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一種連續(xù)投加硅粉生產(chǎn)三氯氫硅的方法

文檔序號:3441740閱讀:397來源:國知局
專利名稱:一種連續(xù)投加硅粉生產(chǎn)三氯氫硅的方法
技術領域
本發(fā)明涉及的是一種生產(chǎn)三氯氫硅的方法,特別涉及一種連續(xù)投加硅粉生產(chǎn)三氯 氫硅的方法。
背景技術
三氯氫硅是生產(chǎn)有機硅烷偶聯(lián)劑的重要原料,將三氯氫硅與氯乙烯或氯丙烯進行 合成反應,再經(jīng)精餾提純,得到乙烯基或丙烯基系列硅烷偶聯(lián)劑產(chǎn)品。硅烷偶聯(lián)劑幾乎可 與任何一種材料交聯(lián),包括熱固性材料、熱塑性材料、密封劑、橡膠、親水性聚合物以及無機 材料等,在太陽能電池、玻璃纖維、增強樹脂、精密陶瓷纖維和光纖保護膜等方面扮演著重 要角色,并在這些行業(yè)中發(fā)揮著不可或缺的重要作用?,F(xiàn)有技術公開了一些三氯氫硅的合 成的技術方案硅粉加料的方法,普遍采用集中加料的方法,300-500公斤硅粉放在容器中加 熱4 5小時后,根據(jù)生產(chǎn)情況,用人工集中加料,操作人員勞動強度大,作業(yè)環(huán)境差,企業(yè) 勞動力成本高;三氯氫硅轉(zhuǎn)化率低,硅粉單耗高。由于硅粉在給料機中容易產(chǎn)生堵料、搭橋 等現(xiàn)象,使得落料管內(nèi)物料結(jié)死,阻礙輸料的順利進行,甚至徹底堵死落料管,此外,三氯氫 硅的合成是在密閉環(huán)境下進行的,有方案采用間斷反應的方式進行,在反應進行時,關閉物 料控制裝置,停止加料;當物料消耗到一定情況下,再加入新的硅粉物料進行相應的原料補 充。這樣的生產(chǎn)裝置具有較好的可操作性,容易控制,而且還具有較高的安全性能。但是間 斷性的加料方式中斷了反應的連續(xù)性,降低了生產(chǎn)效率;同時反應條件的間斷性的變化在 提高了能耗的同時也給設備帶來不利的影響。此外,現(xiàn)有的合成中副產(chǎn)物含量過大,導致合 成效率下降,從而進一步降低了精餾后三氯氫硅的純度。中國申請200910172331. 2 —種三氯氫硅合成的方法中公開了一種合成方案,其 中氯化氫與硅粉料可不間斷反應。具體通過如下方式實現(xiàn)裝滿的硅粉的運輸料斗,用行車 運輸?shù)街虚g料斗的上方,把硅粉和均勻的灑落在中間料斗中,向中間料斗中通入加熱的氮 氣,尾氣進入到三廢處理工序;中間料斗的硅粉在管道中補入到補充料斗中,向補充料斗通 入加熱的氮氣和氫氣(在開車之前用氮氣加熱,在生產(chǎn)過程中用氫氣加熱)出來的尾氣進 入到三廢處理工序,補充料斗的硅粉和進入到供給料斗中,并通入氫氣加熱,出來的尾氣進 入到三廢處理工序;供給料斗的硅粉和進入到星形給料機向外輸出,并于混合氣緩沖罐的 氣體混合一起進入到三氯氫硅合成爐中。上述技術方案中,雖然星形給料機能夠保證系統(tǒng) 的密閉性,但由于操作過程中,必須將硅粉一次性加入到硅粉供給料斗中。反應完后仍需要 人工將硅粉投入到料斗,仍然無法實現(xiàn)生產(chǎn)的自動化和連續(xù)化?!叭葰涔枭a(chǎn)工藝的優(yōu)化”,氯堿工業(yè),2010年2月第46卷第2期觀_30頁公開 了一種優(yōu)化的三氯氫硅生產(chǎn)工藝,針對工藝在實際生產(chǎn)過程中出現(xiàn)的硅粉容易堵塞,爐內(nèi) 壓力不穩(wěn)定等問題對硅粉系統(tǒng)進行了改進,通過改進硅粉給料管的材質(zhì)和管徑,盡量減少 直角阻力,再加上正確使用氮氣,確保了硅粉的連續(xù)加入。