本發(fā)明涉及一種光敏玻璃及其生產(chǎn)方法。本發(fā)明的玻璃是敏化的，其是指它對UV光的照射反應(yīng)更敏感，并且可以比具有相同成分的非敏化玻璃更容易地和具有更高縱橫比地結(jié)晶。此外，本發(fā)明的敏化玻璃在照射和回火之后具有比具有相同成分的非敏化玻璃更小的晶體尺寸。
背景技術(shù)：
：光敏玻璃通常用于制造微結(jié)構(gòu)體。由此最初生產(chǎn)的玻璃是光敏的。這種光敏玻璃用UV光在預(yù)定位置上照射。隨后，將在其中由于照射形成晶核的照射區(qū)域通過回火轉(zhuǎn)變成具有結(jié)晶相的區(qū)域，其比非結(jié)晶化玻璃更好地溶解在刻蝕介質(zhì)中。因此，由此處理的主體可以用通常包括氫氟酸的刻蝕溶液選擇性地刻蝕。曝光的區(qū)域比原樣玻璃由刻蝕溶液在20至50倍的范圍內(nèi)更快地刻蝕。結(jié)果是結(jié)構(gòu)體。光敏玻璃早已從現(xiàn)有技術(shù)公知。在文獻US2011/0195360A1中描述的可光結(jié)構(gòu)化玻璃包含比較多的硼、鋁和鉀以及很少的硅。堿金屬氧化物的量在其描述的玻璃中非常高，顯然用于降低由于較高的鋁含量而增加的熔點。與二氧化硅的較低含量一起，這導(dǎo)致受損的耐化學(xué)性。因此，氧化鋅的較高比例用于提高耐化學(xué)性。該現(xiàn)有技術(shù)文獻中沒有精確地描述玻璃的成分；所指定的范圍是很寬的，并且對于精確的比例沒有給出任何結(jié)論。也沒有描述玻璃的生產(chǎn)方法。玻璃不是敏化的，由此它不具有本發(fā)明的玻璃的冷卻狀態(tài)。US2,971,853也描述可光結(jié)構(gòu)化的玻璃，其應(yīng)當(dāng)是完全曝光和陶瓷化的。其目的在于，將所形成的在二硅酸鹽化學(xué)計量方向上的硅酸鹽通過進一步的溫度處理由此朝著低堿金屬含量轉(zhuǎn)化。因此，鈉和鉀的含量在其描述的玻璃中是非常低的。此外，在所述文件中無法認識到硼和鋅對于玻璃組合物的重要性。玻璃在不同的氧化還原條件下熔化，但僅在實驗室規(guī)模(1磅)下。此外，該文件中描述的玻璃不是用于結(jié)構(gòu)化，而是它們應(yīng)當(dāng)是在照射之后被完全陶瓷化。因此，產(chǎn)生了陶瓷體，而不是結(jié)構(gòu)化的玻璃體。DE102005003595A1描述了光學(xué)元件和系統(tǒng)，其包括光敏玻璃或光敏玻璃陶瓷。所述玻璃可以是氧化物玻璃或硫族化物玻璃。對于具體成分，成分范圍沒有給出任何結(jié)論。折射率的差別應(yīng)當(dāng)通過照射誘導(dǎo)。所述玻璃應(yīng)當(dāng)不包含任何銻。其它晶體的化學(xué)計量旨在與本發(fā)明進行比較。玻璃可在氧化條件下熔化。然而，在熔融后沒有敏化意義上的處理，使得必須假定所述玻璃的較高冷卻狀態(tài)。除此之外，其中所述的玻璃包含非常多的鈉和鹵化物和很少的鋰。玻璃體的生產(chǎn)經(jīng)由塊狀玻璃的切割和拋光來完成。DE102008002104A1描述了一種具有鋰輝石或二硅酸鋰晶相的玻璃。所述玻璃應(yīng)當(dāng)具有盡可能低的熱膨脹系數(shù)。其中描述的成分具有相對多的鋅和鋁以及僅少量的鈉。DE1696473描述了一種結(jié)晶的混合體的生產(chǎn)方法。下層的玻璃包含非常多的鋁和鋅。DE10304382A1涉及一種可光結(jié)構(gòu)化體。主體下面的玻璃包含大量的鋁。此外，所述玻璃僅包含很少的與鈰有關(guān)的核源。US2008/0248250A1涉及一種具有高的各向異性的刻蝕速率比的結(jié)構(gòu)化玻璃結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)方法。其中所描述的玻璃包含相對較少的硅、總計大量的鈉和鉀、大量的鋁和大量的硼。所有的現(xiàn)有技術(shù)文獻的共同之處在于，所描述的玻璃處于高冷卻狀態(tài)下，由此沒有經(jīng)受任何敏化。所述文獻均沒有給出在熔化后緩慢冷卻玻璃或使玻璃在熔化后的一個單獨的處理步驟中經(jīng)受受控的冷卻步驟(敏化)的啟示。這最終也與本領(lǐng)域技術(shù)人員旨在快速通過這樣的結(jié)晶-敏化玻璃的結(jié)晶范圍(淬火)的經(jīng)驗相反。至于現(xiàn)有技術(shù)中的目的是增加的結(jié)晶傾向，這試圖通過成分范圍、特別是成核劑的調(diào)整來實現(xiàn)?，F(xiàn)有技術(shù)沒有給出通過降低冷卻狀態(tài)來改進可結(jié)構(gòu)化性的啟示。。玻璃生產(chǎn)中不想要的結(jié)晶與定向結(jié)晶之間必須加以區(qū)分，該不想要的結(jié)晶也被稱為“脫玻作用(devitrification)”，而該定向結(jié)晶可以通過曝光和回火在可光結(jié)構(gòu)化的玻璃中實現(xiàn)。事實上，這在每種情況下都是結(jié)晶工藝，但是，就出現(xiàn)的晶體而言，這些工藝不相同。在脫玻作用中形成堿金屬二硅酸鹽，而在可光結(jié)構(gòu)化玻璃中的定向結(jié)晶中生成堿金屬硅酸鹽晶體。盡管存在所描述的引起結(jié)晶的工藝的差異，但除了可光結(jié)構(gòu)性所期望的由曝光和回火誘導(dǎo)的晶體形成傾向之外，可光結(jié)構(gòu)化玻璃還具有升高的脫玻作用傾向。因此，以良好的質(zhì)量和在沒有不希望的結(jié)晶的情況下生產(chǎn)這樣的玻璃是重要的。玻璃的結(jié)晶傾向至少部分地基于一對成核劑的存在。在現(xiàn)有技術(shù)中，除其他外，為此使用鈰和銀對。以下的反應(yīng)方程式描述了形成晶核的化學(xué)過程。Ce3++Ag++hν→Ce4++Ag0(方程式I)在以約320nm波長的UV光照射光敏玻璃時，三價的鈰產(chǎn)生電子給銀離子，由此生成單質(zhì)銀。在后續(xù)的回火步驟中，在所生成的原子銀周圍形成期望的晶核。對于光敏玻璃的生產(chǎn)者而言，調(diào)節(jié)生產(chǎn)后期望的可結(jié)晶性與臨界結(jié)晶傾向之間的良好平衡是一個挑戰(zhàn)，這使得生產(chǎn)變得復(fù)雜。例如，增加銀的用量導(dǎo)致在熔化期間已經(jīng)形成單質(zhì)銀。這會沉淀并可以導(dǎo)致銀泡或銀滴，由此使生產(chǎn)變得復(fù)雜或者甚至變得不可行。此外，由于組分鈰和銀在最終的玻璃中必須分別以正確的氧化態(tài)存在以便可以發(fā)生如上所述的反應(yīng)(方程式I)的原因，生產(chǎn)也特別具有挑戰(zhàn)性。當(dāng)然，因為不會發(fā)生還原為金屬銀，所以氧化熔化過程可防止膠體銀的沉淀。然而，在這樣的情況下，鈰以其四價形式存在于玻璃中，使得在暴露于紫外光時不能發(fā)生期望的反應(yīng)(方程式I)。另一方面，如果為了增加三價鈰的量而選擇還原熔化過程，則在生產(chǎn)期間已經(jīng)形成銀核的風(fēng)險增大。未曝光的玻璃中的銀核干擾通過回火而使玻璃選擇性結(jié)晶，因為未曝光的區(qū)域也將結(jié)晶。而且，玻璃將不能滿足透射率要求。相反，所期望的是在生產(chǎn)期間沒有銀核形成，使得玻璃中基本上全部的銀都可作為用于反應(yīng)I的一價銀離子。在文獻中深入討論了在不損害玻璃的處理性能的情況下如何可以優(yōu)化熔化步驟，用于最大化所得到的玻璃的光敏性。迄今并沒有令人滿意地實現(xiàn)這個目標(biāo)。技術(shù)實現(xiàn)要素：因此，仍然沒有可以例如在連續(xù)的生產(chǎn)方法或熱處理方法(下拉、新下拉、溢流熔融、壓制、再拉伸)中進行處理可用的光敏玻璃。因此本發(fā)明的一個目的是提供一種玻璃，其適于在現(xiàn)代玻璃處理方法中連續(xù)生產(chǎn)和處理，而與現(xiàn)有技術(shù)的玻璃相比在可結(jié)晶性和光敏性方面不會具有不良的性質(zhì)。與此相反，本發(fā)明的玻璃在可結(jié)晶性、縱橫比和刻蝕速率方面優(yōu)選甚至優(yōu)于現(xiàn)有技術(shù)的玻璃。本發(fā)明的目的通過專利權(quán)利要求書的主題來實現(xiàn)。除其他外，本發(fā)明的主題是敏化的可光結(jié)構(gòu)化的玻璃，其包含Si4+、一種或多種結(jié)晶促進劑、一種或多種抗結(jié)晶劑和一對或多對成核劑，-a.其中該結(jié)晶促進劑選自Na+、K+和Li+，-b.其中該抗結(jié)晶劑選自Al3+、B3+、Zn2+、Sn2+和Sb3+，-c.其中這對成核劑包含鈰以及選自銀、金和銅的至少一種試劑，結(jié)晶促進劑結(jié)晶促進劑其中該結(jié)晶促進劑以cat.-％計的摩爾比例相對于Si4+的摩爾比例的比值為至少0.3且至多0.85，并且該玻璃具有對應(yīng)于以至多200℃/h的冷卻速率K從溫度T1平穩(wěn)地冷卻至溫度T2的冷卻狀態(tài)，其中溫度T1至少高于該玻璃的玻璃轉(zhuǎn)變溫度Tg，并且T2比T1低至少150℃。在具體優(yōu)選實施例中，T1比玻璃的玻璃轉(zhuǎn)變溫度Tg高100℃并且溫度T2比T1低250℃。在另一優(yōu)選實施例中，T1比玻璃的玻璃轉(zhuǎn)變溫度高50℃并且T2比T1低200℃。在另一優(yōu)選實施例中，T1比玻璃的玻璃轉(zhuǎn)變溫度高25℃并且T2比T1低150℃?！捌椒€(wěn)地”在該上下文中是指玻璃從T1連續(xù)地冷卻到T2，而沒有保持在特定的溫度水平上。特別地，此處是指以基本上恒定的冷卻速率冷卻。優(yōu)選地，在從溫度T1冷卻到T2的過程中，最大和最小冷卻速率分別與平均冷卻速率K偏差至多±20％，更優(yōu)選至多±15％，更優(yōu)選至多±10％，更優(yōu)選至多±5％。至于其在冷卻至T2后冷卻至室溫，這種進一步的冷卻也可以平穩(wěn)地發(fā)生，但是低于T2的進一步冷卻是非決定性的。室溫優(yōu)選為20℃。令人驚訝地發(fā)現(xiàn)，根據(jù)本發(fā)明的冷卻狀態(tài)的調(diào)整使得玻璃對于結(jié)晶更敏感，即使熔化以相對氧化的方式進行。也可以在不知道制造條件的情況下確定給定的玻璃的玻璃冷卻狀態(tài)。為了確定玻璃樣品P的冷卻狀態(tài)，首先確定其折射率nd和/或其質(zhì)量密度ρ。繼而優(yōu)選地將樣品分成若干單個樣品P1、P2、P3等等。然后將每個樣品加熱至溫度T1，隨后以不同的冷卻速率K1、K2、K3等冷卻至溫度T2。在冷卻至溫度T2并優(yōu)選地進一步冷卻至室溫之后，再次確定折射率nd和/或質(zhì)量密度ρ，使得每個值可被賦予給冷卻速率。術(shù)語折光率和折射率在本說明書中同義地使用。然后可在坐標(biāo)系中繪制所獲得的成對的數(shù)值，其中縱坐標(biāo)表示光學(xué)密度，而橫坐標(biāo)表示冷卻速率?；谌绱双@得的冷卻曲線，可以從玻璃樣品P的密度得出其冷卻狀態(tài)的結(jié)論。