明】】
[0019]圖1是本發(fā)明具有14個凹槽的生長4英寸外延片的石墨基盤結(jié)構(gòu)示意圖。
[0020]圖2是本發(fā)明在硅襯底上生長GaN基外延片設(shè)計使用的Ring石墨基盤凹槽截面圖及外延片翹曲現(xiàn)象狀態(tài)示意圖。
[0021 ]附圖標記說明
[0022]石墨盤的盤體 21石墨盤表面26
[0023]凹槽環(huán)形上凸底面22硅襯底 27
[0024]第一側(cè)壁23長度L21、L22
[0025]圓臺24高度H21、H22、H23
[0026]第二側(cè)壁25
【【具體實施方式】】
[0027]下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步詳述。
[0028]實施例一:
[0029]參考圖2是本發(fā)明提供的改善MOCVD機臺中4英寸硅基氮化物內(nèi)、外圈波長均值所使用的石墨盤，石墨盤包括石墨盤的盤體21及分布于盤體21上表面用于安放4英寸硅襯底的多個凹槽。在具體實施例中，該凹槽直徑大小為可放置2英寸、4英寸、6英寸、8英寸甚至直徑更大的硅襯底27。
[0030]本實施例中多個凹槽在盤體21上基本呈圓周分布的，可根據(jù)其在盤體上的分布分為內(nèi)圈和外圈，且外圈的直徑大于內(nèi)圈的直徑。
[0031 ]本實施例中內(nèi)和外圈每個凹槽中包括:槽體21、底面22、第一側(cè)壁23、圓臺24以及第二側(cè)壁25，其中，底面22為位于槽體底部，且底面為環(huán)形、向上拱形凸起;第一側(cè)壁23自底面邊緣背離石墨盤盤體彎折延伸而成；圓臺24自第一側(cè)壁23的頂端向外彎折延伸而成;第二側(cè)壁25自圓臺邊緣背離石墨盤盤體21彎折延伸而成，第二側(cè)壁25的頂端與槽體表面26內(nèi)邊緣相接。
[0032]在本實施例中，內(nèi)圈凹槽和外圈凹槽的環(huán)形上凸底面22高度值H21取值為30um，內(nèi)圈凹槽的圓臺24的高度值H22為60um、外圈凹槽的圓臺24高度值比內(nèi)圈凹槽的低3um。
[0033]實施例二:
[0034]參考圖2是本發(fā)明提供的改善MOCVD機臺中4英寸硅基氮化物內(nèi)、外圈波長均值所使用的石墨盤，其特征在于，石墨盤包括石墨盤的盤體21及分布于盤體21上表面用于安放4英寸硅襯底的多個凹槽。在具體實施例中，該凹槽直徑大小為可放置2英寸、4英寸、6英寸、8英寸甚至直徑更大的硅襯底27。
[0035]本實施例中多個凹槽在盤體21上基本呈圓周分布的，可根據(jù)其在盤體上的分布分為內(nèi)圈和外圈，且外圈的直徑大于內(nèi)圈的直徑。
[0036]本實施例中內(nèi)和外圈每個凹槽中包括:槽體21、底面22、第一側(cè)壁23、圓臺24以及第二側(cè)壁25，其中，底面22為位于槽體底部，且底面為環(huán)形、向上拱形凸起;第一側(cè)壁23自底面邊緣背離石墨盤盤體彎折延伸而成；圓臺24自第一側(cè)壁23的頂端向外彎折延伸而成;第二側(cè)壁25自圓臺邊緣背離石墨盤盤體21彎折延伸而成，第二側(cè)壁25的頂端與槽體表面26內(nèi)邊緣相接。
[0037]在本實施例中，內(nèi)圈凹槽和外圈凹槽的圓臺24高度值H22取值為lOOum，內(nèi)圈凹槽的環(huán)形上凸底面22高度值H21為50um、外圈凹槽的環(huán)形上凸底面22高度值21比內(nèi)圈凹槽的高 8um0
【主權(quán)項】