但改進后的硅粉系統(tǒng)仍然需要人 工給料,且無法實現(xiàn)連續(xù)化自動化生產(chǎn)。中國申請2009100206 . 2,CN101519206A公開了一種提純?nèi)葰涔韬退穆然?的工藝,其利用三塔連續(xù)精餾提純?nèi)葰涔韬退穆然?,將兩塔設置改為三塔連續(xù),通過調(diào) 整工藝條件,使1#精餾塔塔頂氣相采出為高純的三氯氫硅(純度高達99.9% ),液相采出 為含少量三氯氫硅的四氯化硅溶液,該溶液進入2#精餾塔,2#塔塔頂將剩余的三氯氫硅和 少量四氯化硅氣相采出,冷凝后重回合成液中間罐,2#塔液相采出的四氯化硅和高沸烷進 入3#精餾塔。3#塔對四氯化硅和高沸硅烷進行提純,塔頂即為高純的四氯化硅。上述技 術方案雖然能夠有效分離和收集三氯氫硅和四氯化硅,但由于三氯氫硅的原料液中含有二 氯二氫硅,其沸點低于三氯氫硅,因此在1#精餾塔氣相采出的三氯氫硅必然含有二氯二氫 硅,雖然申請文件中提出其純度達到99. 9%,但在理論上,上述設備和方法無法實現(xiàn)。有鑒于此,特提出本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種連續(xù)投加硅粉生產(chǎn)三氯氫硅的方法。為實現(xiàn)發(fā)明目 的,本發(fā)明采用如下技術方案一種連續(xù)投加硅粉生產(chǎn)三氯氫硅的方法,包括如下步驟A、將硅粉加入到干燥器后,用140_160°C的干燥氮氣干燥5_6個小時;B、控制系統(tǒng)控制將干燥后的硅粉與氯化氫按1 3-1 4的摩爾比送入合成爐;
C、在合成爐內(nèi),硅粉和氯化氫進行氣固相反應。所述的步驟A中干燥器為兩個,干燥器的體積為5_6m3,干燥器內(nèi)壓力為 0. 18-0. 25MPa,兩個干燥器交替使用分別進行干燥和給料,保證原料供給的連續(xù)性。所述的步驟B為控制系統(tǒng)結(jié)合三氯氫硅合成爐的產(chǎn)率和氯化氫的進料量控制給 料裝置向合成爐內(nèi)送入硅粉,實現(xiàn)全封閉化自動連續(xù)加料。所述的步驟B為控制系統(tǒng)結(jié)合三氯氫硅的產(chǎn)率,先以硅粉氯化氫的摩爾比為 1:3-2: 7進料5-15分鐘后,又以摩爾比為5 18-1 4進料5-15分鐘,兩種比例的進 料交替循環(huán)進行,同時保持硅粉與產(chǎn)出的三氯氫硅的摩爾比為4 5-5 4。所述的步驟B為控制系統(tǒng)結(jié)合三氯氫硅的產(chǎn)率,先以硅粉氯化氫的摩爾比為 5 16進料10分鐘后,又以摩爾比為5 19進料10分鐘,兩種比例的進料交替循環(huán)進行, 同時保持硅粉與產(chǎn)出的三氯氫硅的摩爾比為6 5。所述的給料裝置為帶有星型閥的螺桿加料機,所述的控制系統(tǒng)為DCS控制系統(tǒng)。所述的步驟C中,合成爐內(nèi)溫度為310_330°C,壓力為0. 1-0. 15MPa,優(yōu)選爐內(nèi)溫度 為315-325°C,壓力為0. 12MPa,更優(yōu)選合成爐內(nèi)溫度為320°C。所述的方法還包括三氯氫硅的精餾,所述的精餾為將合成爐中產(chǎn)生的含三氯氫 硅的原料液送入精餾塔進行三級精餾,分離得純度大于99. 9%的三氯氫硅。所述的三級精餾為a)將含三氯氫硅的原料液送入第一精餾塔進行一級精餾,從塔頂分離出含 90% -95% 二氯二氫硅的低沸物雜質(zhì),塔釜餾分中硼含量低于0. 05ppb ;b)將所述第一精餾塔的塔釜餾分送入第二精餾塔進行二級精餾,從塔頂分離出 99. 9%以上的三氯氫硅,其中磷含量低于0. 05ppb ;c)將所述第二精餾塔的塔釜餾分送入第三精餾塔進行三級精餾,塔頂餾分經(jīng)冷凝 后送入第二精餾塔進行再次精餾,塔釜餾分排至四氯化硅儲槽。
