技術(shù)特征：

1.一種二維鐵磁cr1-xvxi3單晶，其特征在于，以cri3為基質(zhì)，通過(guò)摻雜引入v，以部分取代cri3中的cr位獲得，且化學(xué)式為cr1-xvxi3；

2.一種權(quán)利要求1所述的二維鐵磁cr1-xvxi3單晶的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

3.如權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述管式爐的反應(yīng)端和生長(zhǎng)端的保溫時(shí)間差為170min～230min。

4.如權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述管式爐的反應(yīng)端的升溫速率為0.25℃/min～0.28℃/min。

5.如權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述管式爐的生長(zhǎng)端的升溫速率為0.22℃/min～0.25℃/min。

6.如權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述管式爐的反應(yīng)端和生長(zhǎng)端的溫度差為80℃～120℃。

7.如權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，采用研磨的方式將所述cr單質(zhì)粉末、v單質(zhì)粉末和i顆粒混勻；

8.如權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述cr單質(zhì)粉末的粒徑為5μm～8μm。

9.如權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述v單質(zhì)粉末的粒徑為15μm～20μm。

10.一種權(quán)利要求1所述的二維鐵磁cr1-xvxi3單晶在制備低能耗高密度磁存儲(chǔ)器件中的應(yīng)用。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明屬于二維材料及其制備技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)一種二維鐵磁Cr<subgt;1?x</subgt;V<subgt;x</subgt;I<subgt;3</subgt;單晶及其制備方法和應(yīng)用。所述二維鐵磁Cr<subgt;1?x</subgt;V<subgt;x</subgt;I<subgt;3</subgt;單晶以CrI<subgt;3</subgt;為基質(zhì)，通過(guò)摻雜引入V，以部分取代CrI<subgt;3</subgt;中的Cr位獲得，且化學(xué)式為Cr<subgt;1?x</subgt;V<subgt;x</subgt;I<subgt;3</subgt;；其中，x為V在CrI<subgt;3</subgt;中Cr位的摻雜摩爾百分比，且x的取值范圍為10％～90％。本發(fā)明的制備方法簡(jiǎn)單易操作，易于推廣進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)使用。且本發(fā)明的制備方法獲得的二維磁性Cr<subgt;1?x</subgt;V<subgt;x</subgt;I<subgt;3</subgt;單晶具有大尺寸、高產(chǎn)量、高質(zhì)量的特點(diǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員：張穎,全桂英,屈哲
受保護(hù)的技術(shù)使用者：淮南師范學(xué)院
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/26