一種低功耗的單晶爐的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及單晶爐技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種低功耗的單晶爐。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著光伏市場(chǎng)的不斷發(fā)展，單晶制造廠商面臨較大競(jìng)爭(zhēng)壓力。降低制造成本、提升產(chǎn)品質(zhì)量已經(jīng)成為后期單晶生產(chǎn)必不可少的兩個(gè)方面。目前制造成本已經(jīng)成為行業(yè)發(fā)展必須解決的難題，成本降低可以從以下幾方面考慮:降低生產(chǎn)能耗、提升設(shè)備產(chǎn)能、降低原料價(jià)格等等，其中降低生產(chǎn)能耗是最直接、有效的方式。目前單晶硅棒制造環(huán)節(jié)成本高的根源在于生產(chǎn)過(guò)程中的單晶爐用電量大。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型的目的在于:針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述技術(shù)問(wèn)題，提供一種低功耗的單晶爐。
[0004]本實(shí)用新型是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:
[0005]一種低功耗的單晶爐，包括爐底、爐壁、保溫筒、坩禍、導(dǎo)流筒、保溫蓋和加熱器，所述坩禍的外側(cè)安裝有加熱器，保溫筒位于加熱器外，所述導(dǎo)流筒位于坩禍上方，所述坩禍通過(guò)中軸連桿與爐底相固定，所述保溫蓋位于保溫筒和導(dǎo)流筒上方，所述加熱器分別通過(guò)石墨電極固定在爐底，所述保溫蓋與保溫筒和導(dǎo)流筒之間設(shè)有保溫蓋下碳?xì)?；所述?dǎo)流筒包括內(nèi)導(dǎo)流筒和外導(dǎo)流筒，所述內(nèi)導(dǎo)流筒和外導(dǎo)流筒之間設(shè)有軟氈，所述爐底設(shè)有軟氈保溫層O
[0006]作為優(yōu)選，所述保溫筒為側(cè)壁碳?xì)帧?br>[0007]作為優(yōu)選，所述保溫筒包括上保溫筒、中保溫筒和下保溫筒。
[0008]作為優(yōu)選，所述內(nèi)導(dǎo)流筒與保溫蓋之間的夾角為75° -80°，優(yōu)選為77.45°。
[0009]所述側(cè)壁碳?xì)值暮穸葹?0-90mm，與現(xiàn)有技術(shù)相比，提高了厚度，加強(qiáng)了保溫效果。
[0010]綜上所述，由于采用了上述技術(shù)方案，本實(shí)用新型的有益效果是:
[0011]本實(shí)用新型相比現(xiàn)有技術(shù)，進(jìn)行了局部范圍的改造，增加了保溫氈，減少了熱量流失，有效降低了熱場(chǎng)系統(tǒng)能耗，在降低熱場(chǎng)功耗的同時(shí)，有效延長(zhǎng)了石墨件的使用壽命，降低了熔體的橫溫度梯度，保證了生長(zhǎng)晶體品質(zhì)。另外，保溫效果的增加不但降低用電功率的損耗，也增加了熱場(chǎng)的縱向溫度梯度，在一定程度上可以提高晶體生長(zhǎng)速度，縮短晶體生長(zhǎng)周期，從而在另一個(gè)方面達(dá)到降低功耗的目的。
【附圖說(shuō)明】
[0012]本實(shí)用新型將通過(guò)例子并參照附圖的方式說(shuō)明，其中:
[0013]圖1為本實(shí)用新型的一較佳實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014]圖中標(biāo)記:1-保溫筒，2_保溫蓋下碳租，3-軟租，4_爐底，5-爐壁，6_ i甘禍，7-外導(dǎo)流筒，8-加熱器，9-中軸連桿，10-內(nèi)導(dǎo)流筒，11-石墨電極，12-保溫蓋。
【具體實(shí)施方式】
[0015]現(xiàn)在結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。這些附圖均為簡(jiǎn)化的示意圖，僅以示意方式說(shuō)明本實(shí)用新型的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本實(shí)用新型有關(guān)的構(gòu)成。
[0016]如圖1，一種低功耗的單晶爐，包括爐底4、爐壁5、保溫筒1、坩禍6、導(dǎo)流筒、保溫蓋12和加熱器8，所述坩禍6的外側(cè)安裝有加熱器8，保溫筒I位于加熱器8外，所述導(dǎo)流筒位于坩禍6上方，所述坩禍6通過(guò)中軸連桿9與爐底4相固定，所述保溫蓋12位于保溫筒I和導(dǎo)流筒上方，所述加熱器8分別通過(guò)石墨電極11固定在爐底，所述保溫蓋12與保溫筒I和導(dǎo)流筒之間設(shè)有保溫蓋下碳?xì)?，保溫蓋下碳?xì)?的厚度為40_，外徑直接接觸到爐壁。
