專利名稱：在陶瓷成形體中愈合裂紋的方法以及用這種方法處理的成形體的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種在陶瓷材料中愈合裂紋的方法，特別適用于改善力學性能，并且在合適時也改進相應樣品坯體的磁學性能。
本發(fā)明基本適合于所有的陶瓷材料，但是準備用于具有相當高相對密度的陶瓷材料。用這種方法，可能改善力學性能，在適當?shù)臈l件下，也改善其上進行拋光的表面的表面質量。在超導材料的情況下，還有可能改善超導性以及磁學性能。用相同的方法，它還可以用于非超導磁性材料。在使用只有幾個磁疇的織構的多晶材料或超導材料時，獲得了特別的優(yōu)點。
在脆性無機材料的情況下，完全避免裂紋幾乎是不可能的，這里也包括微裂紋。特別是由于在熱處理之前、之中或之后部件內的熱應力，由于熱處理，由于結構應力，特別是在存在熱膨脹系數(shù)明顯不同的多個相時，由于相的重新組織或者由于沖擊或類似的機械作用，可以產生這些裂紋。
在某些部件中，這些裂紋在宏觀上是可以檢測到的。延伸更大距離的更深的裂紋通常更寬，所以，通常沒有視覺輔助設備或者沒有使用滲透劑的裂紋試驗是可以檢測到的。由于許多研究的結果，已知裂紋(包括微裂紋)使力學性能降低。在彎曲或拉伸試樣中根據(jù)長度、方向和尺寸研究裂紋的作用，并且有時確定其臨界作用已經是可能的。所以，裂紋的部分或全部愈合可以明顯改善成形體(包括部件)的力學性能。
通過記錄剩磁感應，尤其是二維的測量，在磁性成形體中檢測裂紋的另一種可能的方法是可能的。在這種情況下，常常由于裂紋產生磁疇的分離。如果有可能把已經被裂紋分開的結構部件或者晶粒碎片結合在一起，并且具有一致的或實際上一致的排列，來愈合所述區(qū)域，那么，各個相鄰亞疇可以聚結形成新疇。
所以，本發(fā)明的目的是一種可以至少部分閉合陶瓷成形體中的裂紋的方法。
通過在陶瓷成形體中愈合裂紋的方法實現(xiàn)該目的，其中，至少在裂紋區(qū)域向成形體表面涂敷在比成形體材料更低的溫度下熔化和/或在比成形體材料更低的溫度下可以流動的填充材料，和/或把所述填充材料引入到至少一個裂紋中，其中，把涂敷和/或引入填充材料的成形體加熱到成形體材料不熔化和/或還不能流動，但是填充材料至少部分熔融和可以流動的溫度，其中，填充材料由非金屬組成或者基本由非金屬化合物組成，并且至少部分結晶，并且，冷卻帶有填充材料的成形體。
如果所述填充材料基本由非金屬化合物組成，也可以包含最多25重量％的貴金屬，特別是銀、金、鉑和/或鈀。該含量優(yōu)選的是總體最多10重量％，特別是在高溫超導體材料中更是如此。
根據(jù)本發(fā)明的方法以這樣一種方式有利地實施，使得可流動的填充材料至少部分滲透進入裂紋和/或進入已經去掉成形體的區(qū)域(例如通過鋸切)。
成形體的材料優(yōu)選的是選自包含硅酸鹽陶瓷(如堇青石、塊滑石和硬質瓷)、氧化物陶瓷(如氧化鋁、氧化鎂和鈦酸鹽)、氮化物或碳化物陶瓷(如碳化硅和氮化硅)、陶瓷磁性材料(如六方鐵氧體)或陶瓷超導體，特別是陶瓷高溫超導體材料組成的組中。
