，比如0.01g/L到10g/L或例如從0,5g/L到5^L。可以加入一種或多種常用的表面活性劑。典型地，表面活性劑包括但不限于，非離子表面活性劑例如烷基基聚乙氧基乙醇。其它M的含有多個氧乙烯基(oxyethylene)的表面活性劑也適用。這些表面活性劑包括具有20到150個重復(fù)單元的聚氧乙烯聚合物。該表面活性劑也可作為抑制劑使用。聚合物也可包括聚氧乙烯(EO)和聚氧丙烯(PO)的嵌段和無規(guī)共聚物。表面活性劑可以常用的量加入，比如0.05g/L到20g/L或例如從0.5g/L到5g/L。常用的整平劑包括但不限于，一種或多種垸基化的聚鏈烯基亞胺(polyalkyleneimine)和有機硫代磺。這些化合物的例子包括4—巰基口比啶，2—巰基噻唑啉，乙烯硫脲，硫脲，1-(2-羥乙基)一2_咪唑二啉硫(imidazolidinethion，HIT)和烷基化的聚鏈烯基亞胺。整平劑可以常用的量加入，通常比如為lppb到lg/L，或例如從10ppb到500ppm。金屬電鍍組合物中可包括一種或多種無機和有機酸，以增加基質(zhì)的溶液導(dǎo)電性和調(diào)節(jié)電鍍組合物的pH值。無機酸包括但不限于硫酸，鹽酸，硝酸和磷酸。有機酸包括但不限于鏈烷磺酸，例如甲磺酸。酸以常用的量添加到電鍍組合物中。金屬電鍍組合物中可加入的堿金屬鹽包括但不限于鈉和鉀的鹵化物，例如氯化物，氟化物和溴化物。典型地4OT氯化物。堿金屬鹽以常用的量加入。電鍍組合物可包括一種或多種光亮劑分解抑制劑。該抑制劑可包括任何化合物，只要該化合物能與組合物中其它組分相容并且能阻止或至少抑制電鍍組合物中的光亮劑的分解即可。典型地，在使用不溶陽極電鍍時將該化合物加入到金屬電鍍液中。該化合物包括但不限于醛類例如2，3，4一三羥基安息香醛，3—羥基安息香醛，3，4，5—三羥基安息香醛，2，4—二羥基安息香醛，4—羥基一3—甲氧基肉桂醛，3，4，5—三羥基安息香醛一水合物，丁香醛(syringealdehyde)，2，5—二羥基安息香醛，2，4，5—三羥基安息香醛，3，5—二羥基安息香醛，3，4—二羥基安息香醛，4一羥基安息香醛，4一羧基安息香醛，2—氯代一4一羥基安息香醛，和3—呋喃醛。其它醛類包括但不限于吡啶羧基醛(carboxaldehyde)，安息香醛，萘甲醛(naphthaldehyde)，聯(lián)苯基醛(biphenylaldehyde),蒽醛，菲醛，禾口2—甲酰^ftS醋酸。羥胺也可用作光亮劑分解抑制劑，合適的羥胺包括但不限于硫酸羥胺，硝酸羥胺，鹽酸，勁安。典型地，可〗頓硫,勁安和硝酸翔安。各種醇類也可用作光亮劑分解抑制劑，合適的醇類包括但不限于直鏈或支鏈的烷基醇，烯醇，炔醇，以及芳香醇，非芳族的環(huán)醇和雜環(huán)醇，上述醇包括巴豆醇，2—亞甲基(methylene)—l，3—丙二醇，3—丁烯一1一醇，禾Q1，4一脫水丁四醇。其它醇可包括萘的衍生物例如l，2—二羥基萘，1，3—二羥基萘，2，3—二羥基萘，2，4—二羥基萘，2，7—二羥基萘，2，6—二羥基萘，4，5—二羥基萘一2，7—二磺酸二鈉鹽，6，7—二羥基萘一2，7—二磺酸，6—羥基一2—萘磺酸，4一氨基—5—羥基—2，7—萘二磺酸一鈉鹽，1，5—二羥基—1，2，3，4一四氫一萘，2，6—二PM萘，1，5—二羥基萘，1—萘醇一3，6—二磺酸鈉水合物，十氫一2—萘醇，1，2，3，4—四氫一1—萘醇，2—萘甲醇，1，6—二羥基萘，6，7—二羥基一2—萘磺酸半水化物，禾口4一羥基一1一萘磺酸鈉鹽。的芳醇包括5—甲氧基間苯二酚，4—氯代間苯二酚，2—硝基間苯二酚，2—烯丙基苯酚，1，2，4一苯三酚，異丁香酚，(x，oc，cx—三氟代一間甲酚，4—叔丁基鄰苯二酚，3—羥基一1一節(jié)醇，4一羥基芐醇，間苯三酚二水合物和酐，戊基地衣酚(oliv改ol)，禾口3—氯f^^酚。其它統(tǒng)的醇類包括l，2—苯二甲醇，1，3—苯二甲醇，4一氨苯酚，4_甲氧苯酚，4—乙基間苯二酚，對苯二酚，氯醌，氫醌磺酸鉀，4一(甲基硫)一苯甲醇，苯甲醇，松柏醇(conifeiylalcohol),3—甲氧基兒茶酚，4一巰基一苯酚，4，4'一硫代二苯酚，3—甲氧基苯酚，苯酚，甲酚和一水合苔黑酚。