專(zhuān)利名稱(chēng)：高純度氟氣、其生產(chǎn)和用途、以及用于監(jiān)測(cè)氟氣中雜質(zhì)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明要求于2009年10月16日提交的EP申請(qǐng)?zhí)?9173332. 9的優(yōu)先權(quán)，為所有目的將該申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用結(jié)合在此，本發(fā)明涉及一種高純度氟氣及其生產(chǎn)、一種生產(chǎn)氟氣的裝置、一種監(jiān)測(cè)并且控制氟氣中雜質(zhì)的方法及其用途。
背景技術(shù)：
氟氣是一種不可缺少的堿性氣體，并且因?yàn)槠浞磻?yīng)特性而在半導(dǎo)體行業(yè)中作為一種蝕刻氣體或清潔氣體用于制造光電池和液晶顯示器的TFT(薄膜晶體管)。具體來(lái)說(shuō)，在用于光學(xué)材料的金屬氟化物退火用途中或作為準(zhǔn)分子激光器的一種氣體，氟的光學(xué)特性也是重要的并且用于此目的的氟氣的量日益增加。伴隨著這些需要，強(qiáng)烈地要求一種高純度氟氣。例如，在半導(dǎo)體的生產(chǎn)領(lǐng)域，需要具有99. 7%或更高的高純度的氟氣。具體來(lái)說(shuō)，對(duì)于光學(xué)用途，需要雜質(zhì)(例如氟烷，尤其是CF4)減少的并且具有99.9V01%至99.99V01% 純度的高純度氟氣。因此，為此目的，對(duì)于降低高純度氟氣中的氟烷(尤其是CF4)的量的要求日益增加?？傮w而言，在商業(yè)基礎(chǔ)上供應(yīng)的氟氣包含了約1. 5Vol%的雜質(zhì)。這些雜質(zhì)中多數(shù)是N2、02、CO2、氟烷如CF4、以及諸如SF6、SiF4和HF的氣體。在工業(yè)制造中，F(xiàn)2是通過(guò)含KF 和HF的熔融組合物的電解來(lái)產(chǎn)生的，并且往往使用碳陽(yáng)極。在最佳操作條件下，產(chǎn)生F2的電解池產(chǎn)生了小于IOOppmv的CF4。但是有時(shí)候，在來(lái)自氟工廠的氟中氟烷(尤其是CF4) 的含量高得多，而沒(méi)有可預(yù)測(cè)的或明顯的原因。日常實(shí)踐顯示，多數(shù)時(shí)候僅僅一個(gè)池是對(duì)增加的CF4的產(chǎn)生負(fù)責(zé)的，其影響是整個(gè)氟生產(chǎn)受到污染。氟烷(尤其是CF4)可以直接使用 FIlR(傅里葉變換IR)光譜學(xué)、TDL(可調(diào)諧二極管激光)光譜學(xué)、GC(氣相色譜法)以及在廣的濃度范圍內(nèi)具有低檢出限的方法來(lái)直接進(jìn)行檢測(cè)。但是這些儀器是昂貴、復(fù)雜的并且需要大的空間或者不能用作快速在線分析裝置(GC)或只能在安裝上(關(guān)于小樣品的區(qū)室) 具有困難或者需要外部檢測(cè)器(FTIR)。由一種典型的工業(yè)的氟產(chǎn)生電解池，生產(chǎn)了一種氣體混合物，它由約94to 1 %至 97vol %的氟組成，剩余物是僅具有痕量的其他雜質(zhì)的HF。如果發(fā)生了陽(yáng)極的“燃燒”，則CF4 濃度最經(jīng)常是升高到1V01%與10Vol%之間的值；COF2升高到幾千個(gè)ppmv的濃度；HF輕微地升高。如果存在OF2，則其濃度降低。在US 6，955，801B2中描述的方法是用于生產(chǎn)一種高純度氟氣并且分析其中雜質(zhì)的方法，包括將氟代鎳化合物(fluoronickel compound)填充到包括一種金屬材料或具有鎳膜的金屬材料的一個(gè)容器中，所述容器具有一個(gè)形成在該金屬材料或鎳膜表面上的氟化的層；將一個(gè)將該氟代鎳化合物加熱到250°C至600°C、并將該容器內(nèi)的壓力降低到 0. OlMPa(絕對(duì)壓力)或更小的步驟，以及一個(gè)允許將氟化氫含量減小到了 500vol ppm或更小的氟氣封留在經(jīng)過(guò)了第一步驟的氟代鎳化合物之中的步驟分別進(jìn)行至少一次并進(jìn)一步進(jìn)行所述第一步驟；然后使含雜質(zhì)氣體的一種氟氣與該氟代鎳化合物在200°C至350°C相接觸以固定并且去除該氟氣；并且通過(guò)GC或頂對(duì)雜質(zhì)進(jìn)行分析。
然而，使用此方法，后處理處理以及需要的這些說(shuō)明是非常復(fù)雜并且昂貴的。此外，使用此方法，不可能簡(jiǎn)單地，尤其是在線、半在線地或于生產(chǎn)線處(at-line)分析氟氣并且控制所得氟氣的品質(zhì)?，F(xiàn)在已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了一種用于生產(chǎn)此種高純度氟氣的裝置、一種用于制造高純度氟氣的方法以及用于該氟氣的一種分析方法(尤其是在線分析方法)。本發(fā)明的披露現(xiàn)在本發(fā)明使之可得到用于生產(chǎn)高純度氟氣的一種裝置。本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種用于生產(chǎn)高純度氟氣的方法，連同一種用于分析所得氟氣的組成的方法。此外，本發(fā)明還涉及它們的用途?，F(xiàn)已經(jīng)具體地發(fā)現(xiàn)一種快速、可靠、廉價(jià)并且較小的分析儀或分析方法，它可以靠近各個(gè)F2產(chǎn)生電解池而在線地、半在線或在生產(chǎn)線處運(yùn)行，從而立即檢測(cè)一個(gè)或多個(gè)氟烷(尤其是CF4)產(chǎn)生池?？傮w來(lái)說(shuō)，氟的生產(chǎn)可以在氟產(chǎn)生池中進(jìn)行，其中在一個(gè)氟產(chǎn)生池啟動(dòng)時(shí)(在調(diào)節(jié)模式下)氟的含量由一個(gè)檢測(cè)器系統(tǒng)進(jìn)行測(cè)量，尤其在本發(fā)明中是通過(guò)FIlR和/或UV。 