成形體材料和/或填充材料優(yōu)選的是基本優(yōu)選自包括Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La、鑭系元素、Zr、Hf、Pt、Pd、Ag、Cu、Hg、Ag、Tl、Pb、Bi、S和O組成的組中，這些化學元素的一部分可以被沒有提到的其它元素所取代。相關的鑭系元素包括這一類的所有化學元素。
成形體材料和/或填充材料優(yōu)選的是選自以Bi-AE-Cu-O、(Bi,Pb)-AE-Cu-O、Y-AE-Cu-O、(Y,RE)-AE-Cu-O、RE-AE-Cu-O、Tl-AE-Cu-O、(Tl,Pb)-AE-Cu-O和Tl-(Y,AE)-Cu-O為基礎的材料組中，其中，這些化學元素的部分可以被沒有提到的其它元素所取代，AE代表至少一種堿土元素。
如果使用其中填充材料的一個主晶相的晶格的至少兩個晶格參數(shù)與成形體材料的主晶相之一足夠類似，特別是可以進行外延生長，根據(jù)本發(fā)明的方法是特別合適的。
所有的成形體形狀都是基本合適的。優(yōu)選的和目前常見的是基本為板狀、圓塊、塊體、實心圓柱、空心圓柱、環(huán)、管或螺旋管，這里，可以有偏轉角、毛邊、圓邊、外加的凹槽如鉆孔和開槽以及附加的突出部分，如延伸部分、尖端和類似的幾何變化。
一種優(yōu)選的成形體是半燒結的、燒結的或者熔融的陶瓷體，相對密度至少80％，特別優(yōu)選的是至少95％，雖然在特殊情況下，即使更不致密的成形體在根據(jù)本發(fā)明處理時也可以提供優(yōu)點。
填充材料可以含有次要比例的一種金屬或幾種金屬。但是，填充材料的(多種)主晶相是無機非金屬化合物。
合適的填充材料特別是粉末或粉末混合物，任選地可以與已知的添加劑(如水和/或其它溶劑、塑化劑等)以熟知的方式混合，并且可以引入在裂紋的表面上和/或引入裂紋中，或者引入到已經去掉的區(qū)域上。另一種特別合適的填充材料是一種壓制的、煅燒的、燒結的或熔化的成形體，放在所述成形體上或者固定在所述成形體上。粉末/粉末混合物與用這種方法涂敷的成形體的結合是特別優(yōu)選的。然而，在合適的條件下，也可以以涂料的方式涂敷填充材料，在這種情況下，所有已知的涂敷方法基本時合適的，雖然在選擇涂敷方法時，必須注意要求的層厚。
填充材料優(yōu)選的是熔點比成形體材料的熔點至少低5℃，特別優(yōu)選的是低至少10℃，更特別優(yōu)選的是低至少20℃。當燒成時對溫度的控制較不準確和/或窯爐的料批空間內溫度變化大時(特別是在保溫時)，熔點之間的差異必須相應更大。
填充材料優(yōu)選的是表現(xiàn)出軟化性能，其中，至少部分熔化且可以流動的填充材料在比成形體材料至少低10℃的溫度下具有這樣的粘度，特別優(yōu)選的至少低20℃，更特別優(yōu)選的是至少低30℃。在這種情況下，必須記住固體顆粒的支持網絡(可能相互連接)基本可以影響可流動的填充材料的粘度或成形體材料的粘度。對于所使用的窯爐和所選擇的料批，必須保證成形體材料在所選擇的處理溫度下保持足夠的尺寸穩(wěn)定性，而填充材料具有足夠低的粘度使其可以流動并滲透到至少寬的裂紋中和進入已經去掉的區(qū)域中，但是其流動性不是太大，不會使其在滲入后從裂紋中漏出來而使裂紋沒有填充。所以，在后一種情況下，通過改進化學組成或降低溫度來增大粘度是重要的，特別是如果裂紋或已經去除的區(qū)域具有相當大的寬度。
