專利名稱：多晶硅制造裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及多晶硅制造裝置。
背景技術(shù)：
一般而言，高純度多晶硅被廣泛用作具有可在半導(dǎo)體元件或太陽能電池中使用的半導(dǎo)體性質(zhì)的材料或要求高純度的化學(xué)原料，或者工業(yè)用材料，也作為精密功能元件或小型高集成精密系統(tǒng)用配件或材料使用。為了制造這種多晶硅，利用的是硅析出方法，通過對含有精制成極高純度的硅的反應(yīng)氣體進行熱分解及/或氫還原反應(yīng)，使娃元素在娃表面持續(xù)析出。 如上所述，為實現(xiàn)用于多種用途的多晶硅的商業(yè)性大量生產(chǎn)，使用了立式反應(yīng)器或流化床反應(yīng)器。但立式反應(yīng)器在因硅析出而增加的棒的直徑方面存在局限，具有無法連續(xù)生產(chǎn)產(chǎn)品的根本性局限，因此，在相同的反應(yīng)條件下，高反應(yīng)收率的流化床反應(yīng)器被廣泛使用。然而，上述流化床反應(yīng)器也一樣，如果反應(yīng)管內(nèi)的反應(yīng)區(qū)域的溫度不能保持恒定，則難以連續(xù)在籽晶表面進行穩(wěn)定的硅析出反應(yīng)，存在發(fā)生內(nèi)部裝置的破損或生產(chǎn)產(chǎn)品的損壞問題。因此，實際情況是需要一種可提高生產(chǎn)率、穩(wěn)定地連續(xù)制造多晶硅顆粒的方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種能連續(xù)、穩(wěn)定地制造多晶硅的流化床反應(yīng)器。而且，本發(fā)明的目的還在于提供一種能提高生產(chǎn)率、降低制造成本的流化床反應(yīng)器。本發(fā)明的技術(shù)解決方案在于本發(fā)明提供了一種多晶硅制造裝置，包含反應(yīng)管，在其內(nèi)部發(fā)生硅析出反應(yīng)；流動氣體供應(yīng)部，向上述反應(yīng)管內(nèi)的娃顆粒供應(yīng)流動氣體；以及在上述反應(yīng)管內(nèi)部發(fā)生娃析出反應(yīng)時使反應(yīng)溫度保持恒定的機構(gòu)。上述機構(gòu)可包栝加熱器，用于向上述反應(yīng)管內(nèi)部供熱，引發(fā)上述硅顆粒的硅析出反應(yīng)；電源供應(yīng)部，向上述加熱器供電；以及控制部，控制上述電源供應(yīng)部，以便在上述反應(yīng)管內(nèi)部發(fā)生硅析出反應(yīng)時，使上述反應(yīng)管內(nèi)部的溫度保持恒定。上述控制部在上述反應(yīng)管內(nèi)的內(nèi)部溫度發(fā)生變化時，可控制上述電源供應(yīng)部。可包含用于檢測上述反應(yīng)管內(nèi)的溫度變化的溫度測量部。上述溫度測量部可包含溫度測量裝置、覆蓋上述溫度測量裝置的外殼及與上述外殼保持間隔并包裹上述外殼的保護管。上述溫度測量裝置可在上述外殼內(nèi)部安裝多個或單個。上述溫度測量裝置可與測量上述加熱器的最高溫度的區(qū)域?qū)?yīng)安裝。上述溫度測量部可包含配置于上述反應(yīng)管外側(cè)的溫度傳感器。
上述溫度傳感器的個數(shù)可以是多個，上述多個溫度傳感器可相互保持既定間隔，配置于上述反應(yīng)管外側(cè)。對上述多個溫度傳感器測量的溫度求出平均溫度值，當(dāng)平均溫度值比預(yù)先設(shè)定的基準(zhǔn)溫度值低時，可通過上述電源供應(yīng)部使上述反應(yīng)管內(nèi)的溫度上升。當(dāng)上述多個溫度傳感器測量的溫度中，最大溫度值比預(yù)先設(shè)定的基準(zhǔn)溫度值低時，可通過上述電源供應(yīng)部使上述反應(yīng)管內(nèi)的溫度上升。還可以包含上述流動氣體供應(yīng)部所組裝的底面部，上述底面部可包含底層分布板；第I分布板，位于上述底層分布板上，使上述底層分布板絕緣；第2分布板,位于上述第I分布板上，向加熱器供電；第3分布板，位于上述第2分布板上，使上述第2分布板絕緣。