在圖1中示出了一個示例。可以看出，折射率隨著冷卻速率的增大而減小。因此，淬火玻璃的折射率低于緩慢冷卻的玻璃。在x軸以對數(shù)繪制的情況下，由簡單的線性方程式得出相關(guān)性。其示例在圖2中示出。術(shù)語折光率和折射率在本說明書中同義地使用。因此，玻璃的冷卻狀態(tài)是玻璃冷卻期間的條件的度量。從熔體非常快速地冷卻(例如>>300℃/h)的常規(guī)“淬火的”玻璃具有高冷卻狀態(tài)。這樣的玻璃中的離子被“凍結(jié)”在比較無序的狀態(tài)。就是說，通過從熔體快速冷卻，玻璃由此被“凍結(jié)”在高能級上?？焖偻ㄟ^高溫范圍，在該高溫范圍中，由于低粘度，晶體組分(結(jié)晶促進劑，Si4+)的空間上的接近仍然是可能的。因此，處于高冷卻狀態(tài)的經(jīng)快速冷卻的玻璃具有比較低的密度或折射率。依賴于其冷卻狀態(tài)，玻璃的折射率的差異是比較低的。然而，因為這些性質(zhì)可被可靠地測量到多達小數(shù)點后第六位及更遠處，所以這種方法仍適合于提供可靠的測量結(jié)果。實驗已表明，如本文所述的玻璃的敏化導(dǎo)致折光率至少在小數(shù)點后第五位升高，優(yōu)選地甚至在小數(shù)點后第四位升高。如果本發(fā)明的玻璃經(jīng)歷如本文所述的敏化步驟，優(yōu)選隨后發(fā)生根據(jù)本發(fā)明的冷卻狀態(tài)。該敏化步驟在下文中進一步描述。如果本文中提及敏化步驟，這總是指在玻璃曝光之前發(fā)生的處理步驟。依照文獻，在玻璃曝光之后的熱處理步驟在本文中被稱為“回火”。本發(fā)明人認為，對于根據(jù)本發(fā)明敏化的玻璃的更好的可結(jié)晶性，可能存在由玻璃成分以及敏化或生產(chǎn)方法的復(fù)雜相互作用造成的多種原因。因此，結(jié)晶組分的接近有可能通過敏化來實現(xiàn)。這種接近可通過使玻璃在從T1冷卻至T2期間處于允許結(jié)晶促進劑在網(wǎng)絡(luò)中擴散的粘度范圍內(nèi)持續(xù)比較長的時間跨度(相比于通過淬火冷卻)而實現(xiàn)。由此，玻璃接近結(jié)晶狀態(tài)而沒有發(fā)生結(jié)晶。就是說，在UV曝光后，其對期望的結(jié)晶更加敏感。此外，由于其更高的密度，敏化的玻璃具有更加網(wǎng)孔密集的玻璃結(jié)構(gòu)。這可能是在結(jié)晶化的玻璃中形成特別小的晶體的原因。最后，其遷移率對結(jié)晶而言至關(guān)重要的結(jié)晶促進劑在網(wǎng)孔密集的結(jié)構(gòu)中不能像在比較粗大的網(wǎng)絡(luò)中一樣容易地通過擴散而移動。由此，結(jié)晶生長在敏化的玻璃中應(yīng)該受到阻礙，使得雖然確實可以在所生成的核周圍形成晶體，但其生長受到阻礙，因而由若干個晶體締合為較大的晶體也受到阻礙。結(jié)果是得到精細的晶體排列，該精細的晶體排列使得能夠刻蝕特別精細的結(jié)構(gòu)。此外，已表明，由于敏化，玻璃基質(zhì)(帶邊)在Ce3+的吸收最大值附近的重要UV區(qū)中的自吸收向較小的波長的方向移動。因此，在此區(qū)域中的吸收總體上較小，并且用于照射的UV光可以更深地進入玻璃中，并且可以實現(xiàn)更深的結(jié)構(gòu)深度。圖3中所示的結(jié)果證明了通過敏化實現(xiàn)的UV區(qū)中透射率的升高。因此，根據(jù)本發(fā)明提供了一種玻璃，其具有對應(yīng)于比較低的冷卻速率的冷卻狀態(tài)。為了壓低結(jié)晶風(fēng)險，現(xiàn)有技術(shù)的玻璃以非常高的冷卻速率冷卻。相反，本發(fā)明的玻璃已通過敏化以此方式直接從熔體冷卻或在熔體后的后續(xù)步驟中冷卻，并且如果適用，在熱成形后冷卻，該方式使得達到至多200℃/h的冷卻狀態(tài)。優(yōu)選地，冷卻狀態(tài)甚至低于150℃/h，更優(yōu)選低于120℃/h，更優(yōu)選低于100℃/h或低于85℃/h。在優(yōu)選的實施方式中，冷卻狀態(tài)可以甚至低于80℃/h。在每個給定玻璃中，冷卻速率可以如圖1所示地與折射率相關(guān)聯(lián)，并可以建立明確的關(guān)系。然而，本發(fā)明的玻璃不能簡單地由折射率的指標(biāo)來表征，因為玻璃成分對折射率比所述冷卻速率具有更大的影響。然而，必須考慮到，由于以上所述的情況(離子遷移率，晶體形成)-依賴于玻璃成分-某一冷卻狀態(tài)不應(yīng)該被下切(undercut)。在非常慢的冷卻下，玻璃可以過長地停留在允許晶體形成的溫度范圍內(nèi)。然后將會發(fā)生結(jié)晶。為了不冒結(jié)晶的風(fēng)險，不去下切10℃/h、更優(yōu)選20℃/h、特別優(yōu)選40℃/h以及更優(yōu)選60℃/h的冷卻狀態(tài)被證明是有利的。這不排除某些玻璃成分耐受甚至如此之低的冷卻狀態(tài)。術(shù)語“X℃/h的冷卻狀態(tài)”是指對應(yīng)于以至多X℃/h的平穩(wěn)冷卻速率K從溫度T1冷卻至溫度T2的冷卻狀態(tài)。必須指出，所謂“對應(yīng)于以至多X℃/h的平穩(wěn)冷卻速率K從溫度T1冷卻至溫度T2的冷卻狀態(tài)”并不意味著如此表征的玻璃必須以這樣的平穩(wěn)冷卻速率從T1冷卻至T2。而是，這是指它具有與這樣的玻璃相同的冷卻狀態(tài)。本發(fā)明的玻璃還可以已經(jīng)以冷卻速率K'從溫度T1冷卻至溫度T1'，然后以冷卻速率K”冷卻至溫度T2。關(guān)鍵的是所獲得的冷卻狀態(tài)，為了確保清晰性和可測量性，該冷卻狀態(tài)根據(jù)專利權(quán)利要求1表示。在本發(fā)明的玻璃中，在曝光后回火時形成堿金屬硅酸鹽晶體。通過化學(xué)計量學(xué)來表征硅酸鹽，其每摩爾二氧化硅(SiO2)具有一摩爾結(jié)晶促進劑，例如堿金屬氧化物，如Li2O或Na2O。因此，該硅酸鹽中堿金屬離子與硅離子的化學(xué)計量比為2:1。如果堿金屬氧化物和二氧化硅這兩種組分以該晶體的這種化學(xué)計量比一起熔化并冷卻，將不會形成玻璃，而形成陶瓷。為了獲得玻璃而不是陶瓷，根據(jù)本發(fā)明，一方面使玻璃成分大幅偏離此晶體計量，另一方面使用抗結(jié)晶劑來降低玻璃的結(jié)晶傾向。根據(jù)本發(fā)明，“玻璃”被理解為基本無定形的材料，而“陶瓷”被理解為基本完全結(jié)晶的材料。既含有結(jié)晶相又含有無定形相的材料被稱為“玻璃-陶瓷”。以這樣的方式選擇結(jié)晶促進劑與Si4+形式的硅的化學(xué)計量被證明是有利的：即，玻璃中以cat.-％計的結(jié)晶促進劑與Si4+的摩爾比至少為0.3，更優(yōu)選至少為0.5，進一步優(yōu)選至少為0.55。然而，該比率優(yōu)選地不應(yīng)超過0.85的值，更優(yōu)選不應(yīng)超過0.7，特別優(yōu)選為至多0.65的比率。即，如果相對于Si4+使用了太少量的結(jié)晶促進劑，那么該成分背離所期望的化學(xué)計量太遠并且結(jié)晶傾向大大降低。這樣玻璃的結(jié)晶將是漫長且耗能的。而且，將主要形成二硅酸鹽，對于常見的刻蝕溶液，二硅酸鹽不會與所需的硅酸鹽一樣顯示出與玻璃相比顯著的溶解度差異。然而，由于接近硅酸鹽的化學(xué)計量，過高量的結(jié)晶促進劑將大大增加結(jié)晶傾向，并將使可加工性變得復(fù)雜或不可能。玻璃熔體具有非常高的溫度，該溫度遠遠高于可以形成晶體或核的溫度范圍。例如，本發(fā)明的玻璃在優(yōu)選高于1300℃、更優(yōu)選高于1400℃的溫度下熔化。這樣的溫度確保所有組分均熔化。然而，優(yōu)選地，不應(yīng)超過1800℃、更優(yōu)選1700℃以及特別優(yōu)選1600℃的溫度，因為過高的溫度有利于玻璃中銀的還原，并且由此額外大大提高能量的需求。只有在生產(chǎn)后玻璃熔體冷卻時，結(jié)晶傾向才增加，直到熔體的粘度如此高而無法形成更多的核。原因在于，晶體組分的擴散隨著粘度升高而受限。因此，具有與特別顯著的結(jié)晶傾向相關(guān)的溫度范圍。對于本發(fā)明的玻璃，這是在從990℃至600℃、特別是至460℃的范圍內(nèi)。出于此原因，易結(jié)晶的玻璃必須足夠快速地冷卻通過該范圍。當(dāng)其冷卻過慢時，形成在熱力學(xué)上優(yōu)選的結(jié)晶相，并且不會獲得玻璃，而是獲得玻璃-陶瓷。這多數(shù)也適用于本發(fā)明的玻璃，除了根據(jù)本發(fā)明，通過將熔體比較慢地在T1到T2的溫度范圍內(nèi)冷卻或通過最初從熔體快速冷卻并然后在后續(xù)敏化步驟中從T1緩慢冷卻到T2而發(fā)生敏化之外。通過快速冷卻，玻璃可以說被“凍結(jié)”在高能級上。正是由于玻璃的高粘度，它沒有轉(zhuǎn)化成在能量上更有利的晶體狀態(tài)。這也是光敏玻璃在照射后進行回火的原因。否則，核形成所必需的溫度(“成核溫度”)和更高的“晶體生長溫度”都將不會在經(jīng)照射的光敏玻璃中達到。這兩種溫度都表示溫度范圍。先前的照射確保了在回火步驟中能夠?qū)崿F(xiàn)特別是照射區(qū)域的結(jié)晶。由此，與結(jié)晶區(qū)域的更高的可刻蝕性相結(jié)合，使得能夠在后續(xù)刻蝕步驟中實現(xiàn)結(jié)構(gòu)的定向引入。由于其成分或由于其工藝布置而已經(jīng)具有極高脫玻作用傾向的玻璃必須從熔體快速冷卻。由此，熔體的粘度快速地增加，以至于不發(fā)生結(jié)晶。獲得了被“凍結(jié)”在高冷卻狀態(tài)的玻璃。由于脫玻作用傾向與如上所述的曝光和回火所誘導(dǎo)的晶體形成傾向之間的相關(guān)性，這樣的玻璃可以非常適合于光結(jié)構(gòu)化。在曝光后回火時快速形成所需的晶體。然而，這樣的玻璃只能通過相對高成本的工藝進行后處理。推理出的大多數(shù)工藝被排除，在這些工藝中玻璃必須再加熱。最終，在再加熱中，除了回火之外不發(fā)生任何事件：離子、特別是小堿金屬離子的擴散增加，并且形成了核和晶體。因此，固有地特別容易發(fā)生脫玻作用的這類玻璃只能進行冷的后處理。熱的后處理(例如重拉伸)不予考慮。這同樣適用于直接從熔體開始的熱成形步驟(例如壓制、浮法、壓延、外壓延、下拉、溢流熔融)。具有這樣的極高脫玻作用傾向的玻璃不是本發(fā)明的主題。本發(fā)明提供了這樣的玻璃，其確實具有顯著的結(jié)晶傾向，使得它們可以被光結(jié)構(gòu)化，然而其不具有極高的脫玻作用傾向。這通過工藝布置和/或通過玻璃的成分來實現(xiàn)。例如，本發(fā)明的玻璃顯著偏離了硅酸鹽化學(xué)計量，而且它們優(yōu)選地以相對氧化的方式熔化。由此實現(xiàn)了存在于玻璃中的成核劑對(例如，鈰和銀)相對于核源(特別是Ag)主要以更高的氧化態(tài)存在。由此，與在更加還原性的熔體中的情況相比，更高比例的鈰也將以氧化態(tài)Ce4+存在。