可以用各種方法調節(jié)熔化溫度和/或軟化性能的差異可以使用具有相應物理化學性能的外來或基本外來材料作為填充材料，例如補充1重量％或更多的SiO2和/或MgO的氧化鋁材料，例如它可以用作氮化硅材料制成的成形體的填充材料。在這種情況下，氮化硅材料可以但不必須包含Al2O3。在填充材料和成形體材料之間的某種化學親和性和/或反應活性在這種情況下是有利的。
-可以使用內在的或基本內在的材料，如補充1重量％或更多的SiO2和/或MgO的氧化鋁材料，例如，它可以用作沒有或只有少量SiO2和/或MgO的氧化鋁材料制成的成形體的填充材料。
填充材料可以具有比成形體材料更低的熔點或更低的粘度，因為填充材料的下列原因-與成形體材料中相同的添加劑的含量更高，在低共熔或轉熔條件下降低熔點或粘度，與成形體材料中相同的主晶相，-含有一定量在成形體材料中只含有的次要含量的添加劑，或者根本沒有的添加劑，添加劑在低共熔或轉熔條件下降低熔點或粘度，基于相同主晶相的含量，-與成形體材料材料中相同的添加劑含量更高，在低共熔或轉熔條件下將低熔點或粘度，但是存在與成形體材料中不同的其它主晶相，填充材料的主晶相與成形體材料中的至少一種添加劑是一致的或基本一致的事實，在低共熔或轉熔條件下降低熔點或粘度，-與成形體材料中的主晶相相比，填充材料的主晶相具有通過相關化學元素的部分取代或交換而改變的化學組成，在低共熔或轉熔條件下這種改變降低熔點或粘度的事實。
如果使用氧化鋁陶瓷或氮化硅陶瓷作為成形體材料，然后，填充氧化鋁基材料，可以補充一種或多種降低熔點的添加劑。
如果使用超導材料，填充材料可以富集降低熔點或粘度的元素、替代元素或添加劑。
對于YBCO基的填充材料，例如，有可能部分或者全部使用鐿和/或鑭系元素，代替釔，提供低熔點和/或更低粘度的化合物。在這種情況下，必須記住，對于123相，按照Nd、Sm、Y/Yb的順序，各個化合物RE1Ba2Cu3Ov和Y1Ba2Cu3Ov的熔點分別約1085℃、1060℃、1000℃和900℃。所以，在以NdBCO為基礎的成形體材料的情況下，對于內部或準內部的填充材料，有可能部分或全部用Sm、Y和/或Yb取代Nd。
對于BSCCO基的填充材料，例如，可以部分使用鉛或銻代替鉍，或者改變的Sr∶Ca比。BSCCO基的成形體材料，含量超過8重量％的高熔點堿土金屬硫酸鹽，如SrSO4，僅僅由于含有硫酸鹽顆粒而具有更高的粘度，使得可以使用不含堿土金屬硫酸鹽的BSCCO材料作為填充材料。
對于Tl超導體基的填充材料，有可能部分使用鉛或銻代替鉈，或者改變Ba∶Ca比。
填充材料在處理溫度下已經開始結晶出來，特別是如果涉及在填充材料中和/或與成形體的化學反應。在大多數(shù)情況下，填充材料的結晶化在略低的溫度下發(fā)生，優(yōu)選的是在緩慢冷卻過程中或者在相應選擇的溫度平臺下。至少部分結晶化是有利的，以便形成具有特別好的機械穩(wěn)定性或最大單晶區(qū)域的結構，這對成形體的其它性質有有利的作用，例如對磁性能。如果在成形體材料上發(fā)生外延生長，結晶化是特別有利的。為此，特別長的冷卻時間和/或特別慢的冷卻在許多情況下是有益的，以便進行成核和不受干擾的外延生長。如果結晶的填充材料的取向與相鄰的成形體材料匹配，用根據(jù)本發(fā)明的成形體獲得的性能將相當好。在這種情況下，如果結晶的填充材料盡可能深地擴展到裂紋內或者已經去掉的區(qū)域內是有利的。
