本發(fā)明涉及陶瓷指紋片技術領域，具體涉及一種陶瓷指紋片預處理方法以及陶瓷指紋片的制備方法。
背景技術：
隨著通訊技術的進步，越來越多的通訊產(chǎn)品使用指紋識別技術，提高了通訊設備的安全性。指紋片安裝在通訊設備的前蓋或后蓋上，其材質一般采用金屬或者陶瓷片。而氧化鋯陶瓷片是目前使用比較多的指紋片，因其材質輕、外觀精致而受到通訊設備商的喜愛。
氧化鋯陶瓷指紋片是采用氧化鋯粉制作成陶瓷生坯片，然后再進行燒結而制成，因一般在制作過程中需要多個陶瓷生坯片一起進行排膠與燒結，在制備過程中多個陶瓷生坯片容易互相之間粘連，造成產(chǎn)品品質低；而一片進行排膠與燒結成本又很高。
技術實現(xiàn)要素：
基于此，本發(fā)明提供一種陶瓷指紋片預處理方法，處理后的陶瓷生坯片在后續(xù)加工過程中不易粘連，由此降低了陶瓷指紋片加工的成本，提高了陶瓷指紋片的品質。
本發(fā)明還提供一種陶瓷指紋片的制備方法。
為了實現(xiàn)本發(fā)明的目的，本發(fā)明采用以下技術方案：
一種陶瓷指紋片預處理方法，其包括如下步驟：
提供以下重量份的組分：鋯粉65-85份、聚乙烯醇溶液35-55份、水400-550份；將上述鋯粉、聚乙烯醇溶液以及水混合在一起，攪拌均勻，得到敷粉漿料；
提供氣槍，將所述敷粉漿料裝入所述氣槍內；
將陶瓷生坯片置于干凈的膜上，打開所述氣槍，將所述敷粉漿料第一次噴至所述陶瓷生坯片的一面上，關閉氣槍，將所述陶瓷生坯片自然放置至目視所述陶瓷生坯片的所述面上無水滴；
提供輸送機構以及烘箱，將具有敷粉漿料的所述陶瓷生坯片通過所述輸送機構以預設的速度通過所述烘箱，得到陶瓷指紋片預處理品。
在其中一些實施例中，所述敷粉漿料包括如下重量份的組分：鋯粉75份、聚乙烯醇溶液45份、水460份。
在其中一些實施例中，所述輸送機構的運行速度為0.8m/min-1.2m/min。
在其中一些實施例中，所述烘箱具有第一烘烤段、第二烘烤段以及第三烘烤段，所述第一烘烤段的溫度為35℃-45℃，長度為1m-2m；所述第二烘烤段的溫度為55℃-65℃，長度為1m-2m；所述第三烘烤段的溫度為75℃-85℃，長度為1m-2m。
在其中一些實施例中，所述步驟：將陶瓷生坯片置于干凈的膜上，打開所述氣槍，將敷粉漿料第一次噴至所述陶瓷生坯片的一面上，關閉氣槍，陶瓷生坯片自然放置至目視所述陶瓷生坯片的所述面上無水滴之后，還具有如下步驟：再次打開氣槍將敷粉漿料第二次噴至所述陶瓷生坯片的所述面上，將所述陶瓷生坯片自然放置干燥至具有敷粉漿料的所述面上無水滴。
本發(fā)明還采用如下技術方案：
一種陶瓷指紋片的制備方法，其包括如下步驟：
提供以下重量份的組分：鋯粉65-85份、聚乙烯醇溶液35-55份、水400-550份；將上述鋯粉、聚乙烯醇溶液以及水混合在一起，攪拌均勻，得到敷粉漿料；
提供氣槍，將所述敷粉漿料裝入所述氣槍內；
將陶瓷生坯片置于干凈的膜上，打開所述氣槍，將所述敷粉漿料第一次噴至所述陶瓷生坯片的一面上，關閉氣槍，將所述陶瓷生坯片自然放置至目視所述陶瓷生坯片的該面上無水滴；
提供輸送機構以及烘箱，將具有敷粉漿料的所述陶瓷生坯片通過所述輸送機構以預設的速度通過所述烘箱，得到陶瓷指紋片預處理品；
將所述陶瓷指紋片預處理品進行排膠；
將排膠后的所述陶瓷指紋片預處理品進行燒結。
本發(fā)明還采用如下技術方案：
一種陶瓷指紋片的制備方法，其包括如下步驟：
