本申請將2012年5月25日提交的美國申請No.13/480,987的全部內(nèi)容納入此處作為參照。

發(fā)明領(lǐng)域

本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及一種真空絕緣玻璃(VIG或真空IG)單元，和/或制備其的方法。特別是，本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及一種VIG單元，具有改進(jìn)的密封，使用兩種不同的基于熔塊的邊緣密封材料，和/或制備其的方法。

發(fā)明背景和示例性實(shí)施例的內(nèi)容

真空絕緣玻璃(VIG或真空IG)單元在本領(lǐng)域中為已知技術(shù)。例如，一些示例性的VIG配置在美國專利Nos.5,657,607,5,664,395,5,657,607,5,902,652,6,506,472和6,383,580中被說明，其公開的全部內(nèi)容被納入此處作為參考。

圖1-2示出了常規(guī)的VIG窗單元1和形成VIG窗單元1的元件。VIG單元1可包括兩個(gè)被隔開的基本平行的玻璃基片2和3，其之間具有被排空的低壓空間/腔6。玻璃片或基片2、3通過由熔融的焊料玻璃等制成的外圍邊緣密封4被互連。鑒于基片2、3之間存在低壓空間/腔6，玻璃基片2、3之間可包括一排支撐柱或隔離片5，來維持VIG單元1的基片2、3的間距。

泵出管8可通過焊料玻璃9或類似等被氣密密封至孔隙/孔洞10，其從玻璃基片2的內(nèi)表面通向至玻璃基片2外表面的選擇性凹槽11底部或選擇性地至玻璃基片2的外表面。真空被連接至泵出管8使內(nèi)腔6被排空至低于大氣壓的低壓，例如，使用連續(xù)泵下操作。腔6被排空后，管8的部分(頂端)被熔化，在低壓腔/空間6中來密封真空。選擇性凹槽11則用來保持密封的泵出管8。可選擇地，凹槽13內(nèi)可包含化學(xué)吸氣劑12，配置在玻璃基片中的一個(gè)的內(nèi)表面，例如玻璃基片2。化學(xué)吸氣劑12可被用來吸收或結(jié)住腔6被排空和密封后可能遺留的殘余雜質(zhì)。

帶有外圍氣密邊緣的密封4(焊料玻璃)的VIG單元一般是通過在基片2的外圍(或在基片3上)沉積溶液狀(例如熔塊漿)的玻璃熔塊或其他合適的材料被制成。該玻璃熔塊最終形成邊緣密封4。將另一個(gè)基片(例如基片3)置于基片2上，從而將隔離片/支柱5和玻璃熔塊夾在該基片2、3之間。包含玻璃基片2、3，隔離片/支柱5和密封材料(例如溶液狀或漿狀的玻璃熔塊)的整個(gè)組件被加熱到至少約440℃的溫度，此時(shí)，玻璃熔塊熔化，潤濕玻璃基片2、3的表面，并最終形成氣密的外圍/邊緣密封4。

常規(guī)邊緣密封的組成為本領(lǐng)域中的已知技術(shù)。例如參照美國專利Nos.3,837,866；4,256,495；4,743,302；5,051,381；5,188,990；5,336,644；5,534,469；7,425,518和美國公開2005/0233885，其公開的內(nèi)容全部被納入此處作為參考。

在基片之間形成邊緣密封4后，通過泵出管8真空被抽出，在基片2，3之間形成低壓空間/腔6?？臻g/腔6中的壓力可能通過疏散過程至低于大氣壓的水平，例如，約低于10^-2Torr。保持空間/腔6中的低壓，基片2、3通過邊緣密封和泵出管的密封被氣密地密封。較小的高強(qiáng)度隔離片/支柱5被配置在透明玻璃基片之間，使基本平行的玻璃基片針對大氣壓保持分離。如上所述，當(dāng)基片2、3之間的空間6被排空，可通過使用激光或類似等使泵出管8的頂端熔融從而被密封。

高溫接合技術(shù)，例如，玻璃熔塊材料接合，如上所述，是被廣泛應(yīng)用的方法，用來氣密密封由硅、陶瓷、玻璃等制成的部件(例如，形成邊緣密封)。高溫過程中所需要的熱量，通常在約440-600攝氏度范圍內(nèi)，且有時(shí)更高。現(xiàn)有的接合技術(shù)通常要求烤箱集中型塊加熱，其中整個(gè)裝置(包括玻璃和玻璃殼體內(nèi)的任何部件)與用于密封形成的烤箱幾乎熱平衡。結(jié)果是，需要相對較長的時(shí)間來實(shí)現(xiàn)理想的密封。此外，一些情況下溫度最敏感的部件，決定整個(gè)系統(tǒng)的最大允許溫度。

因此，如上所述的高溫密封過程(例如，玻璃熔塊材料接合)不適合制備熱敏部件，例如，回火的VIG單元?；鼗鸬腣IG單元的情況下，在高溫的環(huán)境下VIG單元的熱鋼化玻璃基片將迅速失去回火強(qiáng)度。例如，整個(gè)組件的上述高溫和較長加熱時(shí)間應(yīng)用于制配邊緣密封4是不可取的，特別是當(dāng)需要在真空IG單元中使用熱強(qiáng)化或鋼化玻璃基片2，3。此外，在一些情況下，該較高的加工溫度可能會(huì)影響應(yīng)用于一個(gè)或兩個(gè)玻璃基片的低輻射涂層。

優(yōu)選是回火玻璃，這是由于設(shè)計(jì)合理時(shí)，其以精細(xì)圖案斷裂，降低了暴露于碎片時(shí)人容易受傷的的風(fēng)險(xiǎn)。因此，碎片密度的測量通常用來確定回火玻璃是否符合安全要求。例如，歐洲標(biāo)準(zhǔn)EN 14179-1:2005要求4mm回火的安全玻璃被斷裂，從而50mm×50mm范圍內(nèi)至少40片。對此，參照圖3，示出示例性的斷裂圖案。

加熱條件和回火損失之間的相關(guān)性通過指定恒爐條件下熱回火350mm x500mm的基片(4mm浮法玻璃)被建立，以超過EN14179-1:2005碎裂要求。在一些基片上不使用進(jìn)一步加熱測出斷裂圖案以確定初始碎片密度。剩余的基片則在其破碎之前以不同溫度和時(shí)間被加熱(以堆棧對模擬VIGs)。最終與初始的碎片密度的比率被采用來表示指定的加熱過程中所引起的回火損失。結(jié)果是，如圖4所示，在測試條件范圍下的回火損失主要是由溫度驅(qū)動(dòng)，且經(jīng)時(shí)間至較小程度。另外的實(shí)驗(yàn)表明，VIGs可通過具足夠殘余應(yīng)力的回火玻璃被制備，至默認(rèn)的30％回火損失，且仍然滿足EN 14179-1:2005碎裂要求。更高水平的回火通常導(dǎo)致平坦性問題，從而難以生成連續(xù)的邊緣密封。如圖4所示，即使是很短的熱暴露(＜5分鐘)，被限制在約375℃的最大溫度，來滿足這個(gè)要求。如上所述，玻璃熔塊材料接合通常在較慢的過程中被執(zhí)行，因此，需要較低的峰值溫度來實(shí)現(xiàn)安全玻璃要求。

