多晶硅還原爐可調(diào)多路進(jìn)氣結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實用新型多晶硅還原爐可調(diào)多路進(jìn)氣結(jié)構(gòu)，主要由進(jìn)氣支管、進(jìn)氣環(huán)管、進(jìn)氣總管、流量調(diào)節(jié)閥和測溫儀組成。原料氣分別從進(jìn)氣總管進(jìn)入到進(jìn)氣環(huán)管，再通過進(jìn)氣支管進(jìn)入到爐體內(nèi)部。進(jìn)氣總管中設(shè)置的測溫儀可測量進(jìn)氣溫度，反饋到系統(tǒng)控制中心，控制中心可根據(jù)監(jiān)測到的值按照工藝條件精確調(diào)節(jié)各進(jìn)氣總管中的進(jìn)氣溫度，保持爐內(nèi)溫度場的穩(wěn)定。進(jìn)氣總管中設(shè)置的流量調(diào)節(jié)閥可測量進(jìn)氣量，并通過遠(yuǎn)程控制,設(shè)置流量調(diào)節(jié)閥的開度以調(diào)整流量，實現(xiàn)對爐內(nèi)氣體量的控制,保持合理供料。本實用新型主要通過還原爐底盤進(jìn)氣口設(shè)置多路進(jìn)氣結(jié)構(gòu)來調(diào)節(jié)爐體不同部位的進(jìn)氣溫度和進(jìn)氣量，從而達(dá)到整個工作過程中爐內(nèi)溫度場和氣場均勻分布的效果。
【專利說明】多晶硅還原爐可調(diào)多路進(jìn)氣結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】:
[0001]本實用新型涉及多晶硅生產(chǎn)【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是一種控制還原爐爐內(nèi)氣體溫度和流量的
[0002]可調(diào)多路進(jìn)氣結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】:
[0003]目前，國內(nèi)大部分的多晶硅生產(chǎn)廠商使用的是西門子改良法工藝技術(shù)，其中核心設(shè)備是已比較成熟的CVD還原爐。還原爐的工作原理是通過通電高溫硅芯將三氯氫硅與氫氣的混和氣體反應(yīng)生成多晶娃并沉積在娃芯上。由于整個氣相沉積反應(yīng)需要一個相對穩(wěn)定的溫度場和相對充足的反應(yīng)物料，因此保持爐內(nèi)溫度場的穩(wěn)定和控制爐內(nèi)氣體的合理供料是很關(guān)鍵的。所以為了解決上述問題，需要一種新型多晶硅還原爐可調(diào)多路進(jìn)氣結(jié)構(gòu)。
實用新型內(nèi)容:
[0004]本實用新型提供一種多晶硅還原爐可調(diào)多路進(jìn)氣結(jié)構(gòu)，用于保持爐內(nèi)穩(wěn)定的溫度場和控制爐內(nèi)氣體的合理供料。
[0005]為了解決上述問題，本實用新型采用的技術(shù)方案是:多晶硅還原爐可調(diào)多路進(jìn)氣結(jié)構(gòu)包括進(jìn)氣環(huán)管(2)，進(jìn)氣總管(3)，所述進(jìn)氣總管(3)與進(jìn)氣環(huán)管(2)連接，所述進(jìn)氣環(huán)管(2)與進(jìn)氣支管(I)連接，所述進(jìn)氣總管(3)上設(shè)置流量調(diào)節(jié)閥(4)。所述進(jìn)氣結(jié)構(gòu)包含有2個或2個以上的進(jìn)氣環(huán)管(2);所述進(jìn)氣環(huán)管(2)呈圈狀分布在底盤下方，所述進(jìn)氣環(huán)管(2)之間互不連通。進(jìn)氣環(huán)管上分別分布有數(shù)個進(jìn)氣支管，進(jìn)氣支管與進(jìn)氣環(huán)管焊接連接，進(jìn)氣支管與還原爐進(jìn)氣口連接。每個進(jìn)氣環(huán)管分別與進(jìn)氣總管連接，進(jìn)氣環(huán)管對稱均勻分布，進(jìn)氣總管上設(shè)置有流量調(diào)節(jié)閥和測溫儀。
[0006]原料氣分別從進(jìn)氣總管進(jìn)入到進(jìn)氣環(huán)管，再通過進(jìn)氣支管進(jìn)入到爐體內(nèi)部。由于爐體中心的硅棒受到四周硅棒的熱輻射，溫度較高，而爐體外圍硅棒受到鐘罩的冷卻，溫度相對較低，所以反應(yīng)過程中各圈位置的溫度不同，另外爐內(nèi)硅棒數(shù)量分布內(nèi)密外疏，反應(yīng)中不同位置所需要的氣體量不同。為了保持爐內(nèi)溫度場的穩(wěn)定和控制爐內(nèi)氣體的合理供料，可以通過對各路進(jìn)氣環(huán)管單獨(dú)控制，設(shè)置不同的進(jìn)氣溫度和進(jìn)氣量來解決。進(jìn)氣總管中設(shè)置的測溫儀可測量進(jìn)氣溫度，并反饋到系統(tǒng)控制中心，控制中心根據(jù)監(jiān)測到的值按照工藝條件精確調(diào)節(jié)各進(jìn)氣總管中的進(jìn)氣溫度，保持爐內(nèi)溫度場的穩(wěn)定；進(jìn)氣總管中設(shè)置的流量調(diào)節(jié)閥可測量進(jìn)氣量，并通過遠(yuǎn)程控制，設(shè)置流量調(diào)節(jié)閥開度以調(diào)整流量，實現(xiàn)對爐內(nèi)氣體量的控制，保持合理供料。
[0007]該新型結(jié)構(gòu)的使用，大大保證了爐內(nèi)溫度場和氣場的均勻性，氣相沉積的穩(wěn)定性，同時滿足可直接在現(xiàn)有還原爐上進(jìn)行改造的要求，符合大部分還原爐廠家的期望。