其它優(yōu)選的化合物包括但不限于2，，4，，6，一三羥基乙酰苯酮(phenone)—水合物，2，5—二羥基—1，4一苯并醌，和四羥基一l，4—水合醌。雜環(huán)化合物包括飽和內(nèi)酯或具有一個或多個雙鍵的內(nèi)酯。這些內(nèi)脂包括抗壞血酸和a—羥基一丁內(nèi)酯。也包軀些內(nèi)酯的金屬鹽例如鈉鹽，鉀鹽和鐵鹽。其它雜環(huán)化合物的例子包括2—羥基苯并呋喃，5，6—二氫一4一羥基一6一甲基一2H—吡喃一2—酮，2—羥基苯并呋喃，水合柚苷(naringin)，芝麻酚，2，4一二羥基一6—甲基嘧啶，和l，2，4一三唑并(1，5—A-)嘧啶。其它合適化合物的例子包括3—呋喃甲醇，2，4，5—三羥基嘧啶，5，6—異亞丙基抗壞血酸，和脫水抗壞血酸。有機酸也可作為光亮劑^^抑制劑。這些有機酸包括但不限于2，6—二羥基安息香酸，4—羥基安息香酸間苯二酚，2，3—二羥基安息香酸，2，4—二羥基安息香酸，2，4，6—三羥基安息香酸，2，3，4一三羥基安息香酸，甲基一3，4，5—三羥基安息香酸酯，甲基一2，4—二羥基安息香酸酯，4一羥基杏仁酸一水合物，3—(苯基硫代)醋酸，4—羥基苯磺酸，五倍子酸，4一乙烯基安息香酸，3，4一二羥基肉桂酸，4—甲氧基肉桂酸，2—羥基肉桂酸，鄰苯二甲酸，反式一3—呋喃丙烯酸，乙烯醋酸，和磺胺酸中的一種或斜中。也包括酸酐如鄰苯二甲酸酐。其它適于用作光亮劑分解抑制齊啲化合物包括但不限于甲基亞砜，甲基砜，四亞甲基亞砜，巰基乙酸(thioglycolicacid)，2(5H)噻吩酮，1，4—二噻烷(thiane)，反式一l，2—二噻烷，4，5—二醇，四氫噻吩一3—酮，3—噻吩甲醇，1，3，5—三噻烷，3—噻吩醋酸，硫4，5基乙酰乙酸(thiotetronicacid)，硫辛酸，冠醚，冠硫醚，四吡啶，乙烷硫代磺酸酯，(2—磺酸(sulfonate))乙基)甲烷磺酸酯，羧乙基甲烷硫代磺酸酯，2—羥乙基甲烷硫代磺酸酯，1，4—丁二基二甲烷硫代磺酸酯，1，2—乙烷二基二甲烷硫代磺酸酯，1，3—丙烷二基甲烷硫代磺酸酯，(3—磺酸丙基)甲烷硫代磺酸酯，丙基甲烷硫代磺酸酯，對甲苯二亞砜，對甲苯二砜，雙(苯磺?；?硫化物，異丙基磺酰氯化物，4一(氯磺?；?安息香酸，二丙基三硫化物，二甲基三硫化物，二甲基四硫化物，雙(3—三乙氧基甲險烷基)丙基四硫化物，苯基乙烯砜，4—羥基一苯磺酸，1，4，7，10，13，16—六甲基一1，4，7，10，13，16—絲雜環(huán)十八烷(hexaazacyclooctadecane)，1，4，7，10—四對甲苯磺酰一l，4，7，IO—四氮雜環(huán)十二烷，禾口l，4，10，13—四嗎(oxa)—7，16—二氮雜環(huán)十八烷。電鍍組合物中光亮劑分解抑制劑的量為0.001g/L至l」100g/L。典型地，這些化合物的量為0.01g/L到20g/L。測得的金屬電鍍組合物的pH范圍在一l到14，或例如在—1到8。典型地，測得電鍍組合物的pH范圍為從一l到5，更典型地，從一1到3?？梢约尤氤Ｓ玫木彌_化合物來控制組合物的pH。金屬電鍍組合物可通過任何現(xiàn)有技術(shù)和文獻己知的方法來在基底上電鍍金屬或金屬合金。典型地，使用常用的設(shè)備通過常用電鍍過禾辣電鍍金屬或金屬合金可將電鍍組合物與可溶的或不溶陽極結(jié)合使用?？墒褂妹}沖電鍍或直流(DC)電鍍或DC和脈沖電鍍的結(jié)合。上述電鍍過程都是本領(lǐng)J^萬公知的。電流密度和電極表面電位可隨特定的待鍍基底而改變。一M說，陽極和陰極電流密度可在0.01到15A/dm2范圍內(nèi)變化。低速電鍍時其范圍在O.lA/dm,j3A/dm2。高速電鍍時其范圍不小于3A/dm2，典型地為3A/dm3Ul5A/dm2。維持電鍍液溫度范圍為從2(TC到ll(TC，或例如從20。C到5CTC。電鍍、，可隨待M屬不同而改變。包括,安的金屬電鍍組合物較之很多常用的金屬電鍍組合物可至少改進整平性能。這種金屬電鍍組合物可用于金屬電鍍以制造電氣元件，例如印刷線路板(包SIL和3e各的電鍍)，集成電路，電接觸面和連銜牛，電解箔，用于微芯片應(yīng)用的硅晶片，半導(dǎo)體禾畔導(dǎo)體封裝，弓踐框，光電設(shè)備和光電設(shè)備封裝，和焊接凸起。