在一個優(yōu)選的實施方案中，尤其是如果存在只有幾個晶粒和/或只有幾個磁疇的成形體，那么要去掉裂紋、晶界和/或污染的或結構破壞的區(qū)域，特別是通過鋸切去掉，在這種情況下，隨后根據(jù)本發(fā)明的方法的其余部分把已經去掉的區(qū)域按照裂紋處理。這在本質上使得有可能完全愈合有缺陷的成形體，或者生產比現(xiàn)有技術可能生產的具有更好性能的特別大成形體。
在許多情況下，如果裂紋僅在表面閉合就足夠了，尤其是在特別窄的裂紋的情況下。但是，有利的是，至少某些裂紋和已經去掉的區(qū)域還至少部分被深深填充，通過保持帶有填充材料的成形體在至少使可流動的填充材料可以至少部分滲透進入較寬的裂紋或進入已經去掉的區(qū)域的溫度，可以做到這一點。裂紋或已經去掉的區(qū)域的面越多，超導材料的磁性能的改進越大。所以，有利的是根據(jù)本發(fā)明處理從表面到成形體內部至少上部3毫米，優(yōu)選的是至少上部5毫米，特別優(yōu)選的是至少上部8毫米，并且裂紋和已經去掉的區(qū)域盡可能被填充到該深度。
在成形體材料和填充材料的許多組合中，合適的是把根據(jù)本發(fā)明的處理的最高溫度下的保溫時間限制在至少5分鐘到最多2小時，優(yōu)選的是至少10分鐘到最多1小時，以便使可流動的填充材料流動，但是防止成形體的軟化。
相反，在成形體與填充材料的其它組合中，如果各個主晶相的熔點和/或軟化溫度相隔非常遠，并且如果加熱和冷卻速度足以使接近最高溫度的填充材料流動，那么，在根據(jù)本發(fā)明的處理的最高溫度下的保溫時間實際上可以為0。
如果在根據(jù)本發(fā)明的處理的最高溫度下，可以安全地排除成形體的軟化，那么，也可以選擇相應更長的保溫時間。
如果選擇填充材料的熱結晶條件，使得填充材料在裂紋表面上、在已經去掉的區(qū)域表面上和/或成形體表面上外延生長，那么，根據(jù)本發(fā)明的方法特別好。特別是成形體有一個或幾個晶粒時確實如此，因為裂開的區(qū)域(裂紋、帶雜質的區(qū)域和/或結構損壞等)的愈合大大改善了成形體的性質，特別是如果獲得高的填充系數(shù)。
在超導體材料的情況下，通常需要在含氧氣體中再次熱處理帶有加熱的填充材料的成形體。以便改善超導性質。
對于其表面需要某種表面質量的成形體，例如，顆粒尺寸的平均表面粗糙度Ra，作為功能面，Abbot負載曲線的特定形狀，或者其幾何形狀需要與某些長度、角度和/或形狀配合，以及位置公差，如平面的或平行的，通常需要在冷卻后在帶有加熱的填充材料上進行機械表面加工，例如研磨、精研、拋光和/或磨光。在這種情況下，通過研磨時尖銳的邊緣成斜面或圓滑或者通過磨光使其倒角也是有利的。
為了改善磁性能，在硬磁鐵氧體的情況下或者在超導體的情況下，使用只有幾個磁疇的成形體是有利的。通過實施根據(jù)本發(fā)明的方法，可以減少這些磁疇的數(shù)量，可以改善磁性能，特別是懸浮力和最大剩磁感應。
這種成形體只有一個晶粒或幾個晶粒，或者只有一個磁疇或幾個磁疇，優(yōu)選的是用改進的熔體織構生長法、頂部籽晶熔體生長法或區(qū)域熔煉法生產。用這些方法之一生產的樣品成形體通常只有大約1或6個磁疇。如果這種樣品有裂紋和/或污染的或結構破壞的區(qū)域，這些缺陷可以通過根據(jù)本發(fā)明的方法愈合，也可以愈合裂開的磁疇。