【專利附圖】

【附圖說明】:
[0008]附圖1是本實用新型的多晶硅還原爐可調(diào)多路進(jìn)氣結(jié)構(gòu)示意圖。[0009]附圖2是本實用新型的多晶硅還原爐進(jìn)氣環(huán)管結(jié)構(gòu)示意圖。
[0010]圖中I是進(jìn)氣支管，2是進(jìn)氣環(huán)管，3是進(jìn)氣總管，4是流量調(diào)節(jié)閥，5是測溫儀。
【具體實施方式】:
[0011]下面結(jié)合附圖對本實用新型的具體工作原理作進(jìn)一步描述。
[0012]如圖所示，本實用新型主要由進(jìn)氣支管1，進(jìn)氣環(huán)管2，進(jìn)氣總管3，流量調(diào)節(jié)閥4，測溫儀5組成。進(jìn)氣環(huán)管2呈圈狀分布，進(jìn)氣環(huán)管2的數(shù)量為2個或2個以上，且互不連通。進(jìn)氣環(huán)管2上分別分布有數(shù)個進(jìn)氣支管1，進(jìn)氣支管I與進(jìn)氣環(huán)管2焊接連接，進(jìn)氣支管I與還原爐進(jìn)氣口連接。每個進(jìn)氣環(huán)管2分別與進(jìn)氣總管3連接，進(jìn)氣總管3上設(shè)置有流量調(diào)節(jié)閥4和測溫儀5。
[0013]原料氣分別從進(jìn)氣總管3進(jìn)入到進(jìn)氣環(huán)管2，再通過進(jìn)氣支管I進(jìn)入到爐體內(nèi)部。進(jìn)氣總管3中設(shè)置的測溫儀5可測量進(jìn)氣溫度，反饋到系統(tǒng)控制中心，控制中心可根據(jù)監(jiān)測到的值按照工藝條件精確調(diào)節(jié)各進(jìn)氣總管3中的進(jìn)氣溫度，保持爐內(nèi)溫度場的穩(wěn)定。進(jìn)氣總管3中設(shè)置的流量調(diào)節(jié)閥4可測量進(jìn)氣量，并通過遠(yuǎn)程控制，設(shè)置流量調(diào)節(jié)閥4的開度以調(diào)整流量，實現(xiàn)對爐內(nèi)氣體量的控制，保持合理供料。
【權(quán)利要求】
1.多晶硅還原爐可調(diào)多路進(jìn)氣結(jié)構(gòu)，包括進(jìn)氣環(huán)管(2)，進(jìn)氣總管(3)，所述進(jìn)氣總管(3)與進(jìn)氣環(huán)管(2)連接，所述進(jìn)氣環(huán)管(2)與進(jìn)氣支管(I)連接，其特征在于，所述進(jìn)氣總管(3)上設(shè)置流量調(diào)節(jié)閥(4)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐可調(diào)多路進(jìn)氣結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述進(jìn)氣結(jié)構(gòu)包含有2個或2個以上的進(jìn)氣環(huán)管(2)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多晶硅還原爐可調(diào)多路進(jìn)氣結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述進(jìn)氣環(huán)管(2)呈圈狀分布在底盤下方，所述進(jìn)氣環(huán)管(2)之間互不連通。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐可調(diào)多路進(jìn)氣結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述進(jìn)氣環(huán)管(2 )上分別分布有數(shù)個進(jìn)氣支管(I)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐可調(diào)多路進(jìn)氣結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述進(jìn)氣支管(I)與所述進(jìn)氣環(huán)管(2 )焊接連接，并且所述進(jìn)氣支管(I)與還原爐進(jìn)氣口連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐可調(diào)多路進(jìn)氣結(jié)構(gòu)，其特征在于:每個所述進(jìn)氣環(huán)管(2 )分別與所述進(jìn)氣總管(3 )連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐可調(diào)多路進(jìn)氣結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述進(jìn)氣環(huán)管(2)對稱均勻分布。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐可調(diào)多路進(jìn)氣結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述進(jìn)氣總管(3)上設(shè)置有測溫儀(5)。
【文檔編號】C01B33/035GK203461826SQ201320509742
【公開日】2014年3月5日 申請日期:2013年8月20日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月20日
【發(fā)明者】程佳彪, 茅陸榮, 沈剛, 吳海龍 申請人:上海森松新能源設(shè)備有限公司