第一氣體將雜質(zhì)燃燒后的灰燼帶走，從而可以保證加熱爐10內(nèi)部的清潔，從而可以提高單模光纖的質(zhì)量。
[0027]實(shí)施例2
[0028]將加熱爐10加熱至第一溫度2000°C，在加熱爐10下端的第一進(jìn)氣口 11處向加熱爐10內(nèi)通入第一氣體氬氣Ar，并保持第一時(shí)間35min，然后第一氣體氬氣Ar通過位于加熱爐10上端的第一出氣口 12排除，然后冷卻加熱爐10至第二溫度50°C。將之前已經(jīng)制造好的預(yù)制棒20至于加熱爐10中，再次將加熱爐10加熱到第一溫度2000°C，預(yù)制棒20在第一溫度200(TC下融化，并在重力作用下向下移動(dòng)，進(jìn)入冷卻桶30，得到裸光纖。通過冷卻桶30下端的進(jìn)氣口 31向冷卻桶30中不斷的通入冷卻氣體，在本實(shí)施例中冷卻氣體為14L的氦氣He、6L的二氧化碳co2、5L的氮?dú)釴2,裸光纖以1400m/min的速度通過冷卻桶30,并在冷卻氣體的作用下冷卻。冷卻后的裸光纖通過涂覆眼模40，并在裸光纖表面上涂覆一層樹脂層。最后表面涂覆有樹脂層的裸光纖通過UV固化燈箱50，在UV光的作用下固化樹脂層，形成單模光纖。
[0029]實(shí)施例3
[0030]將加熱爐10加熱至第一溫度2000°C，在加熱爐10下端的第一進(jìn)氣口 11處向加熱爐10內(nèi)通入第一氣體氦氣He和氬氣Ar的混合氣體，并保持第一時(shí)間40min，然后第一氣體氦氣He和氬氣Ar的混合氣體通過位于加熱爐10上端的第一出氣口 12排除，然后冷卻加熱爐10至第二溫度70°C。將之前已經(jīng)制造好的預(yù)制棒20至于加熱爐10中，再次將加熱爐10加熱到第一溫度2000°C，預(yù)制棒20在第一溫度2000°C下融化，并在重力作用下向下移動(dòng)，進(jìn)入冷卻桶30，得到裸光纖。通過冷卻桶30下端的進(jìn)氣口 31向冷卻桶30中不斷的通入冷卻氣體，在本實(shí)施例中冷卻氣體為16L的氦氣He、4L的二氧化碳co2、5L的氮?dú)釴2，裸光纖以1500m/min的速度通過冷卻桶30,并在冷卻氣體的作用下冷卻。冷卻后的裸光纖通過涂覆眼模40，并在裸光纖表面上涂覆一層樹脂層。最后表面涂覆有樹脂層的裸光纖通過UV固化燈箱50，在UV光的作用下固化樹脂層，形成單模光纖。
[0031]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，冷卻桶30的長度為0.7m-1.0m,冷卻桶30的長度較長，增加了冷卻時(shí)間，從而可以降低單模光纖的應(yīng)力。
[0032]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，冷卻氣體為氦氣He、二氧化碳co2和氮?dú)釴2的混合氣體，二氧化碳co2的體積占冷卻氣體總體積的百分比為10% -40%，在冷卻氣體中加入了二氧化碳co2，因?yàn)槎趸糲o2的分子量較大，從而可以降低冷卻氣體的流速，使流速更穩(wěn)定，從而保證了單模光纖的應(yīng)力較小較均勻。
[0033]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，形成的單模光纖可通過導(dǎo)輪60的疏導(dǎo)而卷繞于繞線盤70上。
[0034]綜上所述，本發(fā)明的單模光纖的制造方法中，增加了烘爐的過程，從而可以使預(yù)制棒受熱均勻，保證單模光纖的應(yīng)力均勻，降低單模光纖的偏振模色散；另外，增加了冷卻桶的長度，并改進(jìn)了冷卻氣體，可進(jìn)一步保證單模光纖的應(yīng)力較小較均勻，進(jìn)一步降低單模光纖的偏振模色散。
[0035]以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限制本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種單模光纖的制造方法，其包括步驟: (1)烘爐，將加熱爐加熱至第一溫度，然后通入第一氣體并保持第一時(shí)間，然后冷卻所述加熱爐至第二溫度； (2)拉絲，將預(yù)制棒置于所述加熱爐中，再次將所述加熱爐加熱至所述第一溫度，所述預(yù)制棒在所述第一溫度下融化，并在重力作用下向下移動(dòng)，進(jìn)入冷卻桶，得到裸光纖； (3)冷卻，在所述冷卻桶中通入冷卻氣體，通過所述冷卻桶中的所述裸光纖在所述冷卻氣體的作用下進(jìn)行冷卻； (4)涂覆，所述裸光纖進(jìn)入涂覆眼模，在所述裸光纖上涂覆樹脂層； (5)固化，表面涂覆有所述樹脂層的所述裸光纖通過UV固化燈箱，固化所述樹脂層，形成單模光纖。
2.如權(quán)利要求1所述的單模光纖的制造方法，其特征在于:所述第一溫度Tl為2000°C，所述第一時(shí)間為30min-40min，所述第二溫度T2為40°C _70°C。
3.如權(quán)利要求2所述的單模光纖的制造方法，其特征在于:所述裸光纖以1200m/min-1500m/min的速度通過所述冷卻桶。
4.如權(quán)利要求1所述的單模光纖的制造方法，其特征在于:所述冷卻桶的長度為0.7m_l.0m0
5.如權(quán)利要求4所述的單模光纖的制造方法，其特征在于:所述冷卻氣體通過位于所述冷卻桶下端的進(jìn)氣口進(jìn)入所述冷卻桶中。
6.如權(quán)利要求1所述的單模光纖的制造方法，其特征在于:所述第一氣體為氦氣He、氬氣Ar或者氦氣He和U1氣Ar的混合氣體。
7.如權(quán)利要求1所述的單模光纖的制造方法，其特征在于:所述冷卻氣體為氦氣He、二氧化碳co2和氮?dú)釴2的混合氣體。
8.如權(quán)利要求7所述的單模光纖的制造方法，其特征在于:所述冷卻氣體中的所述二氧化碳co2的體積占所述冷卻氣體總體積的百分比為10% -40%。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種單模光纖的制造方法，其包括步驟：(1)烘爐，將加熱爐加熱至第一溫度，然后通入第一氣體并保持第一時(shí)間，然后冷卻所述加熱爐至第二溫度；(2)拉絲，將預(yù)制棒置于所述加熱爐中，再次將所述加熱爐加熱至所述第一溫度，所述預(yù)制棒在所述第一溫度下融化，并在重力作用下向下移動(dòng)，進(jìn)入冷卻桶，得到裸光纖；(3)冷卻，在所述冷卻桶中通入冷卻氣體，通過所述冷卻桶中的所述裸光纖在所述冷卻氣體的作用下進(jìn)行冷卻；(4)涂覆，所述裸光纖進(jìn)入涂覆眼模，在所述裸光纖上涂覆樹脂層；(5)固化，表面涂覆有所述樹脂層的所述裸光纖通過UV固化燈箱，固化所述樹脂層，形成單模光纖。
【IPC分類】C03C25-26, C03B37-025
【公開號】CN104556675
【申請?zhí)枴緾N201310480012
【發(fā)明人】王小泉
【申請人】南京烽火藤倉光通信有限公司
【公開日】2015年4月29日
【申請日】2013年10月15日