一種降低石墨烯方阻的摻雜轉(zhuǎn)移方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種降低石墨烯方阻的摻雜轉(zhuǎn)移方法。本發(fā)明利用摻雜試劑對(duì)轉(zhuǎn)移膜上的石墨烯薄膜進(jìn)行摻雜，而后將摻雜后的石墨烯薄膜轉(zhuǎn)移至目標(biāo)襯底上，重復(fù)這一步驟，轉(zhuǎn)移至少兩層石墨烯薄膜。其中轉(zhuǎn)移膜上的石墨烯也可以不摻雜，或者使用不同的摻雜試劑，進(jìn)行不同的排列組合順序的多次轉(zhuǎn)移。通過(guò)此法可以方便快捷的得到大面積的低方阻石墨烯材料，所得材料具有良好的導(dǎo)電性和穩(wěn)定性，同時(shí)可以有效的減少甚至避免石墨烯經(jīng)摻雜轉(zhuǎn)移后方阻衰減的問(wèn)題。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種降低石墨烯方阻的摻雜轉(zhuǎn)移方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于透明導(dǎo)電薄膜材料領(lǐng)域，尤其涉及一種降低石墨烯方阻的摻雜轉(zhuǎn)移方法。
【背景技術(shù)】
[0002]石墨烯,英文名Graphene,是碳原子按照六角排列而成的二維晶格結(jié)構(gòu)。這種石墨晶體薄膜自2004年被曼徹斯特大學(xué)的科學(xué)家發(fā)現(xiàn)之后，就成為科學(xué)界和工業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。石墨烯的厚度只有0.335nm，不僅是已知材料中最薄的一種，還非常牢固堅(jiān)硬；作為單質(zhì)，它在室溫下傳遞電子的速度比已知所有的導(dǎo)體和半導(dǎo)體都快，本征遷移率可達(dá)到
2X IO5Cm2/ (V.S)，這種優(yōu)異的電學(xué)性質(zhì)使其在高頻電子器件中有著廣闊的應(yīng)用前景。為了實(shí)現(xiàn)其潛在應(yīng)用，首要的就是解決CVD法生長(zhǎng)的石墨烯在轉(zhuǎn)移過(guò)程中容易出現(xiàn)缺損，導(dǎo)致轉(zhuǎn)移后的石墨烯薄膜方阻偏高的問(wèn)題。
[0003]當(dāng)前解決轉(zhuǎn)移后石墨烯薄膜方阻偏高的方法主要包括:一、通過(guò)多次轉(zhuǎn)移的方法來(lái)填補(bǔ)一次轉(zhuǎn)移石墨烯帶來(lái)的缺損從而降低方阻，但是，轉(zhuǎn)移的石墨烯層數(shù)較少將難以達(dá)到器件對(duì)于低方阻的需求，轉(zhuǎn)移層數(shù)太多又會(huì)帶來(lái)成本問(wèn)題；二、通過(guò)對(duì)轉(zhuǎn)移后的石墨烯進(jìn)行化學(xué)摻雜降低方阻，這種方法雖然能有效地降低石墨烯的方阻，但是摻雜效果不穩(wěn)定，如高溫烘烤，或空氣中靜置時(shí)間過(guò)長(zhǎng)等影響下，摻雜劑可能會(huì)發(fā)生團(tuán)聚，分解，或與空氣中的物質(zhì)反應(yīng)而使方阻嚴(yán)重衰減；三、通過(guò)生長(zhǎng)可控多層石墨烯，減少轉(zhuǎn)移過(guò)程中可能造成的缺損，并得到較低方阻的石墨烯，但是如何完美的實(shí)現(xiàn)可控多層生長(zhǎng)石墨烯仍然是一個(gè)難題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為了解決CVD法生長(zhǎng)的石墨烯在轉(zhuǎn)移過(guò)程中容易出現(xiàn)缺損，導(dǎo)致轉(zhuǎn)移后的石墨烯薄膜方阻偏高的問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種降低石墨烯方阻的摻雜轉(zhuǎn)移方法。