在現(xiàn)有技術(shù)中，這種構(gòu)象(constellation)主要被描述為不期望的，因為為了根據(jù)上述反應(yīng)(方程式I)形成核，必須存在盡可能多的Ce3+。然而，根據(jù)本發(fā)明，為了在熔化后立即賦予玻璃低的結(jié)晶傾向，這是所需要的。根據(jù)本發(fā)明，僅在稍后-熔化后但在曝光之前-通過敏化使Ce3+與Ce4+的比例變得更靠近Ce3+。遺憾的是，不能確定玻璃中鈰的兩種氧化態(tài)的比例。也就是說，玻璃的分解是改變氧化態(tài)，并且Ce4+的透射帶處于玻璃自身強烈吸收的波長區(qū)中。優(yōu)選的相對氧化的熔化程序具有以下優(yōu)點：本發(fā)明的玻璃可以在熔化后立即或在稍后的時間點，但是在任何情況下均在曝光之前，特別是也在敏化之前，經(jīng)歷一個或多個熱處理步驟。由于Ce4+的存在，在熱加工的時間點，成核劑對可以說在其活性上受限。然而，在沒有核的情況下不會形成晶體。因此，就結(jié)晶而言，玻璃或熔體處于相對非臨界狀態(tài)。根據(jù)本發(fā)明的合適的熱處理步驟是例如壓制、下拉、新的下拉和再拉伸。這些熱處理方法在現(xiàn)有技術(shù)中是公知的。其可以如同本發(fā)明的玻璃所知的那樣進行，然而前提條件是熔體應(yīng)當(dāng)相對快速地通過990℃到600℃、特別是到460℃的溫度范圍冷卻。T1優(yōu)選地低于600℃，使得快速通過指定的溫度范圍優(yōu)選地允許隨后直接敏化。在990℃到600℃的溫度范圍內(nèi)，甚至對于本發(fā)明的玻璃，結(jié)晶風(fēng)險仍是顯著的。因此，應(yīng)該在不超過120分鐘、更優(yōu)選不超過60分鐘、更優(yōu)選不超過30分鐘、特別優(yōu)選不超過15分鐘內(nèi)通過指定的溫度范圍。在特別優(yōu)選的方法中，優(yōu)選甚至在小于5分鐘、特別是小于2分鐘內(nèi)通過指定的溫度范圍。對于本發(fā)明的玻璃的顯著但適度的結(jié)晶傾向的一個關(guān)鍵方面是它們的成分。本發(fā)明很大程度上基于對陽離子彼此之間的摩爾比(晶體化學(xué)計量)的正確調(diào)節(jié)。因此，通過以cat.-％表示來表征玻璃組成是合理的。當(dāng)然，玻璃還含有陰離子，這也會在下文中描述。然而，相比于陽離子，陰離子對玻璃的性質(zhì)不是太重要，因此本發(fā)明的核心更多地在于陽離子成分。術(shù)語“陽離子百分比”(縮寫為“cat.-％”)涉及陽離子相對于玻璃中陽離子總量的相對摩爾比例。當(dāng)然，玻璃還包含陰離子，其相對于玻璃中陰離子總量的相對摩爾比例在本文中表示為“陰離子百分比”(縮寫為“anion-％”)。如開始時所描述的，本發(fā)明的玻璃在任何情況下均包含Si4+。該組分優(yōu)選地以SiO2(砂)的形式添加至熔體中。Si4+對玻璃性質(zhì)和結(jié)晶行為是至關(guān)重要的，因為它是堿金屬硅酸鹽晶體的關(guān)鍵組分。堿金屬硅酸鹽晶體的化學(xué)計量如下所示：R2O3SiR＝堿金屬離子。在優(yōu)選的實施方式中，本發(fā)明的玻璃包含至少45cat.-％、進一步優(yōu)選至少50cat.-％、更優(yōu)選至少52cat.-％、特別優(yōu)選至少56cat.-％的量的硅(Si4+)。該組分的含量不應(yīng)超過至多65cat.-％、進一步優(yōu)選至多63cat.-％、進一步優(yōu)選至多61cat.-％、特別優(yōu)選至多60.5cat.-％的值。該組分的量必須予以考慮，因為過低量的硅可能會過強地削弱結(jié)晶傾向。非常少量的硅甚至?xí)?dǎo)致結(jié)晶傾向以根本無法獲得玻璃的方式升高。而且，硅是重要的玻璃形成物，其關(guān)鍵地共同決定了玻璃網(wǎng)絡(luò)。然而如果添加過多的硅，玻璃網(wǎng)絡(luò)會變得更密。這限制了玻璃中的離子遷移率，并阻止了尤其是堿金屬離子的擴散，使得晶體形成將受阻。選擇適量的硅是比較復(fù)雜的，因為不僅硅的比例自身是決定性的，而且Al3+和B3+的比例以及堿金屬離子與硅的比值也起作用。根據(jù)本發(fā)明，堿金屬離子與硅的摩爾比例的摩爾比值為至少0.3到至多0.85。優(yōu)選地，該比值應(yīng)該為至少0.4且至多0.8，更優(yōu)選至少0.5且至多0.75，特別優(yōu)選至少0.6且至多0.7。因此，玻璃中結(jié)晶促進劑的比例也起作用。根據(jù)本發(fā)明，結(jié)晶促進劑優(yōu)選地選自鋰(Li+)、鈉(Na+)和鉀(K+)的陽離子。優(yōu)選地，本發(fā)明的玻璃含有全部三種組分：Li+、Na+和K+。這些組分的總量應(yīng)該優(yōu)選地為至少30cat.-％，進一步優(yōu)選至少32cat.-％，更優(yōu)選至少34cat.-％。然而，不應(yīng)超過45cat.-％、進一步優(yōu)選43cat.-％、更優(yōu)選40cat.-％或38cat.-％的量。過多量的這些組分一方面會非常強烈地增加玻璃的結(jié)晶傾向，另一方面會大大降低玻璃的耐化學(xué)性。這些組分的量過低時，結(jié)晶傾向?qū)蟠蠼档停驗檫@將固有地導(dǎo)致較大地偏離硅酸鹽化學(xué)計量。然而，不僅結(jié)晶促進劑的總量是有關(guān)的，而且各個單獨組分的含量及其彼此之間的比值也是有關(guān)的。本發(fā)明的玻璃優(yōu)選地包含一定量的鋰，該量高于鈉和鉀中的每一個的摩爾量。優(yōu)選地，鋰的含量還高于玻璃中鉀和鈉的含量的總和。換言之，優(yōu)選地，鋰是結(jié)晶促進劑中的主要組分。本發(fā)明的玻璃中鋰的量優(yōu)選為至少20cat.-％，進一步優(yōu)選至少25cat.-％，更優(yōu)選至少27.5cat.-％，特別優(yōu)選至少28cat.-％。該含量應(yīng)該優(yōu)選為至多40cat.-％，進一步優(yōu)選至多35cat.-％，特別優(yōu)選至多32cat.-％。鋰與硅的比值應(yīng)該優(yōu)選為至少0.4，并且更優(yōu)選為至少0.45。特別地，該值為至多0.7，進一步優(yōu)選至多0.65，更優(yōu)選至多0.6，特別優(yōu)選至多0.55。因為鋰優(yōu)選地是結(jié)晶促進劑中的主要組分，就鋰與硅的指定比值的優(yōu)勢和劣勢而言，這如上所述同樣適用于結(jié)晶促進劑與硅的比值。由于鋰是最小的堿金屬陽離子因而是特別可移動的，所以鋰優(yōu)選地是根據(jù)本發(fā)明的結(jié)晶促進劑中的主要組分。與其他堿金屬相比，這有利于鋰的擴散，并且使得玻璃的敏化能夠在比較低的溫度下比較快地進行。確實，鋰優(yōu)選地是本發(fā)明的玻璃中的結(jié)晶促進劑的主要組分，因而就摩爾比例而言超過了組分鈉和鉀的比例。然而，除了鋰之外，本發(fā)明的玻璃優(yōu)選地還含有組分鉀和/或鈉。因此，組分鉀的摩爾比例超過組分鈉是優(yōu)選的。已證明，由此，玻璃在曝光后形成期望的硅酸鹽晶體的傾向增加。鈉相對于鉀的量過高將有利于二硅酸鹽的晶體形成。在少量使用時，鉀可以改善玻璃的耐化學(xué)性。此外，鉀降低玻璃在生產(chǎn)時的脫玻作用傾向。本發(fā)明的玻璃中鉀的含量應(yīng)該優(yōu)選為至少2cat.-％，進一步優(yōu)選至少2.5cat.-％，更優(yōu)選至少3cat.-％，特別優(yōu)選至少3.5cat.-％。然而，該組分的含量應(yīng)該優(yōu)選為至多8cat.-％，進一步優(yōu)選至多7cat.-％，更優(yōu)選至多6cat.-％，特別優(yōu)選至多5cat.-％。根據(jù)本發(fā)明，組分鈉在玻璃中應(yīng)該優(yōu)選以至少1cat.-％、進一步優(yōu)選至少1.5cat.-％、更優(yōu)選至少2cat.-％的比例存在。優(yōu)選地，不應(yīng)該超過至多5cat.-％、進一步優(yōu)選至多4cat.-％的含量。在特別優(yōu)選的實施方式中，玻璃中鈉的含量不超過3cat.-％的值。這確保基本上阻止了二硅酸鹽的形成。如開始時所提到的，本發(fā)明的玻璃不僅含有硅和結(jié)晶促進劑，還含有選自抗結(jié)晶劑組的至少一種試劑。根據(jù)本發(fā)明，優(yōu)選的抗結(jié)晶劑是鋁(Al3+)、硼(B3+)和鋅(Zn2+)以及錫(Sn2+)和/或銻(Sb3+)?？菇Y(jié)晶劑起抑制晶體或核形成的作用。如果沒有添加抗結(jié)晶劑，玻璃將會非?？斓亟Y(jié)晶?？赡芨静粫@得玻璃。根據(jù)本發(fā)明，抗結(jié)晶劑的含量應(yīng)該優(yōu)選為至少2cat.-％，更優(yōu)選至少2.5cat.-％，特別優(yōu)選至少3.5cat.-％。為了不過多地抑制晶體形成，抗結(jié)晶劑的含量優(yōu)選地被限制在至多9cat.-％，進一步優(yōu)選至多8cat.-％，更優(yōu)選至多7.5cat.-％。在特別優(yōu)選的實施方式中，該含量被限制在至多5.5cat.-％。在抗結(jié)晶劑中，鋁優(yōu)選地是主要組分，這意味著就摩爾量而言，組分鋁在玻璃中以比其余的抗結(jié)晶劑、特別是比組分硼和鋅更高的比例存在。這具有鋁在以有限的量使用時不會阻礙硅酸鹽形成的優(yōu)勢。為了此目的，根據(jù)本發(fā)明，使用優(yōu)選至少2cat.-％、更優(yōu)選至少3cat.-％、特別優(yōu)選至少3.5cat.-％的鋁。鋁降低脫玻作用敏感性。然而，鋁的用量也不宜太高，因為這在另一方面可能導(dǎo)致鋰輝石混晶的形成。而且，鋁使玻璃的熔點升高，這必須通過使用更大量的堿金屬離子來平衡。出于此原因，組分鋁應(yīng)該以優(yōu)選不超過8cat.-％、更優(yōu)選7cat.-％、進一步優(yōu)選6cat.-％、特別優(yōu)選5cat.-％的量使用。在特別優(yōu)選的實施方式中，鋁的量被限制在至多4.5cat.-％。因為由于形成其他晶體相的風(fēng)險，可推薦的鋁的量受到限制，所以可能需要使用其他的抗結(jié)晶劑。因此，特別考慮硼和鋅。本發(fā)明既包括含有硼但不含有鋅或含有鋅但不含有硼的玻璃，又包括使用包含這兩種組分組合的這類玻璃。其中，嚴(yán)格限制硼的量是優(yōu)選的。背景是硼對結(jié)晶傾向顯示出非常強的影響。如果使用過多的硼，結(jié)晶傾向會下降非常多。出于此原因，硼優(yōu)選地以不超過3cat.-％的量使用。進一步優(yōu)選地，該組分不應(yīng)以大于1.5cat.-％的量并且特別優(yōu)選地不大于0.5cat.-％、特別是不大于0.35cat.-％的量使用。然而，最少量的硼可能是可取的。根據(jù)本發(fā)明，這優(yōu)選為至少0.05cat.-％，進一步優(yōu)選至少0.1cat.-％，特別優(yōu)選0.2cat.-％。鋅可以充當(dāng)在硼之外或替代硼的抗結(jié)晶劑。如果鋅和硼均使用，就陽離子的摩爾比例而言，鋅的量應(yīng)該高于硼的量。