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一種前驅(qū)體轉(zhuǎn)化法制備含乙酰丙酮鐵硅碳氮陶瓷的方法_2

文檔序號(hào):9229242閱讀:來源:國知局
IOMPa的壓力下單軸壓制成 型,ISOMPa冷等靜壓,保壓300s,獲得生坯;
[0054] (6)熱解/燒結(jié):將步驟(5)所得生坯裝入管式爐中,在N2氣氛保護(hù)下在IKKTC 的溫度進(jìn)行熱解,升溫速率5°C /min,保溫4h,即得。
[0055] 實(shí)施例3 :
[0056] -種前驅(qū)體法制備含乙酰丙酮鐵的磁性SiCN陶瓷方法,步驟如下:
[0057] ⑴混料:在N2氣氛下,稱取聚硅氮烷9. 8g、a -甲基丙烯酸lg、過氧化二異丙苯 0. 2g,在恒溫磁力攪拌器上攪拌lh,得到混合溶液;
[0058] 混合溶液中聚硅氮烷:過氧化二異丙苯按質(zhì)量比98% :2%配料,a -甲基丙烯酸 為聚娃氣燒和過氧化>異丙苯總質(zhì)量的10% ;
[0059] (2)交聯(lián)固化:將步驟(1)所得混合溶液在5°C/min的升溫速率從室溫升溫至 400°C固化 6h;
[0060] (3)粉碎球磨:將步驟(2)固化所得的物料在振動(dòng)球磨機(jī)中粉碎球磨,過200目 篩;
[0061] (4)混料:稱取乙酰丙酮鐵0. 25g和步驟(3)所得粉料0. 5g在瑪瑙研缽中混合均 勻
[0062] 得到混合粉料,粉料中乙酰丙酮鐵與步驟(3)所得粉料為質(zhì)量比為1 :2的原料;
[0063] (5)造粒成型:將步驟(4)所得粉料裝入模具中,在IOMPa的壓力下單軸壓制成 型,ISOMPa冷等靜壓,保壓300s,獲得生坯;
[0064] (6)熱解/燒結(jié):將步驟(5)所得生坯裝入管式爐中,在N2氣氛保護(hù)下在1200°C 的溫度進(jìn)行熱解,升溫速率5°C/min,保溫4h,即得。
[0065] 實(shí)施例4:
[0066] -種前驅(qū)體法制備含乙酰丙酮鐵的磁性SiCN陶瓷方法,步驟如下:
[0067] ⑴混料:在N2氣氛下,稱取聚硅氮烷9. 8g、a -甲基丙烯酸2g、過氧化二異丙苯 〇. 2g,在恒溫磁力攪拌器上攪拌lh,得到混合溶液;
[0068] 混合溶液中聚硅氮烷:過氧化二異丙苯按質(zhì)量比98% :2%配料,a -甲基丙烯酸 為聚娃氣燒和過氧化>異丙苯總質(zhì)量的20%;
[0069] (2)交聯(lián)固化:將步驟(1)所得混合溶液在:TC/min的升溫速率從室溫升溫至 500°C固化 4h;
[0070] (3)粉碎球磨:將步驟(2)固化所得的物料在振動(dòng)球磨機(jī)中粉碎球磨,過100目 篩;
[0071] ⑷混料:稱取乙酰丙酮鐵0. 4g和步驟(3)所得粉料0. 5g在瑪瑙研缽中混合均 勻
[0072] 得到混合粉料,粉料中乙酰丙酮鐵與步驟(3)所得粉料為質(zhì)量比為4 :5的原料;
[0073] (5)造粒成型:將步驟(4)所得粉料裝入模具中,在IOMPa的壓力下單軸壓制成 型,ISOMPa冷等靜壓,保壓300s,獲得生坯;
[0074] (6)熱解/燒結(jié):將步驟(5)所得生坯裝入管式爐中,在N2氣氛保護(hù)下在1300°C 的溫度進(jìn)行熱解,升溫速率3°C /min,保溫4h,即得。
[0075] 實(shí)施例5 :
[0076] -種前驅(qū)體法制備含乙酰丙酮鐵的磁性SiCN陶瓷方法,步驟如下:
[0077] ⑴混料:在N2氣氛下,稱取聚硅氮烷9. 8g、a -甲基丙烯酸2g、過氧化二異丙苯 〇. 2g,在恒溫磁力攪拌器上攪拌lh,得到混合溶液;
[0078] 混合溶液中聚硅氮烷:過氧化二異丙苯按質(zhì)量比98% :2%配料,a -甲基丙烯酸 為聚娃氣燒和過氧化>異丙苯總質(zhì)量的20%;
[0079] (2)交聯(lián)固化:將步驟(1)所得混合溶液在:TC/min的升溫速率從室溫升溫至 700°C固化 2h;
[0080] (3)粉碎球磨:將步驟⑵固化所得的物料在振動(dòng)球磨機(jī)中粉碎球磨,過150目 篩;
[0081] (4)混料:稱取乙酰丙酮鐵0. 5g和步驟(3)所得粉料0. 5g在瑪瑙研缽中混合均 勻
[0082] 得到混合粉料,粉料中乙酰丙酮鐵與步驟(3)所得粉料為質(zhì)量比為1 :1的原料;
[0083] (5)造粒成型:將步驟⑷所得粉料裝入模具中,在IOMPa的壓力下單軸壓制成 型,ISOMPa冷等靜壓,保壓300s,獲得生坯;
[0084] (6)熱解/燒結(jié):將步驟(5)所得生坯裝入管式爐中,在N2氣氛保護(hù)下在1400°C 的溫度進(jìn)行燒結(jié),升溫速率3°C /min,保溫4h,即得。
[0085] 對(duì)比例
[0086] 如實(shí)施例1所述,不同是省去步驟(3)混料過程,不摻入乙酰丙酮鐵。
[0087] 實(shí)驗(yàn)例
[0088] 將實(shí)施例1~5制得的含乙酰丙酮鐵SiCN陶瓷和對(duì)比例制得的SiCN陶瓷,測(cè)試 顯氣孔率、體積密度、電阻率等性能,結(jié)果如表1所示。