[0005]本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
[0006]一種降低石墨烯方阻的摻雜轉(zhuǎn)移方法，包括以下步驟:
[0007](I)將轉(zhuǎn)移膜上的石墨烯薄膜進(jìn)行清洗后烘烤；
[0008](2)用摻雜試劑對(duì)烘烤之后的石墨烯薄膜進(jìn)行摻雜；
[0009](3)對(duì)摻雜之后的石墨烯薄膜進(jìn)行預(yù)處理；
[0010](4)將步驟(I)得到的未摻雜的或者步驟(3)得到的摻雜并預(yù)處理的石墨烯薄膜轉(zhuǎn)移至目標(biāo)襯底上，進(jìn)行烘烤之后去除轉(zhuǎn)移膜；
[0011](5)重復(fù)步驟(I)?步驟⑷至少一次。
[0012]其進(jìn)一步的技術(shù)方案為:所述步驟(I)中的刻蝕為濕法刻蝕，包括化學(xué)刻蝕和電化學(xué)刻蝕。
[0013]其進(jìn)一步的技術(shù)方案為:所述步驟(I)中的轉(zhuǎn)移膜包括基材和膠層兩部分，所述基材包括聚乙烯、聚苯二甲酸乙二醇酯、定向聚丙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、和熱釋放膠帶；所述膠層包括PU膠、硅膠或者亞克力膠。[0014]其進(jìn)一步的技術(shù)方案為:所述步驟(I)與步驟(4)中的烘烤溫度為30°C?150°C，烘烤時(shí)間為Imin?IOh。
[0015]其進(jìn)一步的技術(shù)方案為:所述步驟(2)中的摻雜試劑包括氯化銅、氯化鈣、氯化金、氯化鐵、氯化鈉、氯化鋅、氯化鋁、雙三氟甲烷磺酰亞胺極其衍生物、氯金酸、硝酸、氫氟酸、鹽酸、硝基甲烷、無(wú)水乙醇、水中的一種或者至少兩種的混合物。
[0016]其進(jìn)一步的技術(shù)方案為:所述步驟⑵中的摻雜試劑的濃度為lmmol/L?Imol/L0
[0017]其進(jìn)一步的技術(shù)方案為:所述步驟(2)中的摻雜方法包括旋涂、噴涂、噴霧、浸泡中的一種或者至少兩種的組合；摻雜時(shí)間為IOs?lOmin。
[0018]其進(jìn)一步的技術(shù)方案為:所述步驟(3)中的預(yù)處理的方法包括烘烤、吹干、晾干、除塵、光照中的一種或者至少兩種的組合。
[0019]其進(jìn)一步的技術(shù)方案為:所述步驟(4)中的目標(biāo)襯底包括柔性目標(biāo)襯底或者硬質(zhì)目標(biāo)襯底；所述的柔性目標(biāo)襯底包括聚苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚丙烯、聚氯乙烯和聚乙烯，所述的硬質(zhì)目標(biāo)襯底包括玻璃、亞克力板和硅片。
[0020]本發(fā)明的有益技術(shù)效果是:
[0021]本發(fā)明是采用先摻雜再轉(zhuǎn)移，摻雜轉(zhuǎn)移緊密結(jié)合的方法，使用不同的摻雜劑分別對(duì)刻蝕好的石墨烯薄膜進(jìn)行摻雜或者是不摻雜，同時(shí)結(jié)合不同的排列組合方式用多次轉(zhuǎn)移法來(lái)快速有效的降低石墨烯薄膜的方阻并減少甚至避免衰減。主要是采用了夾層結(jié)構(gòu)將摻雜物質(zhì)夾在襯底與石墨烯或者石墨烯與石墨烯之間，一是通過(guò)綜合每一層不同的摻雜效果而實(shí)現(xiàn)整體方阻的迅速下降，二是因?yàn)檗D(zhuǎn)移后摻雜物質(zhì)夾在內(nèi)部，外部有石墨烯層覆蓋，從而減少了摻雜物質(zhì)與外界的接觸，可以有效的減少甚至避免衰減。采用本方法只需轉(zhuǎn)移兩到三層，即可獲得方阻較低的石墨烯薄膜，可以根據(jù)實(shí)際需要轉(zhuǎn)移三層以上，獲得方阻更加低的樣品。本方法適用性強(qiáng)、成本低、快速有效，所得到的石墨烯表現(xiàn)出良好的完整性，導(dǎo)電性和穩(wěn)定性。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0022]圖1為本發(fā)明的流程圖。