所述的三級精餾為a)將含85-90%的三氯氫硅原料液送入第一精餾塔,控制塔頂溫度在20_25°C,塔 釜溫度為30-35°C,P1為0. 04-0. 06MPa,回流比為2_5%,回流1_2小時,塔頂采出含90-98% 二氯二氫硅的低沸物,塔釜除去低沸物的餾分送入到第二精餾塔塔釜。b)將第一精餾塔塔釜餾分送入第二精餾塔塔釜,控制塔頂溫度為50_55°C,塔釜 溫度為60-65°C,P2為0. 08-0. 12MPa,當塔釜中釜液達到其高度的2/3-4/5且溫度達到 65-70°C時,將第二精餾塔塔頂?shù)母呒兌热葰涔璨沙?,塔釜的高沸物送入第三精餾塔塔^r οc)將第二精餾塔塔釜的高沸物送入第三精餾塔塔釜,控制塔頂溫度為60_65°C, 塔釜溫度為80-85°C,12-0. 18MPa,回流比為1 4-1 2,回流0. 3-1小時,將第 三精餾塔塔頂餾分送入第二精餾塔塔釜進行二次精餾,將塔釜的四氯化硅排到四氯化硅儲槽。所述的三級精餾還包括對各塔頂餾分的冷凝,第一精餾塔、第二精餾塔塔頂餾分 經(jīng)冷凝后的一部分分別回流至各級精餾塔,另一部分收集至儲罐,第三精餾塔塔頂餾分冷 凝后的冷凝液一部分回流至第三精餾塔,另一部分送入第二精餾塔進行再次精餾。所述的精餾塔為填料塔。下面結(jié)合附圖
對本發(fā)明作進一步的詳細介紹。影響三氯氫硅生產(chǎn)合成的因素主要有溫度、氧和水分的影響、游離氯的控制、硅 粉粒度、料層高度和氯化氫流量。以下針對影響因素作簡要概述。(一)氧和水份的影響氧和水份對合成反應傷害很大,因為Si-O化學鍵比Si-Cl化學鍵更穩(wěn)定,進入系 統(tǒng)的氧元素都會與硅合成硅膠或硅氧烷類物質(zhì),一方面在硅粉表面形成一層致密的氧化 膜,影響反應的正常進行,使產(chǎn)物中三氯氫硅含量降低,此外還形成硅膠類物質(zhì)堵塞管道, 使生產(chǎn)系統(tǒng)發(fā)生故障。因此,對于三氯氫硅的合成反應而已,系統(tǒng)的密閉性和硅粉的投料有著重要影響?,F(xiàn)有的三氯氫硅合成中硅粉的投料方式如下原料硅粉用硅粉吊車提升至加料料斗的頂部,并將硅粉倒入硅粉干燥罐內(nèi)。硅粉 干燥罐的裝料為每8小時一次,每次約1800kg,裝好后,通過硅粉干燥罐外部的電加熱器加 熱至200°C左右進行干燥約2 3小時,干燥后備用。硅粉每4小時一次自動由硅粉干燥罐 放入安裝于下方的硅粉加料罐,再放入下方的硅粉緩沖罐。用安裝于硅粉緩沖罐底部的旋 轉(zhuǎn)閥,將硅粉以一定的流量供入到三氯氫硅反應器中。加料自動過程如下當硅粉緩沖罐內(nèi) 的硅粉貯存量大約剩2小時用量時,給出一個信號,自動啟動一個加料周期。首先,打開硅 粉加料罐進口閥門,當硅粉加料到量后,關閉進口閥門。接下來就該置換,硅粉加料罐的氯 化氫壓力平衡閥關閉,放空閥開啟。一個加料周期結(jié)束,硅粉加料罐等待下一個加料過程。當三氯氫硅反應器停下維修或更換硅時,用溫度為300°C的熱氮氣,在4小時內(nèi)將 其吹入三氯氫硅合成工序的廢氣處理系統(tǒng)。然后吹入冷氮氣以將反應器溫度降至50°C。冷 卻后的硅粉從三氯氫硅反應器底卸出,用運輸罐運至庫房作為副產(chǎn)品外售?,F(xiàn)有的合成設 備中,硅粉的添加都必須呈周期式,反應完一個周期后,停車向加料罐裝入硅粉,因此,影響 了生產(chǎn)的連續(xù)性和三氯氫硅的產(chǎn)率。