優(yōu)選地，鋅的量甚至是硼的摩爾比例的至少1.5倍，然而特別地不高于2.5倍。在優(yōu)選的實施方式中，所述玻璃包含至少0.2cat.-％、進一步優(yōu)選至少0.3cat.-％、特別優(yōu)選至少0.45cat.-％的量的鋅。鋅防止銀的不期望的還原，并因此防止由于玻璃中末端氧的去除而導(dǎo)致的核的不受控形成。然而，如果使用過多的鋅，結(jié)晶傾向會強于預(yù)期地降低。因此，鋅的量應(yīng)該為至多2.5cat.-％，進一步優(yōu)選至多1.5cat.-％，特別優(yōu)選至多0.8cat.-％。除了指定的組分外，銻(Sb3+)和錫(Sn2+)也可充當(dāng)抗結(jié)晶劑。錫和銻充當(dāng)還原劑，其導(dǎo)致核源在玻璃中特別精細的分散。這種效果特別在少量的這些組分下出現(xiàn)。對于組分錫，比例優(yōu)選低于0.1cat.-％。優(yōu)選地，所述玻璃甚至不含錫。玻璃中銻的優(yōu)選量被限制在至多0.4cat.-％，進一步優(yōu)選至多0.2cat.-％。本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在玻璃中銻的比例低時，UV區(qū)中的透射率令人驚訝地增加。因此，用于照射的UV光可以更深地進入玻璃，使得可以達到更深的結(jié)構(gòu)深度。因此，通過銻含量，紫外區(qū)中的吸收程度以及因此可達到的曝光深度也可以獨立于鈰含量而改變。特別優(yōu)選地，玻璃中的銻比例被限制在至多0.19cat.-％，進一步優(yōu)選地被限制在至多0.18cat.-％，甚至更優(yōu)選地被限制在至多0.17cat.-％。低銻含量的積極效果還可以從實施例6的結(jié)果來推斷。然而，為了核源在玻璃中的特別精細的分布，采用優(yōu)選至少0.02cat.-％，進一步優(yōu)選至少0.05cat.-％，進一步優(yōu)選至少0.08cat.-％，進一步優(yōu)選至少0.09cat.-％，進一步優(yōu)選至少0.1cat.-％，特別優(yōu)選至少0.15cat.-％。在替代的實施方式中，所述玻璃不含銻。通過銻含量的有利選擇，可以獲得這樣的玻璃，其在1mm樣品厚度時在260nm處的透射率值優(yōu)選為至少1.2％，進一步優(yōu)選至少1.5％，進一步優(yōu)選至少1.8％，進一步優(yōu)選至少2％，進一步優(yōu)選至少2.5％。此外，當(dāng)有利地選擇銻含量時，在根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選的曝光劑量下實現(xiàn)充分結(jié)晶所需的曝光時間為至多15分鐘，至多10分鐘，進一步優(yōu)選至多5分鐘。通過根據(jù)本發(fā)明的銻含量的有利選擇，可以優(yōu)選地獲得這樣的玻璃，其在用UV光進行曝光時，可以實現(xiàn)至少1mm、進一步優(yōu)選至多2mm、進一步優(yōu)選至多2.5mm、進一步優(yōu)選至多3mm、進一步優(yōu)選至多4mm、甚至進一步優(yōu)選5mm的曝光深度。如開始時所說明的，除了硅、結(jié)晶促進劑和抗結(jié)晶劑之外，本發(fā)明的玻璃還包含至少一對成核劑。該成核劑對在另一方面包含核源，該核源優(yōu)選地選自銀、金和銅以及還原劑，根據(jù)本發(fā)明該還原劑是鈰。作為核源，銀是優(yōu)選的。成核劑對中這兩種組分所起的作用可以從上文針對成核劑對鈰和銀示例性地呈現(xiàn)的方程式I來推斷。總之，它是關(guān)于還原劑將核源的陽離子還原成金屬，由此在玻璃中形成核，這進而將使得能夠形成晶體。根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選的是，本發(fā)明的玻璃中核源的量比較高。背景是，相比于相同玻璃體積中較少數(shù)目的核，許多精細分散的小核導(dǎo)致更精細的晶體排列。出于此原因，玻璃中核源的量應(yīng)該具有至少0.001cat.-％的比例，該核源優(yōu)選地是銀離子。進一步優(yōu)選地，該比例為至少0.01cat.-％，更優(yōu)選至少0.03cat.-％，特別優(yōu)選至少0.05cat.-％。然而，如果選擇過高的核源的量，在熔化期間可能已經(jīng)分別出現(xiàn)核形成或單質(zhì)金屬的沉淀。這必須通過各種手段來防止，因為首先沉淀的金屬小滴不可用于玻璃中的核形成，其次該玻璃不具有所需的光學(xué)品質(zhì)。而且，單質(zhì)金屬小滴削弱玻璃的透射性質(zhì)，例如由于光散射。因此，本發(fā)明的玻璃中核源的量優(yōu)選地被限制在至多0.5cat.-％或至多0.2cat.-％，進一步優(yōu)選至多0.1cat.-％，特別優(yōu)選至多0.08cat.-％。在優(yōu)選的實施方式中，所述玻璃不含金和/或銅。如所解釋的，期望在曝光后在給定的體積內(nèi)實現(xiàn)大量的核；然而，核應(yīng)僅在曝光區(qū)域中形成。由于上文呈現(xiàn)的反應(yīng)方程式，選擇盡可能高的核源比例對于此目的來說是不夠的。進而，還需要進行本發(fā)明的敏化并調(diào)節(jié)Ce3+與所使用的核源的量的比例。因此，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選的是，在本發(fā)明的玻璃中核源與鈰(Ce3+和Ce3+的總量)的摩爾比為至多10，進一步優(yōu)選至多7，更優(yōu)選至多6.5，特別優(yōu)選至多5.8。更大量的核源可能增加生產(chǎn)時的問題而不會顯著改善精細結(jié)晶度。然而，當(dāng)然該比率不應(yīng)過低，使得所形成的核的量足以能夠在可光結(jié)構(gòu)化玻璃中實現(xiàn)特別精細的結(jié)構(gòu)。由于相比于現(xiàn)有技術(shù)在本發(fā)明的玻璃的生產(chǎn)期間簡化的工藝布置，玻璃中鈰的量可以選擇比較高。由于相對氧化的熔化過程，最終鈰將在某種程度上以氧化態(tài)4+存在。因此，在制造期間不期望的核形成在某種程度上受到抑制。同時，正如鈰的量一樣，可以選擇相對較高的核源的量以實現(xiàn)精細的晶體排列，這進而使得能夠進行特別精細的結(jié)構(gòu)化。因此，本發(fā)明的玻璃中鈰(為Ce3+和Ce4+的總和)的量優(yōu)選為至少0.001cat.-％，進一步優(yōu)選為至少0.005cat.-％，更優(yōu)選為至少0.008cat.-％，特別優(yōu)選為至少0.01cat.-％。本發(fā)明的玻璃應(yīng)該是可光結(jié)構(gòu)化的。這意味著，在暴露于某波長的UV光和隨后的回火步驟后，它們可以選擇性地結(jié)晶并隨后結(jié)構(gòu)化(刻蝕)。然而，本發(fā)明的玻璃中鈰的比例一定不能隨意增加，因為這樣確實會增加光敏性，但還將會抑制相關(guān)波長的UV光的透射率。最終，對于本發(fā)明的玻璃(如現(xiàn)有技術(shù)中的)的曝光，使用了一定波長的UV光，在該波長下Ce3+吸收。因此，如果玻璃中Ce3+的含量非常高，其在任何期望的深度均不能曝光。這降低了可達到的最大結(jié)構(gòu)深度。出于此原因，玻璃中鈰的含量優(yōu)選地被限制在至多0.3cat.-％或至多0.2cat.-％，進一步優(yōu)選至多0.1cat.-％，更優(yōu)選至多0.05cat.-％，特別優(yōu)選至多0.025cat.-％。為了發(fā)生根據(jù)方程式I的期望效果，在本發(fā)明的玻璃中應(yīng)該以至少0.001cat.-％、特別是至少0.005cat.-％、特別優(yōu)選地甚至至少0.08cat.-％或0.01cat.-％的量存在鈰。在現(xiàn)有技術(shù)中，嘗試了通過還原一定量的成核物來實現(xiàn)易結(jié)晶性。這的確有效，然而玻璃的光敏性卻由此大大受限，以至于嚴(yán)重阻礙了結(jié)構(gòu)化。優(yōu)選地，玻璃中核源的摩爾含量是鈰含量的至少兩倍高，進一步優(yōu)選地，核源與鈰的摩爾比為至少2.2，更優(yōu)選至少2.5，特別優(yōu)選至少3，并且特別是至少4.5。核源、特別是銀與鈰的平衡比值導(dǎo)致對結(jié)晶有利。在相對更大量的核源的存在下，會形成更多核，這進而導(dǎo)致更小的晶體。根據(jù)本發(fā)明，鈰的含量相對于核源相當(dāng)小，因為由于敏化，核形成不需要特別大量的該組分。然而，指定的銀與鈰的比值不應(yīng)該超過某個值，因為否則鈰的相對量將不足以用于誘導(dǎo)核的充分形成。在特定的實施方式中，進一步限制核源與鈰的比值可是合理的。特別是當(dāng)通過UV光曝光僅可以達到較小的結(jié)構(gòu)深度時，尤其如此。可達到的結(jié)構(gòu)深度的增加一方面的確可以通過如上所述的鈰含量的減少而實現(xiàn)。然而，令人驚訝地發(fā)現(xiàn)，如果選擇了更低的核源與鈰的比值，不減少鈰含量也可以達到增加的結(jié)構(gòu)深度。與鈰含量的減少相比，這可是合理的，因為由此在相對氧化的熔化過程中仍存在足夠的Ce3+用作Ag+的還原劑，因此由于相對較高的總鈰含量，Ce4+/Ce3+比值相對較高。在這樣的實施方式中，本發(fā)明的玻璃中核源與鈰的比值優(yōu)選為至多5.5，進一步優(yōu)選至多5.2，特別優(yōu)選至多4.9。本文所示的玻璃組分的列表不是窮舉性的。因此，本發(fā)明的玻璃可以含有本文未提及的其他組分。然而，在優(yōu)選的實施方式中，就陽離子而言，本發(fā)明的玻璃在一定程度上由至少90cat.-％的本文提及的組分組成。在進一步優(yōu)選的實施方式中，本發(fā)明的玻璃由至少95cat.-％、進一步優(yōu)選至少97cat.-％、更優(yōu)選至少99cat.-％的本文提及的組分組成。在特別優(yōu)選的實施方式中，本發(fā)明的玻璃由至少100cat.-％的本文所討論的組分組成。優(yōu)選地，玻璃不含分子氫(H2)。分子氫可以導(dǎo)致原子銀形成，并因此導(dǎo)致與照射無關(guān)的核形成。如果本說明書中指出玻璃不含某種組分或沒有某些組分，其是指沒有有意地向玻璃中添加該組分。這不排除該組分可能在玻璃中以雜質(zhì)存在。以玻璃的重量計，雜質(zhì)通常并優(yōu)選地應(yīng)該不超過0.1％的比例，進一步優(yōu)選不超過100ppm，更優(yōu)選不超過10ppm，甚至更優(yōu)選存在不超過1ppm。因此，在優(yōu)選的實施方式中，所指的組分至多以低于檢測極限的量存在于本發(fā)明的玻璃中。以cat.-％計，本發(fā)明的優(yōu)選的玻璃包含以下組分：Si4+45至65結(jié)晶促進劑30至45抗結(jié)晶劑3.5至9在優(yōu)選的實施方式中，以cat.