對于根據(jù)本發(fā)明的方法，合適的高溫超導材料是那些其中成形體材料和/或填充材料所含的相選自由具有近似組成的Y1Ba2Cu3Ov、Y2Ba1Cu1Ow、Yb1Ba2Cu3Ov’、Yb2Ba1Cu1Ow’、Sm1Ba2Cu3Ov”、Sm2Ba1Cu1Ow”、Nd1Ba2Cu3Ov’”、Nd4Ba2Cu2Ow”’、Y2O3、CeO2、PtO2、Ag和AgO2的相組成的組中，這里，Y、Yb、Sm和/或Nd也可以部分用其它元素或Y取代，其它相關的化學元素也可以在Ag和/或AgO2中出現(xiàn)。
高溫超導成形體和/或填充材料可以含有選自由具有近似組成的Bi2(Sr,Ca)2Cu1Ox、(Bi,Pb)2(Sr,Ca)2Cu1Ox’、Bi2(Sr,Ca)3Cu2Ox”、(Bi,Pb)2(Sr,Ca)3Cu2Ox”’、Bi2(Sr,Ca)4Cu3Ox””、(Bi,Pb)2(Sr,Ca)4Cu3Ox””’的相組成的組中的相，這里，Bi、Pb、Sr和Ca也可以部分被單獨的其它化學元素取代。
高溫超導成形體和/或填充材料可以含有選自由具有近似組成的(Tl,Pb)2(Ba,Ca)2Cu1Oy、(Tl,Pb)2(Ca,Ba)4Cu3Oy’、(Tl,Pb)2(Ca,Ba)3Cu4Oy”、(Tl,Pb)1(Ca,Ba)3Cu2Oy”’、(Tl,Pb)1(Ca,Ba)4Cu3Oy””’的相組成的組中的相，這里，所列的化學元素的每一種可以部分被其它化學元素取代。
已知所有這些超導相的組成通常明顯偏離各個通式的化學計量比。熟悉該領域的技術人員一般知道這些相的組成和被其它化學元素的取代。
例如，根據(jù)本發(fā)明生產的成形體可以用于變壓器、斷路器、電源線、磁屏蔽、磁性軸承和/或作為各種用途的磁體。
把原始組成Yb1Ba2Cu3Ov的填充材料通過細磨轉變成非常細顆粒的粉末，并以細帶的方式在裂紋上分布在樣品體表面上。在這種情況下，填充材料以非常高的體積過量形式提供，這也可能具有一種優(yōu)點，即鐿由于擴散而進入YBCO晶格。用這種方法制備的樣品成形體與填充材料一起加熱到970℃，在該溫度下保溫12分鐘，然后冷卻，在每種情況下，在943、940和900℃保持10-50小時的保溫時間，并且在兩個溫度之間還緩慢降溫超過50小時，以便進行成核并且最大程度地外延結晶。然而，這些時間還可以大幅度減小。然后，把樣品冷卻到室溫。在最高溫度下的保溫時間較短，以便避免Y2Ba1Cu1Ow顆粒的任何明顯長大以及樣品成形體的軟化。
即使在裂紋的最下端，用這種方法愈合的樣品成形體也表示出適當且均勻填充的裂紋，并且在測量剩磁感應時，呈現(xiàn)均勻的磁性能圖形，所述試樣只有單個的磁疇而沒有任何擾動或性能降低。而對于樣品成形體之一，在橫向通過樣品的裂紋愈合之前的剩磁感應為625mT，所述愈合能使其增大到644mT。
權利要求
1．一種愈合陶瓷成形體中的裂紋的方法，其中，把比成形體材料更低的溫度下熔化和/或在比成形體材料更低的溫度下可以流動的填充材料至少在裂紋區(qū)域內涂敷到成形體表面上，和/或引入到至少一個裂紋內，其中，把具有涂敷和/或引入的填充材料的成形體加熱到成形體材料還不熔化和/或還不流動的溫度，但是，在該溫度下，填充材料至少處于部分熔化或流動狀態(tài)，其中，所述填充材料由非金屬化合物組成或者基本由非金屬化合物組成，并且至少部分結晶，其中，冷卻帶有填充材料的成形體。