此外，金屬電鍍組合物也可用于金屬電鍍裝飾元件，比如珠寶，家具裝配，汽車部件和衛(wèi)生設(shè)施。以下實施例用于對本發(fā)明進行更好的說明,但是不希望限定本發(fā)明的范圍。實施例124g數(shù)均分子量為600的聚(乙二醇)二(羧甲基)醚600購于弗路卡(Fluka)(Chemicalcompany—Buchs，瑞士)與19g購于阿爾德里奇(ALDRICH)的五乙撐六胺以1:1.7的摩爾比在190—200。C下反應(yīng)6小時，反應(yīng)在裝有短玻璃管、蒸餾頭、Liebig(來比)冷凝器和射斷夜接鵬瓶的圓底燒瓶中以恒定惰性氣體供應(yīng)下進行。水分從燒瓶中蒸餾出來。4OT冷凝器和^f都夜接收燒瓶在20(TC和15mbar下加熱反應(yīng)液。剩下的產(chǎn)物溶解于水并且4頓乙醚萃取。水相采用蒸發(fā)法蒸干以得到具有以下通式的聚翻安基胺H-(NH-(CH2)2)5NH陽[C(0)CH20(C2H4)"-CH2-C(0)-麗畫((CH2)2卿5]-H(XIX)該結(jié)構(gòu)ffl31碳13和氫1的NMR譜測定。數(shù)均分子量經(jīng)SEC測定為1050。實施例213g購于阿爾德里奇(ALDRICH)的數(shù)均分子量為250的聚(乙二醇)二(羧甲基)醚250與23g五乙撐六胺以l:2的摩爾比如實施例1一樣在190—200。C下反應(yīng)6小時，反應(yīng)結(jié)束于200。C和30mbar。所述結(jié)構(gòu)采用NMR譜測定。該聚,安基胺的結(jié)構(gòu)通過碳13和氫1的NMR譜測定，該聚鵬安基胺具有以下的iK:H-(NH-(CH2)2)5NH-[C(0)-CH20-(C2H40)-CH2-C(0>NH-((CH2)rNH)5〗-H卿數(shù)均分子量經(jīng)SEC測定為600—650。實施例318g聚乙二醇二(羧甲基)醚酯600與7g購于阿爾德里奇(ALDRJCH)的4，7，IO—三氧雜一1，13—十三烷二胺按實施例1中的劍牛在190—24(TC下反應(yīng)2小時。反應(yīng)物的摩爾比為l:1.1。水被蒸餾出來并且產(chǎn)物具有以下通式中的結(jié)構(gòu)HCKCCCO-CHrCKCil^COn-CHrQCO-NH-CCHA-COQHOrCKatVNHlrH(XXI)該結(jié)構(gòu)^用NMR譜測定。數(shù)均^T1^圣SEC測定為2430。實施例410g聚乙二醇二(羧甲基)醚250與18g購于阿爾德里奇(ALDRICH)的4，7，IO—三氧雜一1，13—十三垸二胺按實施例1中的條件以1:2的摩爾比在180—22(TC下反應(yīng)1小時。加熱到220—25(TC和30mbar下反應(yīng)4小時接著又在250"C和lmbar條件下再反應(yīng)3小時后結(jié)束。反應(yīng)產(chǎn)物經(jīng)NMR譜測定具有以下的敏中的結(jié)構(gòu)H2N(CH2)r(OC2H4)2-0-(CH2)3-NH-[C(0)-CH2-0-(C2H40)rCHrC(0)-NH-(CH2)3-(OC2H4)2-0-(CH2)rNH]3-H(XXE)其數(shù)均力吁1^5SEC測定為1600。實施例56g聚乙二醇二(羧甲基)醚酯600與16g購于阿爾德里奇(ALDRICH)的O，O，-雙(3—氨丙基)聚乙二醇1500以1:1的摩爾比在230—240。C下反應(yīng)2小時。其反應(yīng)裝置如實施例1所述。反應(yīng)中的水被蒸餾出來以生產(chǎn)出一種褐色固體。產(chǎn)物溶于水并用活性炭過濾器進行過濾，接著進行細(xì)濾。將產(chǎn)物蒸發(fā)烘干。反應(yīng)產(chǎn)物經(jīng)NMR譜測定具有以下S^中的結(jié)構(gòu)HO-[C(0)-CH20(C2H40)u畫CH2C(0)-麗-(CH2)3-(OC2H4)34-0-(CH2)3-NH]4-H(xxin)其數(shù)均^T1^5SEC測定為8800。