[0023]圖2為本發(fā)明的具體步驟各階段的樣品剖視圖，其中，1:轉(zhuǎn)移膜，2:石墨烯薄膜，
3:摻雜層，4:目標(biāo)襯底。
【具體實(shí)施方式】
[0024]圖1為本發(fā)明的流程圖，轉(zhuǎn)移膜上I的石墨烯薄膜2經(jīng)過(guò)摻雜和預(yù)處理之后轉(zhuǎn)移到目標(biāo)襯底4上，其中摻雜和預(yù)處理步驟可以省略?？梢愿鶕?jù)需要重復(fù)多次摻雜轉(zhuǎn)移的過(guò)程。
[0025]圖2是本發(fā)明的具體步驟各階段的樣品剖視圖，圖2-1為處于轉(zhuǎn)移膜I上的石墨烯薄膜2的示意圖，在摻雜之前，要對(duì)其進(jìn)行烘烤，主要目的是去除石墨烯表面殘留的水分。所述轉(zhuǎn)移膜I的主體由基材和膠層組成，基材可以從各種常規(guī)薄膜中選取，基材之上覆蓋一層膠層，膠層的粘附性使得轉(zhuǎn)移膜可以很好的起到粘附石墨烯轉(zhuǎn)移的作用，所述膠層可以使用I3U膠、硅膠或者亞克力膠等。[0026]烘烤之后，如圖2-2所示，對(duì)石墨烯薄膜2進(jìn)行摻雜，得到摻雜層3。摻雜試劑可以有多種選擇，選擇的原則在于，摻雜試劑在摻入石墨烯后要能夠增加石墨烯中的載流子的濃度。所選擇的摻雜試劑的共性是它們都屬于路易斯酸，所述路易斯酸為美國(guó)物理化學(xué)家路易斯根據(jù)其酸堿理論所定義的:可接受一個(gè)電子對(duì)的物質(zhì)是酸。摻雜試劑的選擇不同，但都是電子接受體，都可以實(shí)現(xiàn)摻雜效果，即可以增加石墨烯中的載流子濃度，不同的摻雜試劑之間奪電子能力有差異，宏觀上就是摻雜效果有別。
[0027]摻雜之后需要進(jìn)行預(yù)處理步驟，目的是為了除去摻雜層3中的摻雜溶劑，同時(shí)不能影響摻雜溶質(zhì)的性質(zhì)，所以，需要根據(jù)具體溶質(zhì)與溶劑的性質(zhì)來(lái)選擇預(yù)處理的方式，比如對(duì)于大多數(shù)摻雜物質(zhì)可選擇烘烤的手段去除溶劑，但是對(duì)于有些摻雜物質(zhì)，烘烤雖然可以去除溶劑，但溶質(zhì)會(huì)變質(zhì)，導(dǎo)致?lián)诫s效果有所衰減，這種情況下就選擇晾干，吹干等手段作為預(yù)處理過(guò)程。
[0028]經(jīng)過(guò)預(yù)處理步驟之后，如圖2-3所示，將摻雜后的薄膜覆蓋到目標(biāo)襯底4上面，施加一定的溫度，促使石墨烯薄膜2和摻雜層3從轉(zhuǎn)移膜I向目標(biāo)襯底4的轉(zhuǎn)移，轉(zhuǎn)移之后去掉轉(zhuǎn)移膜1，就完成了一次薄膜的轉(zhuǎn)移。之后重復(fù)圖2-1到圖2-3的轉(zhuǎn)移過(guò)程，圖2-4是轉(zhuǎn)移了兩次石墨烯薄膜的示意圖，圖2-5是轉(zhuǎn)移了三次石墨烯薄膜的示意圖，以此類(lèi)推，還可以轉(zhuǎn)移多次石墨烯薄膜。在整個(gè)石墨烯薄膜的轉(zhuǎn)移過(guò)程中，圖2-2所示的摻雜和預(yù)處理過(guò)程可以省略，只使用未摻雜的石墨烯薄膜進(jìn)行轉(zhuǎn)移。
[0029]在圖2-4中，若將兩種不同摻雜試劑摻雜的石墨烯薄膜分別記為A、B，不摻雜的石墨烯薄膜記為N，那么目標(biāo)襯底上的兩層石墨烯薄膜的組合方式為A-B、B-A、A-N、N-A、B-N、N-B或N-N ;在圖2-5中，目標(biāo)襯底上的三層石墨烯薄膜的組合方式為A-A-A、B-B-B、N-N-N、A-A-B, A-B-A, B-A-A, A-B-B, B-A-B, B-B-A, A-A-N、A-N-A, N-A-A, A-N-N、N-A-N、N-N-A,B-B-N、B-N-B, N-B-B, B-N-N、N-B-N、N-N-B, A_B_N、A-N-B, N-B-A, N-A-B, B-N-A 或 B_A_N ；若轉(zhuǎn)移三層以上的石墨烯薄膜，目標(biāo)襯底上的多層石墨烯薄膜的組合方式以此類(lèi)推。