上述第2分布板的末端與上述底層分布板的一面可保持間隔。上述第I分布板的一部分可位于底層分布板與上述第2分布板的末端之間。第2分布板與上述第3分布板可分別包含多個分布板塊。本發(fā)明的有益效果在于本發(fā)明可使反應(yīng)溫度保持恒定，不發(fā)生多晶硅的損壞，穩(wěn)定地進行生產(chǎn)。而且，本發(fā)明可防止因反應(yīng)溫度上升導(dǎo)致的裝置破損。而且，通過保持恒定的反應(yīng)溫度，可實現(xiàn)連續(xù)運轉(zhuǎn)，可實現(xiàn)多晶硅大量生產(chǎn)化。


圖I是顯示本發(fā)明實施例的多晶硅制造裝置的簡要圖。圖2是顯示本發(fā)明實施例的多晶硅制造裝置的一個分布板示例的附圖。圖3是顯示本發(fā)明實施例的多晶硅制造裝置的另一分布板示例的附圖。圖4是用于說明本發(fā)明實施例的多晶硅裝置中根據(jù)內(nèi)部溫度的反應(yīng)溫度控制方法的附圖。圖5是顯示本發(fā)明實施例的溫度測量部的附圖。
具體實施例方式下面將參照附圖，對本發(fā)明的實施例進行詳細說明。但附圖只是為了更容易理解本發(fā)明的內(nèi)容而進行說明的，本發(fā)明的范圍并非限定于附圖的范圍，這是所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員容易理解的。圖I顯示了本發(fā)明實施例的多晶硅制造裝置。如圖所示，本發(fā)明實施例的多晶硅制造裝置500包含頂罩100、第I主體部200、第2主體部300及底面部400。頂罩100與第I主體部200連接，具有比第I主體部200的第I反應(yīng)管250直徑更大的直徑。多晶硅制造裝置500內(nèi)的氣體及微細從第I反應(yīng)管250經(jīng)過頂罩100時，由于直徑增加，氣體及微細的流速降低。因此，排出的氣體或微細的后期處理負擔(dān)則會減小。頂罩100的內(nèi)壁可由在高溫下不易變形的無機材料構(gòu)成。例如，頂罩100的內(nèi)壁可由石英、二氧化硅、氮化硅、氮化硼、氧化錯、碳化娃、石墨、娃、玻碳中的至少一種構(gòu)成。并且，當(dāng)可對頂罩100的外壁進行冷卻時，可利用有機高分子在頂罩100內(nèi)壁進行涂層或襯里中的至少一種。
當(dāng)頂罩100的內(nèi)壁由碳化硅、石墨、玻碳等含碳材料構(gòu)成時，多晶硅可能受到碳雜質(zhì)的污染，因此，多晶硅可接觸的頂罩100的內(nèi)壁可利用硅、二氧化硅、石英、氮化硅等材料進行涂層或襯里。例如，頂罩100可包含多個部分頂罩100a/100b，襯里膜150可位于第I部分頂罩IOOa的內(nèi)面。第I主體部200位于頂罩100的下面，與頂罩100連接，提供發(fā)生多晶硅析出反應(yīng)所需的空間。第2主體部300位于第I主體部200的下面,與第I主體部200連接，與第I主體部200 —起,提供發(fā)生多晶娃析出反應(yīng)或加熱反應(yīng)中的至少一個反應(yīng)所需的空間。這種第I主體部200和第2主體部300獨立形成，相互連接，提供反應(yīng)空間，但第 I主體部200和第2主體部300也可制作成形成一個主體的一體型。底面部400位于第2主體部300的下面，與第2主體部300連接，組裝有用于析出多晶硅的各種噴嘴600/650、加熱器700、電極800等。另一方面，頂罩100、第I主體部200及第2主體部300可由碳鋼、不銹鋼、其它合金鋼等機械強度優(yōu)異、易于加工的金屬材料構(gòu)成。由這些材質(zhì)構(gòu)成的第I主體部200及第2主體部300的保護膜可由金屬、有機高分子、陶瓷或石英等構(gòu)成。