實施例624g聚乙二醇二(羧甲基)醚250與18g購于阿爾德里奇(ALDRICH)的1，6-二己烷以1:1.6的摩爾比在20(TC下反應(yīng)5小時。其反應(yīng)裝置如實施例1所述。反應(yīng)中的水與一些析出物一起被蒸餾出來。將析出物溶于水，在210一22(TC和30mbar下經(jīng)過3小時，水分被蒸發(fā)并且析出物被蒸餾出來。所得產(chǎn)物為黃m狀物。產(chǎn)物經(jīng)NMR譜觀啶具有以下敏中的結(jié)稱H2N-(CH2)6-NH-[C(0)-CH20(C2H40)rCHrC(0)-NH-(CH2)6-NH]4-H(XXIV)其數(shù)均^T1^圣SEC測定為1300。實施例724g聚乙二醇二(羧甲基)醚600與9.5gl，6-二氨基己烷以l:2的摩爾比在200—21(TC下反應(yīng)3.5小時。其反應(yīng)裝置如實施例1戶誠。反應(yīng)中的水與一些胺一起被蒸餾出來。在200—21(TC和30mbar下除去其余的胺而得到具有以下通式中結(jié)構(gòu)的產(chǎn)物H2N-(CH2)6-NH-[C(0)-CHrO-(C2H40)-CH2-C(0)-NH-(CH2)6-NH]3-H(XXV)其數(shù)均^^M^SEC測定為2200。實施例812.5g聚乙二醇二(羧甲基)醚250與19g雙(己撐)三胺以l:1.8的摩爾比在200—23(TC下反應(yīng)4.5小時。反應(yīng)中水被蒸餾出來。在24(TC連續(xù)加熱5小時，接著在25(TC和30mbar下持續(xù)1小時，得到在室溫下固化的糖漿狀油。該油可溶于水形成混濁溶液，當(dāng)加入濃的實驗室級硫酸時可形成清液。該縮聚物具有以下的通式H(NH-(CH2)6)rNH-[C(0)-CHrO-(C2H40)2-CHrC(0)-NH-((CH2)6-NH)2]rH(XXVI)其數(shù)均分子量為1400。實施例924g聚乙二醇一二(羧甲基醚)600與15g雙(己撐)三胺以1:1.7的摩爾比在200—21(TC下反應(yīng)1小時。反應(yīng)中水被蒸餾出來。在240。C連續(xù)加熱5小時，最后在24(TC和30mbar下持續(xù)5小時，得到產(chǎn)物具有以下的通式H2N-(CH2)6-NH-(CH2)6-NH-[C(0)-CH2-0-(C2H40),廣CH2-C(0)陽麗-(CH2)6隱NH-(CH2)6-NH]2H(XXVn)其數(shù)均分子量為1800。實施例1012.5g聚乙二醇一二(羧甲基醚)250與15g2，2'—乙二氧撐雙乙胺(ethylenedioxybisethylamine)以1:2的摩爾比在180—185。C下反應(yīng)2.5小時，并且在200—21(TC下反應(yīng)1.5小時。反應(yīng)中水被蒸餾出來。接著在22(TC和30mbar下再加熱2小時，得到一種油。該油狀產(chǎn)物具有以下的通式H2N-(C2H40)rC2H4-NH-[C(0)-CH20-(C2H40)2-CHrC(0)-NH-(C2H40)3C2H4-NH]rH(xxvin)其數(shù)均分子量為1150。實施例1121g聚乙二醇一二(羧甲基醚)600與10g2，2，一乙二氧撐雙乙胺以1:2的摩爾比在200—210。C下反應(yīng)4小時。反應(yīng)中水被蒸餾出來。接著在22(TC和30mbar下再加熱2小時得到一種油。將該油溶于水并用活性炭處理。接著進行細(xì)過濾，干燥和凍干，從而得到褐色糖漿狀油，該產(chǎn)物具有以下的通式H2N-(C2H40)rC2H4-NH-[C(0)-CH20-(C2H40)u-CHrC(0)-NH-(C2H40)2-C2H4-NH]rH(XXK)其數(shù)均W量為1600。實施例1216g聚乙二醇一二(羧甲基醚)600與10gN，N，一二一(3—氨丙基)一1，3—丙二胺以1:2的摩爾比在180_190°。下反應(yīng)2.5小時，接著在200—22(TC反應(yīng)1.5小時。反應(yīng)中的水被蒸餾出來。接著在25(TC和15mbar下繼續(xù)加熱。反應(yīng)容器中便剩下一種黑色油。將該油溶于水并用活性炭處理。