術(shù)語(yǔ)“氟產(chǎn)生池”(為簡(jiǎn)單起見(jiàn)而使用)表示一種產(chǎn)生氟的電解池，即，在其中以電解方式 (經(jīng)常是通過(guò)KF和HF的一種熔體組合物的電解)產(chǎn)生氟的一種池。在這些池內(nèi)，碳陽(yáng)極經(jīng)常被用于傳輸電流。此類(lèi)陽(yáng)極有時(shí)候不可預(yù)料地經(jīng)受陽(yáng)極燃燒。氟產(chǎn)生池中的陽(yáng)極燃燒是由輕微升高的HF含量(例如通過(guò)FIlR測(cè)量)以及極度升高的CF4含量(C2F6和COF2的含量也增加，同時(shí)OF2的量降低，均是通過(guò)檢測(cè)器系統(tǒng)來(lái)監(jiān)測(cè)， 尤其在本發(fā)明中是通過(guò)UV)所指示。在電流效率的測(cè)量(在本發(fā)明中是優(yōu)選使用UV光譜學(xué)進(jìn)行)過(guò)程中，已經(jīng)出人意料地發(fā)現(xiàn)UV光譜學(xué)作為僅針對(duì)氟的直接測(cè)量裝置顯示了在發(fā)生陽(yáng)極燃燒時(shí)氟濃度的急劇降低。因此，這種燃燒很容易通過(guò)燃燒過(guò)程中F2濃度的急劇降低進(jìn)行檢測(cè)，在這個(gè)過(guò)程中形成了雜質(zhì)(主要是CF4和COF2)。這種燃燒的結(jié)果(更多的CF4，、 C2F6、COF2, HF、更少的OF2)不僅是雜質(zhì)含量的改變而且還有通過(guò)檢測(cè)器系統(tǒng)(尤其在本發(fā)明中是通過(guò)UV光譜學(xué))所監(jiān)測(cè)的氟含量的急劇降低。在通過(guò)UV光譜學(xué)的測(cè)量過(guò)程中，可以將整個(gè)UV光譜用于測(cè)量。優(yōu)選地，不是將整個(gè)光譜而僅僅將這個(gè)特定波長(zhǎng)處的吸收(具體是波長(zhǎng)在200和400nm之間、更優(yōu)選250至330nm、非常優(yōu)選270至^Onm之間、尤其優(yōu)選在275和之間并且甚至在約^Onm處的UV光譜學(xué))用于測(cè)量，因?yàn)樗畈欢嗍荈2的 UV吸收的最大值。該光譜可以包括所述范圍內(nèi)的所有波長(zhǎng)、或僅僅包括選定的波長(zhǎng)。還有可能使用僅僅發(fā)射出該范圍內(nèi)的一個(gè)單一波長(zhǎng)、若干個(gè)單一波長(zhǎng)或一個(gè)非常窄的譜帶(例如具有1至5nm寬度的一個(gè)UV光譜帶)的一種UV光源。潛在的雜質(zhì)，例如CF4、C2F6、COF2、 HF和OF2在此波長(zhǎng)范圍內(nèi)并不吸收，所以可以對(duì)F2濃度的降低/增加選擇性地進(jìn)行監(jiān)測(cè)； 出人意料的特征是陽(yáng)極燃燒不是通過(guò)產(chǎn)生的氣體中CF4濃度的增加而是通過(guò)F2含量的降低而檢出。當(dāng)這種燃燒結(jié)束時(shí)，CF4(C2F6、⑶F2、和HF)濃度再次開(kāi)始降低，同時(shí)OF2的量再次開(kāi)始增加。陽(yáng)極燃燒的結(jié)束通過(guò)離開(kāi)該池的氣體混合物中氟含量的增加也是可檢測(cè)的。從氟的生產(chǎn)中的相看出，如果避免了陽(yáng)極燃燒，可以減少例如CF4、C2F6、⑶F2、HF以及類(lèi)似這些雜質(zhì)。具體來(lái)說(shuō)，為了生產(chǎn)高純度氟，在檢測(cè)到所測(cè)氟含量的降低(例如，大于 0. Ivol %，特別是大于0. 3vol%、或大于0. 5vol%、甚至大于Ivol % )之后立刻將該氟產(chǎn)生池從純氟的生產(chǎn)中分離。這防止了產(chǎn)生的氟被來(lái)自發(fā)生故障的電解池中的雜質(zhì)所污染。 然后觀察氟的含量是否進(jìn)一步降低。如果氟含量繼續(xù)降低，將該氟產(chǎn)生池關(guān)閉并且進(jìn)行糾正(修復(fù))；替代地，保持該池生產(chǎn)氟，然后將該氟在一個(gè)滌氣器中銷(xiāo)毀、或者使它穿過(guò)一個(gè)純化器以去除所含雜質(zhì)。在以此方式(具有所產(chǎn)生的不純的氟的銷(xiāo)毀或純化)保持該池生產(chǎn)氟時(shí)，如果氟含量不降低、而是再次達(dá)到初始的氟含量水平，則將其再次用于純氟的生產(chǎn) (例如通過(guò)閥門(mén)開(kāi)關(guān))。因此，本發(fā)明中用于氟制造的裝置和方法不同于現(xiàn)有技術(shù)的方法之處在于雜質(zhì)造成的污染得到防止，這排除了否則將是必要的相應(yīng)純化步驟。此外，在這個(gè)生產(chǎn)過(guò)程中，對(duì)于每個(gè)池的電流效率，可以通過(guò)獨(dú)立地測(cè)量氟產(chǎn)生池的電流效率的裝置(例如一個(gè)流量計(jì))進(jìn)行測(cè)量。電流效率的降低應(yīng)該指示了池中的短路。至于電流效率的測(cè)量，必要的是知道在一個(gè)時(shí)間段內(nèi)投入電解中的電流(這給出了在這個(gè)時(shí)間段內(nèi)應(yīng)該產(chǎn)生的氟的理論量)。通過(guò)測(cè)量氣體混合物的流量以及其中的F2含量， 確定了一個(gè)時(shí)間段內(nèi)氟的產(chǎn)生量。將該時(shí)間段內(nèi)氟的產(chǎn)生量與氟的理論產(chǎn)生量之間的關(guān)系乘以100，給出了以％計(jì)的電流效率。損失的百分比是由于該氟產(chǎn)生池的內(nèi)部F2和H2之間的再化合反應(yīng)、以及A和OF2的電解形成、以及所有的F2和/或電流損失(可能是因?yàn)槎搪?。