修復熔化滲入陶瓷基質(zhì)復合物中的基質(zhì)裂紋的方法背景本公開大體涉及修復陶瓷基質(zhì)復合物(CMC)中的裂紋的方法和相關(guān)配置、構(gòu)件和組件，且尤其涉及修復纖維強化熔化滲入(meltinfiltrated)陶瓷基質(zhì)復合物(MI-CMC)中的基質(zhì)裂紋。諸如SiC陶瓷的單片陶瓷在多年以前開發(fā)，但是從未在高溫結(jié)構(gòu)應用中找到出路，這是因為它們?nèi)狈p傷容限，且其災難性地失效。特別是那些利用纖維強化的陶瓷基質(zhì)復合物(CMC)被開發(fā)以減輕單片陶瓷的損傷容限問題，且從而對于諸如燃氣渦輪發(fā)動機中的高溫結(jié)構(gòu)應用變得有吸引力。對于高溫結(jié)構(gòu)應用特別有吸引力的一種類型的纖維強化CMC是反應性熔化滲入纖維強化CMC(下文中稱為“MI-CMC”)。在MI-CMC中，纖維和基質(zhì)組分的預成型件利用在與基質(zhì)組分反應時產(chǎn)生陶瓷基質(zhì)的金屬滲入。基于SiC的MI-CMC(其中滲入金屬是硅或硅合金，且基質(zhì)組分使得所得到的基質(zhì)主要是SiC(例如，SiC和/或C微粒))對于高溫結(jié)構(gòu)應用特別有吸引力，這是因為它們與其他CMC相比的高導熱性、優(yōu)秀的抗熱沖擊性、抗蠕變性和抗氧化性。MI-CMC的一個當前缺陷是其相對昂貴，且因此MI-CMC構(gòu)件需要在延長的時間期間內(nèi)處于工作狀態(tài)以在經(jīng)濟上可行。例如，在燃氣渦輪應用中，MI-CMC構(gòu)件預期持續(xù)經(jīng)過若干發(fā)動機服務(wù)周期。遺憾的是，在典型的高溫結(jié)構(gòu)應用(例如燃氣渦輪應用)中的使用期間，MI-CMC構(gòu)件通常經(jīng)受高于構(gòu)件的基質(zhì)致裂應力的負載。從這些應力所得的構(gòu)件的基質(zhì)部分中的裂紋起作用為降低MI-CMC復合物的剛度和抗氧化性，且可導致MI-CMC構(gòu)件的過早失效。此外，諸如由于掉落的部件或工具引起的暫時的過應力狀態(tài)可在MI-CMC構(gòu)件制造、運輸和/或安裝期間出現(xiàn)，且還可導致基質(zhì)裂紋。因此，存在對于用于修復MI-CMC構(gòu)件中的基質(zhì)裂紋的方法和相關(guān)配置、構(gòu)件和組件的需要，以將它們恢復到可用的狀態(tài)。簡要描述公開了修復帶有基質(zhì)部分的熔化滲入陶瓷基質(zhì)復合物(CMC)構(gòu)件的基質(zhì)部分中的一個或多個裂紋的方法，基質(zhì)部分主要包括碳化硅和分散在碳化硅中的硅相的區(qū)域。在一些實施例中，該方法包括將熔化滲入CMC構(gòu)件加熱到高于硅相的熔點的第一溫度以在基質(zhì)部分內(nèi)形成熔化的硅相。在一些實施例中，該方法包括在將熔化滲入CMC構(gòu)件加熱到高于硅相的熔點的第一溫度時控制熔化滲入CMC構(gòu)件附近的氣氛。在一些實施例中，該方法包括將熔化滲入CMC構(gòu)件冷卻到低于第一溫度的第二溫度以凝固已經(jīng)流動到一個或多個裂紋中的熔化硅相，以使該至少一個裂紋的表面結(jié)合在一起。本公開的這些和其他目的、特征和優(yōu)點將從結(jié)合附圖對本公開的各種方面的以下詳細描述變得顯而易見。附圖圖1是根據(jù)本公開的示例性熔化滲入纖維強化SiC-基陶瓷基質(zhì)復合物的截面視圖的描述；圖2是根據(jù)本公開的帶有示例性微裂紋的圖1的示例性熔化滲入纖維強化SiC-基陶瓷基質(zhì)復合物的截面視圖的描述；以及圖3是描述修復圖2的示例性熔化滲入纖維強化SiC-基陶瓷基質(zhì)復合物的示例性微裂紋的方法的流程圖。詳細描述下文示出的每個實施例都便于本公開的特定方面的說明，且不應當解釋為限制本公開的范圍。此外，如在本文中貫穿說明書和權(quán)利要求所用的近似語言可應用以修飾任何定量表示，其可允許在沒有導致其所涉及的基本功能中的改變的情況下變化。因此，由諸如“約”的一個或多個用語修飾的值不限于所規(guī)定的精確值。在一些情形中，近似語言可對應于用于測量值的儀器的精度。當介紹各種實施例的元件時，冠詞“一個”、“一種”、“該”和“所述”意在表示存在一個或多個該元件。用語“包括”、“包含”和“具有”意在為包含性的，且表示除了所列出的元件外可存在額外元件。