[0017]所述導(dǎo)流筒包括內(nèi)導(dǎo)流筒10和外導(dǎo)流筒7，所述內(nèi)導(dǎo)流筒10和外導(dǎo)流筒7之間加滿軟氈，上部為15mm厚，下部為20mm厚。
[0018]為了降低能耗，加強(qiáng)保溫效果，所述爐底4設(shè)有軟氈保溫層，此軟氈為正常爐臺(tái)的國(guó)產(chǎn)軟氈。
[0019]所述保溫筒為側(cè)壁碳?xì)?，所述保溫筒I包括上保溫筒、中保溫筒和下保溫筒，上保溫筒的厚度為80mm，中保溫筒的厚度為90mm，下保溫筒的厚度為90mm。
[0020]所述內(nèi)導(dǎo)流筒10與保溫蓋12之間的夾角優(yōu)選為77.45°。
[0021]通過(guò)實(shí)驗(yàn)證明，本實(shí)用新型的平均等徑功率為40kw，相比較目前車(chē)間爐臺(tái)平均等徑功率75kw(使用新型碳?xì)趾?，普通碳?xì)止β蔬_(dá)到72kw)，降低了 25kw。及相當(dāng)于整爐功率下降了 35kw，目前拉制一爐最低用時(shí)為:50h，平均一月可以拉制:10爐次。
[0022]本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，增加了碳?xì)趾蛙洑忠约捌浜穸?，進(jìn)一步有效的保證了熱場(chǎng)內(nèi)部的熱量，在節(jié)約能源的同時(shí)，提高了加工效率，從而達(dá)到了降低功耗的目的。
[0023]以上述依據(jù)本實(shí)用新型的理想實(shí)施例為啟示，通過(guò)上述的說(shuō)明內(nèi)容，相關(guān)工作人員完全可以在不偏離本項(xiàng)實(shí)用新型技術(shù)思想的范圍內(nèi)，進(jìn)行多樣的變更以及修改。本項(xiàng)實(shí)用新型的技術(shù)性范圍并不局限于說(shuō)明書(shū)上的內(nèi)容，必須要根據(jù)權(quán)利要求范圍來(lái)確定其技術(shù)性范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種低功耗的單晶爐，包括爐底、爐壁、保溫筒、坩禍、導(dǎo)流筒、保溫蓋和加熱器，所述坩禍的外側(cè)安裝有加熱器，保溫筒位于加熱器外，所述導(dǎo)流筒位于坩禍上方，所述坩禍通過(guò)中軸連桿與爐底相固定，所述保溫蓋位于保溫筒和導(dǎo)流筒上方，其特征在于，所述加熱器分別通過(guò)石墨電極固定在爐底，所述保溫蓋與保溫筒和導(dǎo)流筒之間設(shè)有保溫蓋下碳?xì)?；所述?dǎo)流筒包括內(nèi)導(dǎo)流筒和外導(dǎo)流筒，所述內(nèi)導(dǎo)流筒和外導(dǎo)流筒之間設(shè)有軟氈，所述爐底設(shè)有軟氈保溫層，所述保溫筒為側(cè)壁碳?xì)?，?nèi)導(dǎo)流筒與保溫蓋之間的夾角為75° -80°。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低功耗的單晶爐，其特征在于，所述保溫筒包括上保溫筒、中保溫筒和下保溫筒。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低功耗的單晶爐，其特征在于，所述內(nèi)導(dǎo)流筒與保溫蓋之間的夾角優(yōu)選為77.45°。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低功耗的單晶爐，其特征在于，所述側(cè)壁碳?xì)值暮穸葹?0-90mmo
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種低功耗的單晶爐，包括爐底、爐壁、保溫筒、坩堝、導(dǎo)流筒、保溫蓋和加熱器，所述保溫蓋與保溫筒和導(dǎo)流筒之間設(shè)有保溫蓋下碳?xì)?；所述?dǎo)流筒包括內(nèi)導(dǎo)流筒和外導(dǎo)流筒，所述內(nèi)導(dǎo)流筒和外導(dǎo)流筒之間設(shè)有軟氈，所述爐底設(shè)有軟氈保溫層。本實(shí)用新型相比現(xiàn)有技術(shù)，進(jìn)行了局部范圍的改造，增加了保溫氈，減少了熱量流失，有效降低了熱場(chǎng)系統(tǒng)能耗，在降低熱場(chǎng)功耗的同時(shí)，有效延長(zhǎng)了石墨件的使用壽命，降低了熔體的橫溫度梯度，保證了生長(zhǎng)晶體品質(zhì)。另外，保溫效果的增加不但降低用電功率的損耗，也增加了熱場(chǎng)的縱向溫度梯度，在一定程度上可以提高晶體生長(zhǎng)速度，縮短晶體生長(zhǎng)周期，從而在另一個(gè)方面達(dá)到降低功耗的目的。
【IPC分類(lèi)】C30B15-00
【公開(kāi)號(hào)】CN204550782
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201420613146
【發(fā)明人】王東芹, 李中心
【申請(qǐng)人】鎮(zhèn)江大成新能源有限公司
【公開(kāi)日】2015年8月12日
【申請(qǐng)日】2014年10月21日