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一種石墨烯薄膜的轉(zhuǎn)移方法及基板與流程

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一種石墨烯薄膜的轉(zhuǎn)移方法及基板與流程

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種石墨烯薄膜的轉(zhuǎn)移方法及基板。



背景技術(shù):

由于氧化銦錫(ITO)具有較高的透過(guò)率和較低的方阻,而被廣泛使用,但是ITO中銦的價(jià)格昂貴,且ITO材料本身比較脆,導(dǎo)致利用ITO形成的透明導(dǎo)電膜的耐彎折性較差,因此,尋找一種成本低、耐彎折性較好的透明導(dǎo)電材料具有重要的意義。

石墨烯具有耐彎折性強(qiáng)、成本低、以及優(yōu)異的光電性能等優(yōu)點(diǎn),近年來(lái)以石墨烯薄膜作為透明導(dǎo)電材料的研究呈爆發(fā)式增長(zhǎng)。通常采用化學(xué)氣相沉積法(Chemical vapor deposition,簡(jiǎn)稱CVD)制備石墨烯,制備過(guò)程中,一般選用金屬材料作為石墨烯的生長(zhǎng)基底,而石墨烯要作為透明導(dǎo)電材料使用,必須轉(zhuǎn)移到目標(biāo)基板上。目前,石墨烯薄膜的轉(zhuǎn)移主要采用金屬基底腐蝕法,其工藝步驟如圖1(a)-1(e)所示,首先將支撐層30涂覆在石墨烯薄膜20遠(yuǎn)離生長(zhǎng)基板10的一側(cè),以支撐石墨烯薄膜20轉(zhuǎn)移,然后利用刻蝕液去除生長(zhǎng)基板10,再將涂覆有支撐層30的石墨烯薄膜20轉(zhuǎn)移到目標(biāo)基板40上,最后利用丙酮將石墨烯薄膜20上的支撐層30去除掉,從而得到附著在目標(biāo)基板40上的石墨烯薄膜20。目前,一般采用聚甲基丙烯酸乙酯(PMMA)作為支撐層30。

然而,在將涂覆有PMMA的石墨烯薄膜20轉(zhuǎn)移到目標(biāo)基板40上的過(guò)程中,由于PMMA材料比較脆,容易使石墨烯薄膜20破裂,并且在石墨烯薄膜20與目標(biāo)基板40貼附的過(guò)程中,二者之間不可避免地存在空隙,從而使二者之間的附著性大大降低,基于以上原因,難以實(shí)現(xiàn)大尺寸石墨烯薄膜20的轉(zhuǎn)移。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本發(fā)明的實(shí)施例提供一種石墨烯薄膜的轉(zhuǎn)移方法及基板,可以改善轉(zhuǎn)移過(guò)程中石墨烯薄膜出現(xiàn)裂紋的現(xiàn)象,提高石墨烯薄膜在目標(biāo)基板上的附著性,并實(shí)現(xiàn)大尺寸石墨烯薄膜的轉(zhuǎn)移。

為達(dá)到上述目的,本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:

一方面,提供一種石墨烯薄膜的轉(zhuǎn)移方法,包括:在生長(zhǎng)有石墨烯薄膜的第一基底上,形成支撐層;所述支撐層形成在所述石墨烯薄膜遠(yuǎn)離所述第一基底的一側(cè);將所述第一基底的形成有所述支撐層的一側(cè)與目標(biāo)基板通過(guò)透明粘結(jié)層粘結(jié);去除所述第一基底。

可選的,將所述第一基底的形成有所述支撐層的一側(cè)與目標(biāo)基板通過(guò)透明粘結(jié)層粘結(jié),包括:在目標(biāo)基板上形成透明粘結(jié)層,將所述第一基底的形成有所述支撐層的一側(cè)與所述目標(biāo)基板上的透明粘結(jié)層粘結(jié)。

可選的,將所述第一基底的形成有所述支撐層的一側(cè)與目標(biāo)基板通過(guò)透明粘結(jié)層粘結(jié),包括:在所述支撐層遠(yuǎn)離所述第一基底一側(cè)形成透明粘結(jié)層,將所述第一基底的形成有所述透明粘結(jié)層的一側(cè)與目標(biāo)基板粘結(jié)。