現(xiàn)有的解決方案，是使用環(huán)氧樹脂將玻璃基片密封在一起。然而，在VIG單元的情況下，環(huán)氧樹脂組合物可能不足以對真空密封。此外，環(huán)氧樹脂可能會(huì)受到環(huán)境影響，當(dāng)施加至VIG單元時(shí)可能會(huì)進(jìn)一步降低其的有效性。

一直以來，基于鉛的熔塊被廣泛應(yīng)用于各種產(chǎn)品來生成氣密密封，包括VIGS；然而，由于人類健康問題，含鉛的產(chǎn)品被淘汰。因此，一些國家(例如，美國和歐洲聯(lián)盟的至少一些國家)對于特定產(chǎn)品中的含鉛量施加嚴(yán)格的要求。事實(shí)上，一些國家(或客戶)目前可能需要產(chǎn)品是完全無鉛，且其他國家也都在向這個(gè)方向靠攏。

因此，在本技術(shù)領(lǐng)域中需要一種密封處理技術(shù)，不涉及將被密封的整個(gè)制品加熱到高溫和/或以該示例性方法制備的制品。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例，提供一種包含第一和第二玻璃基片的真空絕緣玻璃VIG窗單元的制備方法，各所述基片具有第一和第二主要表面，所述方法包括以下步驟：沿所述第一和第二基片的所述第一主要表面的外圍邊緣施加第一熔塊材料；將所述第一和第二基片及其上的所述第一熔塊材料進(jìn)行熱處理，所述第一和第二基片達(dá)到第一峰值溫度；隨著所述熱處理，將第二熔塊材料施加在所述第一和/或第二基片上，從而各基片上施加有所述第二熔塊材料，所述第二熔塊材料與各所述基片上其外圍邊緣的所述第一熔塊材料至少部分重疊，所述第一和第二熔塊材料具有不同的成分；在所述第一基片的所述第一表面上配置多個(gè)隔離片；將所述第一和第二基片放置在一起，從而所述第一和第二基片的所述第一主要表面互相面對面，且由此其之間定義腔，制成VIG單元子配件；加熱所述子配件，來熔融所述第二熔塊材料，并潤濕所述第一熔塊材料，所述加熱被執(zhí)行，從而所述第一和第二基片達(dá)到不高于400攝氏度的第二峰值溫度，且比所述第一峰值溫度至少低150攝氏度；隨著所述子配件的所述加熱，冷卻和/或使所述子配件被冷卻，在所述第一和第二基片之間形成邊緣密封；通過泵出口將所述腔排空至低于大氣壓的壓力；密封所述泵出口來制成所述VIG單元。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例，提供一種真空絕緣玻璃(VIG)窗單元的制備方法，所述方法包括以下步驟：具有第一和第二制品，所述制品的每一個(gè)為玻璃基片，具有第一和第二主要表面，且由于各所述基片被加熱，第一熔塊材料熔融在所述第一主要表面的外圍邊緣上；將第二熔塊材料施加在所述第一和/或第二基片上，從而各基片上施加有所述第二熔塊材料，所述第二熔塊材料與各所述基片上沿其外圍邊緣的所述第一熔塊材料至少部分重疊，所述第一和第二熔塊材料具有不同的成分；在所述第一基片的所述第一表面上配置多個(gè)隔離片；將所述第一和第二基片放置在一起，從而所述第一和第二基片的所述第一主要表面互相面對面，且由此其之間定義腔，制成VIG單元子配件；加熱所述子配件，來熔融所述第二熔塊材料，并潤濕所述第一熔塊材料，所述加熱被執(zhí)行，從而所述第一和第二基片達(dá)到不高于400攝氏度的第二峰值溫度，且比所述第一峰值溫度至少低150攝氏度；隨著所述子配件的所述加熱，冷卻和/或使所述子配件被冷卻，在所述第一和第二基片之間形成邊緣密封；通過泵出口將所述腔排空至低于大氣壓的壓力；密封所述泵出口來制成所述VIG單元。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，提供一種真空絕緣玻璃VIG窗單元，包括：第一和第二平行隔開的玻璃基片，其中，所述第一和第二基片中的至少一個(gè)被熱處理；多個(gè)隔離片，被配置在所述第一和第二基片之間；邊緣密封，沿所述第一和/或第二基片的外圍被配置，所述第一和第二基片與所述邊緣密封一起，在其之間定義腔，所述腔被排空至低于大氣壓的壓力；其中，所述邊緣密封是通過較短時(shí)間的低溫過程經(jīng)加熱形成的氣密密封，且無鉛的第二熔塊材料被夾在高溫過程期間與所述第一和第二基片熔融的第一熔塊材料的段之間，所述低溫過程以不超過400攝氏度的第二峰值溫度，以及所述第二峰值溫度不超過15分鐘的時(shí)間下被執(zhí)行，且所述高溫以高出所述第二峰值溫度至少150攝氏度的第一峰值溫度被執(zhí)行。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，提供一種套件，包括第一和第二熔塊材料，用來形成VIG窗單元的邊緣密封。按重量，該第一熔塊材料包括至少65％的氧化鉍，且當(dāng)玻璃到達(dá)550攝氏度的第一溫度或更高時(shí)，該第一熔塊材料熔融至玻璃。第二熔塊材料包括氧化釩、氧化鋇、和氧化鋅，按重量，總共至少為65％，且第二熔塊材料的結(jié)構(gòu)為與第一熔塊材料形成接合，來制備用于VIG窗單元的邊緣密封。當(dāng)玻璃到達(dá)不超過400攝氏度的第二溫度時(shí)，第二熔塊材料可熔化，且第一熔塊材料在第二溫度下可潤濕。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，提供一種用于形成VIG窗單元的邊緣密封的熔塊材料。按重量，該熔塊材料包括至少65％的氧化鉍和至少2％的氧化鋅，且設(shè)計(jì)為當(dāng)玻璃到達(dá)550攝氏度的第一溫度或更高時(shí)，該熔塊材料熔融至玻璃，且進(jìn)一步設(shè)計(jì)為當(dāng)玻璃到達(dá)與第一溫度相比至少低150攝氏度的第二溫度時(shí)，被潤濕。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，提供一種用于形成VIG窗單元的邊緣密封的熔塊材料。該熔塊材料包括45-67wt％的氧化釩，7-25wt％的氧化鋇，以及4-17％的氧化鋅，并被設(shè)計(jì)為當(dāng)峰值溫度不大于360攝氏度被維持不超過15分鐘的時(shí)間時(shí)可被熔融(在上述和/或相似的條件下，可潛在地與前段落中的熔塊材料接合)。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，一種包含第一和第二玻璃基片的真空絕緣玻璃VIG窗單元的制備方法，各所述基片具有第一和第二主要表面，所述方法包括以下步驟：沿所述第一和第二基片的所述第一主要表面的外圍邊緣施加無鉛的第一熔塊材料；將所述第一和第二基片及其上的所述第一熔塊材料進(jìn)行熱處理，所述第一和第二基片達(dá)到第一峰值溫度；隨著所述熱處理，將無鉛的第二熔塊材料施加在所述第一和/或第二基片上，從而各基片上施加有所述第二熔塊材料，所述第二熔塊材料與各所述基片上其外圍邊緣的所述第一熔塊材料至少部分重疊，所述第一和第二熔塊材料具有不同的成分；在所述第一基片的所述第一表面上配置多個(gè)隔離片；將所述第一和第二基片放置在一起，從而所述第一和第二基片的所述第一主要表面互相面對面，且由此其之間定義腔，制成VIG單元子配件；加熱所述子配件，來熔融所述第二熔塊材料，并潤濕所述第一熔塊材料，所述加熱被執(zhí)行，從而所述第一和第二基片達(dá)到不高于400攝氏度的第二峰值溫度，且比所述第一峰值溫度至少低150攝氏度；隨著所述子配件的所述加熱，冷卻和/或使所述子配件被冷卻，在所述第一和第二基片之間形成邊緣密封；通過泵出口將所述腔排空至低于大氣壓的壓力；密封所述泵出口來制成所述VIG單元，其中，所述第一和第二基片中的至少一個(gè)被熱回火，且其中，所述第二峰值溫度足夠低，從而在所述子配件的所述加熱之后，所述回火的基片至少保持其原始回火強(qiáng)度的70％。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，提供一種包含第一和第二玻璃基片的真空絕緣玻璃VIG窗單元的制備方法，各所述基片具有第一和第二主要表面，所述方法包括以下步驟：沿所述第一和第二基片的所述第一主要表面的外圍邊緣施加無鉛的第一熔塊材料；在所述第二基片中，將無鉛的第一熔塊材料施加在泵出口處；將所述第一和第二基片及其上的所述第一熔塊材料進(jìn)行熱處理，所述第一和第二基片達(dá)到第一峰值溫度；隨著所述熱處理，將無鉛的第二熔塊材料施加在所述第一和/或第二基片上，從而各基片上施加有所述第二熔塊材料，所述第二熔塊材料與各所述基片上其外圍邊緣的所述第一熔塊材料至少部分重疊，所述第一和第二熔塊材料具有不同的成分；在所述第一基片的所述第一表面上配置多個(gè)隔離片；將所述第一和第二基片放置在一起，從而所述第一和第二基片的所述第一主要表面互相面對面，且由此其之間定義腔，制成VIG單元子配件；將泵出管插入至所述第二基片中的所述泵出口，所述管與施加在其表面的所述第一熔塊材料被事先加熱，使所述第一熔塊材料注入其表面，并具有施加至其中的第二熔塊材料，從而與所述泵出口及所述管上的所述第一熔塊材料至少部分重疊；加熱所述子配件，來熔融所述第二熔塊材料，并潤濕所述第一熔塊材料，所述加熱被執(zhí)行，從而所述第一和第二基片達(dá)到不高于400攝氏度的第二峰值溫度，且比所述第一峰值溫度至少低150攝氏度；隨著所述子配件的所述加熱，冷卻和/或使所述子配件被冷卻，在所述第一和第二基片之間形成邊緣密封；通過泵出管將所述腔排空至低于大氣壓的壓力；密封所述泵出口來制成所述VIG單元，其中，所述第一和第二基片中的至少一個(gè)被熱回火，且其中，所述第二峰值溫度足夠低，從而在所述子配件的所述加熱之后，所述回火的基片至少保持其原始回火強(qiáng)度的70％。

