技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種In3+、Ga3+復(fù)合施主摻雜制備的ZnO壓敏陶瓷及其制備方法，包括有基料和摻雜料，所述基料按重量份計(jì)包括有ZnO：87?95份、Bi2O3：2.0?4.0份、MnO2：0.4?0.7份、Sb2O3：1.5?3.5份、Co2O3：0.5?1.5份、Cr2O3：0.2?1.0份、籽晶摻雜料：1?5份；所述籽晶摻雜料為ZnO、Ga2O3和In2O3，其質(zhì)量分?jǐn)?shù)比為ZnO：Ga2O3：In2O3＝90?95：0.1?5：0.1?5。本發(fā)明In3+、Ga3+復(fù)合施主摻雜制備的ZnO壓敏陶瓷具有既能降低ZnO晶粒電阻率，又能控制ZnO晶格畸變的特點(diǎn)，最終達(dá)到ZnO壓敏電阻殘壓低、老化壽命長(zhǎng)、脈沖電流耐受強(qiáng)的特點(diǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員：龐馳;張寧;方超;周芳
受保護(hù)的技術(shù)使用者：貴州大學(xué)
文檔號(hào)碼：201710239978
技術(shù)研發(fā)日：2017.04.13
技術(shù)公布日：2017.06.27