本發(fā)明涉及碳化硅晶體制備技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種用于生長高純半絕緣碳化硅晶體的坩堝。

背景技術(shù)：

碳化硅(sic)作為繼si、gaas之后發(fā)展起來的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬度大、臨界擊穿電場強度高、熱導(dǎo)率高、化學(xué)穩(wěn)定性好等優(yōu)良的物理化學(xué)特性?；谏鲜鰞?yōu)良的物理化學(xué)特性，碳化硅材料是制造高性能電力電子器件、固體微波器件和固體傳感器等新型器件以及耐高溫集成電路的優(yōu)選襯底材料，特別是固體微波器件應(yīng)用領(lǐng)域，為了克服襯底材料有關(guān)的寄生電容引起的信號損失，必須采用絕緣或者半絕緣碳化硅材料。

碳化硅半絕緣特性的實現(xiàn)機理是在碳化硅帶隙內(nèi)引入深能級，利用深能級補償非故意摻雜形成淺施主和淺受主濃度之差值的方式，將襯底費米能級保持在禁帶中央附近，提高碳化硅晶體的電阻率。目前，在碳化硅帶隙內(nèi)引入深能級的方法主要有兩種：一種是加入過渡金屬摻雜劑，特別是釩、鈦，來形成深能級補償淺能級雜質(zhì)；另一種是通過形成本征的深能級點缺陷補償淺能級雜質(zhì)。然而，由于釩雜質(zhì)較大的俘獲截面會在微波器件中引入有害的載流子陷阱，導(dǎo)致器件出現(xiàn)電流崩塌、不同工作頻率下的漏電流離散和降低輸出功率等問題，影響微波器件的性能，因此最好使用本征點缺陷在禁帶中引入深能級補償淺能級雜質(zhì)，實現(xiàn)高純半絕緣碳化硅材料制備。

由于本征缺陷具有較大的形成能，并且碳化硅晶體中本征點缺陷濃度較低，所以為實現(xiàn)淺能級雜質(zhì)的完全補償實現(xiàn)其半絕緣性質(zhì)，對碳化硅晶體中淺能級雜質(zhì)的濃度要求就要極為苛刻。然而，在生長高純半絕緣碳化硅晶體所采用的物理氣相傳輸(physicalvaportransport，pvt)法中，生長碳化硅晶體所用的碳化生長組分源料、石墨坩堝和石墨纖維保溫系統(tǒng)中不可避免的存在鋁、硼等雜質(zhì)元素以及氮雜質(zhì)元素的吸附，上述雜質(zhì)很容易在晶體生長過程中進(jìn)入碳化硅晶體內(nèi)部形成淺能級雜質(zhì)，大大影響碳化硅晶體的電學(xué)性能。

現(xiàn)有技術(shù)中，通過使用高純碳化硅源料、高純石墨坩堝和高純保溫材料可以有效降低al、b的含量，但是碳化硅源料所吸附的氮雜質(zhì)卻很難從石墨坩堝中排出，使得氮雜質(zhì)在晶體生長中不可避免的進(jìn)入碳化硅晶體內(nèi)部，進(jìn)而導(dǎo)致很難生長出雜質(zhì)含量低的高純半絕緣碳化硅材料。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為克服相關(guān)技術(shù)中存在的問題，本發(fā)明提供一種用于生長高純半絕緣碳化硅晶體的坩堝。

本發(fā)明實施例提供的坩堝，包括坩堝體，其中：

所述坩堝體包括底壁、以及從所述底壁延伸出的側(cè)壁，由所述底壁和所述側(cè)壁圍成用于放置碳化硅多晶粉料的內(nèi)腔室，所述側(cè)壁由低密度石墨材料制成；