當(dāng)該氟產(chǎn)生池中電流效率降低時(shí)，可以將所述氟產(chǎn)生池從遞送產(chǎn)生的F2的線路中分離?？梢詫⒃摮仃P(guān)閉用于維護(hù)或修復(fù)，或者可以將該池保持運(yùn)行并且可以丟棄產(chǎn)生的F2直至規(guī)律地生產(chǎn)出F2，然后可以將該池重新連接上。在一個(gè)方面，本發(fā)明提供了一種用于產(chǎn)生高純度氟氣的裝置，該裝置包括至少一個(gè)氟產(chǎn)生池、以及用于檢測(cè)通過(guò)該氟產(chǎn)生池所獲得的產(chǎn)物的多種組分的至少一個(gè)氟產(chǎn)生池檢測(cè)器，其中這些氟產(chǎn)生池中至少一個(gè)與該氟產(chǎn)生池檢測(cè)器相連。如以上指出的必須注意的是這些氟產(chǎn)生池是電解池。優(yōu)選地，該裝置包括至少2個(gè)電解池。更優(yōu)選地，它包括至少6個(gè)電解池。具有至少8個(gè)電解池的裝置是非常適合的。該裝置可以甚至包括更多電解池，例如十個(gè)或更多。該裝置優(yōu)選地構(gòu)造為使得(如果希望的話)若氟氣的需求量增加時(shí)可以增加另外的電解池。 這些池優(yōu)選地包括多個(gè)夾套，可以穿過(guò)它們循環(huán)冷卻水。提供若干個(gè)電解池的優(yōu)點(diǎn)在于為了維護(hù)或修理而進(jìn)行的一個(gè)或甚至多個(gè)池的分離以及可能的關(guān)閉可以通過(guò)提高其他池的輸出而進(jìn)行補(bǔ)償。在本發(fā)明中，該氟氣優(yōu)選地是一種高純度氟氣。根據(jù)本發(fā)明的裝置任選地進(jìn)一步包括用于獨(dú)立地打開(kāi)或關(guān)閉所述氟產(chǎn)生池的控制裝置。閥門(mén)非常適合于打開(kāi)或分離各個(gè)池。至于該氟產(chǎn)生池，本領(lǐng)域中常規(guī)使用的所有類(lèi)型的氟產(chǎn)生池可以用在本發(fā)明中。 優(yōu)選地，該氟產(chǎn)生池是一種通過(guò)熔融電解質(zhì)的電解來(lái)生產(chǎn)氟的電解池?？傮w上，氟氣是產(chǎn)生自該氟產(chǎn)生池。該氟產(chǎn)生池體一般是由耐冊(cè)和&的金屬或金屬合金，尤其是Ni、蒙乃爾合金、碳鋼或類(lèi)似物制成的。該氟產(chǎn)生池體中填充了一種熔融電解質(zhì)，例如一種包括例如氟化鉀-氟化氫體系(即，“KF-HF體系”)的混合熔融鹽作為一種電解浴，它可以通過(guò)進(jìn)料合適的原料特別是HF而被再生。這種氟產(chǎn)生池體一般包括一個(gè)陽(yáng)極室和一個(gè)陰極室。當(dāng)通過(guò)在置于陽(yáng)極室內(nèi)的一個(gè)陽(yáng)極與置于陰極室內(nèi)的一個(gè)陰極之間施加電壓進(jìn)行電解時(shí)，產(chǎn)生了氟氣，其中原料的進(jìn)料可以連續(xù)地或周期性地進(jìn)行。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案中，該氟產(chǎn)生池包括一個(gè)陽(yáng)極，優(yōu)選是一個(gè)碳陽(yáng)極。
這些電解池被連接至所產(chǎn)生的F2和H2的收集器上。典型地，每個(gè)池包括20至30 個(gè)陽(yáng)極。電力通過(guò)整流器供給這些陽(yáng)極。該裝置通常具有一個(gè)冷卻水回路將冷卻水供給這些池的夾套。任選地，將一個(gè)用于F2的沉降箱和一個(gè)用于H2的沉降箱與每個(gè)池相連。這些沉降箱用來(lái)減小池中產(chǎn)生的F2和H2的氣體速度，以避免電解質(zhì)粉塵被帶走。優(yōu)選地，這些沉降箱包括一個(gè)振動(dòng)器以及一個(gè)加熱裝置來(lái)熔化這些分離的電解質(zhì)粉塵以便于去除。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案中，該氟產(chǎn)生池檢測(cè)器是用于檢測(cè)通過(guò)該氟產(chǎn)生池所獲得的氟中存在的雜質(zhì)。如果在該裝置中包括若干個(gè)氟產(chǎn)生池(這是優(yōu)選的實(shí)施方案)，則給每個(gè)氟產(chǎn)生池分配一個(gè)池檢測(cè)器，或使用一個(gè)允許同時(shí)地或至少快速依次地檢測(cè)幾個(gè)池或所有池的檢測(cè)器。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案中，該氟產(chǎn)生池檢測(cè)器包括(a) 一個(gè)采樣器，該采樣器可操作地來(lái)從氟產(chǎn)生池中得到的產(chǎn)物中抽出一個(gè)樣
品；(b) 一個(gè)滌氣器，該滌氣器用于銷(xiāo)毀來(lái)自該樣品的任何氟和HF并且產(chǎn)生一種任選包含雜質(zhì)(特別是CF4)的氣體流；(c)用于檢測(cè)從滌氣器中回收的氣體流中所含雜質(zhì)的裝置，特別是一個(gè)GC檢測(cè)器，例如火焰離子化檢測(cè)器、熱導(dǎo)檢測(cè)器、TDL-光譜學(xué)、FIlR或其他在此領(lǐng)域常規(guī)使用的檢測(cè)器。例如，可以使用一個(gè)多鏡式FT-IR裝置來(lái)分析同時(shí)從幾個(gè)池中產(chǎn)生的氣流中取出的樣品。 在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案中，該氟產(chǎn)生池檢測(cè)器是用于檢測(cè)在通過(guò)該氟產(chǎn)生池所得的氟中存在的CF4。如以上所描述的，對(duì)該氟氣流進(jìn)行處理使得氟以及HF被去除而CF4仍在該氣流中；它是主要的組分并且可以進(jìn)行分析，例如通過(guò)GC檢測(cè)器、火焰離子化檢測(cè)器、 熱導(dǎo)檢測(cè)器、TDL-光譜學(xué)、FTIR或其他本領(lǐng)域常規(guī)使用的檢測(cè)器。