[0030]以下提供四個(gè)實(shí)施例:
[0031]實(shí)施例1
[0032]1、將用鹽酸刻蝕的轉(zhuǎn)移膜/石墨烯放入去離子水中洗去石墨烯表面吸附的雜質(zhì)。取出后吹干，80°C烘烤15min，得到轉(zhuǎn)移膜/石墨烯；
[0033]2、用氯化鐵和硝基甲烷配制的lmol/L摻雜試劑(記為Fe)對(duì)轉(zhuǎn)移膜/石墨烯摻雜，摻雜方式為噴霧2min，然后50°C烘烤3min，除塵得轉(zhuǎn)移膜/石墨烯/Fe ;用氯化鈣和無(wú)水乙醇配制的lmmol/L摻雜試劑(記為Ca)對(duì)轉(zhuǎn)移膜/石墨烯摻雜,摻雜方式為噴霧IOmin,然后晾干并除塵得轉(zhuǎn)移膜/石墨烯/Ca ；
[0034]3、轉(zhuǎn)移膜/石墨烯/Fe至玻璃上，得玻璃/Fe/石墨烯/轉(zhuǎn)移膜，80°C烘烤15min，取出揭掉轉(zhuǎn)移膜，得玻璃/Fe/石墨烯；
[0035]4、轉(zhuǎn)移膜/石墨烯/Ca至步驟3中的玻璃/Fe/石墨烯上，90°C烘烤20min，取出揭
掉轉(zhuǎn)移膜，得玻璃/Fe/石墨烯/Ca/石墨烯；
[0036]采用Fe-Ca組合所得樣品的方阻為100 Ω/ □，透過(guò)率87.0% (400?800nm)，空氣中靜置100h，方阻為101 Ω/ □，基本無(wú)衰減。
[0037]實(shí)施例2
[0038]1、將用鹽酸刻蝕的轉(zhuǎn)移膜/石墨烯放入去離子水中洗去石墨烯表面吸附的雜質(zhì)。取出后吹干，150°C烘烤lmin，得到轉(zhuǎn)移膜/石墨烯；
[0039]2、用雙三氟甲烷磺酰亞胺(TFSA)和硝基甲烷配制的500mmol/L摻雜試劑(記為T(mén)FSA)對(duì)轉(zhuǎn)移膜/石墨烯摻雜，摻雜方式為噴霧2min，然后50°C烘烤3min，除塵得轉(zhuǎn)移膜/石墨烯/TFSA ；
[0040]3、轉(zhuǎn)移膜/石墨烯/TFSA (記為T(mén)FSA)轉(zhuǎn)移至亞克力板上，得亞克力板/TFSA/石墨烯/轉(zhuǎn)移膜，90°C烘烤20min，取出揭掉轉(zhuǎn)移膜，得亞克力板/TFSA/石墨烯；
[0041 ] 4、轉(zhuǎn)移膜/石墨烯/TFSA至步驟3中的亞克力板/TFSA/石墨烯上，90 °C烘烤20min，取出揭掉轉(zhuǎn)移膜，得亞克力板/TFSA/石墨烯/TFSA/石墨烯；
[0042]采用TFSA-TFSA組合所得樣品的方阻為150 Ω / □，透過(guò)率88.0% (400?800nm)，空氣中靜置100h，方阻為152 Ω/ □，基本無(wú)衰減。
[0043]實(shí)施例3
[0044]1、將用鹽酸刻蝕的轉(zhuǎn)移膜/石墨烯放入去離子水中洗去石墨烯表面吸附的雜質(zhì)。取出后吹干，30°C烘烤10h，得到轉(zhuǎn)移膜/石墨烯；
[0045]2、用氯化鐵和硝基甲烷配制的lOOmmol/L摻雜試劑(記為Fe)對(duì)轉(zhuǎn)移膜/石墨烯摻雜，摻雜方式為旋涂30s，然后50°C烘烤3min，除塵得轉(zhuǎn)移膜/石墨烯/Fe ;用鹽酸和水配制的lOOmmol/L摻雜試劑(記為HCl)對(duì)轉(zhuǎn)移膜/石墨烯摻雜，摻雜方式為旋涂30s，然后晾干并除塵得轉(zhuǎn)移膜/石墨烯/Ca ；
[0046]3、轉(zhuǎn)移膜/石墨烯/Fe至聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯上(記為PET)，得PET/Fe/石墨烯/轉(zhuǎn)移膜，90°C烘烤20min，取出揭掉轉(zhuǎn)移膜，得PET/Fe/石墨烯；
[0047]4、轉(zhuǎn)移膜/石墨烯/HCl至步驟3中的PET/Fe/石墨烯上，90°C烘烤20min，取出揭掉轉(zhuǎn)移膜，得PET/Fe/石墨烯/HCl/石墨烯；
