一種提純單晶硅生產(chǎn)中堝底料的酸泡處理裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及太陽(yáng)能光伏技術(shù)領(lǐng)域，特別的涉及一種提純單晶硅生產(chǎn)中禍底料的酸泡處理裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在單晶硅的生產(chǎn)過(guò)程中，單晶拉制完成之后，石英坩禍里面會(huì)剩余少量的硅材料，稱為禍底料，拉晶產(chǎn)生的禍底料與石英禍粘在一起很難處理。目前常用的處理方法為，先用錘子將禍底料和石英敲擊分離開，但是仍然有少量石英粘在禍底料上無(wú)法去除，然后將帶石英的禍底料放入盛滿氫氟酸的容器中，石英與氫氟酸發(fā)生反應(yīng)將石英腐蝕掉，得到純凈的禍底料。當(dāng)時(shí)所用工藝為將禍底料置于盛滿氫氟酸的容器中，由于容器中的酸為靜止?fàn)顟B(tài)，存在反應(yīng)不充分，處理效率低等缺點(diǎn)。
[0003]有鑒于此，需要發(fā)明一種處理時(shí)間短，工作效率高的提純單晶硅生產(chǎn)中禍底料的酸泡處理裝置。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種提純單晶硅生產(chǎn)中禍底料的酸泡處理裝置，其具備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，處理高效的特點(diǎn)。
[0005]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采取的技術(shù)方案如下:
[0006]一種提純單晶硅生產(chǎn)中禍底料的酸泡處理裝置，其包括酸泡池、下連接管道、沉淀池和上連接管道，所述下連接管道一端與所述酸泡池的底部相連通，所述下連接管的另一端與所述沉淀池的底部相連通，所述下連接管上安裝有閥門，所述上連接管道設(shè)置于所述酸泡池和所述沉淀池的上方，所述上連接管道的一端伸入所述酸泡池內(nèi)，所述上連接管道的另一端伸入所述沉淀池內(nèi)，所述上連接管道上設(shè)置有耐酸循環(huán)栗，所述沉淀池的底部設(shè)置有放酸口。
[0007]作為本實(shí)用新型進(jìn)一步的改進(jìn)，所述酸泡池為長(zhǎng)、寬、高均為100mm的上部開口的PVC材質(zhì)的池子；所述沉淀池為長(zhǎng)、寬為500mm，高100mm的上部開口的PVC材質(zhì)的池子；所述上下連接管道為直徑50mm的PVC材質(zhì)的管道。
[0008]作為本實(shí)用新型進(jìn)一步的改進(jìn)，所述下連接管道2的兩端分別焊接在酸泡池和沉淀池距離地面10mm的位置。
[0009]作為本實(shí)用新型進(jìn)一步的改進(jìn)，所述上連接管道兩端別置于酸泡池和沉淀池的上口往下300mm的位置。
[0010]作為本實(shí)用新型進(jìn)一步的改進(jìn)，所述放酸口位于沉淀池距離地面10mm的位置。
[0011]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型所取得的有益效果如下:
[0012]本實(shí)用新型裝置采用耐酸循環(huán)栗將酸循環(huán)起來(lái)，增加了酸與禍底料的接觸面積，加快酸與石英的接觸沖刷大大提高酸的腐蝕強(qiáng)度減少酸泡時(shí)間，提高了處理禍底料的工作效率。具備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，處理高效的特點(diǎn)。
【附圖說(shuō)明】
[0013]附圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014]在附圖中:I酸泡池、2下連接管道、3閥門、4沉淀池、5上連接管道、6耐酸循環(huán)栗、7放酸口。
【具體實(shí)施方式】
[0015]以下結(jié)合附圖1對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)的敘述。
[0016]如附圖1所示，一種提純單晶硅生產(chǎn)中禍底料的酸泡處理裝置，包括酸泡池1、下連接管道2、閥門3、沉淀池4、上連接管道5、耐酸循環(huán)栗6和放酸口 7，所用材料均為PVC材料。所述酸泡池I為長(zhǎng)、寬、高均為100mm的上部開口的PVC材質(zhì)的池子；所述沉淀池4為長(zhǎng)、寬為500mm，高100mm的上部開口的PVC材質(zhì)的池子；所述上連接管道2和下連接管道5為直徑50mm的PVC材質(zhì)的管道。所述下連接管道2焊接到所述酸泡池I和所述沉淀池4之間，并連通所述酸泡池I和所述沉淀池4，所述下連接管道2中間裝有用于打開或關(guān)閉所述下連通管道2的閥門3，所述下連接管道2兩端分別焊接在所述酸泡池I和所述沉淀池4距離地面10mm的位置。所述上連接管道5置于所述酸泡池I和所述沉淀池4的上方位置，所述上連接管道5兩端的進(jìn)口和出口分別置于所述酸泡池I和所述沉淀池4的上口往下300mm的位置。上連接管路5中間裝有耐酸循環(huán)栗6。放酸口 7位于沉淀池4距離地面10mm的位置。