提供以下重量份的組分：鋯粉65-85份、聚乙烯醇溶液35-55份、水400-550份；將上述鋯粉、聚乙烯醇溶液以及水混合在一起，攪拌均勻，得到敷粉漿料；
提供氣槍，將所述敷粉漿料裝入所述氣槍內；
將陶瓷生坯片置于干凈的膜上，打開所述氣槍，將所述敷粉漿料第一次噴至所述陶瓷生坯片的一面上，關閉氣槍，將所述陶瓷生坯片自然放置至目視所述陶瓷生坯片的所述面上無水滴；
提供輸送機構以及烘箱，將具有敷粉漿料的所述陶瓷生坯片通過所述輸送機構以0.8m/min-1.2m/min的速度通過所述烘箱，得到陶瓷指紋片預處理品；所述烘箱具有第一烘烤段、第二烘烤段以及第三烘烤段，所述第一烘烤段的溫度為35℃-45℃，長度為1m-2m；所述第二烘烤段的溫度為55℃-65℃，長度為1m-2m；所述第三烘烤段的溫度為75℃-85℃，長度為1m-2m；
將所述陶瓷指紋片預處理品進行排膠；
將排膠后的所述陶瓷指紋片預處理品進行燒結。
在其中一些實施例中，所述步驟：將所述陶瓷指紋片預處理品進行排膠具體是：先將所述陶瓷指紋片預處理品置于低排爐中，所述陶瓷指紋片預處理品采用正反疊片的方式堆疊在一起，低排爐升溫進行第一次排膠；再將低排處理完成的所述陶瓷指紋片預處理品置于中排爐中，所述陶瓷指紋片預處理品采用正反疊片的方式堆疊在一起，中排爐升溫進行第二次排膠。
在其中一些實施例中，所述低排爐的溫度曲線為：在35h-45h內溫度由20℃-30℃升至270℃-300℃，保溫1.5h-3h，然后再自然降至20℃-30℃。
在其中一些實施例中，所述中排爐的溫度為：在20h-30h內由20℃-30℃升至800℃-900℃，保溫1.5h-3h，然后再自然降至20℃-30℃。
在其中一些實施例中，所述步驟：將排膠后的所述陶瓷指紋片預處理品進行燒結，燒結的溫度為：在10h-20h內由20℃-30℃升至1000℃-1200℃，保溫1h-2h，然后在5h-10h內升至1400℃-1500℃，保溫1.5h-3h，然后再自然降至20℃-30℃。
本發(fā)明所述的陶瓷指紋片，在燒結之前采用預處理的方法，制備敷粉漿料，將敷粉漿料噴在陶瓷生坯片上，并進行干燥，然后再進行排膠和燒結操作，由于在陶瓷生坯片上進行了敷粉，在后續(xù)的排膠和燒結過程中就會防止粘片的現(xiàn)象發(fā)生，因此可以將多個陶瓷生坯片疊加在一起進行加工，即保證了陶瓷指紋片產(chǎn)品的品質，又加快了加工進程，降低了陶瓷指紋片加工的成本。
具體實施方式
為了便于理解本發(fā)明，下面將對本發(fā)明進行更全面的描述。本發(fā)明可以以許多不同的形式來實現(xiàn)，并不限于本文所描述的實施例。相反地，提供這些實施例的目的是使對本發(fā)明的公開內容的理解更加透徹全面。
除非另有定義，本文所使用的所有的技術和科學術語與屬于本發(fā)明的技術領域的技術人員通常理解的含義相同。本文中在本發(fā)明的說明書中所使用的術語只是為了描述具體的實施例的目的，不是旨在于限制本發(fā)明。
本發(fā)明所述的陶瓷指紋片預處理方法，包括如下步驟：
提供以下重量份的組分：鋯粉65-85份、聚乙烯醇溶液35-55份、水400-550份；將上述鋯粉、聚乙烯醇溶液以及水混合在一起，攪拌均勻，得到敷粉漿料；
提供氣槍，將所述敷粉漿料裝入所述氣槍內；
將陶瓷生坯片置于干凈的膜上，打開所述氣槍，將敷粉漿料第一次噴至所述陶瓷生坯片的一面上，關閉氣槍，陶瓷生坯片自然放置至目視所述陶瓷生坯片的該面上無水滴；