過濾和蒸發(fā)干燥后得到橙色油。該產(chǎn)物具有以下的通式H-(NH(CH2)3)rNH-[C(0)-CH20-(C恥-(C2H40)n-CH2-C(0)卿(CH2)3)3陽NH]3]-H(XXX)其數(shù)均分子量為960。實施例13制備銅電鍍組合物的水溶液備用，其中成分的濃度如下80g/L五水硫M，225g/L硫酸，足以^f共60mg/L氯離子的鹽酸。AU:述備用液中取出14等份，均配成含有光亮劑和抑制劑的1400ml溶液。其中12份分別含有實施例1一12中制備的化合物。該十四份溶液的配方如下表。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table>實施例1一12中的化合物以lg/L的量加入到試樣中。光亮劑以O(shè).Olg/L的量加入，抑制劑以0.5g/L的量加入。接著將每等份的1400ml含水銅電鍍組合物倒入常規(guī)的Haring(哈林)電解池中。將磷銅陽極mA哈林電艄也的任一頂拼與常用的整流器電氣連接。接著將一雙面覆銅平板(0.16cm厚，5cmxl5cm)浸入哈林電解池的中央，在氣體攪拌下以3A/dm2的電流密度對該板電鍍50^H中。電鍍在室溫下進行。505H中后將該平板取出，浸入到抗失色溶液中然后用吹風(fēng)機吹干，該抗失色液是抗失色tm(Antitamish)7130(得自羅門哈斯電子材料有限公司，美國馬薩諸塞州的馬爾伯革力市(RohmandHaaselectronicmaterials,Marlborough,MA))的體積比為20%的水溶液。在具有實施例1一12化合物的銅鍍液中電鍍在平板上的銅鍍層被認(rèn)為是光亮且平滑的。并且，在這些平板上沒有見到預(yù)想中的例如根瘤，層狀和紋狀等瑕疵。反之，沒有使用實施例1一12化合物的鍍液電鍍出的平板被認(rèn)為是非光亮的。按照與上一組相同的程序再重復(fù)電鍍出三組新的平板。一組在1A/dl^的電流密度下電鍍150射巾，第二組在2A/dmS的電流密度下電鍍70併中，第Hia在4A/di^的電流密度對該板電鍍355H中。所有在含有實施例1一12化合物鍍液中電鍍出來的平板被認(rèn)為具有光亮平滑的銅鍍層，沒有發(fā)現(xiàn)有瑕疵。反之，不包括實施例1一12化合物的樣品被認(rèn)為是非光亮的。實施例14如實施例13—樣備好備用的銅電鍍液。從備用液中取出50等份的1400ml鍍液作為50份單獨的測試液。每一測試液的組成如下表2所示。<table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table>每一試樣包括lg/L的光亮劑和5g/L的抑制劑。實施例1—12中的化合物在每個樣品中的量有變化。樣品1—4中包括實施例1中化合物的量相應(yīng)地為0.001g/L，0.01^L，0.5g/L禾lHg/L。樣品5—8中包括實施例2中化合物的量相應(yīng)地為0.005g/L，0.01g/L，0.5g/L和lg/L。樣品9—12中包括實施例3中化合物的量相應(yīng)地為0.05g/L，0.25g/L，0.5g/L禾Blg/L。樣品13—16中包括實施例4中化合物的量相應(yīng)地為O.Olg/L,0.25g/L，0.5g/L禾卩l(xiāng),。樣品17—20中包括實施例5中化合物的量相應(yīng)地為0.001g/L，0.05g/L，O.lg/L禾nig/L。樣品21—24中包括實施例6中化合物的量相應(yīng)地為0.001g/L，0.01g/L，0.5g/L和lg/L。樣品25—28中包括實施例7中化合物的量相應(yīng)地為0.01g/L，0.25g/L，0.5g/L和lg/L。樣品29—32中包括實施例8中化合物的量相應(yīng)地為0.001g/L，0.01g/L，O.lg/L和lg/L。樣品33—36中包括實施例9中化合物的量相應(yīng)地為0.05g/L，0.25g/L，0.75g/L和lg/L。樣品37—40中包括實施例10中化合物的量相應(yīng)地為0.05g/L，0.25g/L，0.5g/L和0.75g/L。