1.改善硅基氮化物各圈波長均值的石墨基盤，其特征在于，所述石墨盤包括石墨盤的盤體21及分布于所述盤體21上表面用于安放硅襯底的多個凹槽，且所述多個凹槽在所述盤體21上基本呈圓周分布的，可根據(jù)其在盤體上的分布分為內(nèi)圈和外圈，且所述外圈的直徑大于所述內(nèi)圈的直徑； 每個所述凹槽中包括:槽體、底面、第一側(cè)壁以及用于放置所述硅襯底的圓臺，其中，所述底面為位于所述槽體底部，且所述底面為向上拱形凸起的環(huán)形;所述第一側(cè)壁于所述槽體內(nèi)部自所述底面邊緣背離所述石墨盤盤體彎折延伸而成;所述圓臺于所述槽體內(nèi)部自所述第一側(cè)壁的頂端向外彎折延伸而成； 位于所述內(nèi)和外圈中凹槽的環(huán)形上凸底面高度值相同，位于所述內(nèi)圈中凹槽的圓臺的高度值比位于所述外圈中凹槽的高2-30um;或， 位于所述內(nèi)和外圈中凹槽的圓臺高度值相同，位于所述外圈中凹槽的環(huán)形上凸底面高度值比內(nèi)圈凹槽的高2-30umo2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨盤，其特征在于， 位于所述內(nèi)和外圈中凹槽的環(huán)形上凸底面高度值相同，且所述環(huán)形上凸底面高度值范圍為5-1 OOum，位于所述內(nèi)圈中凹槽的圓臺高度值比位于所述外圈中凹槽的高2-30um，且所述內(nèi)和外圈中凹槽的圓臺高度值范圍為30-130um。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的的石墨盤，其特征在于， 位于所述內(nèi)和外圈中凹槽的圓臺高度值相同，且所述圓臺的高度值范圍為30-130um，位于所述內(nèi)圈中凹槽的環(huán)形上凸底面高度值比位于所述外圈中凹槽的高2-30um，且所述內(nèi)和外圈中凹槽的環(huán)形上凸底面高度值范圍為5-100um。4.如權(quán)利要求1-3任意一項所述的石墨盤，其特征在于， 所述凹槽中還包括第二側(cè)壁，所述第二側(cè)壁于所述槽體內(nèi)部自所述圓臺邊緣背離所述石墨盤盤體彎折延伸而成，且所述第二側(cè)壁的頂端與所述槽體表面內(nèi)邊緣相接。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種改善硅基氮化物各圈波長均值所使用的石墨盤，涉及MOCVD用石墨盤的技術(shù)領(lǐng)域。該石墨盤包括石墨盤盤體及分布于盤體上表面用于放置硅襯底的多個圓形凹槽；每個凹槽中包括：槽體、環(huán)形上凸底面、第一側(cè)壁、圓臺以及第二側(cè)壁。所述凹槽在盤體上的分布分為內(nèi)與外圈；所述內(nèi)和外圈凹槽的環(huán)形上凸底面高度值相同時外圈凹槽的圓臺高度值比內(nèi)圈凹槽的低2-30um，或者，所述內(nèi)和外圈凹槽的圓臺高度值相同時外圈凹槽的環(huán)形上凸底面高度值比內(nèi)圈凹槽的高2-30um。本發(fā)明能有效縮小MOCVD中硅基氮化物各圈波長均值差異較大的現(xiàn)象，提高硅襯底GaN基外延生長的波長均勻性與良率，并且延長MOCVD設(shè)備中一些零部件的使用壽命。
【IPC分類】C30B25/12
【公開號】CN105568371
【申請?zhí)枴緾N201511022144
【發(fā)明人】劉小平, 孫錢, 孫秀建, 黃應(yīng)南, 詹曉寧, 呂小翠, 張晗蕓
【申請人】晶能光電（常州）有限公司
【公開日】2016年5月11日
【申請日】2015年12月30日