本發(fā)明的一個(gè)方面涉及使用底涂層(例如第一熔塊材料)和密封層(例如，不同于第一熔塊材料的第二熔塊材料)，其中，底涂層和密封層具有不同的功能和不同的成分。該示例性方面以單一密封材料被加熱兩次所實(shí)現(xiàn)的不同，在加熱步驟之間選擇性地再次應(yīng)用。因此，在一些示例性例子中，在此所述的第一和第二熔塊材料可作為底涂材料或底涂層，和頂部涂層或密封層。

在此所述的特征、方面、優(yōu)勢、和示例性實(shí)施例可被結(jié)合來實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步的實(shí)施例。

附圖簡要說明

以下參照附圖對本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明，上述和其他特征以及優(yōu)點(diǎn)將變得更為清晰和容易理解。

圖1是示出現(xiàn)有的真空IG單元的橫截面示圖；

圖2是沿圖1中的截面線示出的圖1真空絕緣玻璃VIG單元的底部基片、邊緣密封、和隔離片的俯視圖；

圖3是示出示例性斷裂圖案的圖像；

圖4是示出熱屬性對于回火損失上的影響；

圖5是示出根據(jù)示例性實(shí)施例的真空絕緣玻璃(VIG)單元的橫截面示圖。

圖6是示出根據(jù)示例性實(shí)施例的用于制備圖5中示出的VIG所使用的過程的流程圖。

本發(fā)明示例性實(shí)施例的具體說明

示例性實(shí)施例涉及真空絕緣玻璃(VIG)單元，配置有持久的邊緣密封，和/或其的制備方法。特別是，在示例性實(shí)施例中，可以將第一“底涂”熔塊施加在兩個(gè)基片表面(例如，玻璃基片)，從而當(dāng)VIG單元被裝配時(shí)彼此面對面。在熱處理之前(例如，熱強(qiáng)化和/或熱回火)該底涂熔塊可施加在基片的外圍邊緣，例如通常為圍條。熱處理后，但在密封燒制操作之前，將不同的第二“密封”熔塊材料施加在現(xiàn)燒結(jié)的底條中的一個(gè)或兩個(gè)。第一熔塊材料被用來產(chǎn)生機(jī)械堅(jiān)固，并長久地與浮法玻璃接合，或隨著熱處理(例如，在典型的回火條件下，玻璃的溫度可達(dá)到或超過約600攝氏度的溫度)。第二熔塊材料可熔融且第一熔塊材料在足夠的低溫下被潤濕，來保持有關(guān)玻璃的熱處理效果(例如，保持玻璃的回火)。在示例性實(shí)施例中，當(dāng)玻璃達(dá)到一定的溫度，第二熔塊材料熔融且第一熔塊材料被潤濕，優(yōu)選是溫度低于450攝氏度，最優(yōu)選是低于400攝氏度，更優(yōu)選是小于或等于360攝氏度。在一些情況下，當(dāng)玻璃達(dá)到300-360攝氏度的溫度時(shí)，第二熔塊材料熔融且第一熔塊材料被潤濕。