所述側(cè)壁中設(shè)有用于放置生長組分源的夾層腔；

所述生長組分源，用于在所述夾層腔中提供生長碳化硅晶體用的生長組分蒸汽壓；

所述夾層腔中的生長組分蒸汽壓大于或等于所述內(nèi)腔室中的生長組分蒸汽壓。

可選地，所述低密度石墨材料的密度為1.5～1.8g/cm³。

可選地，所述夾層腔中生長組分蒸汽壓為所述內(nèi)腔室中的生長組分蒸汽壓的1～1.5倍。

可選地，所述夾層腔包括至少兩層子夾層腔，所述至少兩層子夾層腔沿所述坩堝體的徑向方向依次排列。

可選地，所述至少兩層子夾層腔中的生長組分蒸汽壓沿所述坩堝體的徑向方向依次增大。

可選地，所述至少兩層子夾層腔中最靠近所述內(nèi)腔室的子夾層腔為第一子夾層腔，所述第一子夾層腔中生長組分蒸汽壓等于所述內(nèi)腔室中的生長組分蒸汽壓。

可選地，所述夾層腔的徑向截面為環(huán)繞所述內(nèi)腔室設(shè)置的圓環(huán)形結(jié)構(gòu)。

可選地，所述夾層腔的底腔面與所述坩堝體的底面之間的間距大于所述內(nèi)腔室的底腔面與所述坩堝體的底面之間的間距。

可選地，所述生長組分源包括碳化硅多晶粉料、硅粉和碳粉的混合物、或者硅粉、碳粉和碳化硅多晶粉料的混合物。

由以上技術(shù)方案可見，本發(fā)明實施例提供的用于生長高純半絕緣碳化硅晶體的坩堝，由于坩堝體的側(cè)壁采用低密度牌號的石墨材料制成，使得坩堝和碳化硅生長組分源料吸附的雜質(zhì)元素氮，隨著生長腔內(nèi)溫度的升高，氮雜質(zhì)逐漸解吸附，在坩堝內(nèi)部形成較高的氮氣分壓，進(jìn)而與坩堝外部環(huán)境形成一定濃度差，氮雜質(zhì)很容易通過低密度的坩堝體側(cè)壁擴散出去。進(jìn)一步的，該坩堝體側(cè)壁中還設(shè)計有夾層腔，夾層腔中放置的生長組分源可以在所述夾層腔中提供生長碳化硅晶體用的生長組分蒸汽壓，并且夾層腔中的生長組分蒸汽壓等于或者略大于生長腔內(nèi)的生長組分蒸汽壓。因此，在濃度梯度的作用下，夾層中的生長組分蒸汽壓向生長腔中擴散，避免了生長腔中生長組分蒸汽壓直接從低密度石墨材料的側(cè)壁擴散至生長腔外部，導(dǎo)致生長腔中生長組分流失所帶來的碳化生長組分源料碳化、晶體中引入碳包裹體缺陷等一系列問題，同時，還不會影響生長腔內(nèi)氮雜質(zhì)的排出，進(jìn)而有效促進(jìn)低雜質(zhì)含量的高純半絕緣碳化硅晶體的生長。

應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本發(fā)明。

附圖說明

此處的附圖被并入說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分，示出了符合本發(fā)明的實施例，并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實施一提供的用于生長高純半絕緣碳化硅晶體的坩堝的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例一提供的一種sic單晶生長室的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實施二提供的用于生長高純半絕緣碳化硅晶體的坩堝的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為圖3中坩堝的a-a方向的剖視圖。

具體實施方式

這里將詳細(xì)地對示例性實施例進(jìn)行說明，其示例表示在附圖中。下面的描述涉及附圖時，除非另有表示，不同附圖中的相同數(shù)字表示相同或相似的要素。以下示例性實施例中所描述的實施方式并不代表與本發(fā)明相一致的所有實施方式。相反，它們僅是與如所附權(quán)利要求書中所詳述的、本發(fā)明的一些方面相一致的裝置和方法的例子。

