1.一種從晶體硅的切割廢料漿中回收高純硅粉的方法，其特征在于，包括以下幾個(gè)步驟：
步驟1，切割前準(zhǔn)備
(1)多線切割機(jī)的切割線采用金剛線；
(2)晶體硅的把持材料采用不含氧化鋁和氧化鈣的板材；
步驟2，廢料漿處理
(1)用多線切割機(jī)對(duì)晶體硅進(jìn)行切割，收集切割廢料漿；
(2)將切割廢料漿進(jìn)行固液分離，得到固體物料；
(3)向固體物料中加入水，稀釋至濃度為10～50％，進(jìn)行磁選分離，固液分離得到一次凈化固體物料；
(4)將一次凈化固體物料進(jìn)行酸浸，充分反應(yīng)后，加入水過(guò)濾清洗至pH值為中性，固液分離得到二次凈化固體物料；
(5)將二次凈化固體物料進(jìn)行干燥篩分，得到高純硅粉，高純硅粉的純度在98％以上。
2.如權(quán)利要求1所述的從晶體硅的切割廢料漿中回收高純硅粉的方法，其特征在于，所述的晶體硅為多晶硅或單晶硅中的一種。
3.如權(quán)利要求1所述的從晶體硅的切割廢料漿中回收高純硅粉的方法，其特征在于，所述的步驟1(1)中，所述的金剛線為電鍍金剛線或樹(shù)脂金剛線中的一種；所述的步驟1(2)中，所述的不含氧化鋁和氧化鈣的板材為環(huán)氧樹(shù)脂板、石墨板、電木板、有機(jī)玻璃板、聚四氟乙烯板或PVC板中的一種。
4.如權(quán)利要求1所述的從晶體硅的切割廢料漿中回收高純硅粉的方法，其特征在于，所述的步驟2(1)中，切割廢料漿中含有的成分及其質(zhì)量百分比為：40～58％的水基冷卻液，40～58％的硅粉，1～3％的金屬雜質(zhì)，1～3％的金剛石小顆粒。
5.如權(quán)利要求1所述的從晶體硅的切割廢料漿中回收高純硅粉的方法，其特征在于，所述的步驟2(2)中，所述的切割廢料漿的物料固液分離的方法有以下兩種：
方法一：向切割廢料漿中加入有機(jī)絮凝劑，沉降分層，上層為上清液，下層為沉降物料，進(jìn)行一次固液分離，得到沉降物料，對(duì)沉降物料進(jìn)行二次固液分離，得到固體物料；其中，加入的有機(jī)絮凝劑質(zhì)量為廢料漿質(zhì)量的0.01～5％；
方法二：對(duì)切割廢料漿的物料直接進(jìn)行固液分離，得到分離液和固體物料。
6.如權(quán)利要求5所述的從晶體硅的切割廢料漿中回收高純硅粉的方法，其特征在于，所述的方法一中，所述的二次固液分離方式采用真空抽濾、離心分離、重力沉降或板框壓濾中的一種；
所述的方法一中，所述的有機(jī)絮凝劑為天然有機(jī)絮凝劑或合成有機(jī)絮凝劑；
其中，天然有機(jī)絮凝劑為淀粉或羧甲基纖維素鈉中的一種；合成有機(jī)絮凝劑為聚丙烯酰胺、聚丙烯酸鈉、水解聚丙烯酰胺、聚氧化乙烯、聚苯乙烯磺酸或聚乙烯亞胺中的一種或幾種的混合物，當(dāng)有機(jī)絮凝劑為混合物時(shí)，混合比例為任意比。
7.如權(quán)利要求5所述的從晶體硅的切割廢料漿中回收高純硅粉的方法，其特征在于，所述的方法二中，所述的固液分離方式采用真空抽濾、離心分離、重力沉降或板框壓濾中的一種。
8.如權(quán)利要求1所述的從晶體硅的切割廢料漿中回收高純硅粉的方法，其特征在于，所述步驟2(3)中，所述的磁選分離，磁場(chǎng)強(qiáng)度為180～2500千安/米，磁選分離的時(shí)間為2～10h。
9.如權(quán)利要求1所述的從晶體硅的切割廢料漿中回收高純硅粉的方法，其特征在于，所述的步驟2(4)中，所述的酸浸，酸浸溫度為30～250℃，酸浸時(shí)間為1～12h，酸溶液的濃度為8～36％，一次凈化固體物料和酸溶液的固液比為1∶(2～12)(g/mL)；
所述的步驟2(4)中，所述的酸浸，酸浸方式為常規(guī)酸浸、微波酸浸或高壓酸浸中的一種；所述的酸溶液為硫酸溶液、鹽酸溶液或硝酸溶液中的一種或幾種的混合酸溶液；當(dāng)酸溶液為混合酸溶液時(shí)，混合比例為任意比；
其中，高壓酸浸的壓力為0.2～2MPa；微波酸浸的微波功率為5～50kW。
10.如權(quán)利要求1所述的從晶體硅的切割廢料漿中回收高純硅粉的方法，其特征在于，所述的步驟2(5)中，所述的干燥，干燥方式為真空干燥、微波干燥或噴霧干燥中的一種；其中，真空干燥的真空度為100～300Pa，干燥溫度為50～100℃；微波干燥的微波頻率為500～2000MHz，功率為10～55kW，干燥能力為40～200kg/h；噴霧干燥能力為50～250kg/h，干燥時(shí)間為1～10h。