樣品41—44中包括實施例11中化合物的量相應(yīng)地為0.05g/L，0.1g/L，0.5g/L禾口lg/L。樣品45—48中包括實施例12中化合物的量相應(yīng)地為0.01^L，0.5g/L，0.75g^和lg^。將每傷H對羊倒入哈林電鵬中。將磷銅陽極臥針哈林電鵬的任一側(cè)。該電解池與常用的整流器電連接。接著將一具有多個直徑為0.2mm通孔的雙面覆銅平板(0.16cm厚，5cmxl5cm)浸入哈林電解池的中央，在氣體攪拌下以3A/dn^的電流密度對每一塊板電鍍50粥巾。電鍍在室溫下進行。電鍍結(jié)束后將平板從哈林電解池中取出并橫切以觀察通孔中銅的電鍍厚度。使用光學(xué)顯微鏡在200倍的放大倍數(shù)下觀察Jl^通L具有實施例1—12化合物的試樣電鍍的通孔被認(rèn)為顯示出改進了的勻鍍能力，較之兩個對比樣品其在通孔中心具有更厚和更均一的銅鍍層。實施例15錫電鍍組合物7jC溶液包括20^L來自硫酸錫的錫離子，40^硫酸，0.5g/L數(shù)均分子量為2200的氧乙烯/氧丙烯共聚物，10ml/L硫酸化的烷基乙ftS化物(TRITONQS-15)和0.1g/L實施例1中的XIX化合物，該水溶液如實施例13中所述倒入哈林電鵬也中。該錫電鍍組合物的pH值小于1并且^Jt為3(TC?；诪?cmxl5cm的青銅片。在3A/dn^的電流密度進行錫電鍍50併中。得到的錫層被認(rèn)為平滑并且沒有可見的瑕疵。實施例16錫/銅合金電鍍組合物水溶液包括30g/L來自硫酸錫的錫離子，20g/L來自五水硫酸銅的銅離子，50g/L硫酸，lg/L數(shù)均分子量為3000的氧乙烯/氧丙烯共聚物，20ml/L聚乙氧基化胺(正FFAMINE，T-403，來自亨特斯曼公司(HuntsmanCoipomtion))和0.1g/L實施例2中的化合物XX，該水溶液如實施例13中所述倒入哈林電解池中。該錫/銅電鍍組合物的pH值小于l并且溫度為3(TC?；诪?cmxl5cm的青銅片。在4A/dm2的電流密度對該片電鍍錫/銅355H中。得到的錫/銅合金層被認(rèn)為平滑并且沒有可見的瑕疵。實施例17錫/鉍合金電鍍組^t)水溶液包括25g/L來自硫酸錫的錫離子，10g/L來自三氯化鉍的鉍離子，90g/L硫酸，2g/L數(shù)均^量為2500的氧乙烯/氧丙烯共聚物，10ml/L硫酸化的烷基乙氧基化物(TOTONQS-15)和0.1g/L實施例3中的化合物XXI。該水溶液如實施例13中所描述的倒入哈林電解池中，該錫/鉍組合物的pH值小于1并且溫度為30°C?；诪?cmxl5cm的青銅片。在2A/dm2的電流密度對該片電鍍錫/鉍60力H巾。得到的錫/鉍合金層被認(rèn)為平滑并且沒有可見26的瑕疵。實施例18錫/銦合金電鍍組合物7jC溶液包括35g/L來自硫酸錫的錫離子，5g/L來自三氯化銦的銦離子，50g/L硫酸，lg/L數(shù)均分子量為5000的氧乙烯/氧丙烯共聚物，10ml/L硫酸化的烷基乙氧基化物(TRITONQS-15)和O.lg^L實施例4中的化合物xxn，該水溶液如實施例13中所描述的倒入哈林電i^也。該錫/銦組合物的pH值小于1并且溫度為3CTC?；诪?cmxl5cm的青銅片。在1A/dn^的電流密度對該片電鍍錫/鉍1005H中。得到的錫/銦合金層被認(rèn)為平滑并且沒有可見的瑕疵。實施例19錫/^/銅合金電鍍組合物水溶液包括40g/L來自甲磺酸錫的錫離子，lg/L來自甲磺醱艮的銀離子，lg/L來自甲磺酸銅的銅離子，90g/L甲磺酸，2g/L乙氧基^^又酚，4g/L1—烯丙基一2—硫脲和0.1g/L實施例5中的化合物XXffl，該水溶液如實施例13中所描述的倒入哈林電解池。該錫/敏銅組合物的pH值為1并且溫度為30°C?；诪?cmxl5cm的青銅片。在2A/dn^的電流密度對該片電鍍錫/敏銅1005H中。得到的錫/,S/銅合金層被認(rèn)為平滑并且沒有可見的瑕疵。實施例20采用與實施例15—樣的錫電鍍組合物和金屬電鍍參數(shù)進行金屬電f!31程，只是其中添加的化合物為實施例6中的化合物XXIV。平板上沉積的錫層被認(rèn)為平滑并且沒有可見的瑕疵。實施例21采用與實施例15—樣的錫電鍍組合物和金屬電鍍參數(shù)進行金屬電鍍過程，只是其中添加的化合物為實施例7中的化合物XXV。