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案中，該氟產(chǎn)生池檢測(cè)器是一種UV分析儀。通過(guò)對(duì)每個(gè)氟產(chǎn)生池提供UV測(cè)量，可行的是產(chǎn)生幾乎沒(méi)有雜質(zhì)的氟氣，盡管使用了碳陽(yáng)極但是沒(méi)有中斷，其中這些雜質(zhì)具體是指CF4。尤其優(yōu)選的是使用帶有一種UV檢測(cè)器的一種裝置，該檢測(cè)器可以用以上給定的范圍內(nèi)的、尤其是約^Onm波長(zhǎng)的UV光來(lái)運(yùn)行。如以上所描述的，在該波長(zhǎng)范圍內(nèi)的UV光用來(lái)監(jiān)測(cè)F2含量，但是盡管如此，它可用來(lái)以污染物(例如，CF4)的相應(yīng)增加而識(shí)別陽(yáng)極燃燒。優(yōu)點(diǎn)是可以通過(guò)分析并且監(jiān)測(cè)F2含量來(lái)間接確定CF4含量而不需要對(duì)以上替代實(shí)施方案所描述的純化操作。在本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，該氟產(chǎn)生池檢測(cè)器是一種在線、半在線或生產(chǎn)線處的檢測(cè)器。在本發(fā)明中，“在線”意思是全部氟氣穿過(guò)該檢測(cè)器；“半在線”意思是氟氣的一部分被迫使穿過(guò)該檢測(cè)器并且在分析之后這個(gè)部分與主流結(jié)合；“生產(chǎn)線處”意思是將產(chǎn)生的氟氣的一部分從主流中取出并且在分析后將該氟流的分析過(guò)的部分進(jìn)行處理、收集或者另外使用。在本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方案中，每個(gè)氟產(chǎn)生池獨(dú)立地與一個(gè)氟產(chǎn)生池檢測(cè)器相連，或者幾個(gè)池與如上提到的能夠同時(shí)或快速依次地監(jiān)測(cè)幾個(gè)樣品的一個(gè)檢測(cè)器相連。
在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案中，這個(gè)或這些氟產(chǎn)生池檢測(cè)器與該控制裝置相連。 至于這些控制裝置，本領(lǐng)域中常規(guī)使用的所有類(lèi)型的裝置都可以用在本發(fā)明中，特別是一個(gè)閥門(mén)或開(kāi)關(guān)。例如，這個(gè)或這些池檢測(cè)器可以連接到一個(gè)控制板上，該板還連接到一個(gè)或多個(gè)閥門(mén)、一個(gè)或多個(gè)開(kāi)關(guān)、該整流器以及該裝置的其他部分上。在檢測(cè)到F2含量降低的情況下(這是對(duì)應(yīng)的氟產(chǎn)生池的不規(guī)則性能的一種指示，有可能是由陽(yáng)極燃燒造成)，該控制板可以發(fā)出光學(xué)的和/或聲學(xué)的警告，或者它可以自動(dòng)關(guān)閉這個(gè)或這些閥門(mén)并且因此將對(duì)應(yīng)的池與其他的分離并且因此防止所產(chǎn)生的F2被其他以規(guī)則的方式起作用的池污染。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案中，該裝置進(jìn)一步包括一個(gè)NaF塔。在該NaF塔中，可以通過(guò)將氣體穿過(guò)它而吸收HF。尤其可以將產(chǎn)生的F2氣體穿過(guò)這些NaF塔以從中去除HF。 這些塔可以通過(guò)施加熱量并且將一種清掃氣體穿過(guò)它而再生。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案中，該裝置進(jìn)一步包括一個(gè)顆粒過(guò)濾器。觀察到產(chǎn)生的氟氣經(jīng)常包含被夾帶的凝固的電解質(zhì)鹽。這種顆粒過(guò)濾器可以是由耐HF以及氟的材料制成的多孔體。具有直徑(例如)達(dá)IOnm的孔的過(guò)濾器是非常合適的?？梢粤硗鈱⒃摲鷼庠谟靡后wHF操作的洗滌器(例如，一種噴射滌氣器)中進(jìn)行處理。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案中，該裝置包括用于監(jiān)測(cè)并且控制氟產(chǎn)生池的電流效率的裝置(例如一個(gè)流量計(jì))。通過(guò)以上裝置測(cè)量每個(gè)池的優(yōu)選的電流效率。在氟氣的生產(chǎn)過(guò)程中，如果電流效率降低，則可以例如通過(guò)使用該控制裝置來(lái)關(guān)閉所述氟產(chǎn)生池(與其他池分離)。根據(jù)另一個(gè)方面，本發(fā)明還涉及一種用于制造氟的方法，包括使用如此前描述的根據(jù)本發(fā)明的裝置。具體來(lái)說(shuō)，本發(fā)明涉及一種用于生產(chǎn)高純度氟氣的方法，包括使用如此前描述的根據(jù)本發(fā)明的裝置。此外，本發(fā)明涉及根據(jù)本發(fā)明的裝置在半導(dǎo)體加工系統(tǒng)、在用于加工光電池的系統(tǒng)中、或用于加工TFT(用于液晶顯示器的薄膜晶體管)的系統(tǒng)中的用途，尤其是上述裝置在處理腔室的清潔系統(tǒng)中的用途。眾所周知，在用于所述目的的腔室中，在腔室的內(nèi)壁、內(nèi)部部件以及連接至該腔室的管線上經(jīng)常形成所不希望的沉積物。這些沉積物可以通過(guò)用氟氣(任選地用惰性氣體例如N2、02和/或Ar稀釋過(guò))的處理熱致地或在等離子體的輔助下被去除。