-％計，本發(fā)明的玻璃包含以下組分：除了陽離子之外，本發(fā)明的玻璃還含有陰離子，該陰離子優(yōu)選地選自O(shè)2-、F-、Br-、Cl-和SO42-構(gòu)成的組。O2-相對于陰離子的摩爾比例應(yīng)該優(yōu)選地為至少50％(陰離子％)，進一步優(yōu)選至少70％，更優(yōu)選至少90％，更優(yōu)選至少98％，特別優(yōu)選至少99％。在優(yōu)選的實施方式中，該玻璃是完全是氧化物的，因此其僅含有O2-作為陰離子而沒有其他陰離子。優(yōu)選地，本發(fā)明的玻璃只包含少量鹵素(halide)。優(yōu)選地，陰離子中鹵素的含量被限制為至多5anion-％，進一步優(yōu)選至多3anion-％，更優(yōu)選至多1anion-％。根據(jù)本發(fā)明，鹵素被理解為Cl、F和Br的陰離子。在特定實施方式中，該玻璃不含Cl、F和/或Br的陰離子，或者以優(yōu)選地各自不超過3anion-％、2anion-％或1anion-％的比例包含這些組分。優(yōu)選地，本發(fā)明的玻璃在用UV光照射之前基本上不含膠體銀。優(yōu)選地，該玻璃中存在的銀在照射之前尤其以比例為至少95％、進一步優(yōu)選為至少99％的Ag+形式存在。優(yōu)選地，本發(fā)明的玻璃不應(yīng)含有多于5cat.-％的T4+(鈦)。鈦會削弱玻璃在UV區(qū)的透射率，這會不利地影響可達到的結(jié)構(gòu)深度。優(yōu)選地，鈦的含量被限制在至多3cat.-％，進一步優(yōu)選至多1cat.-％。優(yōu)選的實施方式包含鈦的量少于0.2cat.-％或者不含鈦。優(yōu)選地，本發(fā)明的玻璃不含本文未提及的組分，特別是不含F(xiàn)e、Ni、Co、La、Nb、W、Hf、Bi、Y、Yb、Pb、As、Ta、Gd和/或Eu的陽離子。限制本發(fā)明玻璃中堿土金屬陽離子的含量已被證明是有利的，特別是限制到最多10cat.-％，優(yōu)選最多5cat.-％，更優(yōu)選最多2cat.-％。在特別優(yōu)選的實施方式中，所述玻璃包含至多1cat.-％的堿土金屬陽離子，或者甚至不含這些陽離子。根據(jù)本發(fā)明，堿土金屬陽離子優(yōu)選地被理解為Mg2+、Ca2+、Ba2+和Sr2+。在特定實施方式中，所述玻璃不含Mg2+、Ca2+、Ba2+和/或Sr2+，或者包含這些組分的比例優(yōu)選各自不超過3cat.-％、2cat.-％或1cat.-％。在優(yōu)選的實施方式中，所述玻璃不含鋇。本發(fā)明的玻璃或者在熔體冷卻期間相對緩慢地冷卻，或者在熔體快速冷卻后再一次加熱至溫度T1并在后處理步驟中從該溫度緩慢冷卻至溫度T2。在本發(fā)明的語境中，我們將這些可選工藝步驟稱為“敏化”。敏化的特征在于玻璃從初始溫度T1冷卻至目標(biāo)溫度T2。從而初始溫度T1處于允許離子在玻璃中擴散至某種程度的范圍內(nèi)，這是一個溫度范圍，該范圍至少高于玻璃的玻璃轉(zhuǎn)變溫度Tg，特別是比Tg高至少25℃。通過受控的、從T1至T2地緩慢冷卻，調(diào)節(jié)玻璃的冷卻狀態(tài)。只有在達到比T1至少低150℃的目標(biāo)溫度T2時，玻璃中的粘度才會優(yōu)選地高到使得不再發(fā)生進一步的擴散和玻璃冷卻狀態(tài)的進一步改變。在優(yōu)選的實施方式中，初始溫度T1為至少400℃，進一步優(yōu)選至少425℃，更優(yōu)選至少450℃，特別優(yōu)選至少475℃。某一最低溫度對于實現(xiàn)冷卻狀態(tài)的調(diào)節(jié)是必要的。因此，T1必須高于玻璃的Tg。在優(yōu)選的實施方式中，T1比Tg高至少25℃，進一步優(yōu)選地比Tg高至少40℃。然而，在過高的溫度下，結(jié)晶的傾向增大，使得過高的溫度T1可導(dǎo)致結(jié)晶。因此，T1優(yōu)選地不超過1000℃、進一步優(yōu)選800℃、更優(yōu)選600℃、特別優(yōu)選550℃的值。在特別優(yōu)選的實施方式中，T1＝500℃。T1優(yōu)選地低于玻璃的軟化溫度，特別是比軟化溫度低至少100℃。溫度T2比T1低至少150℃。T2優(yōu)選地低于玻璃的Tg。在優(yōu)選的實施方式中，T2為至少20℃，進一步優(yōu)選至少100℃，更優(yōu)選至少200℃，特別優(yōu)選至少220℃。為使在T2時的離子遷移率再次降至可忽略的較小值，優(yōu)選地T2為至多400℃，進一步優(yōu)選至多350℃，更優(yōu)選至多300℃。在特別優(yōu)選的實施方式中，T2＝240℃。根據(jù)本發(fā)明進行的敏化導(dǎo)致本發(fā)明的冷卻狀態(tài)。出于此原因，敏化包括玻璃或者從熔體開始或者作為玻璃體的后處理的冷卻。相應(yīng)地，舉例而言，玻璃從熔體冷卻至T1，或者玻璃體被加熱至T1，以及在此之后其冷卻至T2。隨后，玻璃從T2冷卻至室溫(如果適用)。在一個實施方式中，玻璃在敏化期間從溫度T1平穩(wěn)地冷卻至溫度T2。此處“平穩(wěn)地”是指玻璃從T1在不將玻璃維持在某個溫度水平的情況下連續(xù)地冷卻到T2。特別地，這是指以基本上恒定的冷卻速率冷卻。至于其從T2進一步冷卻至室溫，這種進一步的冷卻也可以平穩(wěn)地發(fā)生。室溫優(yōu)選為20℃。在另一實施方式中，在敏化期間，玻璃經(jīng)過不同的冷卻階段。從而，玻璃優(yōu)選地從溫度T1冷卻至溫度T1.1，繼而冷卻至溫度T1.2等等。因而，優(yōu)選的是，玻璃經(jīng)由至少2個中間階段、特別是至少3個中間階段、特別優(yōu)選地至少4個中間階段冷卻至溫度T2。然而，優(yōu)選地，玻璃經(jīng)由至多7個、進一步優(yōu)選至多6個、特別優(yōu)選至多5個中間階段冷卻。在這樣的實施方式中，可以使玻璃通過至少一個冷卻爐而冷卻。這使得能夠進行連續(xù)處理。優(yōu)選地，敏化以這樣的方式發(fā)生，即引導(dǎo)玻璃穿過不同的溫度區(qū)以確保冷卻。其中，這種冷卻方式是指可選地但非必要地將玻璃的溫度保持在相應(yīng)階段的溫度。相反，在一個溫度階段之內(nèi)的玻璃溫度可以緩慢地適應(yīng)這一階段的溫度，繼而移動到下一階段。這可以通過使用冷卻管線上的溫度區(qū)而作為冷卻序列來實施。在通過不同的冷卻階段時，優(yōu)選地使玻璃保持在給定溫度階段10到40分鐘。該溫度階段優(yōu)選地具有至少5℃、特別是至少10℃、特別是至多50℃的間隔。從而，在玻璃轉(zhuǎn)入下一溫度階段之前并不必須達到相應(yīng)階段的溫度。因此，本發(fā)明的玻璃的敏化可以直接從熔體而發(fā)生，繼而可以通過從熔體冷卻玻璃達到初始溫度T1，或者敏化作為獨立的后處理步驟在將玻璃再加熱至初始溫度T1并進而受控地冷卻至T2時發(fā)生。作為后處理步驟的敏化具有如下優(yōu)點：玻璃在敏化之前可以經(jīng)受其它處理步驟，例如熱成形處理，其否則的話由于結(jié)晶傾向?qū)⑹菐缀醪豢赡艿?。在敏化之前，本發(fā)明的玻璃的結(jié)晶傾向不如在敏化之后顯著。例如，本發(fā)明的玻璃最初可以熔化，然后從熔體迅速冷卻。這樣冷卻的玻璃然后可以在再拉伸法中拉伸而不結(jié)晶。再拉伸的玻璃元件然后可以在曝光之前敏化。在本文討論敏化時，這總是是指在對玻璃進行曝光之前發(fā)生的處理步驟。本文中將曝光之后的熱處理步驟稱為“回火”，這與文獻相符。通過敏化來調(diào)節(jié)本發(fā)明的玻璃的冷卻狀態(tài)。由此玻璃的密度也接近潛在晶體系統(tǒng)的密度。玻璃變得更致密。這涉及質(zhì)量密度和折射率。本發(fā)明的玻璃在546.1nm和25℃下優(yōu)選地具有至少1.500、優(yōu)選至多1.600的折射率ηd。此外，玻璃優(yōu)選地具有至少2.35g/cm3、進一步優(yōu)選至少2.36g/cm3的質(zhì)量密度ρ。在優(yōu)選的實施方式中，密度小于2.4g/cm3，并且優(yōu)選小于2.39g/cm3。由于抑制了晶體組分的擴散，高密度導(dǎo)致在曝光和回火之后形成較小的微晶，然而，密度越接近晶體的密度，不期望的非選擇性的結(jié)晶的風(fēng)險越大。如果沒有另行指出或者對本領(lǐng)域技術(shù)人員是顯而易見的，本文的測量是在25℃的溫度和101.325kPa的氣壓下進行的。本發(fā)明的玻璃優(yōu)選地具有至少600℃、特別是至少650℃的軟化點。優(yōu)選地，軟化點至多為750℃，并且特別是至多700℃。如上文所述，本發(fā)明的玻璃以相對氧化的方式熔化。從而，組分鈰也以其四價氧化態(tài)存在。然而，該四價氧化態(tài)并不參與上文描述的成核反應(yīng)(方程式I)。顯而易見地，通過敏化，四價氧化態(tài)的鈰在本發(fā)明的玻璃中的比例增大。Ce3+在大約314nm處吸收，因此該波長處于UV區(qū)中。為使玻璃在曝光后形成大量的核，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選的是，本發(fā)明的玻璃在314nm的波長和1mm的厚度時具有不超過50％的透射率。特別優(yōu)選地，在314nm和1mm厚度時的透射率不大于40％，進一步優(yōu)選地不大于39％。然而，在這一波長處的吸收不應(yīng)當(dāng)過高，以使UV輻射可以進入玻璃足夠深從而實現(xiàn)深結(jié)構(gòu)。在這一方面，在314nm和1mm厚度時的透射率應(yīng)當(dāng)優(yōu)選地是至少10％，進一步優(yōu)選至少20％，更優(yōu)選至少25％或者至少30％，特別優(yōu)選至少35％。透射率特別地是內(nèi)部透射率，因而是不影響反射的玻璃的透射率。在圖4中示出了示例玻璃基于波長的透射率。為實現(xiàn)這一點，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選的是，本發(fā)明的玻璃中鈰的量是受限制的。鈰的含量應(yīng)當(dāng)根據(jù)玻璃的厚度來選擇。在優(yōu)選的實施方式中，本發(fā)明的玻璃中鈰的含量被限制為每毫米玻璃厚度至多4×10-3cat.-％的量。進一步優(yōu)選的是每毫米玻璃厚度至多3×10-3cat.-％的值。然而，為使鈰的量足以觸發(fā)特別有利的核形成，應(yīng)當(dāng)設(shè)定每毫米玻璃厚度至少2×10-3cat.-％的最小鈰含量。優(yōu)選地，本發(fā)明的玻璃具有至少1mm、進一步優(yōu)選至少3mm、特別優(yōu)選至少5mm的厚度。然而，該厚度優(yōu)選地不超過20mm、進一步優(yōu)選15mm的值。本發(fā)明的用于生產(chǎn)本發(fā)明的光敏玻璃的方法包括以下步驟：a.混合各原料，以獲得混合物，b.熔化所述混合物，以獲得熔體，c.固化所述熔體，以獲得玻璃?？梢杂眠B續(xù)生產(chǎn)方法生產(chǎn)是本發(fā)明的玻璃的一個優(yōu)點。