在使用物理氣相傳輸(physicalvaportransport，pvt)法生長碳化硅晶體時，通常使用石墨坩堝，坩堝的坩堝體底部高溫區(qū)有sic多晶粉料，坩堝中的坩堝蓋上固定sic籽晶，坩堝體和坩堝蓋形成密封的內(nèi)腔室。在單晶生長過程中，處于高溫區(qū)位置的sic多晶粉料升華分解成含si和c的氣相組分，該氣相組分在溫度梯度的驅(qū)動下穿過生長腔向溫度相對較低的sic籽晶處輸運，到達(dá)籽晶表面后，處于過飽和狀態(tài)的各氣相組分重新結(jié)晶形成sic晶體。進(jìn)一步的，為防止生長組分泄露到坩堝外側(cè)，坩堝通常采用高密度的石墨(本實施例將密度大于1.8g/cm-3的石墨材料定義為高密度材料)制作，但是高密度密閉的坩堝，同時造成sic粉料吸附的n雜質(zhì)很難從坩堝中排出，使得n雜質(zhì)很難避免進(jìn)入晶體內(nèi)部，導(dǎo)致很難生長雜質(zhì)含量很低的高純碳化硅晶體。

針對上述問題，本發(fā)明實施例提出了一種新型的用于生長高純半絕緣碳化硅晶體的坩堝，其主要原理是：將坩堝側(cè)壁采用低密度牌號(本實施例將密度小于或等于1.8g/cm-3的石墨材料定義為低密度材料)的石墨材質(zhì)制備，使sic粉料吸附的n雜質(zhì)從坩堝中排出；同時，在坩堝體側(cè)壁中設(shè)置夾層腔，在夾層腔中放置生長組分源，生長組分源在所述夾層腔中提供生長碳化硅晶體用的生長組分蒸汽壓，并且夾層腔中的生長組分蒸汽壓等于或者略大于內(nèi)腔室內(nèi)的生長組分蒸汽壓。因此，在濃度梯度的作用下，夾層中的生長組分蒸汽壓向內(nèi)腔室中擴散，避免了內(nèi)腔室中生長組分蒸汽壓直接從坩堝擴散至內(nèi)腔室外部，導(dǎo)致內(nèi)腔室中生長組分流失所帶來的碳化生長組分源料碳化、晶體中引入碳包裹體缺陷等一系列問題。

圖1為本發(fā)明實施一提供的用于生長高純半絕緣碳化硅晶體的坩堝的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，包括由石墨材料制成的坩堝體12、以及與該坩堝體12相匹配的坩堝蓋11。當(dāng)然，所述坩堝體12和坩堝蓋11并不僅限于使用石墨材料，還可以使用根據(jù)實際需要使用金屬碳化物等材料。

具體的，坩堝體12包括底壁、以及從該底壁延伸出的側(cè)壁，由所述底壁和側(cè)壁圍成用于放置碳化硅多晶粉料的內(nèi)腔室14。同時，所述坩堝體12的側(cè)壁由低密度石墨材料制成，在本發(fā)明實施例中，將密度低于1.8g/cm³的石墨材料定義為低密度石墨材料，當(dāng)然，并不限于所述范圍，具體的可以根據(jù)實際工藝需求(如漏率需求)設(shè)定坩堝體的密度。

所述側(cè)壁中設(shè)有用于放置生長組分源的夾層腔13，其中，所述生長組分源可以包括碳化硅多晶粉料、硅粉和碳粉的混合物、或者硅粉、碳粉和碳化硅多晶粉料的混合物。上述生長組分源用于在碳化硅晶體生長過程中，升華分解為si、si2c和sic2的生長組分蒸氣壓，并且通過對生長組分源的粉料顆粒度、組分配比的調(diào)整，使該生長組分源在夾層腔13中提供壓力大于或等于內(nèi)腔室14中的生長組蒸氣壓的生長組蒸氣壓。

圖2為本發(fā)明實施例提供的一種sic單晶生長室的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，石墨坩堝1和其周圍的石墨纖維保溫材料2組成了sic單晶生長的熱場區(qū)，sic多晶粉料13放置在坩堝體12的底部高溫區(qū)位置，在夾層腔13中放置生長組分源，同時，籽晶3被固定在坩堝蓋11上。