[0048]5、轉(zhuǎn)移膜/石墨烯/Fe至步驟4中的PET/Fe/石墨烯/HCl/石墨烯上，90°C烘烤20min，取出揭掉轉(zhuǎn)移膜，得PET/Fe/石墨烯/HCl/石墨烯/Fe/石墨烯；
[0049]采用Fe-HCl-Fe組合所得樣品的方阻為50 Ω / 口，透過(guò)率84.5% (400?800nm)，空氣中靜置100h，方阻為52 Ω/ □，基本無(wú)衰減。
[0050]實(shí)施例4
[0051]1、將用鹽酸刻蝕的轉(zhuǎn)移膜/石墨烯放入去離子水中洗去石墨烯表面吸附的雜質(zhì)。取出后吹干，30°C烘烤10h，得到轉(zhuǎn)移膜/石墨烯；
[0052]2、用氯化鐵和硝基甲烷配制的40mmol/L摻雜試劑(記為Fe)對(duì)轉(zhuǎn)移膜/石墨烯摻雜，摻雜方式為旋涂10s，然后50°C烘烤3min，除塵得轉(zhuǎn)移膜/石墨烯/Fe ;用硝酸和水配制的40mmol/L摻雜試劑(記為HN03)對(duì)轉(zhuǎn)移膜/石墨烯摻雜，摻雜方式為旋涂10s，然后晾干并除塵得轉(zhuǎn)移膜/石墨烯/HN03 ；
[0053]3、轉(zhuǎn)移膜/石墨烯/Fe至聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯上(記為PET)，得PET/Fe/石墨烯/轉(zhuǎn)移膜，90°C烘烤20min，取出揭掉轉(zhuǎn)移膜，得PET/Fe/石墨烯；
[0054]4、轉(zhuǎn)移膜/石墨烯/HN03至步驟3中的PET/Fe/石墨烯上，90°C烘烤20min，取出揭掉轉(zhuǎn)移膜，得PET/Fe/石墨烯/HN03/石墨烯；
[0055]5、轉(zhuǎn)移膜/石墨烯/Fe至步驟4中的PET/Fe/石墨烯/HN03/石墨烯上，90°C烘烤20min，取出揭掉轉(zhuǎn)移膜，得PET/Fe/石墨烯/HN03/石墨烯/Fe/石墨烯；
[0056]6、取未摻雜的轉(zhuǎn)移膜/石墨烯(記為None)轉(zhuǎn)移至步驟5中的PET/Fe/石墨烯/HN03/石墨烯/Fe/石墨烯上，90°C烘烤20min，取出揭掉轉(zhuǎn)移膜，得PET/Fe/石墨烯/HN03/石墨烯/Fe/石墨烯/None/石墨烯/ ；
[0057]采用Fe-HN03-Fe_None組合所得樣品的方阻為35 Ω / □，透過(guò)率81 % (400?800nm)，空氣中靜置100h，方阻為35 Ω / □，基本無(wú)衰減。
[0058]上述四個(gè)實(shí)施例中，為使敘述簡(jiǎn)單明了，將多次轉(zhuǎn)移過(guò)程中，使用不同試劑摻雜并進(jìn)行摻雜后預(yù)處理的步驟合并撰寫(xiě)，在實(shí)際的操作過(guò)程中，根據(jù)圖1中所示流程，每轉(zhuǎn)移一層需要摻雜的石墨烯，都需要進(jìn)行將轉(zhuǎn)移膜上的石墨烯清洗并烘烤，摻雜并預(yù)處理，轉(zhuǎn)移并烘烤揭去轉(zhuǎn)移膜的步驟。
[0059]可以從以上四個(gè)實(shí)施例中看出通過(guò)摻雜或者未摻雜的多層石墨烯的轉(zhuǎn)移，可以保證樣品的方阻長(zhǎng)時(shí)間靜置而不衰減。
[0060]以上所述的僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，本發(fā)明不限于以上實(shí)施例?？梢岳斫?