技術(shù)特征：
1.一種用于白光LED的Tb3+/Sm3+摻雜LiLuF4單晶體，其特征在于該Tb3+/Sm3+摻雜氟化镥鋰單晶體的化學(xué)式為LiLu(1-x-y)TbxSmyF4，其中x與y分別為Tb與Sm置換Lu的摩爾比，0.015＜x+y＜0.050，x∶y＝1∶1.6～1∶2.1。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于白光LED的Tb3+/Sm3+摻雜LiLuF4單晶體，其特征在于采用的紫外激發(fā)源必須滿足現(xiàn)有的紫外LED芯片的波長的激發(fā)范圍，即在360～400nm波長范圍激發(fā)。3.權(quán)利要求1所述的一種用于白光LED的Tb3+/Sm3+摻雜氟化镥鋰單晶體的制備方法，其特征在于步驟如下：1)、將LiF、LuF3、TbF3、SmF3原料按摩爾百分比51.5∶39.0～46.0∶0.6～2.1∶1.7～8.0混合，置于碾磨器中，碾磨混合5～6h，得到均勻粉末的混合料；2)、將上述混合料置于舟形鉑金坩鍋中，再安裝于管式電阻爐的鉑金管道中，然后先用N2氣排除鉑金管道中的空氣，再在溫度760～815℃，通HF氣下，反應(yīng)處理1～5小時(shí)，反應(yīng)處理結(jié)束，關(guān)閉HF氣體與管式電阻爐，用N2氣清洗管道中殘留的HF氣體，得到多晶粉料；3)、將上述多晶粉料置于碾磨器磨成粉末，然后置于Pt坩堝中并壓實(shí)，密封Pt坩堝；4)、將密封的Pt坩堝置于硅鉬棒爐中，用坩堝下降法生長晶體，生長晶體的參數(shù)為：爐體溫度為920～980℃，接種溫度為830～850℃，固液界面的溫度梯度為20～80℃/cm，驅(qū)動(dòng)機(jī)械裝置開始下降坩鍋進(jìn)行晶體生長，晶體生長速度為0.2～1.5mm/h，晶體生長結(jié)束后，以20～80℃/h下降爐溫至室溫，得到Tb3+/Sm3+摻雜LiLuF4單晶體。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于步驟1)中所述的LiF、LuF3、TbF3和SmF3的純度均大于99.99％。