利用上述結(jié)構(gòu)，在碳化硅單晶生長之前，隨著腔室溫度的升高，氮雜質(zhì)逐漸解吸附，在坩堝內(nèi)形成較高的氮氣分壓，與石墨坩堝外部環(huán)境形成一定濃度差，氮雜質(zhì)很容易通過低密度的坩堝側(cè)壁擴散出去。進(jìn)一步的，在碳化硅單晶生長之前，還采取相應(yīng)措施，包括延長高真空時間、采用低分子量高熱導(dǎo)率的氣體(比如氫氣、氦氣)多次沖洗爐腔、延長高溫高壓時間等，足以讓背景中解吸附的氮優(yōu)先擴散排出到坩堝外，從而降低背景中的氮雜質(zhì)濃度來獲得高純碳化硅晶體。

進(jìn)一步的，在碳化硅單晶生長時，夾層腔13中的生長組分源升華分解，進(jìn)而在夾層腔13中形成生長組蒸氣壓p3。通過設(shè)置上述生長組分源中粉料的組分、顆粒度、比表面中的一個或多個參數(shù)，使夾層腔13中的生長組蒸氣壓p3等于或者大于內(nèi)腔室14中的生長組蒸氣壓p2，進(jìn)而使得在濃度梯度的作用下，夾層腔13中的生長組分蒸汽會向內(nèi)腔室14中擴散，同時，夾層腔13中的生長組分蒸汽也會向坩堝外側(cè)擴散，進(jìn)而避免了采用低密度牌號制作的傳統(tǒng)石墨坩堝，在降低背景中氮雜質(zhì)濃度的同時，但同時也會帶來生長過程中生長組分(si，si2c，sic2)泄露出石墨坩堝腔室，導(dǎo)致粉料的嚴(yán)重碳化，大大降低粉料的利用率的問題；同時，還可以防止從坩堝中漏出的si組分會和石墨纖維保溫材料反應(yīng)，導(dǎo)致保溫材料保溫效果降低，影響溫度場的穩(wěn)定。

綜上所述，本發(fā)明實施例提供的坩堝，由于坩堝體的側(cè)壁采用低密度牌號的石墨材料制成，使得坩堝和碳化硅生長組分源料吸附的雜質(zhì)元素氮，隨著內(nèi)腔室內(nèi)溫度的升高，氮雜質(zhì)逐漸解吸附，在坩堝內(nèi)部形成較高的氮氣分壓，進(jìn)而與坩堝外部環(huán)境形成一定濃度差，氮雜質(zhì)很容易通過低密度的坩堝體側(cè)壁擴散出去。進(jìn)一步的，該坩堝體側(cè)壁中還設(shè)計有夾層腔，夾層腔中放置的生長組分源可以在所述夾層腔中提供生長碳化硅晶體用的生長組分蒸汽壓，并且夾層腔中的生長組分蒸汽壓等于或者略大于內(nèi)腔室內(nèi)的生長組分蒸汽壓。因此，在濃度梯度的作用下，夾層中的生長組分蒸汽壓向內(nèi)腔室中擴散，避免了內(nèi)腔室中生長組分蒸汽壓直接從低密度石墨材料的側(cè)壁擴散至內(nèi)腔室外部，導(dǎo)致內(nèi)腔室中生長組分流失所帶來的碳化生長組分源料碳化、晶體中引入碳包裹體缺陷等一系列問題，同時，還不會影響內(nèi)腔室內(nèi)氮雜質(zhì)的排出，進(jìn)而有效促進(jìn)低雜質(zhì)含量的高純半絕緣碳化硅晶體的生長。

由于在整個碳化硅單晶生長過程中，如果坩堝側(cè)壁的密度過低，將會導(dǎo)致夾層腔中的生長組分蒸汽快速的向坩堝外部擴散，導(dǎo)致在晶體生長后期，夾層腔向內(nèi)腔室提供的生長組分蒸汽壓不足，本實施例將上述低密度石墨材料的密度設(shè)計為1.5～1.8g/cm3，當(dāng)然，并不限于所述范圍，還可以設(shè)計為1.5～1.7g/cm3、1.5～1.6g/cm3等數(shù)值范圍。