2．根據(jù)權利要求1的方法，其中，所述成形體材料選自由硅酸鹽陶瓷、氧化物陶瓷、氮化物或碳化物陶瓷、陶瓷磁性材料或陶瓷超導材料組成的組中。
3．根據(jù)權利要求2的方法，其中，所述成形體的材料是陶瓷高溫超導材料。
4．根據(jù)權利要求3的方法，其中，所述成形體的材料和/或填充材料基本由選自由Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La、鑭系元素、Zr、Hf、Pt、Pd、Ag、Cu、Hg、Ag、Tl、Pb、Bi、S和O組成的組中的元素組成。
5．根據(jù)權利要求3或4的方法，其中，成形體材料和/或填充材料選自由Bi-AE-Cu-O、(Bi,Pb)-AE-Cu-O、Y-AE-Cu-O、(Y,RE)-AE-Cu-O、RE-AE-Cu-O、Tl-AE-Cu-O、(Tl,Pb)-AE-Cu-O和Tl-(Y,AE)-Cu-O為基礎的材料組成的組中，其中，AE代表至少一種堿土元素。
6．根據(jù)權利要求1-5的任一項的方法，其中，使用一種填充材料，其中，填充材料的主晶相之一的晶格的晶格參數(shù)中的至少兩個充分類似于成形體材料主晶相之一的晶格參數(shù)。
7．根據(jù)權利要求1-6中的任一項的方法，其中，所述成形體基本是板、圓片、塊、實心圓柱、空心圓柱、環(huán)、管或螺旋管的形式。
8．根據(jù)權利要求1-7的任一項的方法，其中，所述成形體是一種半燒結的、燒結的熔融陶瓷體，相對密度至少80％，優(yōu)選的是至少90％。
9．根據(jù)權利要求1-8的任一項的方法，其中，把一種粉末涂敷和/或引入作為填充材料，和/或施加一種壓制的、煅燒的、燒結的或熔化的成形體和/或涂層。
10．根據(jù)權利要求1-9的任一項的方法，其中，去掉裂紋、晶界和/或污染的或結構損壞的區(qū)域，特別是通過鋸切，并且隨后把去掉的區(qū)域當作裂紋處理。
11．根據(jù)權利要求1-10的任一項的方法，其中，所述帶有填充材料的成形體在該溫度下保溫，至少使熔化的填充材料可以至少部分滲透進入較寬的裂紋或進入已經去掉的區(qū)域。
12．根據(jù)權利要求1-11的任一項的方法，其中，選擇所述填充材料的熱結晶條件，使得填充材料在裂紋面上、已經去掉的區(qū)域表面上和/或成形體的表面上外延生長。
13．根據(jù)權利要求3-12的任一項的方法，其中，所述成形體在冷卻過程中和/或在隨后的熱處理過程中富集氧，并且在其中形成超導相。
14．根據(jù)權利要求3-13的任一項的方法，其中，在含氧氣體中把所述帶有加熱的填充材料的成形體重新熱處理，以便改善超導性。
15．根據(jù)權利要求1-14的任一項的方法，其中，在帶有加熱的填充材料的成形體上進行機械表面加工。
16．根據(jù)權利要求1-15的任一項的方法，其中，使用一種只有幾個磁疇的成形體。
17．根據(jù)權利要求1-16的任一項的方法，其中，使用一種成形體，所述成形體用改進的熔體織構生長法或頂部籽晶熔體生長法生產。