在示例性實(shí)施例中，底涂熔塊主要包括氧化鉍，且密封熔塊材料主要包括氧化釩、氧化鋇、和氧化鋅。在示例性實(shí)施例中，第一底涂熔塊可以是基于鉍的焊料玻璃，且第二密封的熔塊材料可以是VBZ密封熔塊材料。本示例性實(shí)施例的技術(shù)優(yōu)勢在于可生成回火的VIG單元，并具有氣密密封，其強(qiáng)度比浮法玻璃的粘結(jié)強(qiáng)度相比更高。

現(xiàn)參照附圖，特別是，圖5示出根據(jù)示例性實(shí)施例中的VIG單元的截面圖。圖5中所示的VIG單元與上述圖1-2中所示出及說明的相似。例如，上述圖1-2中示出及說明和VIG單元。圖5的VIG單元包括基本上平行分開的第一和第二基片2和3。多個(gè)隔離片5用來維持該關(guān)系，第一和第二基片2、3之間的間隙被排空至小于大氣壓的壓力。

圖5中的VIG單元具有由兩種熔塊材料制成的邊緣密封。即，第一熔塊材料15a,15b用于在第一和第二基片2、3外圍邊緣的內(nèi)表面。該第一個(gè)熔塊材料15a,15b作為第二熔塊材料17a的底涂材料，能夠幸存于熱處理(例如，熱強(qiáng)化和/或熱回火)。換句話說，第一熔塊材料15a,15b可較好地熔融至基片，使第二熔塊材料17a與其融合而不是玻璃。因此可使用不同的熔塊組成，每個(gè)熔塊組成具有不同熔點(diǎn)溫度，例如，與熔塊熔融至其他熔塊相比，可能更難使熔塊熔融至玻璃。

雖然圖5是橫截面示圖，但第一熔塊材料15a,15b和第二熔塊材料17a以基本圍條施加在基片周圍，位于其邊上的內(nèi)表面。在熱處理之前，可通過絲網(wǎng)印刷、噴墨印刷和/或任何其他合適的技術(shù)，第一熔塊材料15a,15b可被施加至第一和第二基片2和3，以基本圍條配置在其內(nèi)表面的邊緣。當(dāng)?shù)谝蝗蹓K材料15a,15b通過熱處理過程被燃燒且熔融到第一和第二基片2、3中，第二熔塊材料17a以至少部分重疊的方式配置在基片中的一個(gè)或兩個(gè)上，與現(xiàn)燒結(jié)的第一熔塊材料15a,15b接觸，例如也可以是以基本圍條配置在其內(nèi)表面的邊緣。

用于邊緣密封的雙熔塊也可以用來與泵出管8連接。例如，如上所述，孔可在基片上被鉆出，來容納泵出管8。在圖5的示例中，泵出管8被示出在第二基片3中，雖然其他示例實(shí)施例中也可以將管定位至第一基片2，至邊緣密封件、或其他地方。在任何情況下，第一底涂熔塊材料15c被施加到孔的內(nèi)表面，同樣地，泵出管8本身也可被施加第一底涂熔塊材料15d。管8可被結(jié)合至孔的內(nèi)表面，例如，通過使第二熔塊料17b熔融至第二基片3的孔內(nèi)表面施加的第一底涂熔塊材料15c，以及管8自身的外表面。

當(dāng)管8被熔融至第二基片3時(shí)，腔19可至少部分地被排空。管8可被“脫焊”(例如，使用激光或類似等)來密封，從而在腔19中保持至少部分的真空。

雖然第一和第二熔塊材料被示出為“夾在中間”(例如，具15a/17a/15b的堆棧，位于VIG單元的外周)，在一些情況下，其可在基片的表面和層之間被界面混合。例如，在一些情況下，氣密密封質(zhì)量可更好地加大熔塊材料15a/17a/15b的界面混合，與第一熔塊材料15a、15b粘合到基片2，3的區(qū)域分開。類似地，也可以將熔塊配置在泵出管8周圍。

在此發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，出乎意料地，至少在示例性實(shí)施例中，通過使用基于鉍的焊料玻璃作為第一底涂熔塊，且基于VBZ的熔塊作為第二密封熔塊，在足以保持玻璃中回火的低密封溫度下VIG單元中可生成堅(jiān)固耐用的密封。相反，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，使用基于鉍的熔塊作為第一和第二熔塊需要將VIG玻璃加熱的至360攝氏度以上來生成密封(導(dǎo)致不理想的回火損失)，而使用基于VBZ的熔塊作為第一和第二熔塊往往會(huì)由于較弱或不穩(wěn)定地與玻璃基片接合而導(dǎo)致延誤的密封失效。

圖6是示出根據(jù)示例性實(shí)施例的用于制備圖5所示的VIG的過程的流程圖。在此，圖6中示出的步驟可通過任何合適的順序被執(zhí)行，包括部分并行命令(例如，步驟S23a至S27a中)，和除非特別聲明，具體示例示出的順序不應(yīng)被限制。圖6中的步驟S21包括選擇性的預(yù)處理。選擇性的預(yù)處理可包括多個(gè)不同的選項(xiàng)，例如，剪切存儲(chǔ)的片來尺寸化；執(zhí)行邊緣接縫；采用低輻射率和/或其他涂層；該涂層的邊緣刪除；鉆出一個(gè)或多個(gè)袋來容納吸氣劑材料；鉆出孔和選擇性的袋來容納泵出管；將熔塊應(yīng)用到泵出管將被定位的孔；清洗和/或洗滌操作(例如，使用去離子水、等離子體灰化等)，和/或類似。

在步驟S23中，第一熔塊材料應(yīng)用至基片的外周并圍繞泵出孔(例如，在第二基片中)。如上所述，在示例性實(shí)施例中，第一底涂熔塊可以是基于鉍。在步驟S25中，基片與其上的第一熔塊材料被熱處理(例如，熱強(qiáng)化和/或熱回火)。從而底涂材料在周邊以常規(guī)環(huán)向圖案熔融至基片?？墒褂萌魏魏线m的爐或類似的方法來完成熱處理。如步驟S27所示，熱處理時(shí)，基片可被冷卻和/或允許被冷卻。