如在本文中所用，用語“可”和“可為”指示在一組情況內(nèi)發(fā)生的可能性；特定性質(zhì)、特征或功能的擁有；和/或通過表達與限制的動詞關(guān)聯(lián)的能力、性能或可能性中的一者或多者來限制另一動詞。因此，“可”和“可為”的使用指示修飾的用語是顯然適當?shù)?、能夠或適用于所指示的性能、功能或使用，同時考慮一些情況，所修飾的用語可能有時不是適當、能夠或合適的。操作參數(shù)的任何示例不排斥公開實施例的其他參數(shù)。本文中關(guān)于任何特定實施例描述、圖示或以其他方式公開的構(gòu)件、方面、特征、配置、布置、用途等可類似地應用到本文中公開的任何其他實施例。已經(jīng)開發(fā)了多種生產(chǎn)或制造方法用于熔化滲入纖維強化陶瓷基質(zhì)復合物(MI-CMC)的制作。一種工藝稱為“預浸漬工藝”，且另一工藝稱為“粉漿澆注”工藝，諸如在美國專利公布第2006/0163773號中公開的那樣。雖然預浸漬工藝和粉漿澆注工藝都利用基質(zhì)組分(例如，SiC和/或碳微粒、粘結(jié)劑、溶劑等)的粉漿，但是工藝主要不同在于未加工復合物預成型件是如何形成的。然而兩種工藝中最終致密化步驟是到未加工復合物預成型件中的硅熔化滲入步驟。一旦形成包含纖維和基質(zhì)組分的未加工本體復合物預成型件，其在與硅金屬或與基質(zhì)組分反應時產(chǎn)生陶瓷基質(zhì)的合金的來源接觸時加熱。熔化滲入的硅相容易地浸濕未加工本體復合物預成型件的基質(zhì)組分(例如，SiC和/或碳基質(zhì)組分)，且因此容易通過毛細作用吸到預成型件的孔隙的一部分中。典型地不需要用于硅到基質(zhì)組分中的滲入的外部驅(qū)動力，且典型地不存在復合物預成型件由于滲入引起的尺寸變化(因為預成型件的孔隙利用硅填充)。用于使用硅(例如，硅金屬或合金)的纖維強化CMC的熔化滲入的當前常規(guī)工藝利用批處理，其中，要么將硅金屬粉末應用到預成型件的表面上，要么使用多孔碳芯使硅在熔化狀態(tài)中轉(zhuǎn)移到預成型件。利用預浸漬和粉漿澆注工藝，熔化滲入SiC-基陶瓷基質(zhì)復合物(SiC-基MI-CMC)是纖維強化碳化硅(SiC)基質(zhì)復合物，諸如通過圖1和圖2中的示例性SiC-基MI-CMC構(gòu)件10的截面視圖所示。當利用SiC纖維時，所得到的CMC可稱為SiC/SiCMI-CMC。一般而言，SiC-基MI-CMC構(gòu)件通過硅金屬或合金到包含嵌入在SiC和/或碳基質(zhì)組分中的纖維(例如,BN-涂覆碳化硅纖維)的預成型件中的熔化滲入制成。如圖1中所示，在熔化的硅的滲入后，諸如上文論述的那樣在硅滲入過程期間經(jīng)由毛細作用，將硅吸引到基質(zhì)組分的孔隙中的一些中且與其中的碳反應以形成帶有基質(zhì)部分12的SiC-基MI-CMC構(gòu)件10，基質(zhì)部分12主要包括圍繞纖維14(例如，SiC纖維)的SiC晶體結(jié)構(gòu)16。除了形成基質(zhì)部分12的陶瓷SiC晶體結(jié)構(gòu)16，硅滲入過程利用不與組分的碳反應的硅金屬或合金填充基質(zhì)部分12的其余孔隙中的至少一些。以這種方式，在基質(zhì)部分12內(nèi)形成“游離”或未反應的硅相18中的互連凹穴(pocket)。硅相在本文中限定為主要包含元素硅和溶解在硅相中的任何其他元素，諸如硼。以這種方式，一些示例性SiC-基MI-CMC10的基質(zhì)部分12主要為Si-SiC基質(zhì)部分12。在一些實施例中，基質(zhì)部分12中滲入的“游離”硅相18(即，不形成SiC的Si)的量為基質(zhì)部分12的大約2%的體積百分比到大約50%的體積百分比，且更優(yōu)選地基質(zhì)部分12的大約5%的體積百分比到大約35%的體積百分比，且甚至更優(yōu)選地為基質(zhì)部分12的大約7%的體積百分比到大約20%的體積百分比。在一些示例性實施例中，示例性SiC-基MI-CMC構(gòu)件10可經(jīng)受一個或多個暫時的負載或應力，使得裂紋20在至少基質(zhì)部分12中形成，如圖2中所示。裂紋20可包括任何斷裂、間斷、空隙、裂縫、不規(guī)則、分離等。