，本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和構(gòu)思的前提下直接導(dǎo)出或聯(lián)想到的其他改進(jìn)和變化，均應(yīng)認(rèn)為包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種降低石墨烯方阻的摻雜轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，包括以下步驟: (1)將轉(zhuǎn)移膜上的石墨烯薄膜進(jìn)行清洗后烘烤； (2)用摻雜試劑對(duì)烘烤之后的石墨烯薄膜進(jìn)行摻雜； (3)對(duì)摻雜之后的石墨烯薄膜進(jìn)行預(yù)處理； (4)將步驟(1)得到的未摻雜的或者步驟(3)得到的摻雜并預(yù)處理的石墨烯薄膜轉(zhuǎn)移至目標(biāo)襯底上，進(jìn)行烘烤之后去除轉(zhuǎn)移膜； (5)重復(fù)步驟(1)~步驟(4)至少一次。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低石墨烯方阻的摻雜轉(zhuǎn)移方法，其特征在于:所述步驟(1)中的刻蝕為濕法刻蝕，包括化學(xué)刻蝕和電化學(xué)刻蝕。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低石墨烯方阻的摻雜轉(zhuǎn)移方法，其特征在于:所述步驟(1)中的轉(zhuǎn)移膜的主要結(jié)構(gòu)包括基材和膠層兩部分，所述基材包括聚乙烯、聚苯二甲酸乙二醇酯、定向聚丙烯、聚丙烯、聚氯乙烯和熱釋放膠帶；所述膠層包括PU膠、硅膠或者亞克力膠。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低石墨烯方阻的摻雜轉(zhuǎn)移方法，其特征在于:所述步驟(1)與步驟(4)中的烘烤溫度為30°C~150°C，烘烤時(shí)間為Imin~10h。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低石墨烯方阻的摻雜轉(zhuǎn)移方法，其特征在于:所述步驟(2)中的摻雜試劑包括氯化銅、氯化鈣、氯化金、氯化鐵、氯化鈉、氯化鋅、氯化鋁、雙三氟甲烷磺酰亞胺極其衍生物、氯金 酸、硝酸、氫氟酸、鹽酸、硝基甲烷、無(wú)水乙醇、水中的一種或者至少兩種的混合物。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低石墨烯方阻的摻雜轉(zhuǎn)移方法，其特征在于:所述步驟(2)中的摻雜試劑的濃度為lmmol/L~lmol/L。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低石墨烯方阻的摻雜轉(zhuǎn)移方法，其特征在于:所述步驟(2)中的摻雜方法包括旋涂、噴涂、噴霧、浸泡中的一種或者至少兩種的組合；摻雜時(shí)間為IOs ~IOmin0
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低石墨烯方阻的摻雜轉(zhuǎn)移方法，其特征在于:所述步驟(3)中的預(yù)處理的方法包括烘烤、吹干、晾干、除塵、光照中的一種或者至少兩種的組合。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低石墨烯方阻的摻雜轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述步驟(4)中的目標(biāo)襯底包括柔性目標(biāo)襯底或者硬質(zhì)目標(biāo)襯底；所述的柔性目標(biāo)襯底包括聚苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚丙烯、聚氯乙烯和聚乙烯，所述的硬質(zhì)目標(biāo)襯底包括玻璃、亞克力板和硅片。
【文檔編號(hào)】C01B31/04GK104021881SQ201410243559
【公開(kāi)日】2014年9月3日 申請(qǐng)日期:2014年6月3日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月3日
【發(fā)明者】楊軍, 邱玉銳, 王煒, 李慧峰 申請(qǐng)人:無(wú)錫格菲電子薄膜科技有限公司