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用于真空絕緣玻璃(VIG)單元的熔塊和/或相關(guān)方法與流程

文檔序號(hào):11849286閱讀:來源:國(guó)知局

技術(shù)特征:

1.一種套件,包括第一和第二熔塊材料,用來形成真空絕緣玻璃(VIG)窗單元的邊緣密封,其中,

按重量,所述第一熔塊材料包括至少65%的氧化鉍,當(dāng)玻璃到達(dá)550攝氏度的第一溫度或更高時(shí),所述第一熔塊材料熔融至所述玻璃,且

所述第二熔塊材料包括氧化釩、氧化鋇、和氧化鋅,按重量,總共至少為65%,所述第二熔塊材料的結(jié)構(gòu)為與所述第一熔塊材料形成接合,來制備用于所述VIG窗單元的所述邊緣密封,且當(dāng)所述玻璃到達(dá)不超過400攝氏度的第二溫度時(shí),所述第二熔塊材料被熔化,且所述第一熔塊材料在所述第二溫度下被潤(rùn)濕。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的套件,其中,按重量,所述第一熔塊材料進(jìn)一步包括至少2%的氧化鋅。

3.根據(jù)上述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)所述的套件,其中,所述第一熔塊材料包括70-80wt.%的氧化鉍、2-7wt.%的氧化鋅、5-15wt.%的氧化硅、2-7wt.%的氧化鋁、0-5%的氧化鎂、0-5%的氧化鉻、0-5%的氧化鐵、0-5%的氧化鈷、0-5%氧化鈉、0-5%氧化錳、和0-5%的氧化鋇。

4.根據(jù)上述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)所述的套件,其中,所述第二熔塊材料包括45-67wt.%的氧化釩、7-25wt.%的氧化鋇、和4-17wt.%的氧化鋅。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的套件,其中,所述第二熔塊材料進(jìn)一步包括:0-13wt.%的氧化碲、0-13wt.%的氧化鉬、0-13wt.%的氧化鉭、和0-13wt.%的氧化鈮,且

其中,所述氧化碲、氧化鉬、氧化鉭、和氧化鈮中的至少一個(gè)被至少提供0.25wt.%。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任何一項(xiàng)所述的套件,其中,所述第二熔塊材料包括45-67wt.%的氧化釩、7-25wt.%的氧化鋇、和4-17wt.%的氧化鋅。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的套件,其中,所述第二熔塊材料進(jìn)一步包括:0-13wt.%的氧化碲、0-13wt.%的氧化鉬、0-13wt.%的氧化鉭、和0-13wt.%的氧化鈮,且

其中,所述氧化碲、氧化鉬、氧化鉭、和氧化鈮中的至少一個(gè)被至少提供0.25wt.%。

8.根據(jù)上述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)所述的套件,其中,所述第一和/或第二熔塊材料包括熱膨脹系數(shù)(CTE)填充材料,當(dāng)所述CTE填充材料被引入所述第一和/或第二熔塊材料中時(shí),降低其的所述CTE。

9.根據(jù)上述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)所述的套件,其中,所述第一和/或第二熔塊材料為無鉛。

10.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任何一項(xiàng)所述的套件,其中,所述第一和/或第二熔塊材料含有小于1ppm的鉛。

11.根據(jù)上述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)所述的套件,其中,所述第一熔塊材料為底涂熔塊材料,且所述第二熔塊材料為密封熔塊材料。

12.根據(jù)上述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)所述的套件,其中,所述第一熔塊材料和第二熔塊材料還被用來在VIG單元的泵出管和所述泵出管所在的所述VIG單元的基片中形成的孔內(nèi)表面之間形成密封。

13.根據(jù)上述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)所述的套件,進(jìn)一步包括:第一和第二玻璃基片,通過使用作為底涂熔塊的所述第一熔塊和作為密封熔塊的所述第二熔塊被氣密密封在一起。

14.一種熔塊材料,用于形成真空絕緣玻璃(VIG)窗單元的邊緣密封和泵出口密封,其中,所述熔塊材料包括:

按重量,至少65%的氧化鉍和至少2%的氧化鋅,當(dāng)玻璃達(dá)到500攝氏度或更高的第一溫度時(shí),所述熔塊材料被熔融至所述玻璃,且當(dāng)所述玻璃達(dá)到至少低于所述第一溫度150攝氏度的第二溫度時(shí),所述熔塊材料被潤(rùn)濕。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的熔塊材料,進(jìn)一步包括:70-80wt.%的氧化鉍、2-7wt.%的氧化鋅、5-15wt.%的氧化硅、2-7wt.%的氧化鋁、0-5%的氧化鎂、0-5%的氧化鉻、0-5%的氧化鐵、0-5%的氧化鈷、0-5%氧化鈉、0-5%氧化錳、和0-5%的氧化鋇。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的熔塊材料,進(jìn)一步包括2-7wt.%的B2O3。

17.根據(jù)權(quán)利要求14-16中任何一項(xiàng)所述的熔塊材料,進(jìn)一步包括熱膨脹系數(shù)(CTE)填充材料,當(dāng)所述CTE填充材料被引入所述熔塊材料中時(shí),降低所述熔塊材料的所述CTE。

18.一種熔塊材料,用于形成真空絕緣玻璃(VIG)窗單元的邊緣密封和泵出口密封,其中,所述熔塊材料包括:

45-67wt.%的氧化釩、7-25wt.%的氧化鋇、和4-17wt.%的氧化鋅,且其被設(shè)計(jì)為在不超過360攝氏度的峰值溫度被維持15分鐘以下時(shí)間時(shí)被熔化,并在這些條件下與權(quán)利要求14的所述熔塊結(jié)合。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的熔塊材料,進(jìn)一步包括:0-13wt.%的氧化碲、0-13wt.%的氧化鉬、0-13wt.%的氧化鉭、和0-13wt.%的氧化鈮,且

其中,所述氧化碲、氧化鉬、氧化鉭、和氧化鈮中的至少一個(gè)被至少提供0.25wt.%。

20.根據(jù)權(quán)利要求18-19中任何一項(xiàng)所述的熔塊材料,進(jìn)一步包括:熱膨脹系數(shù)(CTE)填充材料,當(dāng)所述CTE填充材料被引入所述熔塊材料中時(shí),降低所述熔塊材料的所述CTE。

21.一種制備真空絕緣玻璃(VIG)窗單元的方法,所述方法包括:

具有權(quán)利要求1-13中任何一項(xiàng)所述的套件;和

使用所述第一和第二熔塊材料,將所述第一和第二玻璃基片密封在一起,以及將泵出管和所述基片中的一個(gè)密封在一起。

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