進(jìn)一步的，若夾層腔13中生長組蒸氣壓p3遠(yuǎn)大于內(nèi)腔室14中生長組蒸氣壓p1，夾層腔13中的生長組分蒸汽會向內(nèi)腔室14中大量擴散，使得生長初期內(nèi)腔室14中生長組分蒸汽過量，帶來碳化硅晶體中3c、15r多型夾雜和硅滴缺陷等問題；相反，若夾層腔13中生長組蒸氣壓p3太小，內(nèi)腔室14中的生長組分蒸汽仍然會向坩堝外側(cè)擴散，起不到防止內(nèi)腔室中生長組分流失的目的。

針對上述問題，本發(fā)明實施例中，將夾層腔13中的生長組蒸氣壓p3設(shè)為內(nèi)腔室14中的生長組蒸氣壓p2的1～1.5倍，當(dāng)然，并不限于所述范圍。

進(jìn)一步的，為實現(xiàn)內(nèi)腔室中生長體系氣相組分的平穩(wěn)控制，本發(fā)明實施例還提供了另一種坩堝。圖3為本發(fā)明實施二提供的用于物理氣相傳輸法生長碳化硅晶體的坩堝的結(jié)構(gòu)示意圖，圖4為圖3中坩堝的a-a方向的剖視圖，如圖3和4所示，本發(fā)明實施例中的坩堝與圖1中坩堝的主要區(qū)別在于，本實施例中的夾層腔13由第一子夾層腔131和第二子夾層腔132組成，并且兩個子夾層腔沿坩堝體12的徑向方向依次排列。需要說明的是，本發(fā)明實施例將坩堝體12橫截面中的中心點向坩堝體12側(cè)壁的連線方向定義為坩堝體12的徑向方向。另外，坩堝蓋11也采用低密度的石墨材料支撐，并且坩堝蓋11中也設(shè)置有蓋體夾層腔111。

在晶體生長前，在第一子夾層腔131和第二子夾層腔132中均放置生長組分源，同時分別設(shè)置第一子夾層腔131和第二子夾層腔132中生長組分源的粉料的組分、顆粒度、比表面中的一個或多個參數(shù)，使第二子夾層腔132中的生長組蒸氣壓大于第一子夾層腔131中的生長組蒸氣壓。

通過在坩堝體側(cè)壁中設(shè)置上述兩個子夾層腔，同時，第二子夾層腔132中的生長組蒸氣壓p4大于第一子夾層腔131中的生長組蒸氣壓p3，第一子夾層腔131中的生長組蒸氣壓p3又略大于內(nèi)腔室14中生長組蒸氣壓p1，使得第二子夾層腔132中生長組分蒸汽緩慢的向坩堝外側(cè)擴散，同時第二子夾層腔132中生長組分蒸汽以更為緩慢的速度向第一子夾層腔131中擴散，進(jìn)而使第一子夾層腔131中生長組分蒸汽可以長時間保持穩(wěn)定，因此，可以保持整個晶體生長過程中內(nèi)腔室內(nèi)生長組分蒸汽的相對恒定，有利于維持高質(zhì)量sic單晶生長所需的化學(xué)計量比。

為實現(xiàn)晶體生長過程中內(nèi)腔室內(nèi)生長組分蒸汽的進(jìn)一步穩(wěn)定，本發(fā)明實施例將最靠近內(nèi)腔室14的第一子夾層腔131中生長組蒸氣壓設(shè)計為等于內(nèi)腔室14中的生長組蒸氣壓。

當(dāng)然，本發(fā)明實施例中，坩堝體側(cè)壁中所設(shè)置的子夾層腔的個數(shù)并不限于本實施例所提供的兩個，在具體實施時還可以為兩個以上。

同時，本發(fā)明實施例將坩堝蓋11也設(shè)計為低密度的材料以及夾層腔的結(jié)構(gòu)，并且蓋體夾層腔111中的生長組分源在其內(nèi)部提供壓力也大于或等于內(nèi)腔室14中的生長組蒸氣壓的生長組蒸氣壓力，這樣，增加了氮雜質(zhì)排出通道，提高碳化硅晶體的純度。