[0017]本實(shí)用新型是基于以下原理形成的:
[0018]靜止腐蝕又稱為靜磨損腐蝕。流動(dòng)(沖刷)腐蝕是被腐蝕物品與流體(酸)之間由于高速相對(duì)運(yùn)動(dòng)而引起的被腐蝕物品的損壞現(xiàn)象，是被腐蝕物品受沖刷和腐蝕交互作用的結(jié)果，是一種危害性較大的局部腐蝕。沖蝕就是被腐蝕物品表面與腐蝕流體沖刷的聯(lián)合作用，而引起材料局部的腐蝕。在發(fā)生這種腐蝕時(shí)，被腐蝕物品離子或腐蝕產(chǎn)物因受高速腐蝕流體沖刷而快速溶解或分解，使新鮮的被腐蝕品表面與腐蝕流體直接接觸，從而加速了腐蝕過(guò)程。
[0019]本實(shí)用新型的工作過(guò)程如下:
[0020]先將禍底料放入酸泡池中然后打開閥門3，并確認(rèn)放酸口 7保持關(guān)閉狀態(tài)，開啟耐酸栗6，使酸從酸泡池I通過(guò)下連接管道2流到沉淀池4內(nèi)，再通過(guò)上連接管道5流動(dòng)到酸泡池I內(nèi)，形成循環(huán)。處理完成后，打開放酸口 7，將酸放出。
[0021]以上所述實(shí)施方式僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，而并非本實(shí)用新型可行實(shí)施的窮舉。對(duì)于本領(lǐng)域一般技術(shù)人員而言，在不背離本實(shí)用新型原理和精神的前提下對(duì)其所作出的任何顯而易見的改動(dòng)，都應(yīng)當(dāng)被認(rèn)為包含在本實(shí)用新型的權(quán)利要求保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種提純單晶硅生產(chǎn)中禍底料的酸泡處理裝置，其特征在于，其包括酸泡池(I)、下連接管道(2)、沉淀池(4)和上連接管道(5)，所述下連接管道(2) —端與所述酸泡池(I)的底部相連通，所述下連接管道(2)的另一端與所述沉淀池(4)的底部相連通，所述下連接管道(2)上安裝有閥門(3)，所述上連接管道(5)設(shè)置于所述酸泡池(I)和所述沉淀池(4)的上方，所述上連接管道(5)的一端伸入所述酸泡池(I)內(nèi)，所述上連接管道(5)的另一端伸入所述沉淀池(4)內(nèi)，所述上連接管道(5)上設(shè)置有耐酸循環(huán)栗￠)，所述沉淀池(4)的底部設(shè)置有放酸口(7)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提純單晶硅生產(chǎn)中禍底料的酸泡處理裝置，其特征在于，所述下連接管道(2)的兩端分別焊接在酸泡池(I)和沉淀池(4)距離地面10mm的位置。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提純單晶硅生產(chǎn)中禍底料的酸泡處理裝置，其特征在于，所述上連接管道(5)兩端別置于酸泡池⑴和沉淀池⑷的上口往下300mm的位置。4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的一種提純單晶硅生產(chǎn)中禍底料的酸泡處理裝置，其特征在于，所述放酸口(7)位于沉淀池(4)距離地面10mm的位置。
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種提純單晶硅生產(chǎn)中堝底料的酸泡處理裝置，其包括酸泡池、下連接管道、沉淀池和上連接管道，所述下連接管道一端與所述酸泡池的底部相連通，所述下連接管的另一端與所述沉淀池的底部相連通，所述下連接管上安裝有閥門，所述上連接管道設(shè)置于所述酸泡池和所述沉淀池的上方，所述上連接管道的一端伸入所述酸泡池內(nèi)，所述上連接管道的另一端伸入所述沉淀池內(nèi)，所述上連接管道上設(shè)置有耐酸循環(huán)泵，所述沉淀池的底部設(shè)置有放酸口。本實(shí)用新型裝置采用耐酸循環(huán)泵將酸循環(huán)起來(lái)，增加了酸與堝底料的接觸面積，加快酸與石英的接觸沖刷大大提高酸的腐蝕強(qiáng)度減少酸泡時(shí)間，提高了處理堝底料的工作效率。具備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，處理高效的特點(diǎn)。
【IPC分類】C30B35/00
【公開號(hào)】CN204727994
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520343114
【發(fā)明人】邊志堅(jiān), 李德建, 張曉朋, 申朝倫, 米興錄
【申請(qǐng)人】河北寧通電子材料有限公司
【公開日】2015年10月28日
【申請(qǐng)日】2015年5月26日