組裝頂罩100、第I主體部200及第2主體部300時，為了將反應(yīng)器的內(nèi)部與外部空間隔絕，可使用墊片(gasket)或密封材料(sealing material)。第I主體部200和第2主體部300可以是圓筒形管(pipe)、法蘭、口徑管(tube)及配件(fitting)、盤(plate)、圓錐、橢圓或冷卻媒體在雙壁之間流動的夾套(jacket)等多種形態(tài)。另外，當(dāng)頂罩100、第I主體部200及第2主體部300由金屬材質(zhì)構(gòu)成時，可在其內(nèi)部表面涂布保護膜或是追加安裝保護管或保護壁。保護膜、保護管或保護壁可由金屬材質(zhì)構(gòu)成，但為了防止反應(yīng)器內(nèi)部的污染，可利用有機高分子、陶瓷、石英等非金屬材料進行涂層或襯里。第I主體部200和第2主體部300為了達到防止熱膨脹、保護作業(yè)者、防止其它事故等目的，可通過水、油、氣體、空氣等冷卻流體保持在既定溫度范圍以下。可制作成使冷卻流體能在需要冷卻的第I主體部200和第2主體部300構(gòu)成要素的內(nèi)部或外壁進行循環(huán)。另一方面，在第I主體部200和第2主體部300的外部表面，為了保護作業(yè)者及防止過度熱損失，可安裝隔熱材料。下面對本發(fā)明實施例的流化床反應(yīng)器的組裝過程進行詳細說明。第I反應(yīng)管250插入第I主體部200，第2反應(yīng)管350插入第2主體部300，各種噴嘴600/650、電極800及加熱器700組裝在用于密閉第2主體部300下端的底面部400。底面部400連接于插入了第2反應(yīng)管350的第2主體部300。之后，第I主體部200和第2主體部300相互連接，頂罩100連接于第I主體部200。底面部400上組裝的各種氣體供應(yīng)部，可包含流動氣體供應(yīng)部600及反應(yīng)氣體供應(yīng)部650。第I及第2反應(yīng)管250/350可采用口徑管(tube)形態(tài)或為包含口徑管(tube)、圓錐及橢圓部分的形態(tài)。第I及第2反應(yīng)管250/350的末端部分可加工成法蘭形。第I及第2反應(yīng)管250/350可由多個部分構(gòu)成，這些部分的一部分還可在第I主體部200及第2主體部300的內(nèi)壁面以襯里(liner)等形態(tài)安裝。第I及第2反應(yīng)管250/350的材質(zhì)可由在高溫下不易變形的無機材料構(gòu)成，可由石英、二氧化硅、氮化硅、氮化硼、氧化鋯、氧化釔、碳化硅、石墨、硅、玻碳或這些材料混合的復(fù)合體等無機材料構(gòu)成。當(dāng)?shù)贗及第2反應(yīng)管250/350由碳化硅、石墨、玻碳等含碳材質(zhì)構(gòu)成時，由于含碳材質(zhì)可能污染多晶硅，在多晶硅可接觸的反應(yīng)管的內(nèi)壁面，可使用硅、二氧化硅、石英、氮化硅等進行涂層或襯里。流動氣體供應(yīng)部600供應(yīng)使反應(yīng)管內(nèi)的娃顆粒流動的流動氣體。位于反應(yīng)管內(nèi)的硅顆粒的一部分或全部在流動氣體作用下流動。此時，流動氣體可包含氫氣、氮氣、氬氣、氦氣、氯化氫(HCl)、四氯化硅(SiC14)中的至少一種。流動氣體供應(yīng)部600可以是由可用作反應(yīng)管的無機材質(zhì)成份構(gòu)成的口徑管(tube)、襯里或成型品。反應(yīng)氣體供應(yīng)部650向硅顆粒床層供應(yīng)含有硅元素的反應(yīng)氣體。反應(yīng)氣體作為 用于多晶娃析出的原料氣體，包含娃兀素成份。反應(yīng)氣體可包含甲娃燒(SiH4)、乙娃燒(disilane:Si2H6)、高級硅烷(SinH2n+2，n 為 3 以上自然數(shù))、二氯硅烷(DCS:SiH2C12)、三氯硅烷(TCS:SiHC13)、四氯化硅(STC:SiC14)、二溴硅烷(SiH2Br2)、三溴硅烷(SiHBr3)、四溴化硅(SiBr4)、二碘硅烷(SiH2I2)、三碘硅烷(SiHI3)、四碘化硅(Si 14)中的至少一種。