提供輸送機構以及烘箱，將具有敷粉漿料的所述陶瓷生坯片通過所述輸送機構以預設的速度通過所述烘箱，得到陶瓷指紋片預處理品。
其中，所述敷粉漿料包括如下重量份的組分：鋯粉75份、聚乙烯醇溶液45份、水460份。
其中，所述輸送機構的運行速度為0.8m/min-1.2m/min。
其中，所述烘箱具有第一烘烤段、第二烘烤段以及第三烘烤段，所述第一烘烤段的溫度為35℃-45℃，長度為1m-2m；所述第二烘烤段的溫度為55℃-65℃，長度為1m-2m；所述第三烘烤段的溫度為75℃-85℃，長度為1m-2m。
其中，所述步驟：將陶瓷生坯片置于干凈的膜上，打開所述氣槍，將敷粉漿料第一次噴至所述陶瓷生坯片的一面上，關閉氣槍，陶瓷生坯片自然放置至目視所述陶瓷生坯片的該面上無水滴之后，還具有如下步驟：再次打開氣槍將敷粉漿料第二次噴至所述陶瓷生坯片的該面上，將所述陶瓷生坯片自然放置干燥至具有敷粉漿料的該面上無水滴。在本實施例中，是進行了兩次噴敷粉漿料。在其他實施例中，還可以噴一次或者更多次。
采用上述預處理方法制備陶瓷指紋片的方法，包括如下步驟：
提供以下重量份的組分：鋯粉65-85份、聚乙烯醇溶液35-55份、水400-550份；將上述鋯粉、聚乙烯醇溶液以及水混合在一起，攪拌均勻，得到敷粉漿料；
提供氣槍，將所述敷粉漿料裝入所述氣槍內；
將陶瓷生坯片置于干凈的膜上，打開所述氣槍，將敷粉漿料第一次噴至所述陶瓷生坯片的一面上，關閉氣槍，陶瓷生坯片自然放置至目視所述陶瓷生坯片的該面上無水滴，再次打開氣槍將敷粉漿料第二次噴至所述陶瓷生坯片的該面上；
提供輸送機構以及烘箱，將具有敷粉漿料的所述陶瓷生坯片通過所述輸送機構以預設的速度通過所述烘箱，得到陶瓷指紋片預處理品；
將所述陶瓷指紋片預處理品進行排膠；
將排膠后的所述陶瓷指紋片預處理品進行燒結。
采用上述預處理方法制備陶瓷指紋片的方法，還可以包括如下步驟：
提供以下重量份的組分：鋯粉65-85份、聚乙烯醇溶液35-55份、水400-550份；將上述鋯粉、聚乙烯醇溶液以及水混合在一起，攪拌均勻，得到敷粉漿料；
提供氣槍，將所述敷粉漿料裝入所述氣槍內；
將陶瓷生坯片置于干凈的膜上，打開所述氣槍，將敷粉漿料第一次噴至所述陶瓷生坯片的一面上，關閉氣槍，陶瓷生坯片自然放置至目視所述陶瓷生坯片的該面上無水滴；
提供輸送機構以及烘箱，將具有敷粉漿料的所述陶瓷生坯片通過所述輸送機構以0.8m/min-1.2m/min的速度通過所述烘箱，得到陶瓷指紋片預處理品；所述烘箱具有第一烘烤段、第二烘烤段以及第三烘烤段，所述第一烘烤段的溫度為35℃-45℃，長度為1m-2m；所述第二烘烤段的溫度為55℃-65℃，長度為1m-2m；所述第三烘烤段的溫度為75℃-85℃，長度為1m-2m；
將所述陶瓷指紋片預處理品進行排膠；
將排膠后的所述陶瓷指紋片預處理品進行燒結。
其中，所述步驟：將所述陶瓷指紋片預處理品進行排膠具體是：先將所述陶瓷指紋片預處理品置于低排爐中，所述陶瓷指紋片預處理品采用正反疊片的方式堆疊在一起，每兩片低排輔具之間堆疊5-8片所述陶瓷指紋片預處理品，低排爐升溫進行第一次排膠；再將低排處理完成的所述陶瓷指紋片預處理品置于中排爐中，所述陶瓷指紋片預處理品采用正反疊片的方式堆疊在一起，每兩片中排輔具之間堆疊5-8片所述陶瓷指紋片預處理品，中排爐升溫進行第二次排膠。
其中，所述低排爐的溫度曲線依序為：在35h-45h內溫度由20℃-30℃升至270℃-300℃，保溫1.5h-3h，然后再自然降至20℃-30℃。具體是：