在步驟S23a中，第一熔塊材料被施加至泵出管。如上所述，在示例性實(shí)施例中第一底涂材料可基于鉍。在步驟S25a中，泵出管與其上的第一熔塊材料被加熱，從而將第一熔塊熔融到泵出管的表面。可使用任何合適的爐或類似的方法來完成熱處理。如步驟S27a所示，熱處理時(shí)，泵出管可被冷卻和/或允許被冷卻。

在此，后熱處理中，進(jìn)一步非熱處理的涂層可被應(yīng)用。例如，一些可熱處理的低輻射涂層，以及不可熱處理的其他低輻射涂層。還可應(yīng)用抗反射和/或其他涂層，例如，使用濺射、濕化學(xué)、和/或其他技術(shù)。裝飾和/或其他圖案可被絲網(wǎng)印刷或以其他方式形成在其上。

在步驟S29中，第二熔塊材料被施加在基片的外周，例如與燃燒的第一熔塊材料至少部分地重疊。如上所述，在示例性實(shí)施例中，第二熔塊可以是基于VBZ的熔塊。

步驟S31中，支撐柱被放置在基片中一個(gè)上。在步驟S33中，吸氣劑選擇性地被施加在袋中，作為一個(gè)或兩個(gè)基片上的覆蓋涂層，和/或類似。

在步驟S35中，基片被放置在一起，例如，將第二基片放置在另一基片之下支撐柱等，從而第二熔塊材料在兩個(gè)基片的外周與第一熔塊區(qū)域重疊。在步驟S37中，泵出管與熔融的第一熔塊材料被配置在第二基片的泵出孔中，且第二熔塊材料被施加和/或預(yù)涂，從而與第二基片的孔處的第一熔塊區(qū)域至少部分地重疊，例如，位于第二基片上和/或管上。在步驟S39中，組件被加熱，使第二熔塊材料熔化，并潤濕第一熔塊材料。優(yōu)選是峰值溫度通過玻璃不超過450攝氏度(最優(yōu)選是不超過400攝氏度，更優(yōu)選是不超過360攝氏度)，而峰值溫度的時(shí)間優(yōu)選是30分鐘以下，優(yōu)選是15分鐘以下，更優(yōu)選是10分鐘以下(且有時(shí)僅為3-7分鐘)。盡管較低的溫度和時(shí)間，第二熔塊的材料組成可以使第二熔塊被熔化且第一熔塊被潤濕。

密封操作可以在具選擇性加熱功能的烤爐中進(jìn)行，例如，與VIG中的浮法玻璃相比，加熱源能量可更快地使第一和/或第二熔塊升溫。選擇性的加熱能量的示例為短波紅外(SWIR)光。使用選擇性的加熱可使第一和第二熔塊升溫，從而比玻璃更快地達(dá)到更高的峰值溫度。

此外，如上所述，第一熔塊被用來產(chǎn)生機(jī)械堅(jiān)固，并結(jié)實(shí)地與浮法玻璃接合(例如，例如與回火相關(guān)的典型的熱處理?xiàng)l件，玻璃的溫度達(dá)到至少約600攝氏度)。相比之下，第二熔塊可熔融且第一熔塊在足夠低的溫度下被潤濕(例如，玻璃達(dá)到不超過360攝氏度的溫度)保持玻璃的回火和/或其他熱強(qiáng)化特征。

再次參照圖6，在步驟S41中，組件可被冷卻和/或允許被冷卻。此外，可將靜態(tài)或動(dòng)態(tài)的壓力施加于組件，例如，至少圍繞熔塊所在的邊緣，以確保熔塊凝固期間進(jìn)行良好接觸等。

在步驟S43中，腔被排空至低于大氣壓的壓力，例如，通過通過泵出管將空氣引出。目標(biāo)壓力可為真空或接近真空，優(yōu)選是小于0.1Pa。在此，腔可通過等離子體增強(qiáng)排空技術(shù)和靜態(tài)等離子體網(wǎng)格或陣列被清洗，例如美國公開No.2012/0304696中所說明的，其全部內(nèi)容被納入此處作為參照。此外，還可以使用臭氧清洗技術(shù)，例如美國公開No.2013/0292000中所說明的，其全部內(nèi)容被納入此處作為參照。

在步驟S45中管被密封?？赏ㄟ^使用美國公開Nos.2013/0153550和/或2013/0153551，和/或2012年9月27日提交的美國申請No.13/628,653中所說明的泵出管脫焊技術(shù)被執(zhí)行，其全部內(nèi)容被納入此處作為參照。在步驟S47中吸氣劑可適當(dāng)?shù)乇换钚曰Ｎ鼩鈩┎牧虾突钚曰夹g(shù)在分別于2012年7月31日提交的U.S.13/562,386；13/562,408；13/562,423中被公開，其各自的全部內(nèi)容被納入此處作為參照。

泵出管可具有施加于其上的選擇性保護(hù)蓋，例如，在步驟S49中被示出。此外可使用各種各樣的技術(shù)來保護(hù)泵出管，并可與示例性實(shí)施例相結(jié)合使用。例如，美國公開Nos.2013/0074445,2013/0302542,2013/0305785,2013/0306222,和2013/0309425，其全部內(nèi)容被納入此處作為參照。

如下所示，下表中示出第一底涂熔塊的組成。在此，也可以與其他材料一起使用，或代替以下所示出的這些，且在不同的實(shí)施例中，示例性重量百分比可不同。雖然化學(xué)計(jì)量被示出來用于示例性材料，但這些和/或其他化學(xué)計(jì)量也可用于不同的實(shí)施例。

如下所示，下表中示出第二密封熔塊的組成。在此，也可以與其他材料一起使用，或代替以下所示出的這些，且在不同的實(shí)施例中，示例性重量百分比可不同。雖然化學(xué)計(jì)量被示出來用于示例性材料，但這些和/或其他化學(xué)計(jì)量也可用于不同的實(shí)施例。

在示例性實(shí)施例中，第一熔塊可進(jìn)一步包括2-7wt.％的B₂O₃。上述提供的示例性熔塊組成列出一些材料包括0wt.％的重量百分比范圍。在示例性實(shí)施例中，該熔塊可以包括少量的上述和/或其他材料，例如，至少在一些情況下，低至約0.25wt.％。

當(dāng)熔塊或密封材料被配置在基片上，密封材料的熱膨脹系數(shù)(CTE)可能與底部基片不同。其可能會(huì)在兩個(gè)材料之間生產(chǎn)熱膨脹系數(shù)不匹配。在這種情況下，底部基片和密封材料的溫度增加/減小，材料可以分別以不同的速率膨脹/收縮。其可能會(huì)導(dǎo)致密封材料相對于基片被配置(例如，結(jié)合或粘附)的產(chǎn)品中的結(jié)構(gòu)問題。例如，密封材料可能最終從底部基片中脫層并造成產(chǎn)品失敗(例如，VIG失去真空)。該失敗是不可取的，CTE填料可被添加至上述的熔塊材料，例如，來調(diào)整其膨脹率，使其更接近(或匹配)底部基片。