優(yōu)選的,所述支撐層的材料為4-乙烯基-苯環(huán)均聚物。

優(yōu)選的,所述透明粘結(jié)層的材料包括壓敏膠、光學(xué)透明膠中的至少一種。

優(yōu)選的,所述目標(biāo)基板包括第二基底,所述第二基底為柔性基底或剛性基底。

優(yōu)選的,所述第一基底為金屬基底;去除所述第一基底,包括:采用強(qiáng)氧化劑或酸性刻蝕液去除所述第一基底。

另一方面,提供一種基板,包括基底,設(shè)置在所述基底上的石墨烯復(fù)合結(jié)構(gòu);所述石墨烯復(fù)合結(jié)構(gòu)包括石墨烯層、透明粘結(jié)層和支撐層;其中,所述石墨烯復(fù)合結(jié)構(gòu)通過(guò)所述透明粘結(jié)層與所述基底粘結(jié),所述支撐層位于所述透明粘結(jié)層和所述石墨烯層之間。

優(yōu)選的,所述支撐層的材料為4-乙烯基-苯環(huán)均聚物。

優(yōu)選的,所述基底為柔性基底或剛性基底。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種石墨烯薄膜的轉(zhuǎn)移方法,通過(guò)先在石墨烯薄膜遠(yuǎn)離第一基底的一側(cè)形成支撐層,再將第一基底形成有支撐層的一側(cè)與目標(biāo)基板通過(guò)透明粘結(jié)層粘結(jié),最后去除第一基底,從而完成石墨烯薄膜的轉(zhuǎn)移。由于在轉(zhuǎn)移過(guò)程中,先粘結(jié)支撐層與目標(biāo)基板,再去除第一基底,相對(duì)現(xiàn)有技術(shù),可以改善轉(zhuǎn)移過(guò)程中石墨烯薄膜出現(xiàn)裂紋的現(xiàn)象,還可以避免空隙影響支撐層和目標(biāo)基板的附著性,并且通過(guò)透明粘結(jié)層粘結(jié)支撐層與目標(biāo)基板,可提高支撐層與目標(biāo)基板的附著性,進(jìn)而提高石墨烯薄膜在目標(biāo)基板上的附著性。在上述基礎(chǔ)上,可實(shí)現(xiàn)大尺寸石墨烯薄膜的轉(zhuǎn)移。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見(jiàn)地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1(a)為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種石墨烯薄膜轉(zhuǎn)移方法的過(guò)程示意圖一;

圖1(b)為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種石墨烯薄膜轉(zhuǎn)移方法的過(guò)程示意圖二;

圖1(c)為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種石墨烯薄膜轉(zhuǎn)移方法的過(guò)程示意圖三;

圖1(d)為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種石墨烯薄膜轉(zhuǎn)移方法的過(guò)程示意圖四;

圖1(e)為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種石墨烯薄膜轉(zhuǎn)移方法的過(guò)程示意圖五;

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種石墨烯薄膜轉(zhuǎn)移方法的流程示意圖;

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種石墨烯薄膜轉(zhuǎn)移方法的過(guò)程示意圖一;

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種石墨烯薄膜轉(zhuǎn)移方法的過(guò)程示意圖二;

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種石墨烯薄膜轉(zhuǎn)移方法的過(guò)程示意圖三;

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種透明粘結(jié)層的設(shè)置位置的示意圖一;

圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種透明粘結(jié)層的設(shè)置位置的示意圖二;

圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種基板的結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)記:

10-生長(zhǎng)基板;20-石墨烯薄膜;30-支撐層;40-目標(biāo)基板;50-第一基底;60-透明粘結(jié)層;100-基底;200-石墨烯復(fù)合結(jié)構(gòu);201-石墨烯層。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖,對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種石墨烯薄膜的轉(zhuǎn)移方法,如圖2所示,包括如下步驟:

S10、如圖3所示,在生長(zhǎng)有石墨烯薄膜20的第一基底50上,形成支撐層30;支撐層30形成在石墨烯薄膜20遠(yuǎn)離第一基底50的一側(cè)。

此處,支撐層30為具有支撐石墨烯薄膜20作用的透明絕緣材料,不影響石墨烯薄膜20的透過(guò)率。

需要說(shuō)明的是,不對(duì)支撐層30在石墨烯薄膜20上的形成方式進(jìn)行限定,例如可以通過(guò)涂覆的方式,包括旋轉(zhuǎn)涂覆(Spin coating)、狹縫涂覆(Slit coating)等形成。

S20、如圖4所示,將第一基底50的形成有支撐層30的一側(cè)與目標(biāo)基板40通過(guò)透明粘結(jié)層60粘結(jié)。

此處,透明粘結(jié)層60為具有粘結(jié)性的透明絕緣材料,不影響透過(guò)率。

S30、如圖5所示,去除第一基底50。

需要說(shuō)明的是,不對(duì)去除第一基底50的方法進(jìn)行限定,只要能將第一基底50去除,且不會(huì)對(duì)石墨烯薄膜20、支撐層30、透明粘結(jié)層60、以及目標(biāo)基板40產(chǎn)生影響即可。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種石墨烯薄膜20的轉(zhuǎn)移方法,通過(guò)先在石墨烯薄膜20遠(yuǎn)離第一基底50的一側(cè)形成支撐層30,再將第一基底50形成有支撐層30的一側(cè)與目標(biāo)基板40通過(guò)透明粘結(jié)層60粘結(jié),最后去除第一基底50,從而完成石墨烯薄膜20的轉(zhuǎn)移。由于在轉(zhuǎn)移過(guò)程中,先粘結(jié)支撐層30與目標(biāo)基板40,再去除第一基底50,相對(duì)現(xiàn)有技術(shù),可以改善轉(zhuǎn)移過(guò)程中石墨烯薄膜20出現(xiàn)裂紋的現(xiàn)象,還可以避免空隙影響支撐層30和目標(biāo)基板40的附著性,并且通過(guò)透明粘結(jié)層60粘結(jié)支撐層30與目標(biāo)基板40,可提高支撐層30與目標(biāo)基板40的附著性,進(jìn)而提高石墨烯薄膜20在目標(biāo)基板40上的附著性。在上述基礎(chǔ)上,可實(shí)現(xiàn)大尺寸石墨烯薄膜20的轉(zhuǎn)移。

可選的,如圖6所示,將第一基底50的形成有支撐層30的一側(cè)與目標(biāo)基板40通過(guò)透明粘結(jié)層60粘結(jié),包括:在目標(biāo)基板40上形成透明粘結(jié)層60,將第一基底50的形成有支撐層30的一側(cè)與目標(biāo)基板40上的透明粘結(jié)層60粘結(jié)。

需要說(shuō)明的是,不對(duì)透明粘結(jié)層60形成方式進(jìn)行限定,例如可以通過(guò)涂覆的方式,包括旋轉(zhuǎn)涂覆、狹縫涂覆等。

本發(fā)明實(shí)施例中,先將透明粘結(jié)層60形成在目標(biāo)基板40上,再通過(guò)透明粘結(jié)層60使第一基底50的形成有支撐層30的一側(cè)與目標(biāo)基板40粘結(jié),從而提高石墨烯薄膜20在目標(biāo)基板40上的附著性。

可選的,如圖7所示,將第一基底50的形成有支撐層30的一側(cè)與目標(biāo)基板40通過(guò)透明粘結(jié)層60粘結(jié),包括:在支撐層30遠(yuǎn)離第一基底50一側(cè)形成透明粘結(jié)層60,將第一基底50的形成有透明粘結(jié)層60的一側(cè)與目標(biāo)基板40粘結(jié)。

本發(fā)明實(shí)施例中,先將透明粘結(jié)層60形成在支撐層30上,再通過(guò)透明粘結(jié)層60使第一基底50的形成有支撐層30的一側(cè)與目標(biāo)基板40粘結(jié),從而提高石墨烯薄膜20在目標(biāo)基板40上的附著性。