優(yōu)選地，混合物的熔化發(fā)生在容器中。玻璃熔體優(yōu)選地從該容器到達精煉容器，在精煉容器中進行精煉步驟。玻璃熔體優(yōu)選地從精煉容器到達坩堝，特別是鉑坩堝，其可以具有攪拌器。將玻璃熔體在坩堝中均質(zhì)化。通過攪拌可以實現(xiàn)特別高的均質(zhì)性。在一個優(yōu)選的實施方案中，熔融玻璃可從坩堝進入拉伸容器中。隨后，可以進行例如下拉、新下拉或溢流熔融處理。在任何情況下，產(chǎn)品是具有火拋光表面的薄玻璃?；饞伖獗砻娴奶卣魍ǔＴ谟跇O低的粗糙度。因此，本發(fā)明的玻璃表面的表面粗糙度Ra優(yōu)選為小于5納米，更優(yōu)選小于2納米，更優(yōu)選小于1.5納米，更優(yōu)選小于1納米，更優(yōu)選小于0.8納米，更優(yōu)選小于0.5納米，更優(yōu)選小于0.2納米，更優(yōu)選小于0.1納米。優(yōu)選地，粗糙度用光學(xué)輪廓儀測量。在下拉的情況下，玻璃通過拉伸容器底部中的狹縫離開，所述拉伸容器在新下拉的情況下裝備有劍形主導(dǎo)(leading)元件。在溢流熔融的情況下，玻璃經(jīng)由拉伸容器的上邊緣離開并從容器的外壁流下。這些方法對本領(lǐng)域技術(shù)人員是已知的。因此，根據(jù)本發(fā)明，特別是一種用于生產(chǎn)本發(fā)明的玻璃的方法，其包括以下步驟：a.生產(chǎn)玻璃熔體，b.將所述熔體轉(zhuǎn)移到拉伸容器中，c.允許所述熔體離開拉伸容器，d.將離開的熔體拉伸成玻璃片，以及e.冷卻所述玻璃片，其中，在離開所述拉伸容器時的熔體優(yōu)選具有高于1000℃的溫度?？商娲兀垠w可從坩堝移除以固化。在一個實施方案中，玻璃在熔化之后但固化之前成形。在這樣的替代實施方案中，玻璃熔體優(yōu)選經(jīng)由出口進入模具中。在模具中玻璃固化成毛坯(例如玻璃棒)?？商娲?，玻璃體可以通過壓制或輥軋由本發(fā)明的玻璃生產(chǎn)。由此生產(chǎn)的玻璃體然后可以利用切割工藝、特別是通過鋸切而切割成玻璃晶片，所述玻璃晶片隨后可以研磨和/或拋光。一種特別優(yōu)選的切割工藝是線鋸，特別是多線鋸(multi-wire-sawing)、例如多線切片機(Multi-Wire-Slice，MWS)。優(yōu)選的切割材料是鋼絲。在優(yōu)選實施例中，毛坯玻璃與鋼絲之間的內(nèi)部介質(zhì)是金剛砂。在這樣的實施例中，內(nèi)部介質(zhì)的顆粒大小優(yōu)選在100和300US標(biāo)準(zhǔn)孔目之間范圍內(nèi)，更優(yōu)選在150和250US標(biāo)準(zhǔn)孔目之間的范圍內(nèi)，更優(yōu)選約200US標(biāo)準(zhǔn)孔目。優(yōu)選地，切割速度在2和20mm/h之間、更優(yōu)選在4和15mm/h之間、甚至更優(yōu)選在6和10mm/h之間的范圍內(nèi)。如果切割速度非常低，則切割不是很有效率。如果切割速度過高，則玻璃可能破裂或者切割線可能撕裂。優(yōu)選地，切割的玻璃晶片可選地在研磨和拋光后在325cm2的面積中的總厚度變化(TTV)為至多30μm，進一步優(yōu)選至多20μm，進一步優(yōu)選至多15μm，進一步優(yōu)選至多10μm，進一步優(yōu)選至多8μm，進一步優(yōu)選至多5μm。當(dāng)然，在更小面積中、例如在180cm2的面積中更加優(yōu)選達到所述TTV。玻璃的上述敏化可以或者在成形處理(壓制、下拉、溢流熔融)期間當(dāng)成形玻璃的冷卻根據(jù)上述敏化處理步驟進行時發(fā)生，或者生產(chǎn)最初快速冷卻的玻璃體，其隨后經(jīng)受敏化的處理步驟。例如玻璃熔體最初可以澆鑄到模具中，并在那里迅速冷卻。隨后，由此得到的毛坯可以通過再拉伸法經(jīng)受進一步熱成形。然后敏化可發(fā)生在該再拉伸法中。玻璃體優(yōu)選不是層壓體。玻璃體優(yōu)選完全由本文所述的玻璃組成，特別地不是陶瓷或玻璃陶瓷組成。利用連續(xù)生產(chǎn)方法，可以獲得具有特別高均質(zhì)性的玻璃，因為可以極大地減少溝紋(striae)的發(fā)生。這樣高的均質(zhì)性導(dǎo)致了透射率、密度和折射率方面的特別小的波動。優(yōu)選地，玻璃是如此均質(zhì)的，以使得在260nm和/或280nm的波長處透射率的標(biāo)準(zhǔn)偏差是相應(yīng)透射率平均值的至多15％，進一步優(yōu)選至多10％，進一步優(yōu)選至多7％，進一步優(yōu)選至多5％，進一步優(yōu)選至多4％，進一步優(yōu)選至多3％，甚至進一步優(yōu)選至多2％，特別優(yōu)選至多1％，甚至進一步優(yōu)選至多0.8％，甚至進一步優(yōu)選至多0.5％，甚至進一步優(yōu)選至多0.4％，甚至進一步優(yōu)選至多0.2％，其中平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差是從至多100個、優(yōu)選至多60個、進一步優(yōu)選至多40個、進一步優(yōu)選至多30個獨立測量值確定的。優(yōu)選地，平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差從至少5個獨立測量值、更優(yōu)選從至少10個獨立測量值、更優(yōu)選從至少15個獨立測量值確定。在優(yōu)選實施例中，平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差從50個獨立測量值、更優(yōu)選從40個獨立測量值確定。獨立測量值是通過在玻璃的不同位置測量透射率而獲得的。優(yōu)選地，任何兩個相鄰測量位置的距離為至少0.1mm，更優(yōu)選至少0.5mm，更優(yōu)選至少1mm，更優(yōu)選至少5mm，甚至更優(yōu)選至少10mm。本領(lǐng)域技術(shù)人員知道如何基于一組測量值來確定標(biāo)準(zhǔn)偏差。標(biāo)準(zhǔn)偏差對應(yīng)于單個測量值相對于測量值平均值的平方偏差總和的平方根，其中該總和在開平方根之前除以測量值的數(shù)目減一。在260nm和1mm樣品厚度時的透射率值優(yōu)選地是至少0.2％，進一步優(yōu)選至少0.5％，進一步優(yōu)選至少1％，進一步優(yōu)選至少1.2％，進一步優(yōu)選至少1.5％，進一步優(yōu)選至少1.8％，進一步優(yōu)選至少2％，進一步優(yōu)選至少2.5％。優(yōu)選地，在260nm和1mm樣品厚度時的透射率值是至多5％，進一步優(yōu)選至多4％，進一步優(yōu)選至多3.5％，進一步優(yōu)選至多3％。在280nm和1mm樣品厚度時的透射率值優(yōu)選地是至少8％，進一步優(yōu)選至少9％，進一步優(yōu)選至少10％，進一步優(yōu)選至少11％，進一步優(yōu)選至少12％，進一步優(yōu)選至少13％，進一步優(yōu)選至少15％，進一步優(yōu)選至少16％。優(yōu)選地，在280nm和1mm樣品厚度時的透射率值是至多30％，進一步優(yōu)選至多25％，進一步優(yōu)選至多20％。值得注意的是，即便在波長為260nm和280nm時，仍可以優(yōu)選地實現(xiàn)這樣低的透射率波動，因為這恰好就是UV邊緣所處的位置并且因而一般預(yù)期有較高的標(biāo)準(zhǔn)偏差。此外，這些波長至少與Ce3+的吸收區(qū)輕微重疊，使得透射率的小波動是玻璃內(nèi)部均質(zhì)分布的良好指示。透射率的測量可以優(yōu)選地用于玻璃的質(zhì)量檢測，因為透射率值僅發(fā)生小偏差。此外，由于有改進光學(xué)聚焦的可能性，折射率的小波動優(yōu)選地允許玻璃體不僅在其表面或近表面區(qū)域而且也在玻璃體內(nèi)部深處經(jīng)由相應(yīng)地聚焦的激光進行曝光。玻璃的高均質(zhì)性優(yōu)選地還引起在刻蝕工藝期間存在更均勻的刻蝕速率，由于減少了刻蝕錯誤，這又可導(dǎo)致可更精確獲得的結(jié)構(gòu)。此外，通過更均勻的刻蝕速率，優(yōu)選地還減少了刻蝕引起的溝紋的發(fā)生。這種極低溝紋的制造促進了所示方法的適用性。由于在連續(xù)過程中進行生產(chǎn)，不僅提高了上文所述的玻璃片之內(nèi)的均質(zhì)性，還提高了不同批次之間的均質(zhì)性。為了調(diào)節(jié)玻璃熔體的氧化還原狀態(tài)，所使用的原材料非常重要。以下列表分別示出了用于調(diào)節(jié)適當(dāng)熔化條件的優(yōu)選使用的原材料。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員還熟知用于調(diào)節(jié)熔體的氧化還原條件的其他措施。例如，在本發(fā)明的實施方式中，可以向熔體中引入氧化氣體(起泡)。此外，熔體的溫度對于氧化還原狀態(tài)至關(guān)重要。特別是，高熔化溫度導(dǎo)致還原性熔化條件。取決于本發(fā)明的玻璃中期望的陰離子成分，也可以使用相應(yīng)的鹵素離子。然而，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選的是，所述玻璃包含盡可能小的鹵素離子比例。本發(fā)明還包括本發(fā)明的玻璃的光結(jié)構(gòu)化方法。該光結(jié)構(gòu)化方法特別地包括以下步驟：玻璃體的曝光、回火和結(jié)構(gòu)化，該玻璃體包括本發(fā)明的玻璃，并且特別是由其組成。優(yōu)選地在一定波長下進行曝光，該波長基本上對應(yīng)于本發(fā)明的玻璃中Ce3+的吸收最大值。這一波長在UV內(nèi)，特別是在300nm到320nm的區(qū)域內(nèi)，特別是310nm。在曝光期間，優(yōu)選地用掩模覆蓋不欲曝光的區(qū)域。UV光曝光的劑量必須高到足以確保充分的光結(jié)構(gòu)化。UV光曝光優(yōu)選地以大于0.1J/cm2的劑量進行。進一步優(yōu)選地，該劑量是至少1J/cm2，進一步優(yōu)選至少3J/cm2，進一步優(yōu)選至少5J/cm2，進一步優(yōu)選至少7J/cm2，更進一步優(yōu)選至少10J/cm2。然而，該劑量也不應(yīng)過高。優(yōu)選地，該劑量是至多100J/cm2，進一步優(yōu)選至多50J/cm2，更進一步優(yōu)選至多25J/cm2。優(yōu)選地，對于在根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選劑量下充分結(jié)晶所必需的曝光時間是至多20分鐘，進一步優(yōu)選至多15分鐘，進一步優(yōu)選至多10分鐘，進一步優(yōu)選至多5分鐘。在優(yōu)選的實施方式中利用激光進行曝光。優(yōu)選地，該激光是脈沖激光。優(yōu)選地，該激光是納秒激光，進一步優(yōu)選皮秒激光，更進一步優(yōu)選飛秒激光。