在此，第一和第二熔塊中的一個(gè)或兩個(gè)可包括具較低或負(fù)膨脹系數(shù)耐火填料，以適當(dāng)?shù)臄?shù)量來減少密封和玻璃之間的熱膨脹系數(shù)差異，例如當(dāng)?shù)琢先廴谥敛Ａ?、密封形成，最終狀態(tài)時(shí)等?？捎兄谔岣哒辰?、玻璃潤濕、和/或其他特性。

與示例性熔塊材料一起使用的現(xiàn)有CTE填充材料可以是鈦酸鉛。然而，如上所述，使用鉛作為CTE填料可能商業(yè)不切實(shí)際。因此，在一些情況下使用非鉛的膨脹填充材料比較可取。在示例性實(shí)施例中，CTE填充材料以粉末形式被混合(例如，球形二氧化硅–真空泡)或是具熔塊材料的微球，來形成密封材料，用于一個(gè)或多個(gè)基片上。示例性的玻璃泡包括K37,S60,S60H和IM30K類型的玻璃泡，由3M公司商業(yè)銷售。在此，泡的尺寸越大玻璃的機(jī)械越弱(例如，以抗壓強(qiáng)度示出)，且在一些情況下，增加玻璃泡的體積與熔塊材料的比例可減少密封材料從基片中脫層的數(shù)量。

在示例性實(shí)施例中，可使用基于鉬(Mo)的CTE填料。鉬可具有約4.8的線性ppm CTE。在示例性實(shí)施例中，約小于150mesh或甚至約小于170mesh的形狀及尺寸可與示例性VBZ熔塊材料一起使用。合適的材料可從例如H.C.Starck和/或Alfa Aesar(Johnson Matthey公司)被獲得。示例性CTE填料可為球體，尺寸范圍約為60-100微米，更優(yōu)選是約70-90微米，或例如球體直徑或主要距離尺寸約為80微米。在示例性實(shí)施例中，還可使用CTE填料堇青石2(MgO)-2(Al₂O₃)-5(SiO₂)。

有關(guān)示例性實(shí)施例的熔塊中的CTE匹配，在一些情況下可能涉及80％和100％之間的上述球體尺寸，球體尺寸扣去剩余的顆粒和/或外部的球體(例如，球體/顆粒大于100微米或顆粒/球體少于60微米)。此外，并不是所有的“球體”都為完美球體形狀。例如，一些“球體”可以部分或基本上為球形(例如，長圓形或不規(guī)則性的球體形狀)。因此，CTE填料中所使用的顆粒可以是“基本”球體。例如，提供的CTE填充材料中一半以上或60％的對象可能為“基本”球體，更優(yōu)選是至少80％，更優(yōu)選是至少95％。在一些情況下，60-100微米范圍內(nèi)的CTE填料中球形元素的百分比可至少為CTE填料體積的90％，更優(yōu)選是至少95％，且更優(yōu)選至少98％。

在一些情況下，球體(或其他形狀)的表面化學(xué)性可被修改來提高CTE匹配特性和/或球體的機(jī)械強(qiáng)度性能(例如，承受VIG制品的應(yīng)力)。

在示例性實(shí)施例中，可使用以下材料與熔塊材料一起用來將熔塊CTE匹配至玻璃基片：Cu₂P₂O₇x H₂O(例如焦磷酸銅水合物)；Mg₂P₂O₇(例如焦磷酸鎂)；SnP₂O₇(例如，焦磷酸亞錫–以低添加，兼容性被提高(例如，每2.5克的熔塊材料中0.2-0.5克))；W(鎢粉–以高添加水平，與熔塊材料的兼容性被提高(例如，每2.5克熔塊材料中1-1.5克))；Fe/Ni65:35wt％(例如，因瓦合金–以高添加水平，與熔塊材料的兼容性被提高(例如，每2.5克的熔塊材料中0.6-0.8克))。該材料(例如，因瓦)可以是球體形狀，如上述的鉬材料。此外，材料(如，因瓦)可具有減少的CTE(1.2ppm)，因此可降低添加至熔塊材料的額外重量來獲得CTE匹配。在一些情況下，可使用球體形狀的陶瓷填料(或是基本上球形)。在示例實(shí)施例中，可使用石英。石英可以是以上述的球體的形式被提供。由于石英的熱膨脹系數(shù)約為0.6，為了獲得相對于基片的CTE匹配可能與上述其他材料相比需要較少材料。示例性實(shí)施例的一個(gè)方面涉及一種惰性填料，且在燒制和/或其他高溫過程中不與熔融的熔塊玻璃反應(yīng)。在示例性實(shí)施例中，鋯鎢(如鋯鎢氧化物或ZrW₂O₈)粉可提供理想的用于示例性熔塊材料與堿石灰浮法玻璃的CTE匹配(例如，用于玻璃的線性CTE約為7.0-11.0ppm)。

在示例性實(shí)施例中，鉬球體可與玻璃泡(例如，其他粒子)結(jié)合。例如，根據(jù)示例性實(shí)施例，可以是0.3-0.5gm重量的鉬與0.2-0.3gm重量的IM30K結(jié)合，或是0.15-0.35重量的ZrW₂O₈和0.2-0.3gm重量的IM30K之間結(jié)合。在示例性實(shí)施例中，上述CTE填料中的兩個(gè)或兩個(gè)以上可被結(jié)合，來形成結(jié)合的CTE填充材料。

雖然示例性實(shí)施例中被說明與球體或常規(guī)球體的CTE填料相關(guān)，但也可以使用其他形狀來代替或與這些形狀一起使用。例如，可以使用足球形，眼睛形，圓柱形，細(xì)長形，晶須狀，和/或其他類型的顆粒。在一些情況下，這些形狀是對稱和/或?qū)ΨQ彎曲的。在示例性實(shí)施例中，這些形狀與主要距離尺寸，可以是例如60-100微米。此外，應(yīng)理解，特殊尺寸和/或形狀材料可以改變。但是，總的來說，材料分布一般應(yīng)具有指定的尺寸/形狀。

在示例性實(shí)施例中，含有示例性CTE填料的熔塊材料的CTE可約為基片的CTE的15％之內(nèi)，更優(yōu)選是約為10％之內(nèi)，甚至更優(yōu)選是約為5％之內(nèi)，甚至更優(yōu)選是3％之內(nèi)。例如，已知玻璃具有8.6ppm的CTE，且溫度范圍約為25-300攝氏度，理想的是提供小于或等于該值的CTE填充材料。例如，相同或相似的范圍內(nèi)的8.0ppm的CTE是較為理想的。由此可將玻璃保持在較為理想的壓縮狀態(tài)下。