優(yōu)選的,支撐層30的材料為4-乙烯基-苯環(huán)均聚物(PVP)。

本發(fā)明實(shí)施例中,由于PVP具有很好的柔韌性,因此,將其用作支撐層30,可進(jìn)一步改善轉(zhuǎn)移過(guò)程中石墨烯薄膜20出現(xiàn)裂紋的現(xiàn)象。同時(shí),由于PVP的π電子體系與石墨烯薄膜20的π電子體系可形成π-π堆垛效應(yīng),即PVP與石墨烯薄膜20間的范德華力較大,使得PVP與石墨烯薄膜20具有良好的附著性,進(jìn)而在一定程度上提高石墨烯薄膜20在目標(biāo)基板40上的附著性。

優(yōu)選的,透明粘結(jié)層60的材料包括壓敏膠(pressure sensitive adhesive簡(jiǎn)稱PSA)、光學(xué)透明膠(Optical Clear Resin,簡(jiǎn)稱OCR)中的至少一種。

本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)將PSA和OCR中的至少一種作為透明粘結(jié)層60,在提高石墨烯薄膜20在目標(biāo)基板40上的附著性的基礎(chǔ)上,不影響石墨烯薄膜20的透過(guò)率,且化學(xué)惰性較強(qiáng)。

優(yōu)選的,目標(biāo)基板40包括第二基底,第二基底為柔性基底或剛性基底。

其中,當(dāng)?shù)诙诪槿嵝曰讜r(shí),其材料可以是聚酰亞胺(Polyimide,簡(jiǎn)稱PI)、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(Polyethylene terephthalate,簡(jiǎn)稱PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene naphthalate two formic acid glycol ester,簡(jiǎn)稱PEN)、以及聚氯乙烯(Polyvinyl chloride,簡(jiǎn)稱PVC)等中的一種。

當(dāng)?shù)诙诪閯傂曰讜r(shí),其可以是玻璃、PI與玻璃的組合、PET與玻璃的組合、以及硅(Si)和二氧化硅(SiO2)的組合等中的一種。其中,PI與玻璃的組合是在玻璃上平鋪一層PI,PET與玻璃的組合是在玻璃上平鋪一層PET,硅和二氧化硅的組合是在硅上平鋪一層二氧化硅。

本發(fā)明實(shí)施例中,當(dāng)石墨烯薄膜20用作透明導(dǎo)電材料時(shí),既可應(yīng)用于柔性顯示裝置,也可應(yīng)用于其他非柔性顯示裝置。

優(yōu)選的,第一基底50為金屬基底;去除第一基底50,包括:采用強(qiáng)氧化劑或酸性刻蝕液去除第一基底50。

其中,金屬基底的材料可以為銅(Cu)、鎳(Ni)、鉑(Pt)、鉬(Mo)、以及鈷(Co)等金屬中的一種。

在此基礎(chǔ)上,當(dāng)?shù)谝换?0為銅時(shí),刻蝕液可以是強(qiáng)氧化劑,強(qiáng)氧化劑與銅發(fā)生氧化還原反應(yīng),將第一基底50去除掉,刻蝕液也可以是酸性溶液,通過(guò)化學(xué)腐蝕,將第一基底50去除掉。

具體的,強(qiáng)氧化劑可以是氯化鐵(FeCl3)溶液、硝酸鐵(FeNO3)溶液等溶液中的一種。酸性溶液可以是有機(jī)酸,也可以是無(wú)機(jī)酸,其中,無(wú)機(jī)酸可以是硝酸鐵(Fe(NO3)3)、過(guò)硫酸銨((NH4)2S2O8)、硝酸(HNO3)等溶液中的一種。

示例的,當(dāng)強(qiáng)氧化劑為氯化鐵時(shí),氯化鐵與銅反應(yīng)生成氯化亞鐵(FeCl2)和氯化銅(CuCl2),反應(yīng)方程式為:Cu+2FeCl3=CuCl2+2FeCl2。