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案中，與一個(gè)NaF塔結(jié)合的氟產(chǎn)生池檢測(cè)器(尤其是UV 分析儀)可以用作一種指示器，即在該氟產(chǎn)生池中僅有氟和HF(無(wú)CF4、C2F6等)離開(kāi)。在另一方面，本發(fā)明涉及通過(guò)使用氟產(chǎn)生池檢測(cè)器(例如，UV分析儀)來(lái)在制造高純度氟氣的過(guò)程中監(jiān)測(cè)雜質(zhì)(例如CF4)的一種方法?？梢杂梅鷿舛葋?lái)監(jiān)測(cè)CF4含量這個(gè)事實(shí)是出人意料的并且也是有利的，因?yàn)槿藗儽仨氝M(jìn)行一種測(cè)量來(lái)檢測(cè)兩種雜質(zhì)，這在其他情況下將需要兩個(gè)檢測(cè)器。在又一個(gè)方面，本發(fā)明涉及使用氟產(chǎn)生池檢測(cè)器(例如，UV分析儀)來(lái)在制備高純度氟氣過(guò)程中檢測(cè)陽(yáng)極燃燒的一種方法。在又一個(gè)方面，本發(fā)明涉及一種用于制造半導(dǎo)體、光電池或TFT的方法，該方法包括(a)通過(guò)如此前描述的本發(fā)明或如此前描述的本發(fā)明的裝置來(lái)制造氟；(b)將得到的氟進(jìn)料到一個(gè)半導(dǎo)體加工系統(tǒng)中、一個(gè)用于加工光電池的系統(tǒng)或一個(gè)用于加工TFT的系統(tǒng)。術(shù)語(yǔ)“處理”尤其包括以下步驟用元素氟蝕刻該半導(dǎo)體、光電池和TFT并且在制造半導(dǎo)體、 光電池以及TFT的過(guò)程中清潔該處理腔室。本發(fā)明還涉及用于清潔一種處理腔室的方法，該方法包括(a)通過(guò)如此前描述的本發(fā)明來(lái)制造氟；(b)將所得到的氟進(jìn)料到一個(gè)處理腔室的清潔系統(tǒng)中。此外，在另一方面，本發(fā)明提供了用FIlR和/或UV來(lái)監(jiān)測(cè)氟產(chǎn)生池所生產(chǎn)的氟的一種方法，尤其是通過(guò)生產(chǎn)線處、半在線或在線的測(cè)量來(lái)進(jìn)行。簡(jiǎn)要


圖1是一個(gè)簡(jiǎn)圖，示意性地示出了用于生產(chǎn)本發(fā)明的高純度氟氣的一種裝置的一個(gè)實(shí)施方案，使用了在線的氟產(chǎn)生池檢測(cè)器來(lái)監(jiān)測(cè)通過(guò)該氟產(chǎn)生池所得到的產(chǎn)物的組分。圖2是一個(gè)簡(jiǎn)圖，示意性地示出了用于生產(chǎn)本發(fā)明的高純度氟氣的一種裝置的另一個(gè)實(shí)施方案，使用了半在線的氟產(chǎn)生池檢測(cè)器來(lái)監(jiān)測(cè)通過(guò)該氟產(chǎn)生池所得到的產(chǎn)物的組分。圖3是一個(gè)簡(jiǎn)圖，示意性地示出了用于生產(chǎn)本發(fā)明的高純度氟氣的一種裝置的另一個(gè)實(shí)施方案，使用了生產(chǎn)線處的氟產(chǎn)生池檢測(cè)器來(lái)監(jiān)測(cè)通過(guò)該氟產(chǎn)生池所得到的產(chǎn)物的組分。圖4是一個(gè)簡(jiǎn)圖，示意性地示出了用于生產(chǎn)本發(fā)明的高純度氟氣的一種裝置的另一個(gè)實(shí)施方案，使用了氟產(chǎn)生池檢測(cè)器來(lái)監(jiān)測(cè)通過(guò)該氟產(chǎn)生池所得到的產(chǎn)物的組分。圖5是該氟氣的UV光譜圖的一個(gè)實(shí)施方案。實(shí)施本發(fā)明的方式下面對(duì)本發(fā)明進(jìn)行相當(dāng)詳細(xì)的描述。以下實(shí)例是以解說(shuō)的方式提供，用于幫助本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員理解本發(fā)明，而無(wú)意限制本發(fā)明的范圍。本發(fā)明的裝置圖1是一個(gè)簡(jiǎn)圖，示意性地示出了用于生產(chǎn)本發(fā)明的高純度氟氣的裝置的一個(gè)實(shí)施方案，使用了在線的氟產(chǎn)生池檢測(cè)器來(lái)監(jiān)測(cè)通過(guò)該氟產(chǎn)生池所得到的產(chǎn)物的組分。在圖 1中，該用于生產(chǎn)高純度氟氣的裝置包括用于加入原料的一個(gè)系統(tǒng)1 ；系統(tǒng)1優(yōu)選地包括至少一個(gè)HF (氟化氫)存儲(chǔ)罐，用來(lái)存儲(chǔ)HF并且將其遞送到電解池。該裝置包括至少一個(gè)氟產(chǎn)生池2、以及用于檢測(cè)通過(guò)該氟產(chǎn)生池所得到的產(chǎn)物組分的一個(gè)氟產(chǎn)生池檢測(cè)器6 ；任選地，用于獨(dú)立地打開(kāi)或關(guān)閉所述氟產(chǎn)生池2的一種控制裝置3、用于獨(dú)立地測(cè)量氟產(chǎn)生池2的電流效率的一種裝置5、一個(gè)顆粒過(guò)濾器4、用于處理或純化所產(chǎn)生的氟的一個(gè)系統(tǒng)7、用于處理或純化不純氟氣并且然后收集它的一個(gè)系統(tǒng)8。具體來(lái)說(shuō)，用于加入原料的系統(tǒng)1與該氟產(chǎn)生池2相連；該氟產(chǎn)生池2與一個(gè)任選的控制裝置3相連；該控制裝置3與一個(gè)任選的顆粒過(guò)濾器4相連；該顆粒過(guò)濾器4與一種用于獨(dú)立地測(cè)量氟產(chǎn)生池的電流效率的裝置5相連；該裝置5與一個(gè)氟產(chǎn)生池檢測(cè)器6相連；該氟產(chǎn)生池檢測(cè)器6分別與一個(gè)用于處理或純化產(chǎn)生的氟的系統(tǒng)7以及一個(gè)用于處理或純化不純氟氣并且然后收集它的系統(tǒng)8相連。此外，一個(gè)系統(tǒng)7與一個(gè)用于排出并且收集氟的系統(tǒng)9相連。此外，該系統(tǒng)7或系統(tǒng)8可以是例如一個(gè)含水性堿溶液的滌氣器。