20℃-30℃加溫8min-12min、40℃-50℃加溫2.5h-3.5h、110℃-150℃加溫4.5h-5.5h、150℃-190℃加溫11h-13h、200℃-230℃加溫11h-13h、230℃-270℃加溫5.5h-7.5h、270℃-300℃加溫2.5h-3.5h，再自然降至20℃-30℃，低排完成。
其中，所述中排爐的溫度曲線為：在20h-30h內由20℃-30℃升至800℃-900℃，保溫1.5h-3h，然后再自然降至20℃-30℃。
其中，所述步驟：將排膠后的所述陶瓷指紋片預處理品進行燒結中，燒結的溫度曲線為：在10h-20h內由20℃-30℃升至1000℃-1200℃，保溫1h-2h，然后在5h-10h內升至1400℃-1500℃，保溫1.5h-3h，然后再自然降至20℃-30℃。
以下將通過實施例來進一步說明本發(fā)明的技術方案。
實施例一
本實施例所述的陶瓷指紋片的制備方法，包括如下步驟：
提供敷粉漿料的原料，包括以下重量份的組分：鋯粉75份、聚乙烯醇溶液45份、水460份；將上述鋯粉、聚乙烯醇溶液以及水混合在一起，攪拌均勻，得到敷粉漿料。
提供氣槍，清洗上述氣槍，保證氣槍內不含有鐵銹、顆粒以及其他雜質，然后將敷粉漿料裝入該氣槍內，調整氣槍的閥門大小，以適應陶瓷生坯片的噴涂面積。
將陶瓷生坯片置于干凈的PET膜上，打開該氣槍，將敷粉漿料第一次噴至陶瓷生坯片的一面上，關閉氣槍，陶瓷生坯片自然放置至目視陶瓷生坯片的該面上無水滴后，再次打開氣槍將敷粉漿料第二次噴至陶瓷生坯片的該面上，將陶瓷生坯片自然放置干燥至具有敷粉漿料的該面上無水滴。在本實施例中，是進行了兩次噴敷粉漿料。在其他實施例中，還可以噴一次或者更多次。
提供輸送機構以及烘箱，將具有敷粉漿料的陶瓷生坯片通過輸送機構以1m/min的速度通過烘箱，得到陶瓷指紋片預處理品；該烘箱具有第一烘烤段、第二烘烤段以及第三烘烤段，其中第一烘烤段的溫度為40℃，長度為1.5m；第二烘烤段的溫度為60℃，長度為1.5m；第三烘烤段的溫度為80℃，長度為1.5m。
將上述陶瓷指紋片預處理品進行排膠；排膠的操作具體是：先將陶瓷指紋片預處理品置于低排爐中，陶瓷指紋片預處理品采用正反疊片的方式堆疊在一起，每兩片低排輔具之間堆疊5-8片陶瓷指紋片預處理品，低排爐升溫進行第一次排膠；再將低排處理完成的陶瓷指紋片預處理品置于中排爐中，陶瓷指紋片預處理品采用正反疊片的方式堆疊在一起，每兩片中排輔具之間堆疊5-8片陶瓷指紋片預處理品，中排爐升溫進行第二次排膠。其中，低排爐的溫度逐漸變化，曲線為：在40.2h內溫度由25℃升至290℃，保溫2h，再自然降至25℃。中排爐的溫度逐漸變化，曲線為：在25h內由25℃升至850℃，保溫2h，然后再自然降至25℃，中排完成。
將排膠后的陶瓷指紋片預處理品進行燒結。燒結的溫度為：在15h內由25℃升至1000℃，保溫1.5h，然后在8h內升至1400℃，保溫2h，然后再自然降至25℃，燒結完成。
實施例二
本實施例所述的陶瓷指紋片的制備方法，包括如下步驟：
提供敷粉漿料的原料，包括以下重量份的組分：鋯粉65份、聚乙烯醇溶液35份、水400份；將上述鋯粉、聚乙烯醇溶液以及水混合在一起，攪拌均勻，得到敷粉漿料。
提供氣槍，清洗上述氣槍，保證氣槍內不含有鐵銹、顆粒以及其他雜質，然后將敷粉漿料裝入該氣槍內，調整氣槍的閥門大小，以適應陶瓷生坯片的噴涂面積。