當(dāng)?shù)谝换?0為鎳、鉑、鉬、以及鈷中的一種時(shí),刻蝕液是酸性溶液,通過(guò)化學(xué)腐蝕,將第一基底50去除掉。

其中,酸性刻蝕液可以是有機(jī)酸,也可以是無(wú)機(jī)酸,其中,無(wú)機(jī)酸可以是硝酸鐵、過(guò)硫酸銨、硝酸等溶液中的一種。

本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)使用強(qiáng)氧化劑或酸性刻蝕液,在去除第一基底50的基礎(chǔ)上,不會(huì)對(duì)石墨烯薄膜20、支撐層30、透明粘結(jié)層60、以及目標(biāo)基板40產(chǎn)生影響。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種基板,如圖8所示,包括基底100,設(shè)置在基底100上的石墨烯復(fù)合結(jié)構(gòu)200;石墨烯復(fù)合結(jié)構(gòu)200包括石墨烯層201、透明粘結(jié)層60和支撐層30;其中,石墨烯復(fù)合結(jié)構(gòu)200通過(guò)透明粘結(jié)層60與基底100粘結(jié),支撐層30位于透明粘結(jié)層60和石墨烯層201之間。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種基板,包括基底100,設(shè)置在基底100上的石墨烯復(fù)合結(jié)構(gòu)200,石墨烯復(fù)合結(jié)構(gòu)200包括石墨烯層201、透明粘結(jié)層60和支撐層30。通過(guò)先在石墨烯層201遠(yuǎn)離第一基底50的一側(cè)形成支撐層30,再將第一基底50形成有支撐層30的一側(cè)與基底100通過(guò)透明粘結(jié)層60粘結(jié),最后去除第一基底50,從而形成基板。由于在形成基板的過(guò)程中,先粘結(jié)支撐層30與基底100,再去除第一基底50,相對(duì)現(xiàn)有技術(shù),可以改善轉(zhuǎn)移過(guò)程中石墨烯層201出現(xiàn)裂紋的現(xiàn)象,還可以避免空隙影響支撐層30和基底100的附著性,并且通過(guò)透明粘結(jié)層60粘結(jié)支撐層30與基底100,可提高支撐層30與基底100的附著性,進(jìn)而提高石墨烯層201在基底100上的附著性。在上述基礎(chǔ)上,可實(shí)現(xiàn)大尺寸石墨烯薄膜20的轉(zhuǎn)移。

優(yōu)選的,支撐層30的材料為4-乙烯基-苯環(huán)均聚物。

本發(fā)明實(shí)施例中,由于PVP具有很好的柔韌性,因此,將其用作支撐層30,可進(jìn)一步改善轉(zhuǎn)移過(guò)程中石墨烯薄膜20出現(xiàn)裂紋的現(xiàn)象。同時(shí),由于PVP的π電子體系與石墨烯薄膜20的π電子體系可形成π-π堆垛效應(yīng),即PVP與石墨烯薄膜20間的范德華力較大,使得PVP與石墨烯薄膜20具有良好的附著性,進(jìn)而在一定程度上提高石墨烯薄膜20在目標(biāo)基板40上的附著性。

優(yōu)選的,基底100為柔性基底或剛性基底。

其中,當(dāng)基底100為柔性基底時(shí),其材料可以是PI、PET、PEN、以及PVC等中的一種。

當(dāng)基底100為剛性基底時(shí),其可以是玻璃、PI與玻璃的組合、PET與玻璃的組合、以及硅和二氧化硅的組合等中的一種。其中,PI與玻璃的組合是在玻璃上平鋪一層PI,PET與玻璃的組合是在玻璃上平鋪一層PET,硅和二氧化硅的組合是在硅上平鋪一層二氧化硅。

本發(fā)明實(shí)施例中,當(dāng)石墨烯層201用作透明導(dǎo)電層時(shí),既可應(yīng)用于柔性顯示裝置,也可應(yīng)用于其他非柔性顯示裝置。

以上所述,僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式,但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此,任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi),可輕易想到變化或替換,都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此,本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。

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