平Ri:沉積的錫層被認(rèn)為平滑并且沒有可見的瑕疵。實施例22采用與實施例16—樣的錫/銅電鍍組合物和金屬電鍍參數(shù)進行金屬電鍍過程，只是其中添加的化合物為實施例8中的化合物XXVI。平t肚沉積的錫/銅層被認(rèn)為平滑并且沒有可見的瑕疵。實施例23采用與實施例16—樣的錫/銅電鍍組合物和金屬電鍍參數(shù)進行金屬電鍍過程，只是其中添加的化合物為實施例9中的化合物XXVH。平feil沉積的錫/銅層被認(rèn)為平滑并且沒有可見的瑕疵。實施例24采用與實施例17—樣的錫/鉍電鍍組合物和金屬電鍍參M行金屬電鍍過程，只是其中添加的化合物為實施例io中的化合物xxvin。平t肚沉積的錫/鉍層被認(rèn)為平滑并且沒有可見的瑕疵。實施例25采用與實施例17—樣的錫/鉍電鍍組合物和金屬電鍍參行金屬電鍍過程，只是其中添加的化合物為實施例11中的化合物XXIX。平板上沉積的錫/鉍層被認(rèn)為平滑并且沒有可見的瑕疵。實施例26采用與實施例16—樣的錫/銅電鍍組合物和金屬電鍍參M行金屬電鍍過程，只是其中添加的化合物為實施例12中的化合物XXX。平社沉積的錫/銅層被認(rèn)為是平滑并且沒有可見的瑕疵。實施例27進行了一系列試驗，以比較銅鍍液中整平齊跑分對于沉積的銅電鍍層厚度的影響。在每種情況下，于銅電鍍液中加入不多于一種的整平劑(或者有時候沒有加入整平劑)然后電鍍平板，接著處理鍍后的平板，并且測量所鍍銅層的厚度、包括在平板表面的鍍層厚度以及平板上鉆的通L中心的鍍層厚度。在電鍍逸驗后，鍍液被遺棄，在下次i纖時采用新的備用液。備用的銅電鍍水溶液中的無機物按照下列濃度配成75g/L五7尺硫酸銅，190g/L硫酸和足以提供60mg/L氯離子的鹽酸。再在備用液中加入3ml/L來自羅門哈斯電子材料有限公司(RohmandHaasElectronicMaterials)的CopperGleamST-901添加劑(光亮劑)和1.5g/L(聚烷氧化的)乙二醇(抑制劑)。將1500ml這種溶液倒入哈林電解池中。電鍍中用作陽極的磷銅板可置于哈林電解池任一側(cè)。將一雙面覆銅平板(0.16cm厚，5cmxl5cm電鍍面積)iSA哈林電解池的中央作為電鍍中的陰極。在電鍍過程中進行氣體攪拌。平板上被鉆出通孔，并且處理戶皿平板以使一層薄而致密的銅層(20—25mm)化學(xué)沉積在整個暴露的平板表面上，包括通孔。在哈林電解池的鍍液中加入一定量的整平劑或不加整平劑。接著在3A/dm2的電流密度電鍍銅50射中。接著將平板用去離子7jC沖洗，處理板的表面部分，以測定平板上銅在表面和通L(0.32mm直徑)中心的電鍍層厚度。銅層在通孔中心的厚度測量值標(biāo)示了鍍液的勻鍍能力，或者說特定鍍液在孔中電鍍銅的能力。？L中觀幌的鍍層厚度比較厚說明勻鍍能力比較強，更符合要求。對于含不同整平齊啲鍍液，測得銅層厚度如下表3所示。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage29</column></row><table>所有加入整平劑的電鍍液較之未加入整平劑的電鍍液顯示增加了通孔中心的銅電,IM的厚度。權(quán)利要求1.一種化合物，它具有以下的通式H-A’p-Q-[C(O)-CH2O-((R1CH)t-O)z-CH2-C(O)-NH-A]u-H(I)其中A’是-NH-(CH2)x’)y’-；-NH(CH2)x’-(O-(CHR1)r’)w’-O-(CH2)x’-；或-NH-((R1CH)r’-O)w’-C2H4-，A是-((CH2)x-NH)y-；-(CH2)x-(O-(CHR1)r)w-O-(CH2)x-NH-；或-((R1CH)r-O)w-C2H4-NH-，R1是-H或-CH3，當(dāng)p＝1時，Q是-NH-；或當(dāng)p＝0時Q是-O-，p是0或1，其中當(dāng)p＝0時H-和Q形成化學(xué)鍵，r’是從2到4的整數(shù)，w’是從1到50的整數(shù)，x’是從2到6的整數(shù)，y’是從0到5的整數(shù)，其中y’為0時H-和Q形成化學(xué)鍵，r是從2到4的整數(shù)，w是從1到50的整數(shù)，x是從2到6的整數(shù)，y是從0到5的整數(shù)，其中y為0時H-與-C(O)-NH-端部的氮鍵合，t是從2到4的整數(shù)，u是從1到20的整數(shù)，w是從1到50的整數(shù)，和z是從1到50的整數(shù)。