熔塊材料有時(shí)可包括粘合劑，例如被用來結(jié)合用于制備熔塊的各種材料。然而，在一些情況下，熔塊中使用的材料，其熔化溫度可能小于熔塊中所使用的粘合劑的燃盡點(diǎn)。在這種情況下，粘合劑的不完全燃盡可能會(huì)導(dǎo)致多孔的熔塊密封，例如由于熔塊中的碳污染或其他特性，會(huì)造成熔塊與玻璃粘合減少，對于基于熔塊的密封是不可取的。因此，示例性實(shí)施例可包括熔塊，具理想的粘合劑，其隨熱處理和隨后的燒制操作燃盡。示例性粘合劑包括：甲基纖維素聚合物粘結(jié)劑(例如，去離子水中的400cps分子重量聚合物，發(fā)現(xiàn)具有約320-380攝氏度的燃盡溫度)；聚碳酸亞乙基酯粘合劑，例如[CH₂CH₂OCO₂]_n或C₃H₄O₃(例如，Empower材料公司商業(yè)銷售的25)；聚碳酸亞丙酯粘合劑，例如[CH₃CHCH₂OCO₂]_n或C₄H₆O₃(例如，Empower材料公司商業(yè)銷售的40，發(fā)現(xiàn)具有約250-275攝氏度的燃盡溫度)；和/或類似。

在示例性實(shí)施例中，第一和第二基片中的一個(gè)或兩個(gè)可被熱回火，在這種情況下，加熱操作能夠以足夠低的峰值溫度被執(zhí)行(或多個(gè)峰值溫度)，從而在加熱完成后(例如，當(dāng)VIG單元被制備)，回火的第一和第二基片至少約保持其原始回火強(qiáng)度的50％，更優(yōu)選是在加熱完成后至少約為其原始回火強(qiáng)度的60％，更優(yōu)選是加熱完成后至少約為其原始回火強(qiáng)度的70％，更優(yōu)選是在加熱完成后至少約為其原始回火強(qiáng)度的75％，有時(shí)在加熱完成后為其原始回火強(qiáng)度的80-90％或更多。

在此試圖使密封的VIGs分開，來確定經(jīng)在此提出的技術(shù)制備的回火VIG的優(yōu)越密封性。然而不破壞基片中的一個(gè)或兩個(gè)不可被分離，且斷裂平行于密封，其被發(fā)現(xiàn)發(fā)生在玻璃中，而不是密封中或至玻璃界面的密封。換句話說，無論是與玻璃結(jié)合的密封，還是密封的粘結(jié)強(qiáng)度都超過樣品中的玻璃強(qiáng)度。在該試驗(yàn)中，退火玻璃被使用，但加熱過程被調(diào)整至回火維持條件。使用產(chǎn)生緊密斷裂圖案的回火玻璃來重復(fù)實(shí)驗(yàn)，檢驗(yàn)回火條件的保持等。

在示例性的實(shí)施例中，一個(gè)或兩個(gè)基片可為“無鉛”。例如，在示例性實(shí)施例中，將使用無鉛來制備基礎(chǔ)熔塊，且僅可能是微量(例如，從使用的原材料和/或工具)。以上示出的示例性材料是傾向于無任何由于污染可檢測的鉛含量。在此，“無鉛”組成中可能具有非常小數(shù)量的鉛，例如小于1-3ppm鉛

示例性實(shí)施例可使用2012年5月25日提交的美國申請No.13/480,987中公開的示例性熔塊，替代在此說明的一些示例性熔塊或是一起使用。

在此使用的術(shù)語“熱處理”和“加熱處理”，表示將制品加熱到足以實(shí)現(xiàn)玻璃制品的熱回火和/或熱強(qiáng)化的溫度。該定義包括，例如在烤箱或爐中將涂層制品加熱到至少約550攝氏度的溫度，更優(yōu)選是至少約580攝氏度，更優(yōu)選是至少約600攝氏度，更優(yōu)選是至少約620攝氏度，最優(yōu)選是至少約650攝氏度，以足夠的時(shí)間來允許回火和/或熱強(qiáng)化。在示例性實(shí)施例中，其可以是至少約兩分鐘，至約10分鐘，或至15分鐘等。

應(yīng)注意，該VIG單元可用在許多不同的應(yīng)用中，包括，例如住宅和/或商業(yè)窗應(yīng)用等。在不同的實(shí)施例中VIG單元的一個(gè)或兩個(gè)基片可被熱處理(例如熱強(qiáng)化和/或熱回火)。

雖然與VIG單元相關(guān)的示例性實(shí)施例已被說明，但應(yīng)理解，在此所述的示例性技術(shù)可包括其他材料制成的一個(gè)或多個(gè)基片，而不是玻璃。換句話說，由于在此所述的示例性技術(shù)能夠在低溫處理時(shí)間和溫度下形成密封，也可以使用其他基片材料，例如，塑料、樹脂玻璃等。如上所述，這些材料可用于真空絕緣板(VIP)單元中的一個(gè)或兩個(gè)基片以及類似等。如上所述的任何或所有特征、方面，技術(shù)，配置等，可在該VIP單元中被使用。此外，應(yīng)理解，在示例性實(shí)施例中，在此所述的示例性的VIG和VIP單元可以被層壓至另一基片。

在此所使用的與密封相關(guān)的術(shù)語“外圍”和“邊緣”并不表示密封和/或其他元件位于單元的絕對外圍或邊緣，但其可以是指密封和/或其他元件至少部分地位于單元的至少一個(gè)基片的邊緣處或邊緣附近(例如約兩英寸內(nèi))。同樣，在此使用的“邊緣”并不局限于玻璃基片的絕對邊緣，也可包括基片的絕對邊緣處或絕對邊緣附近(例如約兩英寸內(nèi))。

在此所使用的術(shù)語“…之上”，“由…支撐”及類似等，除非明確指出，并不表示為兩個(gè)元件直接互相相鄰。也就是說，就算其之間具有一個(gè)或多個(gè)層，也可以說第一層位于第二層“之上”或第一層由第二層“支撐”。

在示例性實(shí)施例中，提供一種套件，包括第一和第二熔塊材料，用來形成真空絕緣玻璃VIG窗單元的邊緣密封，其中，按重量，所述第一熔塊材料包括至少65％的氧化鉍，且當(dāng)玻璃到達(dá)550攝氏度的第一溫度或更高時(shí)，所述第一熔塊材料熔融至所述玻璃，且所述第二熔塊材料包括氧化釩、氧化鋇、和氧化鋅，按重量，總共至少為65％，且所述第二熔塊材料的結(jié)構(gòu)為與所述第一熔塊材料形成接合，來制備用于所述VIG窗單元的所述邊緣密封，且當(dāng)所述玻璃到達(dá)不超過400攝氏度的第二溫度時(shí)，所述第二熔塊材料被熔化，且所述第一熔塊材料在所述第二溫度下被潤濕。