本發(fā)明對現(xiàn)有的給料裝置及方法進行了改進,利用DCS控制系統(tǒng)對加料過程進行 控制,具體為利用電動葫蘆將硅粉加至兩個硅粉干燥器中,向干燥器內(nèi)通入140-160°C干 燥氮氣,控制干燥器在0. 18-0. 25MI^下干燥5-6小時。首次使用時,兩個干燥器同時干燥, 干燥后單獨使用一個干燥器向給料機投料,關閉另一干燥器的排料管道的閥門;一個干燥 器內(nèi)的硅粉使用完畢后關閉其排料管道閥門,打開進料閥門,之后兩個干燥器交替進行干 燥和給料。具體操作如下一個硅粉干燥器對硅粉進行干燥時,其頂部進料口的閥門打開, 出料口的閥門關閉,DCS控制系統(tǒng)控制電動葫蘆將硅粉加至干燥器,利用高溫氮氣對硅粉進 行干燥;此時另一個硅粉干燥器處于投料階段,其進料口閥門關閉,出料口的閥門打開向給 料機供料。由于硅粉干燥器為兩個,因此可以保證硅粉可以連續(xù)供給。由于三氯氫硅的合成是要求在密閉環(huán)境下進行,因此,硅粉的加入也必須保證是 處于密閉條件。間斷性的加料方式中斷了反應的連續(xù)性,降低了生產(chǎn)效率;同時反應條件的 間斷性的變化在提高了能耗的同時也給設備帶來不利的影響。發(fā)明人對裝置進行了大量的 研究和實驗后發(fā)現(xiàn),利用帶星型閥的螺桿給料機向合成爐給料能夠維持給料過程中系統(tǒng)的 密閉性。為了進一步實現(xiàn)自動化和連續(xù)化,本發(fā)明引進DCS控制系統(tǒng)對螺桿給料機進行控 制,具體為DCS控制系統(tǒng)根據(jù)合成爐中三氯氫硅的產(chǎn)率,調(diào)節(jié)電機的轉(zhuǎn)速,帶動渦輪渦桿 向合成爐中加入硅粉,同時該DCS控制系統(tǒng)還同時對氯化氫的投放量進行控制,以使硅粉 和氯化氫氣體呈比例投放,實現(xiàn)原料利用的最大化。并有效抑制的副反應的發(fā)生。由于合 成爐內(nèi)壓力低于干燥器,因此,不會出現(xiàn)氣體逆流的現(xiàn)象,進一步保證了合成爐的密閉性。通過系統(tǒng)自動連續(xù)投料,降低了人工勞動強度,降低了企業(yè)的用工成本;結(jié)合氯化 氫的投放量控制硅粉的進料能夠減少硅粉消耗,提高利用率;解決了業(yè)內(nèi)無法克服的障礙, 實現(xiàn)了工業(yè)生產(chǎn)的連續(xù)化,大幅度降低了企業(yè)的生產(chǎn)成本,有利于推廣應用。(二)游離氯的控制游離氯對合成爐的影響主要是兩個方面一是含量過高有爆炸危險,另外是會影 響合成的質(zhì)量。通過氯化氫合成爐反應時氫過量4%左右來控制游離氯,并用含量檢測儀連 續(xù)檢測氯化氫的質(zhì)量來確保游離氯含量低于生產(chǎn)要求。(三)硅粉粒度硅粉與氯化氫氣體反應是在硅的表面進行的,硅粉比表面積越大,越有利于反應, 即要求硅粉粒度應該較小。但是粒度過小,流化時容易形成聚式流化床,有較多的氣泡,將 抑制傳質(zhì)進行,使氯化氫的一次轉(zhuǎn)化率降低,同時,較小的顆粒迅速反應,很快就達到帶出 粒徑范圍,使硅粉的利用率降低。因此,選用粒度適中的硅粉是很重要的。發(fā)明人經(jīng)過大量 的研究實驗,確定硅粉為40-160目,優(yōu)選90-120目,更優(yōu)選100目。(四)料層高度和氯化氫流量硅粉料層高度和氯化氫流量是影響三氯氫硅產(chǎn)量和質(zhì)量的重要因素,料層過高壓 力降增加,要求進氣壓力相應提高。過高的壓力降造成爐內(nèi)的穩(wěn)定性變差,有形成“噴泉”或 “溝流”的可能,更有形成“管涌”的可能性,如果料層過低,產(chǎn)生不均勻沸騰,反應的接觸時 間也縮短,產(chǎn)量會降低。氯化氫的流量決定了顆粒床的流化狀態(tài)。本發(fā)明通過結(jié)合三氯氫 硅合成爐的產(chǎn)率及氯化氫的流量控制硅粉的加入,避免了上述缺陷,不會出現(xiàn)硅粉的累積, 保證了原料的高轉(zhuǎn)化率。三氯氫硅的合成反應方程式為Si+3HCl — SiHCl3+H2 7