例如，在制造、裝運或使用期間，可能將構(gòu)件10暫時地加載到高于基質(zhì)部分12的基質(zhì)致裂應力的水平(例如，Si-SiC基質(zhì)部分12中的基質(zhì)致裂應力)。在一些這種實施例中，SiC-基MI-CMC構(gòu)件10的基質(zhì)部分12中形成的基質(zhì)裂紋20可為基質(zhì)微裂紋20，使得它們在其最寬部分包括多達大約20微米，且更優(yōu)選地多達大約5微米的寬度。基質(zhì)裂紋20可起作用為降低復合物構(gòu)件10的剛度和抗氧化性，且可從而導致在使用期間的過早失效。例如，諸如圖2中示出的示例性SiC-基MI-CMC構(gòu)件10的示例性基質(zhì)微裂紋20的基質(zhì)裂紋20可有效地降低MI-CMC構(gòu)件10(與未開裂的構(gòu)件相比)的比例(彈性)極限(PL)、彈性模量(E)和極限強度中的至少一者?；|(zhì)裂紋20還可導致MI-CMC構(gòu)件10(與未開裂的構(gòu)件10相比)的基質(zhì)部分16的環(huán)境退化，或MI-CMC構(gòu)件的纖維或纖維覆層的環(huán)境退化，其繼而還起作用為降低構(gòu)件10的PL、E和極限強度中的至少一者。如圖3中所示，修復MI-CMC構(gòu)件的基質(zhì)裂紋(諸如圖2中示出的示例性SiC-基MI-CMC構(gòu)件10的基質(zhì)微裂紋20)的示例性方法100可包括獲得102帶有形成于至少一個過應力事件的基質(zhì)裂紋20的SiC-基MI-CMC構(gòu)件10。在一些實施例中，獲得帶有基質(zhì)裂紋20的SiC-基MI-CMC構(gòu)件10可包括從使用(例如，從燃氣渦輪)移除此構(gòu)件10。一旦獲得102帶有基質(zhì)裂紋20的SiC-基MI-CMC構(gòu)件10，修復基質(zhì)裂紋20的方法100可包括將構(gòu)件10加熱106到高于包含在基質(zhì)微結(jié)構(gòu)部分12內(nèi)的剩余“游離”硅相18的熔點的溫度，如圖3中所示。在一些實施例中，可將開裂構(gòu)件10加熱106到至少大約1380℃的溫度。在一些實施例中，可將開裂構(gòu)件10加熱106到至少大約1420℃的溫度。在一些實施例中，可將構(gòu)件10加熱106相對短的時間量以防止基質(zhì)部分12內(nèi)的熔化的Si與構(gòu)件10中的其他組分相互作用或以其他方式“侵襲”其(流動到基質(zhì)裂紋20中且大致填充其除外)。在一些這樣的實施例中，可在大約5分鐘到大約30分鐘的范圍內(nèi)且優(yōu)選地在大約10分鐘到大約20分鐘的范圍內(nèi)加熱106構(gòu)件10。在一些實施例中，如圖3中所示，修復MI-CMC構(gòu)件10的基質(zhì)裂紋20的示例性方法100可包括在加熱106構(gòu)件10時控制108構(gòu)件10附近的氣氛。在一些實施例中，在加熱106構(gòu)件10時控制108構(gòu)件10附近的氣氛包括在真空熔爐中加熱106構(gòu)件10。在一些這樣的示例性實施例中，真空熔爐可配置成在非氧化氣氛中加熱106構(gòu)件10(即，熔爐內(nèi)的剩余氣體在滲入的硅上不具有顯著地有害影響)。在一些實施例中，熔爐可配置成在惰性氣體氣氛中加熱106構(gòu)件10。在一些實施例中，熔爐可配置成在真空中加熱106構(gòu)件10，以大致移除截留或形成在構(gòu)件10內(nèi)的氣體。例如，在一些實施例中，熔爐可配置成在大約0.01托到大約2托的范圍內(nèi)且優(yōu)選地在大約0.1托到大約1托范圍內(nèi)的真空中加熱106構(gòu)件10。在一些實施例中，一些MI-CMC構(gòu)件10的基質(zhì)裂紋20可暴露于環(huán)境使得出現(xiàn)氧化。例如，在一些實施例中，環(huán)境狀態(tài)可引起氧化物薄膜(諸如硅土或SiO2)在基質(zhì)裂紋20的表面或面上形成(即，暴露于基質(zhì)裂紋20或通過基質(zhì)裂紋20形成的基質(zhì)部分12的表面)?；|(zhì)裂紋20的表面上的氧化物薄膜可起作用為限制且潛在地大致防止熔化的硅相到基質(zhì)裂紋20中的流動。為了考慮構(gòu)件10的基質(zhì)裂紋20的這種環(huán)境退化，在一些實施例中，修復MI-CMC構(gòu)件10的基質(zhì)裂紋20的示例...