除了前段落中的特征，在示例性實(shí)施例中，按重量，所述第一熔塊材料可進(jìn)一步包括至少2％的氧化鋅。

除了上述兩個(gè)段落中的任何一個(gè)特征，在示例性實(shí)施例中，所述第一熔塊材料可包括70-80wt.％的氧化鉍、2-7wt.％的氧化鋅、5-15wt.％的氧化硅、2-7wt.％的氧化鋁、0-5％的氧化鎂、0-5％的氧化鉻、0-5％的氧化鐵、0-5％的氧化鈷、0-5％氧化鈉、0-5％氧化錳、和0-5％的氧化鋇。

除了上述三個(gè)段落中的任何一個(gè)特征，在示例性實(shí)施例中，所述第二熔塊材料可包括45-67wt.％的氧化釩、7-25wt.％的氧化鋇、和4-17wt.％的氧化鋅。

除了前段落中的特征，在示例性實(shí)施例中，所述第二熔塊材料可進(jìn)一步包括：0-13wt.％的氧化碲、0-13wt.％的氧化鉬、0-13wt.％的氧化鉭、和0-13wt.％的氧化鈮，且其中，所述氧化碲、氧化鉬、氧化鉭、和氧化鈮中的至少一個(gè)被至少提供0.25wt.％。

除了上述四個(gè)段落中的任何一個(gè)特征，在示例性實(shí)施例中，所述第二熔塊材料可包括45-67wt.％的氧化釩、7-25wt.％的氧化鋇、和4-17wt.％的氧化鋅。

除了前段落中的特征，在示例性實(shí)施例中，所述第二熔塊材料可進(jìn)一步包括：0-13wt.％的氧化碲、0-13wt.％的氧化鉬、0-13wt.％的氧化鉭、和0-13wt.％的氧化鈮，且其中，所述氧化碲、氧化鉬、氧化鉭、和氧化鈮中的至少一個(gè)被至少提供0.25wt.％。

除了上述七個(gè)段落中的任何一個(gè)特征，在示例性實(shí)施例中，所述第一和/或第二熔塊材料包括熱膨脹系數(shù)CTE填充材料，當(dāng)所述CTE填充材料被引入其中時(shí)降低其的所述CTE。

除了上述八個(gè)段落中的任何一個(gè)特征，在示例性實(shí)施例中，其中，所述第一和/或第二熔塊材料可為無鉛。

除了上述九個(gè)段落中的任何一個(gè)特征，在示例性實(shí)施例中，所述第一和/或第二熔塊材料可含有1ppm以下的鉛。

除了上述十個(gè)段落中的任何一個(gè)特征，在示例性實(shí)施例中，所述第一熔塊材料可為底涂熔塊材料，且所述第二熔塊材料可為密封熔塊材料。

除了上述十一個(gè)段落中的任何一個(gè)特征，在示例性實(shí)施例中，所述第一熔塊材料和第二熔塊材料還可被用來在VIG單元的泵出管和所述泵出管所在的所述VIG單元的基片中形成的孔內(nèi)表面之間形成密封。

除了上述十二個(gè)段落中的任何一個(gè)特征，在示例性實(shí)施例中，在所述套件中可進(jìn)一步包括：第一和第二玻璃基片，通過使用作為底涂熔塊的所述第一熔塊和作為密封熔塊的所述第二熔塊被氣密密封在一起。

在示例性實(shí)施例中，提供一種制備真空絕緣玻璃VIG窗單元的方法，所述方法可包括：具有前段落中的所述套件；和使用所述第一和第二熔塊材料，將所述第一和第二玻璃基片密封在一起，以及將泵出管和所述基片中的一個(gè)密封在一起。

在示例性實(shí)施例，提供一種熔塊材料，用于形成VIG窗單元的邊緣密封和泵出口密封，其中，所述熔塊材料包括：按重量，至少65％的氧化鉍和至少2％的氧化鋅，且被設(shè)計(jì)為當(dāng)玻璃達(dá)到550攝氏度或更高的第一溫度時(shí)，所述熔塊材料被熔融至所述玻璃，且當(dāng)所述玻璃達(dá)到至少低于所述第一溫度150攝氏度的第二溫度時(shí)，所述熔塊材料被潤濕。

除了前段落中的特征，在示例性實(shí)施例中，所述熔塊材料可進(jìn)一步包括：70-80wt.％的氧化鉍、2-7wt.％的氧化鋅、5-15wt.％的氧化硅、2-7wt.％的氧化鋁、0-5％的氧化鎂、0-5％的氧化鉻、0-5％的氧化鐵、0-5％的氧化鈷、0-5％氧化鈉、0-5％氧化錳、和0-5％的氧化鋇。

除了上述兩個(gè)段落中的任何一個(gè)特征，在示例性實(shí)施例中，所述熔塊材料可進(jìn)一步包括2-7wt.％的B₂O₃。

除了上述三個(gè)段落中的任何一個(gè)特征，在示例性實(shí)施例中，可進(jìn)一步包括熱膨脹系數(shù)CTE填充材料，當(dāng)所述CTE填充材料被引入其中時(shí)降低所述熔塊材料的所述CTE。

在示例性實(shí)施例中，提供一種熔塊材料，用于形成真空絕緣玻璃(VIG)窗單元的邊緣密封和泵出口密封，其中，所述熔塊材料包括：45-67wt.％的氧化鉍、7-25wt.％的氧化鋇、和4-17wt.％的氧化鋅，且其被設(shè)計(jì)為在不超過360攝氏度的峰值溫度被維持15分鐘以下時(shí)間時(shí)被熔化，并可在這些條件下與上述四個(gè)段落中的任何一個(gè)的所述熔塊結(jié)合。

除了前段落中的特征，在示例性實(shí)施例中，可進(jìn)一步包括：0-13wt.％的氧化碲、0-13wt.％的氧化鉬、0-13wt.％的氧化鉭、和0-13wt.％的氧化鈮，且其中，所述氧化碲、氧化鉬、氧化鉭、和氧化鈮中的至少一個(gè)被至少提供0.25wt.％。

除了上述兩個(gè)段落中的任何一個(gè)特征，在示例性實(shí)施例中，可進(jìn)一步包括：熱膨脹系數(shù)CTE填充材料，當(dāng)所述CTE填充材料被引入其中時(shí)降低所述熔塊材料的所述CTE。

雖然參照最實(shí)用和優(yōu)選的實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了說明，但是應(yīng)理解，本發(fā)明并不局限于所述實(shí)施例，相反，在由后附的權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)，可進(jìn)行各種修改和等效的配置。