副反應化學方程式為Si+2HC1 — SiH2Cl2 (Τ < 280°C )Si+4HC1 — SiCl4+2H2 (Τ > 350°C )為了提高三氯氫硅的產(chǎn)率,現(xiàn)有技術通常采用向反應系統(tǒng)中通入氫氣、四氯化硅 等措施抑制副反應的發(fā)生。但這必須對原有的裝置進行改造,同時也加大了系統(tǒng)控制的難 度。而發(fā)明人在多次試驗中意外發(fā)現(xiàn),適度改變硅粉與氯化氫的投料比可以有效達到控制 副反應的目的。同等條件下,以恒定的硅粉與氯化氫的投料比進料三氯氫硅產(chǎn)率(三氯氫 硅產(chǎn)率是指合成的三氯氫硅與氯硅烷混合物的摩爾百分比,下同)通常在75-90%,四氯氫 硅的產(chǎn)率通常在7. 5-20%,而適當改變硅粉與氯化氫的投料比后,三氯氫硅產(chǎn)率可以提高 至92-98. 5%,四氯氫硅的產(chǎn)率可降至1. 5-5%,因此,本發(fā)明采用改變硅粉與氯化氫的投 料方式來提高三氯氫硅的產(chǎn)率。為了進一步確定最佳實施方式,發(fā)明人做了大量對比試驗, 部分優(yōu)選的試驗結(jié)果見表1、2 表1硅粉與氯化氫的進料摩爾比及循環(huán)進料的模式對三氯氫硅產(chǎn)率的影響
權利要求
1.一種連續(xù)投加硅粉生產(chǎn)三氯氫硅的方法,包括如下步驟A、將硅粉加入到干燥器后,用140-160°C的干燥氮氣干燥5-6個小時;B、控制系統(tǒng)結(jié)合三氯氫硅合成爐的產(chǎn)率和氯化氫的進料量控制給料裝置向合成 爐內(nèi)送入干燥后的硅粉,實現(xiàn)全封閉化自動連續(xù)加料,所述的硅粉與氯化氫的摩爾比為 1:3-1:4;C、在合成爐內(nèi),硅粉和氯化氫進行氣固相反應。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法,其特征在于,所述的步驟A中干燥器為兩個,干燥器的 體積為5-6m3,干燥器內(nèi)壓力為0. 18-0. 25MPa,兩個干燥器交替使用分別進行干燥和給料, 保證原料供給的連續(xù)性。
3.根據(jù)權利要求1所述的方法,其特征在于,所述的步驟B為控制系統(tǒng)結(jié)合三氯氫 硅的產(chǎn)率,先以硅粉氯化氫的摩爾比為1 3-2 7進料5-15分鐘后,又以摩爾比為 5 18-1 4進料5-15分鐘,兩種比例的進料交替循環(huán)進行,同時保持硅粉與產(chǎn)出的三氯 氫硅的摩爾比為4 5-5 4。
4.根據(jù)權利要求3所述的方法,其特征在于,所述的步驟B為控制系統(tǒng)結(jié)合三氯氫硅 的產(chǎn)率,先以硅粉氯化氫的摩爾比為5 16進料10分鐘后,又以摩爾比為5 19進料10 分鐘,兩種比例的進料交替循環(huán)進行,同時保持硅粉與產(chǎn)出的三氯氫硅的摩爾比為6 5。
5.根據(jù)權利要求1所述的方法,其特征在于,所述的給料裝置為帶有星型閥的螺桿加 料機,所述的控制系統(tǒng)為DCS控制系統(tǒng)。
6.根據(jù)權利要求1所述的方法,其特征在于,所述的步驟C中,合成爐內(nèi)溫度為 310-330°C,壓力為0. 1-0. 15MPa,優(yōu)選爐內(nèi)溫度為315_325°C,壓力為0. 12MPa,更優(yōu)選合成 爐內(nèi)溫度為320°C。