圖2是一個(gè)簡(jiǎn)圖，示意性地示出了用于生產(chǎn)本發(fā)明的高純度氟氣的裝置的另一個(gè)實(shí)施方案，使用了半在線的氟產(chǎn)生池檢測(cè)器來(lái)監(jiān)測(cè)通過(guò)該氟產(chǎn)生池所得到的產(chǎn)物的組分。 在圖2中，該用于生產(chǎn)高純度氟氣的裝置包括至少一個(gè)氟產(chǎn)生池2、以及用于檢測(cè)通過(guò)該氟產(chǎn)生池所獲得的產(chǎn)物組分的一個(gè)氟產(chǎn)生池檢測(cè)器6;任選地，用于獨(dú)立地打開(kāi)或關(guān)閉所述氟產(chǎn)生池2的一種控制裝置3、用于獨(dú)立地測(cè)量氟產(chǎn)生池2的電流效率的一個(gè)裝置5、一個(gè)顆粒過(guò)濾器4、用于處理或純化所產(chǎn)生的氟的一個(gè)系統(tǒng)7、用于處理或純化不純氟氣并然后收集它的一個(gè)系統(tǒng)8。具體來(lái)說(shuō)，一個(gè)用于加入原料的系統(tǒng)1與該氟產(chǎn)生池2相連；該氟產(chǎn)生池2與一個(gè)任選的控制裝置3相連；該控制裝置3與一個(gè)任選的顆粒過(guò)濾器4相連；該顆粒過(guò)濾器4與一個(gè)用于獨(dú)立地測(cè)量氟產(chǎn)生池的電流效率的裝置5相連；該裝置5分別與一個(gè)用于處理或純化所產(chǎn)生的氟的系統(tǒng)7、一個(gè)用于處理或純化不純氟氣并然后收集它的系統(tǒng)8、以及一個(gè)氟產(chǎn)生池檢測(cè)器6 (任選地通過(guò)一個(gè)任選的顆粒過(guò)濾器4)相連；該氟產(chǎn)生池檢測(cè)器6分別與一個(gè)用于處理或純化所產(chǎn)生的氟的系統(tǒng)7以及一個(gè)用于處理或純化不純氟氣并然后收集它的系統(tǒng)8相連。此外，一個(gè)系統(tǒng)7與一個(gè)用于排出并且收集氟的系統(tǒng)9相連。圖3是一個(gè)簡(jiǎn)圖，示意性地示出了用于生產(chǎn)本發(fā)明的高純度氟氣的裝置的另一個(gè)實(shí)施方案，使用了生產(chǎn)線處的氟產(chǎn)生池檢測(cè)器來(lái)監(jiān)測(cè)通過(guò)該氟產(chǎn)生池所得到的產(chǎn)物的組分。在圖3中，該用于生產(chǎn)高純度氟氣的裝置包括至少一個(gè)氟產(chǎn)生池2、以及該氟產(chǎn)生池檢測(cè)器6 ；任選地，用于獨(dú)立地打開(kāi)或關(guān)閉所述氟產(chǎn)生池2的一個(gè)控制裝置3、用于獨(dú)立地測(cè)量氟產(chǎn)生池2的電流效率的一個(gè)裝置5、一個(gè)顆粒過(guò)濾器4、用于處理或純化所產(chǎn)生的氟的一個(gè)系統(tǒng)7、用于處理或純化不純氟氣并然后收集它的一個(gè)系統(tǒng)8;以及用于處理或收集氟的一個(gè)系統(tǒng)10。具體來(lái)說(shuō)，一個(gè)用于加入原料的系統(tǒng)1與該氟產(chǎn)生池2相連；該氟產(chǎn)生池2與一個(gè)任選的控制裝置3相連；該控制裝置3與一個(gè)任選的顆粒過(guò)濾器4相連；該顆粒過(guò)濾器4與一個(gè)用于獨(dú)立地測(cè)量氟產(chǎn)生池的電流效率的裝置5相連；該裝置5分別與一個(gè)用于處理或純化所產(chǎn)生的氟的系統(tǒng)7、一個(gè)用于處理或純化不純氟氣并然后收集它的系統(tǒng)8、以及一個(gè)氟產(chǎn)生池檢測(cè)器6 (任選地通過(guò)一個(gè)任選的顆粒過(guò)濾器4)相連；該氟產(chǎn)生池檢測(cè)器6與一個(gè)用于處理或收集氟的系統(tǒng)10相連。此外，一個(gè)系統(tǒng)7與一個(gè)用于排出并且收集氟的系統(tǒng) 9相連。圖4是一個(gè)簡(jiǎn)圖，示意性地示出了用于生產(chǎn)本發(fā)明的高純度氟氣的裝置的一個(gè)另外的實(shí)施方案，使用了氟產(chǎn)生池檢測(cè)器來(lái)監(jiān)測(cè)通過(guò)該氟產(chǎn)生池所得到的產(chǎn)物的組分，其中該氟產(chǎn)生池檢測(cè)器(尤其是UV分析儀)還可以用作一種指示器，即在該氟產(chǎn)生池中僅有氟和HF(無(wú)CF4、C2F6等)離開(kāi)。在圖4中，該用于生產(chǎn)高純度氟氣的裝置包括至少一個(gè)氟產(chǎn)生池2、以及用于檢測(cè)通過(guò)該氟產(chǎn)生池所得到的產(chǎn)物組分的一個(gè)氟產(chǎn)生池檢測(cè)器6 ；任選地，用于獨(dú)立地打開(kāi)或關(guān)閉所述氟產(chǎn)生池2的一個(gè)控制裝置3、用于獨(dú)立地測(cè)量氟產(chǎn)生池2 的電流效率的一個(gè)裝置5、一個(gè)顆粒過(guò)濾器4、一個(gè)NaF塔11、用于處理或純化所產(chǎn)生的氟的一個(gè)系統(tǒng)7、用于處理或純化不純氟氣并然后收集它的一個(gè)系統(tǒng)8。具體來(lái)說(shuō)，一個(gè)用于加入原料的系統(tǒng)1與該氟產(chǎn)生池2相連；該氟產(chǎn)生池2與一個(gè)任選的控制裝置3相連；該控制裝置3與一個(gè)任選的顆粒過(guò)濾器4相連；該顆粒過(guò)濾器4與一個(gè)用于獨(dú)立地測(cè)量氟產(chǎn)生池的電流效率的裝置5相連；該裝置5分別與一個(gè)用于處理或純化所產(chǎn)生的氟的系統(tǒng)7、一個(gè)用于處理或純化不純氟氣并然后收集它的系統(tǒng)8、以及一個(gè)氟產(chǎn)生池檢測(cè)器6 (任選地通過(guò)一個(gè)NaF塔11、一個(gè)任選的顆粒過(guò)濾器4以及一個(gè)裝置5) 相連；該氟產(chǎn)生池檢測(cè)器6分別與一個(gè)用于處理或純化所產(chǎn)生的氟的系統(tǒng)7、一個(gè)用于處理或純化不純氟氣并然后收集它的系統(tǒng)8相連。