1.一種多晶硅錠制造方法，在坩堝底板上表面上配置平均結(jié)晶粒徑為15mm以下的多晶硅塊，然后將硅原料投入坩堝內(nèi)，使投入的硅原料熔融后，使其定向凝固，得到多晶硅錠。
2.如權(quán)利要求1所述的多晶硅錠制造方法，其中，作為所述多晶硅塊，使用多晶硅錠的至少一部分。
3.如權(quán)利要求1或2所述的多晶硅錠制造方法，其中，作為所述多晶硅塊，是通過硅熔液的定向凝固而得到的多晶硅錠的底部。
4.一種多晶硅錠的用途的制造方法，使用通過權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的多晶硅錠制造方法制造的多晶硅錠，獲得選自多晶硅塊體、多晶硅晶片和太陽能電池中的用途。
5.一種多晶硅錠，其為定向凝固而得到的多晶硅錠，在定向凝固的方向上具備包含多個(gè)晶界不連續(xù)的部分的邊界部。