此時,反應(yīng)氣體還可包含氫氣、氮氣、氬氣、氦氣或氯化氫中的至少一種。隨著反應(yīng)氣體的供應(yīng)，在0. I至2_左右的多晶硅籽晶的表面析出多晶硅，多晶硅籽晶的尺寸增加。多晶硅籽晶的尺寸增加至既定程度后，釋放到流化床反應(yīng)器外部。加熱器700向多晶硅制造裝置500的內(nèi)部，供應(yīng)在多晶硅顆粒表面發(fā)生硅析出反應(yīng)所需的熱量。實施例中，為了發(fā)生硅析出反應(yīng)，在反應(yīng)管250的內(nèi)部供熱，但是利用從反應(yīng)管250的外部向反應(yīng)管250內(nèi)部供應(yīng)的熱，也可引發(fā)硅析出反應(yīng)。加熱器700包含電阻體，可通過供電來供熱。加熱器700可包含石墨(graphite)、碳化娃等陶瓷、或金屬材質(zhì)中的至少一種。氣體排出部17安裝于頂罩100上，將包含硅析出反應(yīng)時發(fā)生的流動氣體、未反應(yīng)的反應(yīng)氣體、反應(yīng)生成物氣體的排出氣體排出到外部，可連續(xù)運轉(zhuǎn)。排出氣體中攜帶的硅微或高分子量的反應(yīng)副產(chǎn)物可在另外的排出氣體處理部(圖中未示出)分離。各氣體供應(yīng)部600/650，即，各種噴嘴、電極800及加熱器700等可與構(gòu)成底面部400的分布板410至440組裝在一起。此時，電極800與加熱器700導(dǎo)電連接，加熱器700利用從電極800供應(yīng)的電源進行加熱。如圖所示，本發(fā)明實施例的底面部400包含底層分布板410和第I至第3分布板420/430/440o底層分布板410與第2主體部300連接，組裝有流動氣體供應(yīng)部及反應(yīng)氣體供應(yīng)部。底層分布板410可由碳鋼、不銹鋼、其它合金鋼等機械強度優(yōu)異、易于加工的金屬材料構(gòu)成。第I分布板420位于底層分布板410上，使底層分布板410絕緣。從而，第I分布板420可由石英(quartz)等耐高溫、具有絕緣性而同時又不會污染析出的多晶硅的物質(zhì)構(gòu)成。除石英外，第I分布板420還可由氮化硅、氧化鋁、氧化釔等在高溫下具有耐熱性的陶瓷物質(zhì)構(gòu)成。根據(jù)情況，可利用這種陶瓷物質(zhì)對第I分布板420的表面進行涂布或襯里。
第2分布板430位于第I分布板420上，與加熱器700接觸，向加熱器700供電。從而，第2分布板430可由石墨、涂布碳化硅的石墨、碳化硅、涂布氮化硅的石墨等導(dǎo)電性物質(zhì)構(gòu)成。具有絕緣特性的第I分布板420位于底層分布板410和第2分布板430之間，所以底層分布板410與第2分布板430相互絕緣。第2分布板430與加熱器700接觸，因此第2分布板430可發(fā)熱，但電流在第2分布板430流過的橫截面積比加熱器700大很多，所以第2分布板430發(fā)生的熱量比加熱器700發(fā)生的熱量少很多。另外，為了減少第2分布板430因接觸電阻而發(fā)生的熱量，可將伸展性優(yōu)異的石墨片(sheet)插入第2分布板430和加熱器700之間。當(dāng)?shù)讓臃植及?10和第2分布板430具有導(dǎo)電性時，由于底層分布板410與第2分布板430接觸，可能發(fā)生流向底層分布板410的泄漏電流。因此，如圖所示，底層分布板410和第2分布板430的末端保持既定距離的間隔。S卩，可在第I分布板420上形成可供第2分布板430安放的槽。例如，在第I分布 板420上形成與第2分布板430長度相同或稍大的槽，第2分布板430可安放于第I分布板420的槽中。