技術特征：

1. 外延硅晶片，其為在氮濃度調節(jié)為1×10¹²原子/cm³以上且1×10¹³原子/cm³以下的范圍內、且由COP區(qū)域構成的硅晶片表面上形成有外延硅膜的外延硅晶片，其特征在于：

在實施氧沉淀物評價熱處理時，形成于所述硅晶片的內部的氧沉淀物密度在所述硅晶片的徑向整個范圍內為1×10⁸個/cm³以上且3×10⁹個/cm³以下，且

在自所述硅晶片的最外周向內1mm至10mm的外周部區(qū)域內形成的氧沉淀物的平均密度比在所述外周部區(qū)域以外的中心部區(qū)域內形成的氧沉淀物的平均密度低，且

所述外周部區(qū)域的所述氧沉淀物密度的最大值與最小值之差(最大值-最小值)為3以下，且

所述外周部區(qū)域的殘留氧濃度為8×10¹⁷原子/cm³ (Old-ASTM_F121，1979)以上。

2.權利要求1所述的外延硅晶片，其特征在于：所述最大值位于所述外周部區(qū)域中自所述最外周向內6mm至10mm的范圍內，所述最小值位于所述外周部區(qū)域中自所述最外周向內小于6mm的范圍內。

3.權利要求2所述的外延硅晶片，其特征在于：所述外周部區(qū)域的所述氧沉淀物密度朝向所述硅晶片的最外周遞減。

4.權利要求1-3中任意一項所述的外延硅晶片，其特征在于：實施氧化誘生層錯評價熱處理時，在所述外延硅晶片的背面觀察到的氧化誘生層錯的密度為100個/cm²以下。

5. 權利要求1-4中任意一項所述的外延硅晶片，其特征在于：所述硅晶片是由氧濃度調節(jié)為8×10¹⁷原子/cm³以上且14×10¹⁷原子/cm³以下(Old-ASTM_F121, 1979)的范圍內的硅單晶錠切割的硅晶片。

6.權利要求1-5中任意一項所述的外延硅晶片，其特征在于：直徑為300mm以上。

7.權利要求1-6中任意一項所述的外延硅晶片，其特征在于：所述硅晶片是從具有目標直徑的1.02-1.07倍的直徑的所述硅單晶錠的直筒部切割，并加工為所述目標直徑的硅晶片。