多光子吸收使得能夠利用可見光范圍中的或者更優(yōu)選地甚至在IR范圍中的長波長進行工作，在這些范圍中，玻璃具有特別高的透射率，使得可以在很大深度處進行曝光。UV區(qū)中的組分、例如Ce3+的激發(fā)在這樣的實施方式中優(yōu)選地主要發(fā)生在激光聚焦的區(qū)域上。非常特別優(yōu)選地，該激光是鈦藍寶石飛秒激光。利用激光進行曝光優(yōu)選地另外使得能夠在后續(xù)刻蝕步驟中生成特別精細的結(jié)構(gòu)和/或在玻璃體內(nèi)部特別深處的結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的方法生產(chǎn)的玻璃的高均質(zhì)性、特別是在透射率和折射率方面的高均質(zhì)性，優(yōu)選地使得能夠在玻璃體內(nèi)很大深度處進行曝光。優(yōu)選地利用聚焦的短脈沖激光或UV源、例如UV燈或UV燃燒器進行曝光。優(yōu)選地，曝光深度是至少0.5mm，進一步優(yōu)選至少1mm，進一步優(yōu)選至少2mm，進一步優(yōu)選至少5mm，進一步優(yōu)選至少10mm，進一步優(yōu)選至少15mm，進一步優(yōu)選至少20mm。優(yōu)選地，曝光深度甚至高達50mm，進一步優(yōu)選高達100mm，進一步優(yōu)選高達200mm，進一步優(yōu)選高達300mm，進一步優(yōu)選高達500mm，進一步優(yōu)選高達1000mm，甚至進一步優(yōu)選高達2500mm。然而，必須考慮到短脈沖激光的聚焦隨著曝光深度增大而變得更長或模糊。因此，利用聚焦的短脈沖激光進行的曝光也不應(yīng)在太大的深度發(fā)生。曝光深度優(yōu)選地經(jīng)由依賴曝光的結(jié)晶的深度來確定。測量是在側(cè)視圖上進行的。玻璃體的整個表面暴露在UV照射。然后，玻璃體回火，以使得暴露的部分結(jié)晶。然后，將樣品切割成兩半，并且從側(cè)面檢測劈開的部分。優(yōu)選地，使用沉浸油，以避免需要拋光劈開的表面。然后用顯微鏡測量曝光深度。通過此方法，可以清楚地看見結(jié)晶的邊緣。特別優(yōu)選地可以生成下切結(jié)構(gòu)。為此，優(yōu)選地使用不同的UV激光，其在進入玻璃體的深度方面有區(qū)別。因此，可以利用不同劑量在不同深度曝光。因為實際結(jié)構(gòu)化發(fā)生在后續(xù)的刻蝕步驟中，所以優(yōu)選地兩輪曝光、進一步優(yōu)選地甚至一輪曝光就已足夠，使得可以實現(xiàn)優(yōu)選至少1m/s、更優(yōu)選至少5m/s、甚至更優(yōu)選至少10m/s的高速曝光。優(yōu)選地，可以在少于12小時、更優(yōu)選少于6小時、更優(yōu)選少于3小時、更優(yōu)選少于2小時、更優(yōu)選少于1小時的時間內(nèi)處理晶片。通過已經(jīng)結(jié)構(gòu)化的元件的逐步陶瓷化，優(yōu)選地還可以生成預(yù)定的斷裂點。經(jīng)曝光的玻璃體的結(jié)構(gòu)化優(yōu)選地經(jīng)由刻蝕、特別地利用含HF的刻蝕溶液進行?？涛g溶液中HF的濃度優(yōu)選地為水重量的5％到20％。特別優(yōu)選地，刻蝕溶液中HF的濃度為10重量％。通過結(jié)構(gòu)化，獲得了經(jīng)結(jié)構(gòu)化的玻璃體，其相比于現(xiàn)有技術(shù)在結(jié)構(gòu)深度方面和縱橫比方面具有更好、至少等價的結(jié)構(gòu)。使用根據(jù)本發(fā)明的玻璃可得的結(jié)構(gòu)化玻璃體中的結(jié)構(gòu)深度優(yōu)選地高達0.1mm，進一步優(yōu)選高達0.2mm，更優(yōu)選高達0.5mm，更優(yōu)選高達1mm，更優(yōu)選高達2mm，更優(yōu)選高達3mm，甚至更優(yōu)選高達4mm，非常特別優(yōu)選高達5mm。根據(jù)本發(fā)明，“結(jié)構(gòu)深度”應(yīng)理解為結(jié)晶區(qū)域與非結(jié)晶區(qū)域之間在刻蝕方向上的高度差。根據(jù)本發(fā)明，“縱橫比”應(yīng)理解為結(jié)構(gòu)的深度與其寬度之間的比值。當(dāng)然，在可以有大縱橫比時是優(yōu)選的。對于本發(fā)明的玻璃，可以實現(xiàn)高達80比1、優(yōu)選高達60比1、更優(yōu)選高達50比1、特別優(yōu)選高達40比1的縱橫比。優(yōu)選地，可實現(xiàn)的縱橫比是至少10比1，進一步優(yōu)選15比1，進一步優(yōu)選至少20比1。玻璃在曝光波長處的透射率應(yīng)當(dāng)盡可能高，以使得可以實現(xiàn)特別大的結(jié)構(gòu)深度。因此，當(dāng)期望大的結(jié)構(gòu)深度時，應(yīng)當(dāng)遵守以上所述的關(guān)于透射率的參數(shù)。對于在曝光波長處的透射率而言，在諸因素中Ce3+的量至關(guān)重要。在曝光之后以及結(jié)構(gòu)化之前，優(yōu)選地將待結(jié)構(gòu)化的玻璃體進行回火。回火用來誘發(fā)在曝光過程中形成的核周圍形成晶體。為了這一目的，將待結(jié)構(gòu)化的玻璃體加熱至一定溫度，該溫度使得能夠形成晶體，并且特別地高于玻璃的玻璃轉(zhuǎn)變溫度。這一溫度優(yōu)選地是至少400℃，進一步優(yōu)選至少455℃，進一步優(yōu)選至少500℃，進一步優(yōu)選至少550℃。此外，這一溫度應(yīng)當(dāng)優(yōu)選不超過650℃、進一步優(yōu)選600℃、特別優(yōu)選580℃的值。非常特別優(yōu)選地，這一溫度在555℃到565℃的范圍內(nèi)，甚至更優(yōu)選地該溫度是560℃。即使刻蝕比可以在高溫下更高，但是所述的優(yōu)選回火溫度是優(yōu)選的，因為結(jié)晶可能在更大范圍中發(fā)生，即在回火溫度非常高的情況下也在未曝光的區(qū)域中發(fā)生。此外，應(yīng)當(dāng)在這一溫度范圍中保持一定的保持時間，以使得可以形成所需大小的充足晶體。該保持時間優(yōu)選地是至少10分鐘。一般而言，在溫度過低或保持時間過短時無法形成足夠的晶體，并且在溫度過高或保持時間過長時晶體生長過強，從而獲得特別大的晶體。大晶體是不利的，因為它們導(dǎo)致具有比較高粗糙度的結(jié)構(gòu)化表面。因而，小晶體是優(yōu)選的。特別優(yōu)選地，在刻蝕工藝之后，表面具有小于1000nm、進一步優(yōu)選小于100nm、進一步優(yōu)選小于50nm、進一步優(yōu)選小于20nm、進一步優(yōu)選小于10nm、進一步優(yōu)選小于5nm、進一步優(yōu)選小于3nm、進一步優(yōu)選小于1nm的粗糙度Ra。優(yōu)選地，利用觸覺輪廓分析儀來測量粗糙度。特別優(yōu)選地，使用BRUKER公司的DektakXTTM探針式輪廓儀測量粗糙度。本發(fā)明還包括一種結(jié)晶產(chǎn)品，其能夠通過本發(fā)明的玻璃的曝光和回火獲得。另外，該曝光的深度為至少1mm。刻蝕速率描述了通過刻蝕溶液從玻璃體表面的去除?？涛g速率的單位是μm/min。通過使刻蝕速率在之前利用UV輻射而曝光的區(qū)域中比在未曝光的區(qū)域中更高，而實現(xiàn)了表面的結(jié)構(gòu)化。優(yōu)選地，在未曝光的區(qū)域中，刻蝕速率是至多5μm/min，更優(yōu)選至多2μm/min，更優(yōu)選至多1μm/min，甚至更優(yōu)選至多0.5μm/min。在曝光的區(qū)域中，刻蝕速率優(yōu)選地是至少10μm/min，更優(yōu)選至少20μm/min，更優(yōu)選至少30μm/min，更優(yōu)選至少40μm/min，甚至更優(yōu)選至少50μm/min?？涛g比值是在曝光的區(qū)域中的刻蝕速率與未曝光的區(qū)域中的刻蝕速率的比值。優(yōu)選地，刻蝕比值是至少10比1，更優(yōu)選至少20比1，更優(yōu)選至少30比1，更優(yōu)選至少40比1，甚至更優(yōu)選至少50比1。由于根據(jù)本發(fā)明的玻璃的敏化，尤其形成了非常顯著的結(jié)晶相。事實上，在曝光的區(qū)域中，形成的并不是純陶瓷，而是玻璃和晶體的混合物(玻璃-陶瓷)。然而，根據(jù)本發(fā)明，這種玻璃-陶瓷相中晶體的比例特別高。在本發(fā)明的結(jié)晶玻璃體中，玻璃-陶瓷相中晶體的比例優(yōu)選地是至少10vol.-％，進一步優(yōu)選至少20vol.-％，更優(yōu)選至少40vol.-％，特別優(yōu)選至少60vol.-％。然而，在玻璃-陶瓷相中晶體的比例小于100vol.-％。在本發(fā)明的玻璃體結(jié)構(gòu)化方法的一個實施方式中，使用了在熱成型方法中已經(jīng)形成的玻璃體。本發(fā)明優(yōu)選使用的這樣的熱成形方法的示例是壓制、下拉、新下拉、溢流熔融和再拉伸。特別優(yōu)選的是下拉、新下拉和溢流熔融。這些方法是本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的。然而，這些方法無法對現(xiàn)有技術(shù)的可光結(jié)構(gòu)化玻璃進行，因為所有這些方法必須在有利于玻璃結(jié)晶的溫度下進行。然而，本發(fā)明的玻璃可以在“非敏感”狀態(tài)下經(jīng)歷熱成形工藝，并且可以僅在隨后被敏化。在熱成形期間，本發(fā)明的玻璃的結(jié)晶傾向并非如此顯著到進行結(jié)晶。只有在上文進一步描述的敏化時，結(jié)晶傾向才以可以進行光結(jié)構(gòu)化的方式增加。因此，一種根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選的方法包括：·首先熔化玻璃，·隨后熱成形，·在熱成形期間或隨后對玻璃進行敏化，·以及隨后進行如上文描述的結(jié)構(gòu)化。然后由本發(fā)明的玻璃獲得結(jié)構(gòu)化的玻璃體，它在耐久性、結(jié)構(gòu)深度、縱橫比和內(nèi)部質(zhì)量方面具有極優(yōu)的性質(zhì)。本發(fā)明還包括一種結(jié)構(gòu)化產(chǎn)品，其能夠通過本發(fā)明的玻璃的曝光、回火和結(jié)構(gòu)化獲得。特別優(yōu)選的結(jié)構(gòu)是通孔。通孔是延伸穿過玻璃體的整個厚度的孔，優(yōu)選地，通孔具有基本圓柱形狀，其中圓柱的高度對應(yīng)于玻璃體的厚度。通孔的直徑是當(dāng)垂直于孔的高度軸測量時孔的相對邊緣的最大距離。通孔的形狀可以偏離圓柱形狀，例如通孔可以具有基本立方體形狀。但是，在任何情況下，通孔的直徑定義為當(dāng)垂直于孔的高度軸測量時孔的相對邊緣的最大距離。優(yōu)選地，通孔直徑通過顯微鏡確定。