本發(fā)明實施例提供的坩堝，通過在坩堝體側(cè)壁中設(shè)置的多個子夾層腔，并且優(yōu)化設(shè)計各子夾層腔中的si蒸氣壓，例如使至少兩層子夾層腔中的生長組蒸氣壓沿坩堝體12的徑向方向依次增大，來緩沖生長組分蒸汽向坩堝外側(cè)的泄漏，以保證內(nèi)腔室中組分濃度的相對穩(wěn)定。因此，通過上述設(shè)計，可以防止單層的夾層腔中生長組蒸氣壓與內(nèi)腔室中生長組蒸氣壓差距過小時隨著生長進(jìn)行，夾層腔中的生長組分蒸汽向坩堝外側(cè)泄漏，導(dǎo)致夾層腔中生長組蒸氣壓低于內(nèi)腔室中生長組蒸氣壓，使內(nèi)腔室中的生長組分蒸汽最后還會向坩堝外側(cè)擴散的問題。

進(jìn)一步的，為防止夾層腔中生長組分蒸汽過快的逸出坩堝，使晶體生長的后期時夾層腔中生長組分蒸汽不足，導(dǎo)致內(nèi)腔室中的生長組分蒸汽向外擴散、生長組分蒸汽流失，影響整個過程中組分濃度的不穩(wěn)定的問題，本發(fā)明實施例中，將夾層腔13的內(nèi)側(cè)壁厚度l1設(shè)計為小于夾層腔13的外側(cè)壁厚度l4。當(dāng)然，如果夾層腔13中由兩個或兩個以上的子夾層腔組成，相對應(yīng)的，上述各子夾層腔也設(shè)計為其內(nèi)側(cè)壁厚度為小于外側(cè)壁厚度，即側(cè)壁厚度逐漸增加的結(jié)構(gòu)形式。

由于碳化硅多晶生長過程，sic多晶粉料是被放置在坩堝體12的底部，并且坩堝體12的底部為受熱高溫區(qū)，為保證坩堝體12底部高溫區(qū)位置的熱傳輸，促進(jìn)sic多晶粉料的分解，本發(fā)明實施例將夾層腔13的底腔面與坩堝體12的底面之間的間距h1設(shè)計為大于內(nèi)腔室14的底腔面與坩堝體12的底面之間的間距h2。

具體的，上述間距h1和間距h2之間的具體差值，可以根據(jù)坩堝體12中所放置的sic多晶粉料的具體高度確定，例如，設(shè)計為sic多晶粉料高度的一半。

為使內(nèi)腔室14內(nèi)部的sic蒸汽更少的流失，本發(fā)明實施例將坩堝體12側(cè)壁中的夾層腔13設(shè)計為包圍內(nèi)腔室14一周的結(jié)構(gòu)，即夾層腔13的徑向截面為環(huán)繞所述內(nèi)腔室14設(shè)置的圓環(huán)形結(jié)構(gòu)。當(dāng)然，并不限于上述結(jié)構(gòu)，還可以將夾層腔13設(shè)計為有一個或多個不連續(xù)的夾層腔單元構(gòu)成。

進(jìn)一步的，為使內(nèi)腔室14內(nèi)部的sic蒸汽更少的流失，還可以在坩堝體和坩堝蓋設(shè)置時，只有設(shè)置夾層腔的區(qū)域采用低密度石墨材料制備，其它部分仍采用高密度石墨材料。

本說明書中的各個實施例均采用遞進(jìn)的方式描述，各個實施例之間相同相似的部分互相參見即可，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處。

本領(lǐng)域技術(shù)人員在考慮說明書及實踐這里發(fā)明的發(fā)明后，將容易想到本發(fā)明的其它實施方案。本申請旨在涵蓋本發(fā)明的任何變型、用途或者適應(yīng)性變化，這些變型、用途或者適應(yīng)性變化遵循本發(fā)明的一般性原理并包括本發(fā)明未發(fā)明的本技術(shù)領(lǐng)域中的公知常識或慣用技術(shù)手段。說明書和實施例僅被視為示例性的，本發(fā)明的真正范圍和精神由下面的權(quán)利要求指出。

應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明并不局限于上面已經(jīng)描述并在附圖中示出的精確結(jié)構(gòu)，并且可以在不脫離其范圍進(jìn)行各種修改和改變。本發(fā)明的范圍僅由所附的權(quán)利要求來限制。