2.—種組合物，它包括一種或多種金屬離子源和一種或多種具有以下通式的化合物H-A，p-Q-[C(0)-CH20-((R,CHVO)z-CH2-C(0)-NH-A]u-H(1)其中A，是-(NH-(CH2)x')y,-;-M^CH^KCKCHR^Ow'-CKCH^-;或A是-((CH^-NHVHCHKCKCHR^w-CKCHA-NH-;或-((R'CHVOVCyarNH-,R,是一H或一CH3，當(dāng)p二l時，Q是-NH-或當(dāng)p二0時Q是一O—，p是0或l，其中當(dāng)p二O時H-和Q形成化學(xué)鍵，r'是從2到4的Mtw，是從1到50的整數(shù)，x'是從2到6的整數(shù)，y，是從0到5的整數(shù)，其中y'為0時H-和Q形成化學(xué)鍵，r是從2到4的整數(shù)，w是從1到50的整數(shù)，x題2到6的徵，y是從0到5的徵，其中y為0時H-與一C(O)-NH-端部的氮鍵合，t^人2到4的m，u^iA1到20的整數(shù)，w;^人l到50的整數(shù)，禾口z是從1到50的Mt3.如權(quán)利要求2所述的組合物，進一步包括光亮劑，抑制劑，表面活性劑，酸，光亮劑分解抑制化合物和^ife屬鹽中的一種或多種。4.如權(quán)禾腰求2戶腿的組合物，其中戶脫的金屬離子選自銅，錫，鎳，金，銀，鈀，鉬，銦或它們的合金。5.如權(quán)禾腰求4戶腿的組合物，其中戶服的金屬離子為銅離子。6.—種方法，包括a)提供金屬電鍍組合物，該組合物包括一種或多種金屬離子源和一種或多種具有以下的3Ki的化合物H-AVQ-[C(0)-CH20畫肌CH)「0)z-CH2-C(0)-NH-A]u-H(1)其中A'是-(NH-(CH2)x，)y，-;-麗(012)廣(0-(0^"'》-0-(012),-;或-麗-((11-(:21^-，A是-((CH^-NHV^CHKCKCHROrVCHCHyx-NH-;或-((RiCH)r-0)w-C2H4-NH-，R,是一H或一CH3，當(dāng)p二l時，Q是-NH-或當(dāng)p二O時Q是一0—，p是0或l，其中當(dāng)p二0時H-和Q形成化學(xué)鍵，r'是從2到4的整數(shù)，w'是從1到50的整數(shù)，x'是從2到6的整數(shù)，y，^A0到5的整數(shù)，其中y'為0時H-和Q形成化學(xué)鍵，r是從2到4的整數(shù)，w是從1到50的整數(shù)，x題2至U6的纖，y是從0到5的徵，其中y為0時H-與一C(O)-NH-端部的氮鍵合，t^A2到4的M，u^>人1到20的整數(shù)，w是從1到50的整數(shù)，禾口z是從1到50的M。b)將基底與組合物接觸；和c)在基底上沉積金屬。7.根據(jù)權(quán)利要求6戶脫的方法，其中戶腿的金屬離子選自銅，錫，鎳，金，銀，鈀，鉑，銦或它們的合金。8.根據(jù)權(quán)禾腰求7戶腿的方法，其中戶腿的金屬離子為銅離子。9.根據(jù)權(quán)禾腰求6戶脫的方法，其中戶腿的基底為電子元件或裝飾件。10.根據(jù)權(quán)禾頓求9戶腿的方法，其中所述的電子元件為印刷線路板。全文摘要本發(fā)明公開了金屬電鍍組合物和方法。該金屬電鍍組合物具有好的整平能力和勻鍍能力。提供了一種化合物，它具有以下的通式H-A’_p-Q-[C(O)-CH₂O-((R₁CH)_t-O)_z-CH₂-C(O)-NH-A]_u-H(I)，以及包含該化合物的組合物。還提供了一種使用上述組合物進行電鍍的方法。文檔編號C07C235/10GK101293852SQ200810128749公開日2008年10月29日申請日期2008年4月3日優(yōu)先權(quán)日2007年4月3日發(fā)明者D·E·克萊利,E·雷丁頓,G·U·德斯麥森,M·勒菲弗,Z·I·尼亞齊比托瓦申請人:羅門哈斯電子材料有限公司