7.根據(jù)權利要求1所述的方法,其特征在于所述的方法還包括三氯氫硅的精餾,所述 的精餾為將合成爐中產(chǎn)生的含三氯氫硅的原料液送入精餾塔進行三級精餾,分離得純度 大于99. 9%的三氯氫硅。
8.根據(jù)權利要求7所述的方法,其特征在于所述的三級精餾為a)將含三氯氫硅的原料液送入第一精餾塔進行一級精餾,從塔頂分離出含90%-95% 二氯二氫硅的低沸物雜質(zhì),塔釜餾分中硼含量低于0. 05ppb ;b)將所述第一精餾塔的塔釜餾分送入第二精餾塔進行二級精餾,從塔頂分離出 99. 9%以上的三氯氫硅,其中磷含量低于0. 05ppb ;c)將所述第二精餾塔的塔釜餾分送入第三精餾塔進行三級精餾,塔頂餾分經(jīng)冷凝后送 入第二精餾塔進行再次精餾,塔釜餾分排至四氯化硅儲槽。
9.根據(jù)權利要求8所述的方法,其特征在于所述的三級精餾為a)將含85-90%的三氯氫硅原料液送入第一精餾塔,控制塔頂溫度在20-25°C,塔釜溫 度為30-35°C, P1為0. 04-0. 06MPa,回流比為2_5%,回流1-2小時,塔頂采出含90-98%二 氯二氫硅的低沸物,塔釜除去低沸物的餾分送入到第二精餾塔塔釜;b)將第一精餾塔塔釜餾分送入第二精餾塔塔釜,控制塔頂溫度為50-55°C,塔釜溫度 為60-65°C,P2為0. 08-0. 12MPa,當塔釜中釜液達到其高度的2/3-4/5且溫度達到65_70°C 時,將第二精餾塔塔頂?shù)母呒兌热葰涔璨沙?,塔釜的高沸物送入第三精餾塔塔釜;c)將第二精餾塔塔釜的高沸物送入第三精餾塔塔釜,控制塔頂溫度為60-65°C,塔釜溫度為80-85°C,P3*0. 12-0. 18MPa,回流比為1 4-1 2,回流0. 3-1小時,將第三精餾 塔塔頂餾分送入第二精餾塔塔釜進行二次精餾,將塔釜的四氯化硅排到四氯化硅儲槽。
10.根據(jù)權利要求7所述的方法,其特征在于所述的三級精餾還包括對各塔頂餾分的 冷凝,第一精餾塔、第二精餾塔塔頂餾分經(jīng)冷凝后的一部分分別回流至各級精餾塔,另一部 分收集至儲罐,第三精餾塔塔頂餾分冷凝后的冷凝液一部分回流至第三精餾塔,另一部分 送入第二精餾塔進行再次精餾。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種連續(xù)投加硅粉生產(chǎn)三氯氫硅的方法,該方法包括將硅粉加入到干燥器后,用140-160℃的干燥氮氣干燥5-6個小時;控制系統(tǒng)控制將干燥后的硅粉與氯化氫按1∶3-1∶4的摩爾比送入合成爐;在合成爐內(nèi),硅粉和氯化氫進行氣固相反應;合成爐的排出物經(jīng)旋風分離器和硅塵過濾器除塵,將其中殘存的硅塵回收,再送入合成氣加壓冷凝系統(tǒng);將上述冷凝后的原料液送入精餾塔進行三級精餾,分離得純度大于99.9%的三氯氫硅。本發(fā)明解決了現(xiàn)有技術中不能實現(xiàn)連續(xù)生產(chǎn)和副產(chǎn)物含量過高的技術問題,大大提高了裝置生產(chǎn)效率、生產(chǎn)的安全穩(wěn)定性及三氯氫硅的產(chǎn)率和純度。
文檔編號C01B33/107GK102040223SQ20101060192
公開日2011年5月4日 申請日期2010年12月23日 優(yōu)先權日2010年12月23日
發(fā)明者李明生, 邱順恩, 郎豐平, 黃小明, 黃少輝 申請人:江西嘉柏新材料有限公司
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