技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種鈰摻雜硅酸釔镥晶體的制備方法，熔料階段：控制單晶爐熔料過(guò)程在第一保護(hù)氣體流動(dòng)氣氛保護(hù)下，爐內(nèi)氣壓為0?0.05MPa，第一保護(hù)氣體氣流量為0?20L/min；長(zhǎng)晶階段：控制單晶爐長(zhǎng)晶過(guò)程在第二保護(hù)氣體流動(dòng)氣氛保護(hù)下，爐內(nèi)氣壓為0?0.05MPa，第二保護(hù)氣體氣流量為0?20L/min；退火階段：控制單晶爐退火過(guò)程在第三保護(hù)氣體流動(dòng)氣氛保護(hù)下，爐內(nèi)氣壓為0?0.05MPa，第三保護(hù)氣體氣流量為0?20L/min。本發(fā)明鈰摻雜硅酸釔镥晶體的制備方法所制備得到的Ce:LYSO晶體呈無(wú)色、透明、無(wú)開(kāi)裂，其光學(xué)性能優(yōu)異，本方法值得推廣應(yīng)用。

技術(shù)研發(fā)人員：狄聚青;朱劉;劉運(yùn)連
受保護(hù)的技術(shù)使用者：清遠(yuǎn)先導(dǎo)材料有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.08.11
技術(shù)公布日：2017.11.07