碳化硅外延爐的進(jìn)氣裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及本實(shí)用新型涉及外延生長設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及碳化硅外延爐的進(jìn)氣裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]碳化硅半導(dǎo)體具有大禁帶寬度、優(yōu)良的穩(wěn)定性、高熱導(dǎo)率、高臨界擊穿場強(qiáng)、高飽和電子漂移速度等優(yōu)良特性，是制作高溫、高頻、大功率和強(qiáng)輻射電力電子器件的理想半導(dǎo)體材料。與傳統(tǒng)的硅器件相比，碳化硅器件能夠在10倍于硅器件的電場強(qiáng)度下正常工作。用于制作碳化硅器件的碳化硅材料通常是生長在碳化硅襯底上的碳化硅外延晶片。
[0003]碳化硅外延爐是用來生長碳化硅外延晶片的反應(yīng)室，通常采用CVD (化學(xué)氣相沉積)的方法來生長碳化硅外延晶片。在水平行星式反應(yīng)室內(nèi)，反應(yīng)氣體是通過一個名為“injector”的進(jìn)氣裝置進(jìn)入反應(yīng)室進(jìn)行物理化學(xué)反應(yīng)的。當(dāng)前碳化硅外延爐的進(jìn)氣裝置如圖1所示，該結(jié)構(gòu)的出氣孔采用的是菱形出氣孔5，菱形出氣孔5的長度雖然較長，但寬度較窄，容易堵塞，此外，由于該裝置沒有氣體預(yù)加熱功能，出氣孔附近的溫度較低，容易產(chǎn)生一些反應(yīng)異物，導(dǎo)致出氣孔易被堵塞。
[0004]因此本發(fā)明人對上述碳化硅外延爐的進(jìn)氣裝置進(jìn)行改進(jìn)，特別研制出一種能夠防止堵塞的碳化硅外延爐的進(jìn)氣裝置，本案由此產(chǎn)生。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型的目的在于提供碳化硅外延爐的進(jìn)氣裝置，有效防止出氣孔堵塞，提高碳化娃外延生長反應(yīng)的穩(wěn)定性。
[0006]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下:
[0007]碳化硅外延爐的進(jìn)氣裝置，包括進(jìn)氣管和主腔體；主腔體呈圓柱形，主腔體側(cè)邊開設(shè)多個圓形出氣孔，進(jìn)氣管上開設(shè)進(jìn)氣口，進(jìn)氣管插置在主腔體上。
[0008]所述圓形出氣孔直徑大小為1-2.5cm。
[0009]采用上述方案后，本實(shí)用新型通過將主腔體出氣孔設(shè)置為圓形，增加了出氣孔的寬度，同時圓形出氣孔的邊界光滑沒有死角，從而降低了出氣孔邊界對氣體的阻擋作用和異物殘留的概率，有效的解決了出氣孔被異物堵塞的問題，使反應(yīng)氣體經(jīng)進(jìn)氣口進(jìn)入主腔體后，通過主腔體內(nèi)的出氣孔能夠暢通地進(jìn)入碳化硅外延生長反應(yīng)室，本實(shí)用新型減少設(shè)備損耗和圍護(hù)時間，有效提尚碳化娃外延爐的廣率。
【附圖說明】
[0010]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0011]圖1是現(xiàn)有碳化硅外延爐進(jìn)氣裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0012]圖2是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013]標(biāo)號說明。
[0014]主腔體1，圓形出氣孔2，進(jìn)氣管3，進(jìn)氣孔4，菱形出氣孔5。
【具體實(shí)施方式】
[0015]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0016]如圖2所示，本實(shí)用新型揭示的碳化硅外延爐的進(jìn)氣裝置，包括進(jìn)氣管3和主腔體I ;主腔體I呈圓柱形，主腔體I側(cè)邊開設(shè)多個圓形出氣孔2，進(jìn)氣管3上開設(shè)進(jìn)氣口 4，進(jìn)氣管2插置在主腔體I上，大體上均位于主腔體I的上方。
[0017]圓形出氣孔直徑大小為1-2.5cm，采用此直徑大小的圓形出氣孔4能夠使氣體流量和流速大小達(dá)到最佳狀態(tài)。
[0018]本實(shí)用新型對現(xiàn)有碳化硅外延爐的進(jìn)氣裝置進(jìn)行改進(jìn)，將主腔體I上的出氣孔設(shè)置為更利于氣體通過的圓形出氣孔2，同時保持原來氣體流量和流速，圓形出氣孔2相比如圖1所示的現(xiàn)有技術(shù)的原來的菱形出氣孔5，其對氣體的阻力大幅降低，從而異物、雜質(zhì)等在出氣孔上的殘留減少，出氣孔不易被堵塞，避免了主腔體氣流混亂，提高外延爐內(nèi)反應(yīng)的穩(wěn)定性。
[0019]上述實(shí)施例和圖式并非限定本實(shí)用新型的產(chǎn)品形態(tài)和式樣，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員對其所做的適當(dāng)變化或修飾，皆應(yīng)視為不脫離本實(shí)用新型的專利范疇。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.碳化硅外延爐的進(jìn)氣裝置，其特征在于:包括進(jìn)氣管和主腔體；主腔體呈圓柱形，主腔體側(cè)邊開設(shè)多個圓形出氣孔，進(jìn)氣管上開設(shè)進(jìn)氣口，進(jìn)氣管插置在主腔體上。
2.如權(quán)利要求1所述的碳化硅外延爐的進(jìn)氣裝置，其特征在于:所述圓形出氣孔直徑大小為1_2.5cm。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開一種碳化硅外延爐的進(jìn)氣裝置；包括進(jìn)氣管和主腔體；主腔體呈圓柱形，主腔體側(cè)邊開設(shè)多個圓形出氣孔，進(jìn)氣管上開設(shè)進(jìn)氣口，進(jìn)氣管插置在主腔體上；本實(shí)用新型有效防止出氣孔堵塞，提高碳化硅外延生長反應(yīng)的穩(wěn)定性。
【IPC分類】C30B29-36, C30B25-14
【公開號】CN204550791
【申請?zhí)枴緾N201520024695
【發(fā)明人】錢衛(wèi)寧, 馮淦, 趙建輝
【申請人】瀚天天成電子科技（廈門）有限公司
【公開日】2015年8月12日
【申請日】2015年1月14日