本發(fā)明屬于浮法玻璃生產領域，具體涉及一種能減少有害氣體排放量的電子玻璃滲錫量的控制方法。

背景技術：

電子玻璃，系指可應用于電子、微電子、光電子領域的一類高技術產品，主要用于制作集成電路以及具有光電、熱電、聲光、磁光等功能元器件的玻璃材料。電子基板玻璃是目前在微電子、光電子和新能源等高新技術中應用最廣、發(fā)展最快的特種玻璃之一。主要包括液晶和太陽能電池用基板；存儲器（磁盤和光盤）用基板；光掩膜基板（又稱制版玻璃），這是集成電路制作過程中制備光刻用的光掩膜板?，F代科學技術的發(fā)展離不開這些電子玻璃。為了滿足電子玻璃的技術要求及市場需求，必須解決影響電子玻璃質量的主要因素--滲錫。

電子玻璃的滲錫量上下表面不一樣，下表面錫氧化物的質量分數約為2％，滲透深度在10--30μm，在深度分布曲線上有特征峰；上表面錫氧化物的質量分數約為0.1％，其特征峰值僅為下表面的1％。玻璃表面的錫氧化物主要以氧化亞錫存在，Sn²⁺占全部滲錫量的80％，Sn⁴⁺占20％，并且玻璃下表面0—1.5μm處Sn⁴⁺含量較高與退火時的氧化有關。

影響電子玻璃滲錫的因素主要為：鐵含量，硫含量，溫度，氣氛的分布及壓力，錫液流，SO₂氣體等。

技術實現要素：

本發(fā)明旨在提供一種能減少有害氣體排放量的電子玻璃滲錫量的控制方法，以保證電子玻璃滲錫量符合相關的標準。

為了解決上述問題，本發(fā)明提供的一種能減少有害氣體排放量的電子玻璃滲錫量的控制方法采用了如下的技術方案：

A. 首先優(yōu)化電子玻璃的主要的成分，優(yōu)化后玻璃的主要成分如下：SiO₂：72.3%；Al₂O₃：71%；Fe₂O₃：0.099%；CaO：8.77%；MgO：3.86%；K₂O：0.15%；Na₂O：13.81%；SO₃：0.28%；

B. 優(yōu)化錫槽結構，給錫槽外部安裝錫槽放散裝置；

C. 優(yōu)化錫槽內玻璃降溫參數：錫槽槽底高溫區(qū)手測紅外在120~130℃，中溫區(qū)手測紅外在110~120℃，低溫區(qū)手測紅外在100~110℃，同時在錫槽槽底增加冷卻風，調節(jié)環(huán)境溫度對錫槽的影響；

D. 優(yōu)化錫槽中擋旗的位置和數量，在錫槽高、中溫區(qū)安裝6道擋旗，阻止高溫錫液向后區(qū)流道，降低中、低區(qū)錫槽溫度來降低其在玻璃表面的擴散速度，降低滲錫量；

E. 在錫槽中溫區(qū)安裝3對錫液冷卻器，降低錫液溫度，降低滲錫量；；

F. 同時優(yōu)化保護氣（氫氣）露點，優(yōu)化后的露點溫度為-65℃，其中保護氣中O₂含量為2ppm，H₂O含量為2ppm；

G. 優(yōu)化錫槽出口SO₂流量，優(yōu)化后錫槽出口SO₂流量每小時250升。

優(yōu)選的，所述的錫槽放散裝置包括放散接口，連接口和通風部分，所述的放散接口與錫槽連接，所述的連接口連接通風部分和放散接口，所述的通風部分通往室外。

優(yōu)選的，所述的高溫區(qū)安裝的擋旗為浸沒式擋旗，所述的中溫區(qū)安裝的擋旗為普通擋旗。

本發(fā)明的有益效果在于：本發(fā)明提供了一種能減少有害氣體排放量的電子玻璃滲錫量的控制方法，其首先通過調整玻璃本體的成分含量來降低玻璃滲錫量，然后通過調整錫槽溫度來降低滲錫量，再次通過在錫槽按照擋旗控制錫液流動來降低滲錫量；同時在錫槽安裝錫液冷卻器控制溫度，進行實現滲錫量的進一步的降低，為了進行一步降低滲錫量，其同時調節(jié)保護氣體的成分，降低其露點，而且本發(fā)明提供了一個合理的SO₂流通量，使電子玻璃滲錫量達到了意想不到的效果，滿足相關的規(guī)定。本發(fā)明通過一系列的調整，優(yōu)化了滲錫量的控制方法，降低了能耗，減少了SO₂的排放量，降低了對環(huán)境的污染。

附圖說明

圖1為本發(fā)明提供的錫槽放散裝置示意圖。

具體實施方式

為了更容易理解本發(fā)明的內容，下面結合具體實施例對本發(fā)明做進一步的說明。

實施例1

a. 首先優(yōu)化電子玻璃的主要的成分，優(yōu)化后玻璃的主要成分如下：SiO₂：72.3%；Al₂O₃：71%；Fe₂O₃：0.099%；CaO：8.77%；MgO：3.86%；K₂O：0.15%；Na₂O：13.81%；SO₃：0.28%，與優(yōu)化前的對比見下表：

b. 優(yōu)化錫槽結構，給錫槽高溫區(qū)和中溫區(qū)安裝錫槽放散裝置，加大排出錫槽廢氣；

c. 優(yōu)化錫槽內玻璃降溫參數：錫槽槽底高溫區(qū)手測紅外在120~130℃，中溫區(qū)手測紅外在110~120℃，低溫區(qū)手測紅外在100~110℃，同時在錫槽槽底增加冷卻風，調節(jié)環(huán)境溫度對錫槽的影響；

d. 優(yōu)化錫槽中擋旗的位置和數量，在錫槽高，中溫區(qū)安裝6道擋旗，阻止高溫錫液向后區(qū)流道，降低中、低區(qū)錫槽溫度來降低其在玻璃表面的擴散速度，降低滲錫量；

e. 在錫槽中溫區(qū)安裝3對錫液冷卻器，降低錫液溫度，降低滲錫量；安裝錫液冷卻器后溫度變化如下表：

f. 同時優(yōu)化保護氣（氫氣）露點，優(yōu)化后的露點溫度為-65℃，其中保護氣中O₂含量為2ppm，H₂O含量為2ppm；

g. 優(yōu)化錫槽出口SO₂流量，優(yōu)化后錫槽出口SO₂流量每小時250升。

經過上述優(yōu)化后，對電子玻璃的滲錫量進行測定，測定結果如下表，符合相關的規(guī)定。

實施例2

優(yōu)選的，在實施例1中，所述的錫槽放散裝置包括放散接口，連接口和通風部分，所述的放散接口與錫槽連接，所述的連接口連接通風部分和放散接口，所述的通風部分互相連通并通往室外。

實施例3

優(yōu)選的，在實施例1中，所述的高溫區(qū)安裝的擋旗為浸沒式擋旗，所述的中溫區(qū)安裝的擋旗為普通擋旗。