因此,第I分布板420的一部分可位于底層分布板410和第2分布板430的末端之間，從而可保持底層分布板410與第2分布板430之間的絕緣。如圖所示，在第I分布板420的作用下，底層分布板410和第2分布板430可絕緣。通過安裝包裹第2分布板430四周的絕緣環(huán)900，底層分布板410和第2分布板430也可絕緣。此時，絕緣環(huán)900可由石英、陶瓷構(gòu)成。第3分布板440位于第2分布板430上，防止在第I反應(yīng)管250及第2反應(yīng)管350內(nèi)部析出的多晶硅被第2分布板430污染。因此，第3分布板440可由在高溫下不易變形的無機材料構(gòu)成，可由石英、二氧化硅、氮化硅、氮化硼、氧化鋯、碳化硅、石墨、硅、玻碳或這些材料混合的復(fù)合體等無機材料構(gòu)成。當(dāng)?shù)?分布板440由碳化硅、石墨、玻碳等含碳材質(zhì)構(gòu)成時，由于含碳材質(zhì)可能污染多晶硅，所以第3分布板440的表面可利用硅、二氧化硅、石英、氮化硅等涂布或襯里。另外，底面部400的第2分布板430和第3分布板440并非一個整體，而是包含多個板塊，所以多晶硅制造裝置容易組裝、安裝及維護。即，實現(xiàn)多晶硅的大量生產(chǎn)所需的裝置的尺寸增加，所以當(dāng)?shù)?分布板430和第3分布板440由一個整體構(gòu)成時，裝置會難于組裝、安裝及維護。例如，如圖2所示，第3分布板440可由沿同心圓方向和直徑方向截斷的板塊構(gòu)成。而且，如圖3所示，第3分布板440可由尺寸不同的環(huán)形的板塊構(gòu)成。圖4是用于說明本發(fā)明實施例的多晶硅裝置中根據(jù)內(nèi)部溫度的反應(yīng)溫度控制方 法的附圖。圖5是顯示本發(fā)明實施例的溫度測量部的附圖。對于多晶硅裝置的結(jié)構(gòu)，將省略已在圖I中說明的部分，如圖4及圖5所示，多晶硅制造裝置500包含溫度測量部910/930、控制部950及電源供應(yīng)部900。溫度測量部910/930可對引發(fā)硅析出反應(yīng)的反應(yīng)管250/350內(nèi)部的溫度周期性地進行測量，或在硅析出反應(yīng)發(fā)生期間連續(xù)測量。這種溫度測量部910/930配置于反應(yīng)管外側(cè)，可測量反應(yīng)管內(nèi)部溫度，安裝于底面部400并向反應(yīng)管內(nèi)部方向配置。當(dāng)溫度測量部配置于反應(yīng)管外側(cè)時，溫度測量部可包含溫度傳感器910，或就是溫度傳感器本身，可在反應(yīng)管外側(cè)測量反應(yīng)管內(nèi)部溫度。如此一來，如果在反應(yīng)管外側(cè)利用溫度傳感器910測量內(nèi)部反應(yīng)溫度，則在反應(yīng)管內(nèi)部不妨礙顆粒的流動，所以不妨礙產(chǎn)品生產(chǎn)率或反應(yīng)條件。溫度傳感器910的個數(shù)至少為一個以上，當(dāng)溫度傳感器910為多個時，多個溫度傳
感器可保持既定間隔配置于反應(yīng)管外側(cè)。此時，在多個溫度傳感器所配置的各區(qū)域測量反應(yīng)管內(nèi)部區(qū)域的溫度，控制部950提取測量的內(nèi)部溫度值中的最大溫度值，與預(yù)先設(shè)定的基準(zhǔn)溫度值進行比較，當(dāng)最大溫度值比基準(zhǔn)溫度值低時，控制電源供應(yīng)部900，使反應(yīng)管內(nèi)的溫度上升，使反應(yīng)溫度保持恒定。由控制部950對電源供應(yīng)部900的控制可以是電壓或電流控制，所以，為了使反應(yīng) 管內(nèi)的溫度上升并保持恒定，傳遞給加熱器700的要素可以是電壓或電流。基準(zhǔn)溫度值不是固定的值，是硅制造裝置運轉(zhuǎn)時內(nèi)部穩(wěn)定、連續(xù)地發(fā)生反應(yīng)所需的溫度值，所以根據(jù)硅制造裝置的內(nèi)部環(huán)境或結(jié)構(gòu)可不同地設(shè)置。