將陶瓷生坯片置于干凈的PET膜上，打開該氣槍，將敷粉漿料第一次噴至陶瓷生坯片的一面上，關閉氣槍，陶瓷生坯片自然放置至目視陶瓷生坯片的該面上無水滴。
提供輸送機構以及烘箱，將具有敷粉漿料的陶瓷生坯片通過輸送機構以1.2m/min的速度通過烘箱，得到陶瓷指紋片預處理品；該烘箱具有第一烘烤段、第二烘烤段以及第三烘烤段，其中第一烘烤段的溫度為35℃，長度為2m；第二烘烤段的溫度為55℃，長度為2m；第三烘烤段的溫度為75℃，長度為2m。
將上述陶瓷指紋片預處理品進行排膠；排膠的操作具體是：先將陶瓷指紋片預處理品置于低排爐中，陶瓷指紋片預處理品采用正反疊片的方式堆疊在一起，每兩片低排輔具之間堆疊5-8片陶瓷指紋片預處理品，低排爐升溫進行第一次排膠；再將低排處理完成的陶瓷指紋片預處理品置于中排爐中，陶瓷指紋片預處理品采用正反疊片的方式堆疊在一起，每兩片中排輔具之間堆疊5-8片陶瓷指紋片預處理品，中排爐升溫進行第二次排膠。其中，低排爐的溫度逐漸變化，曲線為：在35h內溫度由20℃升至270℃，保溫3h，再自然降至20℃。中排爐的溫度逐漸變化，曲線為：在20h內由20℃升至800℃，保溫3h，然后再自然降至20℃，中排完成。
將排膠后的陶瓷指紋片預處理品進行燒結。燒結的溫度為：在10h內由20℃升至1100℃，保溫2h，然后在5h內升至1500℃，保溫1.5h，然后再自然降至20℃，燒結完成。
實施例三
本實施例所述的陶瓷指紋片的制備方法，包括如下步驟：
提供敷粉漿料的原料，包括以下重量份的組分：鋯粉85份、聚乙烯醇溶液55份、水550份；將上述鋯粉、聚乙烯醇溶液以及水混合在一起，攪拌均勻，得到敷粉漿料。
提供氣槍，清洗上述氣槍，保證氣槍內不含有鐵銹、顆粒以及其他雜質，然后將敷粉漿料裝入該氣槍內，調整氣槍的閥門大小，以適應陶瓷生坯片的噴涂面積。
將陶瓷生坯片置于干凈的PET膜上，打開該氣槍，將敷粉漿料第一次噴至陶瓷生坯片的一面上，關閉氣槍，陶瓷生坯片自然放置至目視陶瓷生坯片的該面上無水滴后，再次打開氣槍將敷粉漿料第二次噴至陶瓷生坯片的該面上，將陶瓷生坯片自然放置干燥至具有敷粉漿料的該面上無水滴。
提供輸送機構以及烘箱，將具有敷粉漿料的陶瓷生坯片通過輸送機構以0.8m/min的速度通過烘箱，得到陶瓷指紋片預處理品；該烘箱具有第一烘烤段、第二烘烤段以及第三烘烤段，其中第一烘烤段的溫度為45℃，長度為1m；第二烘烤段的溫度為65℃，長度為1m；第三烘烤段的溫度為85℃，長度為1m。
將上述陶瓷指紋片預處理品進行排膠；排膠的操作具體是：先將陶瓷指紋片預處理品置于低排爐中，陶瓷指紋片預處理品采用正反疊片的方式堆疊在一起，每兩片低排輔具之間堆疊5-8片陶瓷指紋片預處理品，低排爐升溫進行第一次排膠；再將低排處理完成的陶瓷指紋片預處理品置于中排爐中，陶瓷指紋片預處理品采用正反疊片的方式堆疊在一起，每兩片中排輔具之間堆疊5-8片陶瓷指紋片預處理品，中排爐升溫進行第二次排膠。其中，低排爐的溫度逐漸變化，曲線為：在45h內溫度由30℃升至300℃，保溫1.5h，再自然降至30℃。中排爐的溫度逐漸變化，曲線為：在30h內由30℃升至900℃，保溫1.5h，然后再自然降至30℃，中排完成。
將排膠后的陶瓷指紋片預處理品進行燒結。燒結的溫度為：在20h內由30℃升至1200℃，保溫1h，然后在10h內升至1450℃，保溫3h，然后再自然降至30℃，燒結完成。
以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應以所附權利要求為準。