技術(shù)編號(hào):9805162
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。專利說明 本發(fā)明涉及化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposit1n,CVD),特別涉及一種用于金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(Metal-organic Chemical Vapor Deposit1n,以下簡(jiǎn)稱MOCVD)用的石墨盤。背景技術(shù)金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積是一種利用有機(jī)金屬熱分解反應(yīng)進(jìn)行氣相外延生長(zhǎng)薄膜的化學(xué)氣相沉積技術(shù),它采用III族、II族元素的有機(jī)化合物和V族、VI族元素的氫化物等作為晶體生長(zhǎng)源材料,以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進(jìn)行氣相外延...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。