在優(yōu)選的實施方式中，可以獲得具有至多500μm、進一步優(yōu)選至多250μm、進一步優(yōu)選至多100μm、進一步優(yōu)選至多50μm、進一步優(yōu)選至多35μm、進一步優(yōu)選至多30μm、更進一步優(yōu)選至多20μm、更進一步優(yōu)選至多10μm的直徑的通孔。優(yōu)選地，可以獲得多個孔，這些孔彼此非常靠近，它們中心之間的距離具有至多1.5倍于孔直徑的值。進一步優(yōu)選地，該距離甚至僅至多1.3倍、進一步優(yōu)選至多1.2倍、更進一步優(yōu)選至多1.1倍于孔直徑。優(yōu)選地，可以生成具有這樣的精度的孔，即在設(shè)計的孔直徑是30μm并且玻璃厚度是500μm時，與設(shè)計的孔直徑的偏差是至多30μm，更優(yōu)選至多15μm，更優(yōu)選至多10μm，更優(yōu)選至多5μm，更優(yōu)選至多2μm，更優(yōu)選至多1μm，甚至更優(yōu)選至多0.5μm。由于這樣的精度，在設(shè)計的孔直徑是30μm并且玻璃厚度是500μm時，本發(fā)明的玻璃體中的各個通孔的直徑的偏差優(yōu)選地是至多30μm，更優(yōu)選至多15μm，更優(yōu)選至多10μm，更優(yōu)選至多5μm，更優(yōu)選至多2μm，更優(yōu)選至多1μm，甚至更優(yōu)選至多0.5μm。優(yōu)選地，可以獲得與設(shè)計的孔直徑具有這樣小的偏差的通孔，即與設(shè)計的孔直徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差是至多5μm，進一步優(yōu)選至多3μm，進一步優(yōu)選至多2μm，進一步優(yōu)選至多1μm，進一步優(yōu)選至多0.5μm，進一步優(yōu)選至多0.2μm，更進一步優(yōu)選至多0.1μm。此外，在設(shè)計的孔直徑是30μm并且玻璃厚度是500μm時，優(yōu)選地可以獲得傾角小于5°、更優(yōu)選小于2°、甚至更優(yōu)選小于1°、特別優(yōu)選小于0.5°的通孔。傾角描述了通孔的縱向與玻璃體表面的垂直方向的偏差。根據(jù)本發(fā)明也是可以光結(jié)構(gòu)化以及特別薄的玻璃體，因為本發(fā)明的玻璃可以通過熱成形法生產(chǎn)，所述熱成形法使得可以生產(chǎn)特別扁平的玻璃體。這樣的玻璃體的厚度優(yōu)選是至多10mm、進一步優(yōu)選至多5mm、進一步優(yōu)選至多2mm、進一步優(yōu)選至多1mm、進一步優(yōu)選至多500μm、進一步優(yōu)選至多300μm。這樣的玻璃體迄今僅可以通過切割和拋光得到。然而，本發(fā)明對于玻璃體的粗糙度的表面質(zhì)量不可以通過切割和拋光實現(xiàn)。此外，切割和拋光是能源密集型的處理，其伴隨著高成本。本發(fā)明的玻璃可以應(yīng)用于微流體領(lǐng)域。例如，可以在光結(jié)構(gòu)化玻璃體內(nèi)部分析樣品。為了這一目的，當(dāng)玻璃對紅外輻射具有良好的透過性時是有利的。使用紅外輻射，可以進行不同的定性和定量微觀檢測。根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選的是，本發(fā)明的玻璃在900nm的波長和1cm的厚度下具有至少70％的透射率。此外，所述玻璃優(yōu)選地對從400到800nm的可見光區(qū)是透明的。這是指優(yōu)選地在厚度是1cm時，該玻璃對從400nm到800nm的整個波長區(qū)的內(nèi)部透射率總是至少85％，更優(yōu)選至少90％，特別優(yōu)選至少95％。本發(fā)明的玻璃可以在不同應(yīng)用中以結(jié)構(gòu)化或非結(jié)構(gòu)化方式使用。根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選的是在以下應(yīng)用中在部件中或作為部件使用：1.在微型技術(shù)中，2.在微反應(yīng)技術(shù)中，3.在電子封裝中，4.用于微流體部件，5.在FED隔片(spacer)中或用作FED隔片，6.用于生物技術(shù)(例如滴定板)，7.用作插入物，8.在三維可結(jié)構(gòu)化天線中或用作三維可結(jié)構(gòu)化天線。優(yōu)選地，本發(fā)明的玻璃體可以在以下領(lǐng)域中用作襯底或玻璃電路板(GCB)：a.微流體/生物技術(shù)，例如：i.芯片實驗室(Lab-on-chip)/芯片器官(Organ-on-chip)；ii.微混合器；iii.微反應(yīng)器；iv.打印頭；v.滴定板；vi.芯片電泳；b.半導(dǎo)體，例如：i.邏輯/集成電路；ii.存儲器；iii.接觸式圖像傳感器；iv.場致發(fā)射顯示器(FED)間隔片；v.集成無源器件(IPD)；vi.電容；vii.電感器；viii.電阻器；c.傳感器，例如：i.流量/溫度傳感器；ii.陀螺儀/加速計；d.射頻微機電系統(tǒng)(RF/MEMS)，例如：i.天線；ii.電容；iii.濾波器/雙工器；iv.開關(guān)；v.振蕩器；e.通信，例如：i.光對準(zhǔn)芯片；ii.光波導(dǎo)；iii.光互連。根據(jù)本發(fā)明，還提供了本發(fā)明的玻璃在用于生產(chǎn)結(jié)構(gòu)化玻璃體的方法中的用途。具體實施方式以下表格示出了本發(fā)明的玻璃以cat.-％計的成分。所有呈現(xiàn)的玻璃都是氧化物的，這意味著非氧陰離子的比例至多為2anion-％。表1-示例玻璃，以cat.-％計組分B1B2B3B4B5Si4+59.652.160.45360.1K+3.85.63.43.784.08Na+2.52.80.153.792.51Ag+0.060.060.0040.0440.043B3+0.260.94000Al3+3.85.144.276.053.86Li+29.232.231.433.328.8Σ(Ce4+,Ce3+)0.0110.010.0030.0070.005Zn2+0.561.070.2700.54Sb3+0.170.120.070.1180.13組分總和99.96100.0499.97100.09100.07Li+/Si4+0.490.620.520.630.48Σ(Li+,Na+,K+)35.540.634.9540.935.4Σ(Li+,Na+,K+)/Si4+0.60.780.580.770.59Σ(B3+,Al3+,Zn2+)4.67.24.56.14.4Ag+/Σ(Ce4+,Ce3+)5.4561.336.38.6示例1在本發(fā)明的下拉法中以0.5毫米的厚度生產(chǎn)玻璃B1。通過后續(xù)的敏化，將玻璃調(diào)節(jié)到對應(yīng)于以80℃/h的平均冷卻速率從500℃冷卻至240℃的冷卻狀態(tài)。在玻璃的不同位置在280nm波長下測量透射率。進行了40次測量，并且透射率的平均值是31％。玻璃是如此均質(zhì)的，以至于透射率的標(biāo)準(zhǔn)偏差僅僅是透射率平均值的大約0.4％。利用波長為320nm、劑量為10J/cm2的UV光對玻璃進行曝光。為了生成直徑為40μm并且孔中心距離為60μm的通孔，利用掩模覆蓋這些不需要曝光的區(qū)域。隨后，玻璃在580℃的溫度下回火一小時。在室溫下在10％的HF溶液中進行刻蝕步驟?？涛g比為50：1。獲得了平均直徑大約為40μm的通孔，其中孔直徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差小于1μm。示例2示例1所述的玻璃如示例1曝光。然而，改變回火溫度以研究其對刻蝕速率的影響。在580℃的回火溫度下獲得了最高的刻蝕比。示例3示例1所述的玻璃如示例1處理。然而，改變設(shè)計的孔直徑。結(jié)果表明標(biāo)準(zhǔn)偏差獨立于設(shè)計的孔直徑。示例4在本發(fā)明的下拉法中以1毫米的厚度生產(chǎn)玻璃B2。通過后續(xù)敏化，將玻璃調(diào)節(jié)到對應(yīng)于以40℃/h的冷卻速率從550℃冷卻至300℃的冷卻狀態(tài)。玻璃是如此均質(zhì)的，以至于對于在280nm的波長下進行的60次測量，透射率的標(biāo)準(zhǔn)偏差僅僅是相應(yīng)的透射率值的大約0.5％。示例5可以將本發(fā)明的玻璃分成若干片，從而獲得若干樣品。其中一些樣品保持未處理并用作比較例，而其他樣品經(jīng)歷敏化步驟。相比于未敏化的比較例，在敏化的樣品中檢測到在280nm處透射率的增大。發(fā)現(xiàn)透射率的增大與敏化期間溫度T1的水平正相關(guān)。示例6為了確定銻對透射性質(zhì)的影響，比較了本發(fā)明的兩種玻璃，它們僅在銻含量方面有區(qū)別。其含量分別為0.15cat.-％和0.2cat.-％。銻含量較高的1mm厚的玻璃在260nm波長處的透射率為1.2％。與之相比，意外地發(fā)現(xiàn)銻含量較低的1mm厚的玻璃在260nm處的透射率為1.9％。由于在紫外區(qū)的透射率的這種提高，充分結(jié)晶所需要的曝光時間從銻含量較高的玻璃的14分鐘縮短至銻含量較低的玻璃的5分鐘。對于較厚的玻璃，可實現(xiàn)的結(jié)構(gòu)深度也從銻含量較高的玻璃的1.7mm增大到銻含量較低的玻璃的3mm。示例7本發(fā)明的玻璃使用具有960納米的波長的IR-飛秒激光器曝光。劑量為0.2焦耳/平方厘米。玻璃是如此均勻，使得以20毫米的深度聚焦是可行的。在90分鐘的刻蝕之后，獲得了具有直徑為500微米、深度為20毫米的兩個入口孔的玻璃體，所述兩個入口孔由直徑為100微米的通道連接，所述通道以20毫米的深度從一個入口孔延伸到另一入口孔。附圖說明圖1示出了玻璃B1的冷卻曲線。圖2示出了x軸以對數(shù)繪制的冷卻曲線。圖3示出了示例玻璃的敏化對UV區(qū)的透射率的影響。280nm處的透射率是在1mm的樣品厚度時測量的。示出了敏化的樣品A到C相比于非敏化對照樣品的透射率的相對增大。樣品A到C在敏化期間的溫度方面有所不同。樣品A的溫度T1低于樣品B，而樣品B低于樣品C。顯然280nm處的透射率的增大隨著溫度T1增大而更加顯著。圖4示出了具有1mm厚度的示例玻璃的透射率與波長的相關(guān)性。圖5示出了實現(xiàn)的刻蝕比與回火溫度的相關(guān)性。x軸示出了回火溫度，而y軸示出了實現(xiàn)的刻蝕比。在580℃的回火溫度下獲得了最高的刻蝕比。圖6示出了獲得的孔直徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差與設(shè)計的孔直徑的相關(guān)性。示出了通孔的頂側(cè)(菱形)和底側(cè)(正方形)的標(biāo)準(zhǔn)偏差。y軸示出了標(biāo)準(zhǔn)偏差(以μm為單位)。x軸示出了設(shè)計的孔直徑。結(jié)果表明，標(biāo)準(zhǔn)偏差獨立于設(shè)計的孔直徑。當(dāng)前第1頁1 2 3