此外，一個(gè)系統(tǒng)7與一個(gè)用于排出并且收集氟的系統(tǒng)9相連。圖5是該氟氣的UV光譜圖。如從圖5中看到的，在約^Onm處，沒(méi)有潛在的氟雜質(zhì)(CF4, C2F6, C3F8. · ·、02、N2, N2O, COF2, CO2, OF2, SO2F2, SF6, SiF4, HF...)具有顯著的 UV 吸收。所以在本發(fā)明中，F(xiàn)2UV吸收譜帶中(特別是在270-四0歷、甚至是約^Onm的波長(zhǎng)處) 的UV檢測(cè)是特別優(yōu)選的。在圖1至4中示意性描述的裝置可以包括多于1個(gè)的產(chǎn)生F2的電解池。例如，該裝置可以包括8個(gè)氟產(chǎn)生電解池加、213、2(3、2(1、加、2廠28和2h，它們連接到遞送原料(例如 HF)的系統(tǒng)1上。這些池加至池中的每一個(gè)都可以連接到系統(tǒng)1上。向這些池加至池中的每個(gè)都分配了一個(gè)相應(yīng)的控制裝置3a至池，例如一個(gè)閥門(mén)。這允許關(guān)閉池加至池中的一個(gè)而其他池可以繼續(xù)產(chǎn)生F2。該裝置可以進(jìn)一步包括1或多個(gè)顆粒過(guò)濾器。優(yōu)選地， 如果該裝置包括許多電解池，則它可以包括檢測(cè)器6a、6b、6C、6d、6e、6f、6g和他，其中每一個(gè)對(duì)這些池加....2h之一所產(chǎn)生的氟氣進(jìn)行分析；替代地，檢測(cè)器6可以包括一個(gè)可以單獨(dú)地并且快速依次地分析來(lái)自這些池加至池的氟氣的檢測(cè)器?？梢允闺x開(kāi)池加至池的氟氣穿過(guò)一個(gè)歧管然后進(jìn)入一個(gè)公共管線。具有許多電解池加至池的裝置的一種相當(dāng)?shù)陌才旁趫D2至4的裝置中是優(yōu)選的。本發(fā)明的方法為了描述本發(fā)明的方法，使用圖1作為參照。在圖1中，將原料HF獨(dú)立地通過(guò)一個(gè)用于加入原料的系統(tǒng)1送入至少一個(gè)氟產(chǎn)生池2中，然后在這個(gè)或這些池2中得到了氟氣。所得氟氣穿過(guò)一個(gè)用于獨(dú)立地打開(kāi)或關(guān)閉所述一個(gè)或多個(gè)氟產(chǎn)生池2的控制裝置3、一個(gè)顆粒過(guò)濾器4以及一個(gè)用于獨(dú)立地測(cè)量該氟產(chǎn)生池的電流效率的裝置5，并接著被送入該氟產(chǎn)生池檢測(cè)器6之中，該檢測(cè)器獨(dú)立地檢測(cè)并且分析來(lái)自每個(gè)氟產(chǎn)生池2的氟氣；優(yōu)選地，對(duì)每個(gè)氟產(chǎn)生池分配一個(gè)氟產(chǎn)生池檢測(cè)器6，并且因此，一個(gè)檢測(cè)器6檢測(cè)來(lái)自一個(gè)氟產(chǎn)生池的氟氣。該氟產(chǎn)生池檢測(cè)器6是用來(lái)監(jiān)測(cè)所產(chǎn)生的氟的組成。當(dāng)該氟產(chǎn)生池檢測(cè)器6檢測(cè)到一種陽(yáng)極燃燒時(shí)，例如輕微升高的HF含量、極度升高的CF4含量(C2F6和COF2也增大，而 OF2的量降低)或所測(cè)氟含量的降低(例如大于0. lvol% -0. 5vol% )(是通過(guò)FTIR、GC和 /或UV測(cè)量的)時(shí)，將這一個(gè)或多個(gè)氟產(chǎn)生池從純氟的生產(chǎn)中分離，并且觀察氟含量是否進(jìn)一步降低，例如將系統(tǒng)8(用于處理或純化不純氟氣并然后收集它)的閥門(mén)打開(kāi)、同時(shí)將系統(tǒng)7(用于處理或純化所產(chǎn)生的氟)的閥門(mén)關(guān)閉。如果其氟含量繼續(xù)降低，則將這個(gè)或這些氟產(chǎn)生池2關(guān)閉(例如電流=OA)，任選地可將其修復(fù)，例如用氟產(chǎn)生池、陽(yáng)極等更換。如果氟含量沒(méi)有繼續(xù)降低而是又達(dá)到初始的氟含量水平，則將這個(gè)或這些氟產(chǎn)生池2再次用于純氟的生產(chǎn)，例如將系統(tǒng)7(用于處理或純化所產(chǎn)生的氟)的閥門(mén)再次打開(kāi)、同時(shí)將系統(tǒng) 8 (用于處理或純化不純氟氣并然后收集它)的閥門(mén)關(guān)閉。然后，將產(chǎn)生的氟從系統(tǒng)7中排出到用于排出并且收集氟的系統(tǒng)9之中。實(shí)例1十個(gè)氟產(chǎn)生池2中填充了 KHF2電解質(zhì)，并且在這10個(gè)池2中通過(guò)電解來(lái)生產(chǎn)氟氣。所獲得的氟氣穿過(guò)一個(gè)用于獨(dú)立地打開(kāi)或關(guān)閉所述氟產(chǎn)生池2的開(kāi)關(guān)3、一個(gè)顆粒過(guò)濾器4以及一個(gè)用于獨(dú)立測(cè)量氟產(chǎn)生池的電流效率的流量計(jì)5，并且然后被送入一個(gè)用于檢測(cè)^Onm處的UV吸收的UV分析儀6之中，該UV分析儀6獨(dú)立地檢測(cè)每個(gè)氟產(chǎn)生池。當(dāng)該氟產(chǎn)生池檢測(cè)器(UV分析儀)6檢測(cè)到所測(cè)氟含量的降低大于0. lVol%時(shí)，將用于銷(xiāo)毀不純氟氣的滌氣器系統(tǒng)8上的閥門(mén)打開(kāi)、同時(shí)將純化區(qū)段7上的閥門(mén)關(guān)閉。如果其氟含量繼續(xù)降低，則通過(guò)開(kāi)關(guān)3將這些氟產(chǎn)生池2關(guān)閉(例如電流=0A)。如果氟含量沒(méi)有繼續(xù)降低而是在維修或者修復(fù)之后又達(dá)到了初始的氟含量水平，將純化區(qū)段7的閥門(mén)再次打開(kāi)、同時(shí)將用于銷(xiāo)毀不純氟氣的滌氣器系統(tǒng)8的閥門(mén)關(guān)閉，其中該系統(tǒng)8填充有水性堿溶液。然后， 將產(chǎn)生的氟從滌氣器7中排出到用于排出并且收集氟的系統(tǒng)9之中。結(jié)果在表1中示出。實(shí)例2與實(shí)例1相同，除了使用五個(gè)氟產(chǎn)生池2，如表1中指明的。實(shí)例3與實(shí)例1相同，除了所測(cè)氟含量的降低是大于0. 5Vol%，如表1中指明的。實(shí)例 4與實(shí)例2相同，除了所測(cè)氟含量的降低是大于0. 5Vol%，如表1中指明的。表 權(quán)利要求