[0089]表1
[0090]
[0091] 由表1可知本發(fā)明的含乙酰丙酮鐵SiCN陶瓷顯氣孔率明顯增加,降低其體積密 度,顯著提高SiCN陶瓷的微波吸收性能。
[0092] 需要說明的是,以上列舉的僅是本發(fā)明的若干個(gè)具體實(shí)施例,顯然本發(fā)明不僅僅 限于以上實(shí)施例,還可以有其他變形。本領(lǐng)域的技術(shù)人員從本發(fā)明公開內(nèi)容直接導(dǎo)出或間 接引申的所有變形,均應(yīng)認(rèn)為是本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種前驅(qū)體法制備含乙酰丙酮鐵SiCN陶瓷的方法,包括步驟如下: (1) 混料:在N2氣氛下,將聚硅氮烷(PSZ)、a -甲基丙烯酸和過氧化二異丙苯攪拌均 勻,得到混合溶液; 所述聚硅氮烷:過氧化二異丙苯按質(zhì)量比96%~98% :2%~4%配料,所述a -甲基 丙條酸為聚娃氣燒和過氧化^異丙苯總質(zhì)量的10%~20% ; (2) 交聯(lián)固化:將步驟(1)所得混合溶液在3~5°C /min的升溫速率從室溫升溫至 400~700°C固化2~6h ; (3) 粉碎球磨:將步驟(2)固化所得的物料在振動(dòng)球磨機(jī)中粉碎球磨,過100~200目 篩; (4) 混料:將步驟(3)過篩所得的粉料加入乙酰丙酮鐵并混合均勻; 所述乙酰丙酮鐵按步驟(3)所得粉料的20~100%質(zhì)量摻入配料; (5) 造粒成型:將步驟(4)所得粉料在IOMPa~20MPa的壓力下壓制成型,冷等靜壓, 獲得生還; (6) 熱解/燒結(jié):將步驟(5)所得生坯在N2氣氛保護(hù)下在KKKTC~1400°C的溫度進(jìn)行 熱解/燒結(jié),保溫4h~6h,即得。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的前驅(qū)體法制備含乙酰丙酮鐵SiCN陶瓷的方法,其特征在于, 步驟(1)中所述的聚硅氮烷為HTT1800。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的前驅(qū)體法制備含乙酰丙酮鐵SiCN陶瓷的方法,其特征在于, 步驟(2)中升溫速率為3°C /min,固化溫度600°C,固化時(shí)間4h。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的前驅(qū)體法制備含乙酰丙酮鐵SiCN陶瓷的方法,其特征在于, 步驟⑷中所述乙酰丙酮鐵按步驟⑶所得物料的30~100%摻入配料。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的前驅(qū)體法制備含乙酰丙酮鐵SiCN陶瓷的方法,其特征在于, 步驟(4)中所述乙酰丙酮鐵按步驟(3)所得物料的30%,50%,80%,100%摻入配料。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的前驅(qū)體法制備含乙酰丙酮鐵SiCN陶瓷的方法,其特征在于, 步驟(5)中冷等靜壓在ISOMPa下進(jìn)行,保壓300s。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的前驅(qū)體法制備含乙酰丙酮鐵SiCN陶瓷的方法,其特征在于, 步驟(6)中從室溫以3~5°C /min升溫速率升溫至1000°C~1400°C進(jìn)行熱解/燒結(jié)。8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的前驅(qū)體法制備含乙酰丙酮鐵SiCN陶瓷的方法,其特征在于, 步驟(6)中熱解/燒結(jié)溫度為1300°C。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種前驅(qū)體轉(zhuǎn)化法制備含乙酰丙酮鐵硅碳氮陶瓷的方法,包括以下步驟:(1)將聚硅氮烷、α-甲基丙烯酸、過氧化二異丙苯混合均勻,得混合溶液;(2)將混合溶液在固化;(3)將固化所得的物料粉碎球磨;(4)將粉料與乙酰丙酮鐵混合均勻;(5)將混合均勻的粉料預(yù)壓成型,得生坯;(6)將生坯在1000℃~1400℃的溫度進(jìn)行熱解/燒結(jié),保溫,即得。本發(fā)明所得材料高溫性能好,引入乙酰丙酮鐵會(huì)提高SiCN陶瓷顯氣孔率,降低其體積密度,顯著提高SiCN陶瓷的微波吸收性能,提高電磁波衰減系數(shù)。
【IPC分類】C04B35/622, C04B35/58
【公開號(hào)】CN104944960
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510379114
【發(fā)明人】龔紅宇, 馮玉潤, 張玉軍, 王仙麗, 郭學(xué), 趙玉軍
【申請(qǐng)人】山東大學(xué)
【公開日】2015年9月30日
【申請(qǐng)日】2015年7月1日
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