1.一種具有長晶桿壓力均衡與保護(hù)功能的晶體生長爐，包括加熱爐（1）、爐架（6）和長晶裝置，所述的加熱爐（1）設(shè)置于爐架（6）上，所述的加熱爐（1）底部設(shè)置長晶裝置，且長晶裝置的長晶桿（3c）伸入加熱爐（1）內(nèi)，其特征在于：所述的長晶裝置之長晶桿（3c）聯(lián)接設(shè)置于爐架（6）上長晶桿控制機(jī)構(gòu)（3），所述的長晶桿（3c）底部通過驅(qū)動座（4）聯(lián)接長晶桿控制機(jī)構(gòu)（3），所述的長晶桿（3c）通過驅(qū)動座（4）設(shè)置于恒張力裝置（5）之上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有長晶桿壓力均衡與保護(hù)功能的晶體生長爐，其特征在于：所述的長晶桿控制機(jī)構(gòu)（3）包括立柱（3d）、驅(qū)動桿（3b）、導(dǎo)軌（3a）、驅(qū)動電機(jī)（3e），所述立柱（3d）的兩端固接于爐架（6）上，立柱（3d）上設(shè)置驅(qū)動桿（3b）和導(dǎo)軌（3a），所述的驅(qū)動桿（3b）與驅(qū)動電機(jī)（3e）驅(qū)動配合，所述的驅(qū)動座（4）動配合通過導(dǎo)軌（3a）與長晶桿（3c）驅(qū)動配合。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有長晶桿壓力均衡與保護(hù)功能的晶體生長爐，其特征在于：所述的恒張力裝置（5）包括缸體（5a）、活塞桿（5c）、缸蓋（5d）、導(dǎo)液管口（5b），所述的缸體（5a）設(shè)置于爐架（6）下方，所述的缸體（5a）底部設(shè)置導(dǎo)液管口（5b），缸體（5a）頂部設(shè)置缸蓋（5d），活塞桿（5c）與缸體（5a）動配合，其自由端通過平衡支撐球（7）與驅(qū)動座（4）支撐配合。
4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的具有長晶桿壓力均衡與保護(hù)功能的晶體生長爐，其特征在于：所述的驅(qū)動座（4）之縱向臂頂部固接長晶桿（3c），底部通過平衡支撐球（7）聯(lián)接恒張力裝置（5）之活塞桿（5c）；驅(qū)動座（4）之橫臂聯(lián)接導(dǎo)軌（3a）。
5.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的具有長晶桿壓力均衡與保護(hù)功能的晶體生長爐，其特征在于：所述的驅(qū)動座（4）與長晶桿（3c）底端快接式緊固接配合。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有長晶桿壓力均衡與保護(hù)功能的晶體生長爐，其特征在于：所述的驅(qū)動桿（3b）為精密滾珠驅(qū)動桿。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的具有長晶桿壓力均衡與保護(hù)功能的晶體生長爐，其特征在于：所述的活塞桿（5c）頂端設(shè)置限位槽（8），與相應(yīng)設(shè)置于驅(qū)動座（4）之縱臂下端的限位槽（8）呈抱持式配合，共同與平衡支撐球（7）支撐配合。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的具有長晶桿壓力均衡與保護(hù)功能的晶體生長爐，其特征在于：所述的恒張力裝置（5）設(shè)置于爐架（6）的底梁上，且恒張力裝置（5）之活塞桿（5c）與長晶桿（3c）同軸設(shè)置。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的具有長晶桿壓力均衡與保護(hù)功能的晶體生長爐，其特征在于：所述的平衡支撐球（7）為高耐磨高強(qiáng)度剛性球。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有長晶桿壓力均衡與保護(hù)功能的晶體生長爐，其特征在于：所述的限位槽（8）圓錐形槽或弧形槽。