而且，多個溫度傳感器在各區(qū)域測量反應(yīng)管內(nèi)部區(qū)域的溫度時，控制部950對測量的溫度計算出平均溫度值，并將平均溫度值與預(yù)先設(shè)定的基準(zhǔn)溫度值進行比較，當(dāng)平均溫度值比基準(zhǔn)溫度值低時，控制電源供應(yīng)部900，可使反應(yīng)管內(nèi)的溫度上升，保持恒定。當(dāng)溫度測量部930與底面部400組裝在一起，向反應(yīng)管內(nèi)部方向配置時，與比配置于反應(yīng)管外側(cè)測量反應(yīng)溫度時相比，雖然存在妨礙反應(yīng)管內(nèi)部的顆粒流動的問題，但由于在反應(yīng)管內(nèi)部直接測量反應(yīng)溫度，所以可減少硅析出反應(yīng)時因加熱器過度加熱引起的溫度測量誤差。為了使反應(yīng)管內(nèi)部的顆粒流動妨礙達到最小，推薦溫度測量部930盡可能按與加熱器700平行的方向安裝，因此，具有與底面部400的組裝及安裝容易的優(yōu)點。溫度測量部930可以包含外殼933，包裹溫度測量裝置931和溫度測量裝置；保護管935，與外殼保持間隔，為了防止發(fā)生因物理或化學(xué)反應(yīng)引起的污染，包圍住外殼。由于反應(yīng)管壓力與保護管壓力之間的差，壓力低的保護管可能發(fā)生破損，所以向外殼與保護管之間的間隔空間供應(yīng)既定的氣體，可以減小反應(yīng)管壓力與保護管壓力間的壓力差，防止保護管破損。溫度測量裝置931可以使用熱電偶(thermo-couple)或福射高溫計(Pyrometer)等，當(dāng)使用輻射高溫計時，輻射高溫計可在沒有外殼或保護管的情況下，安裝于在硅制造裝置的頂罩100或主體部200/300上安裝有窗口的噴嘴上，可測量反應(yīng)管內(nèi)部溫度。此時，窗口可利用可透光的透明材料，例如石英、鋼化玻璃等，根據(jù)需要可涂布金(Au)或鋇(Ba)。溫度測量部930至少一個以上，按反應(yīng)管內(nèi)部方向配置，與底面部400組裝在一起，構(gòu)成單一溫度測量部的外殼933可以是單個或多個。此時，外殼933內(nèi)部安裝的溫度測量裝置931可以是單個或多個。當(dāng)外殼933內(nèi)部安裝的溫度測量裝置為單個時，溫度測量裝置931推薦安裝于與可測量加熱器的最高溫度的區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域。這是因為，對于根據(jù)反應(yīng)管內(nèi)部的溫度控制電源供應(yīng)部900，使反應(yīng)管內(nèi)部溫度保持恒定而言，可提高對反應(yīng)管內(nèi)部的溫度測量的精確性，輕松進行控制。當(dāng)溫度測量裝置931為多個時，溫度測量裝置931可安裝于與可測量加熱器最高溫度的區(qū)域及可測量周邊區(qū)域溫度的區(qū)域相對應(yīng)的區(qū)域。此時，控制部950可對在多個區(qū)域測量的溫度計算出平均溫度值，與預(yù)先設(shè)定的基準(zhǔn)溫度值進行比較，控制電源供應(yīng)部900。這樣ー來，多晶硅制造裝置在反應(yīng)管內(nèi)部發(fā)生硅析出反應(yīng)期間，根據(jù)反應(yīng)管內(nèi)部的溫度變化，使內(nèi)部溫度保持恒定，從而可實現(xiàn)連續(xù)運轉(zhuǎn)，可進行多晶硅大量生產(chǎn)。
本發(fā)明的權(quán)利并非限定于上述說明的實施例，而由權(quán)利要求書記載的內(nèi)容定義。不言而喻，所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員可在權(quán)利要求書記載的權(quán)利范圍內(nèi)進行多種變更與變形。
權(quán)利要求