1.一種用于生產(chǎn)氟氣的裝置，該生產(chǎn)氟氣的裝置包括至少一個(gè)氟產(chǎn)生池、以及至少一個(gè)用于檢測(cè)由該氟產(chǎn)生池得到的產(chǎn)物的組分的氟產(chǎn)生池檢測(cè)器，其中所述氟產(chǎn)生池的至少一個(gè)與該氟產(chǎn)生池檢測(cè)器相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中該氟產(chǎn)生池檢測(cè)器用于檢測(cè)由該氟產(chǎn)生池獲得的氟中所存在的雜質(zhì)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的裝置，其中該氟產(chǎn)生池檢測(cè)器包括(a)采樣器，該采樣器可操作為從由該氟產(chǎn)生池中所獲得的產(chǎn)物中取出樣品；(b)滌氣器，該滌氣器用于銷(xiāo)毀來(lái)自該樣品的任何氟和HF并且產(chǎn)生任選包含雜質(zhì)、特別是CF4的氣體流；(c)用于檢測(cè)從該滌氣器中回收的氣體流中所含雜質(zhì)的裝置，特別是GC檢測(cè)器，例如火焰離子化檢測(cè)器、熱導(dǎo)檢測(cè)器、TDL-光譜、或FI1R。
4.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的裝置，其中該氟產(chǎn)生池檢測(cè)器用于檢測(cè)由該氟產(chǎn)生池所獲得的氟中存在的CF4。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中該氟產(chǎn)生池檢測(cè)器是UV分析儀。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其中該UV分析儀利用在200至400nm范圍內(nèi)、優(yōu)選在 250至330nm范圍內(nèi)的UV光來(lái)運(yùn)行。
7.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的裝置，包括兩個(gè)或更多個(gè)氟產(chǎn)生池，其中每個(gè)氟產(chǎn)生池獨(dú)立地與該氟產(chǎn)生池檢測(cè)器相連。
8.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的裝置，進(jìn)一步包括(a)用于獨(dú)立地打開(kāi)或關(guān)閉所述氟產(chǎn)生池的控制裝置。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其中該氟產(chǎn)生池檢測(cè)器獨(dú)立地與該控制裝置分別相連。
10.一種用于生產(chǎn)氟氣的方法，包括使用根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的裝置。
11.根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的裝置在半導(dǎo)體加工系統(tǒng)、在加工光電池的系統(tǒng)或加工TFT的系統(tǒng)中的用途。
12.根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的裝置用于清潔處理腔室的用途。
13.一種用于制造半導(dǎo)體、光電池或TFT的方法，其中(a)通過(guò)根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法來(lái)生產(chǎn)氟，和(b)將所得的氟用于半導(dǎo)體加工系統(tǒng)中、用于加工光電池的系統(tǒng)中或用于加工TFT的系統(tǒng)中。
14.一種用于清潔處理腔室的方法，其中(a)通過(guò)根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法來(lái)生產(chǎn)氟，和(b)使用所得的氟來(lái)清潔該處理腔室。
15.一種在用于制備氟氣的方法中檢測(cè)陽(yáng)極燃燒的方法，該方法包括使用UV分析儀。
全文摘要
一種用于生產(chǎn)氟氣的裝置，該裝置包括至少一個(gè)氟產(chǎn)生池、以及至少一個(gè)用于對(duì)該氟產(chǎn)生池所得到的產(chǎn)物的組分進(jìn)行檢測(cè)的氟產(chǎn)生池檢測(cè)器，其中這些氟產(chǎn)生池中至少一個(gè)是與該氟產(chǎn)生池檢測(cè)器相連。
文檔編號(hào)C01B7/20GK102574682SQ201080046889
公開(kāi)日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2010年10月13日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月16日
發(fā)明者克里斯托弗·薩默, 哈拉爾德·克魯格, 多米尼克·巴爾塔薩爾特, 弗朗西斯·費(fèi)斯, 約翰內(nèi)斯·艾歇爾, 霍爾格·珀尼斯 申請(qǐng)人:蘇威氟有限公司