18．根據(jù)權利要求1-17的任一項的方法，其中，愈合裂開的磁疇。
19．根據(jù)權利要求1-18的任一項的方法，其中，成形體材料和/或填充材料含有選自由具有近似組成Y1Ba2Cu3Ov、Y2Ba1Cu1Ow、Yb1Ba2Cu3Ov’、Yb2Ba1Cu1Ow’、Sm1Ba2Cu3Ov”、Sm2Ba1Cu1Ow”、Nd1Ba2Cu3Ov”’、Nd4Ba2Cu2Ow”’、Y2O3、CeO2、PtO2、Ag和AgO2的相組成的組中的相，這里，Y、Yb、Sm和/或Nd也可以部分用其它鑭系元素或Y取代，其它相關的化學元素也可以在Ag和/或AgO2中出現(xiàn)。
20．根據(jù)權利要求1-18的任一項的方法，其中，成形體材料和/或填充材料可以含有選自由具有近似組成Bi2(Sr,Ca)2Cu1Ox、(Bi,Pb)2(Sr,Ca)2Cu1Ox’、Bi2(Sr,Ca)3Cu2Ox”、(Bi,Pb)2(Sr,Ca)3Cu2Ox”’、Bi2(Sr,Ca)4Cu3Ox””、(Bi,Pb)2(Sr,Ca)4Cu3Ox””’的相組成的組中的相，這里，Bi、Pb、Sr和Ca也可以部分被單獨的其它化學元素取代。
21．根據(jù)權利要求1-18的任一項的方法，其中，成形體材料和/或填充材料可以含有選自由具有近似組成(Tl,Pb)2(Ba,Ca)2Cu1Oy、(Tl,Pb)2(Ca,Ba)4Cu3Oy’、(Tl,Pb)2(Ca,Ba)3Cu4Oy”、(Tl,Pb)1(Ca,Ba)3Cu2Oy”’、(Tl,Pb)1(Ca,Ba)4Cu3Oy””的相組成的組中的相，這里，所列的化學元素的每一種可以部分被其它化學元素取代。
22．一種只有一個或最多8個晶粒的成形體，其中，至少一個裂紋和/或已經例如通過鋸切預先去掉的至少一個污染的或結構損壞的區(qū)域已經通過根據(jù)權利要求1-21的任一項的方法愈合。
23．一種只有一個或最多8個磁疇的磁性成形體，其中，至少一個裂紋和/或至少一個已經例如通過鋸切預先從成形體上去掉的污染的或結構損壞的區(qū)域已經通過根據(jù)權利要求1-21的任一項的方法愈合。
24．根據(jù)權利要求3-16的任一項的方法生產的成形體用于變壓器、斷路器、電源線、磁屏蔽、磁性軸承和/或作為磁體。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種愈合陶瓷成形體中的裂紋的方法。根據(jù)本發(fā)明的方法，把比成形體材料更低溫度下熔化和/或在比后者的材料更低溫度下可以流動的填充材料至少在裂紋區(qū)域內涂敷到成形體表面上，和/或填入到至少一個裂紋內。隨后，把具有涂敷和/或填入的填充材料的成形體加熱到成形體材料還不熔化和/或還不流動的溫度，但是，在該溫度下，填充材料至少處于部分熔化或流動狀態(tài)。此外，所述填充材料由非金屬化合物組成或者基本由非金屬化合物組成，并且至少部分結晶。然后冷卻帶有填充材料的成形體。
文檔編號C04B41/80GK1318041SQ99810914
公開日2001年10月17日 申請日期1999年9月10日 優(yōu)先權日1998年9月14日
發(fā)明者M·巴克爾, J·博克, H·福雷哈特, A·利恩德斯, H·沃爾特, M·烏爾里克 申請人:阿溫提斯研究技術兩合公司