1.一種多晶硅制造裝置，其特征在于，包括 反應(yīng)管，在其內(nèi)部發(fā)生硅析出反應(yīng)； 流動氣體供應(yīng)部，向上述反應(yīng)管內(nèi)的娃顆粒供應(yīng)流動氣體；以及 在上述反應(yīng)管內(nèi)部發(fā)生硅析出反應(yīng)時使反應(yīng)溫度保持恒定的機構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的多晶硅制造裝置，其特征在于，上述機構(gòu)包括 加熱器，向上述反應(yīng)管內(nèi)部供熱，引發(fā)上述硅顆粒的硅析出反應(yīng)； 電源供應(yīng)部，向上述加熱器供電；以及 控制部，控制上述電源供應(yīng)部，以便在上述反應(yīng)管內(nèi)部發(fā)生硅析出反應(yīng)期間，使上述反應(yīng)管內(nèi)部的溫度保持恒定。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多晶硅制造裝置，其特征在于 在上述反應(yīng)管內(nèi)的內(nèi)部溫度發(fā)生變化時，上述控制部控制上述電源供應(yīng)部。
4.根據(jù)權(quán)利要求I至3中任意一項所述的多晶硅制造裝置，其特征在于 包括用于檢測上述反應(yīng)管內(nèi)的溫度變化的溫度測量部。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多晶硅制造裝置，其特征在于，上述溫度測量部包括溫度測量裝置、覆蓋上述溫度測量裝置的外殼以及與上述外殼保持間隔地包裹上述外殼的保護管。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多晶硅制造裝置，其特征在于 在上述外殼內(nèi)部設(shè)有多個或單個上述溫度測量裝置。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的多晶硅制造裝置，其特征在于 上述溫度測量裝置與測量上述加熱器的最高溫度的區(qū)域?qū)?yīng)地安裝。
8.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的多晶硅制造裝置，其特征在于 上述溫度測量部包括配置于上述反應(yīng)管外側(cè)的溫度傳感器。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的多晶硅制造裝置，其特征在于 上述溫度傳感器的個數(shù)是多個，上述多個溫度傳感器相互保持著規(guī)定間隔配置在上述反應(yīng)管外側(cè)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的多晶硅制造裝置，其特征在于 對上述多個溫度傳感器測量的溫度求出平均溫度值，當(dāng)平均溫度值比預(yù)先設(shè)定的基準(zhǔn)溫度值低時，通過上述電源供應(yīng)部使上述反應(yīng)管內(nèi)的溫度上升。
全文摘要
本發(fā)明提供一種多晶硅制造裝置，其包括反應(yīng)管，在其內(nèi)部發(fā)生硅析出反應(yīng)；流動氣體供應(yīng)部，向上述反應(yīng)管內(nèi)的硅顆粒供應(yīng)流動氣體；以及在上述反應(yīng)管內(nèi)部發(fā)生硅析出反應(yīng)時使反應(yīng)溫度保持恒定的機構(gòu)。
文檔編號C01B33/02GK102745690SQ20111029767
公開日2012年10月24日 申請日期2011年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月20日
發(fā)明者丁允燮, 尹汝均, 金根鎬, 金鎮(zhèn)成 申請人:硅科創(chuàng)富有限公司