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生產(chǎn)碳化硅的去雜質(zhì)沉降池的制作方法

文檔序號:3441488閱讀:427來源:國知局
專利名稱:生產(chǎn)碳化硅的去雜質(zhì)沉降池的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及水法生產(chǎn)碳化硅設(shè)備,尤其涉及一種生產(chǎn)碳化硅的去雜質(zhì)沉降池。
背景技術(shù)
碳化硅用于3-12英寸的單晶硅、多晶硅、砷化鉀、石英晶體的線切割。是太陽能 光伏產(chǎn)業(yè)、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、壓電晶體產(chǎn)業(yè)的工程性加工材料。JIS#800、JIS#1000、JIS1200、 JSS#1500、JIS#2000滿足不同線切割設(shè)備、不同線切割材質(zhì),不同線切割材料直徑、不同線 切割線徑的個性化要求。由于市場上的銷售的碳化硅的初級產(chǎn)品中含有碳,氧化鐵,氧化鋁 等雜質(zhì)。在進行水法分選碳化硅微粉工藝前必須用酸堿等溶液對來料進行清洗、過濾去雜 質(zhì)提純。目前去雜質(zhì)工藝一般采用特制塑料桶,將來料放入塑料桶內(nèi)加入水利用帶有攪拌 軸的攪拌機進行攪拌,沉降一段時間,將上面懸浮雜質(zhì)撈出,再依次加入酸溶液,分別將碳, 氧化鐵,氧化鋁等雜質(zhì)去掉,撈出,再放入堿進行中和。如此多的工序耗費時間很多。不利 于大批量生產(chǎn)。在產(chǎn)量較大的情況下,特制塑料桶的用量也較多,占地面積大,生產(chǎn)環(huán)境混 亂。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是,克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足,提供一種可以節(jié)省 空間、提高工作效率的生產(chǎn)碳化硅的去雜質(zhì)沉降池。本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案予以實現(xiàn)一種生產(chǎn)碳化硅的去雜質(zhì)沉降池,其特征 是主要由儲料池,攪拌機和支架構(gòu)成,所述儲料池形狀呈六方體,所述儲料池主要由水泥 池體和保護層構(gòu)成整體,所述保護層沿池的底部、內(nèi)壁、池臺口及外壁包覆至整個儲料池表 面,所述池體上方設(shè)有支架,支架上固定攪拌機。所述攪拌機的攪拌軸和攪龍設(shè)有PVC防護層。所述保護層采用玻璃鋼層或PVC層。所述儲料池由若干個儲料池排列呈蜂窩狀排布。有益效果六方體形狀的儲料池采用蜂窩狀排布,占地面積減小,廠房使用率提 高。在儲料池內(nèi)外表面設(shè)有玻璃鋼層或PVC層,防止因洗料溶液腐蝕儲料池體造成池體破 損,使水泥渣進入池內(nèi)污染物料。


圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中1.儲料池,2.攪拌機,3.支架,4.水泥池體,5.保護層,6.防護層7. 電機,8.攪拌軸,9.攪龍。
具體實施例方式為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本發(fā)明方案,下面結(jié)合附圖和實施方式對本發(fā)明作進一步的詳細(xì)說明。如圖1所示,一種生產(chǎn)碳化硅的去雜質(zhì)沉降池,主要由儲料池1,攪拌機2和支架3 構(gòu)成,所述儲料池主要由水泥池體4和保護層5構(gòu)成整體,所述保護層沿池的底部、內(nèi)壁、池 臺口及外壁包覆至整個儲料池表面,所述池體上方設(shè)有支架,支架上固定攪拌機。所述儲料 池形狀呈六方體。所述儲料池由若干個儲料池排列呈蜂窩狀排布。所述保護層采用玻璃鋼 層或PVC層。所述攪拌機的攪拌軸和攪龍設(shè)有PVC防護層6。工作時,將物料放置于儲料池內(nèi),倒入清水打開攪拌機的電機7,電機帶動攪拌軸 8和攪龍9對物料攪拌,攪拌一段時間后放置,液體表面便析出碳,將析出碳濾出,再重復(fù)攪 拌放置,濾出剩余碳。將碳去除后,再加入酸堿等液體,通過上述工序,去除氧化鐵,氧化鋁 等雜質(zhì)。六方體形狀的儲料池采用蜂窩狀排布,占地面積減小,廠房使用率提高。在儲料池 內(nèi)外表面設(shè)有玻璃鋼層或PVC層,防止因洗料溶液腐蝕儲料池體造成池體破損,使水泥渣 進入池內(nèi)污染物料。攪拌機的攪拌軸和攪龍設(shè)有PVC防護層防止洗料液腐蝕,避免物料的 污染。以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式,應(yīng)當(dāng)指出,對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人 員來說,在不脫離本發(fā)明原理的前提下,還可以做出若干改進和潤飾,這些改進和潤飾也應(yīng) 視為本發(fā)明的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種生產(chǎn)碳化硅的去雜質(zhì)沉降池,其特征是主要由儲料池,攪拌機和支架構(gòu)成,所 述儲料池形狀呈六方體,所述儲料池主要由水泥池體和保護層構(gòu)成整體,所述保護層沿池 的底部、內(nèi)壁、池臺口及外壁包覆至整個儲料池表面,所述池體上方設(shè)有支架,支架上固定 攪拌機。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)碳化硅的去雜質(zhì)沉降池,其特征是所述攪拌機的攪拌 軸和攪龍設(shè)有PVC防護層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)碳化硅的去雜質(zhì)沉降池,其特征是所述保護層采用玻 璃鋼層或PVC層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的生產(chǎn)碳化硅的去雜質(zhì)沉降池,其特征是所述儲料池由 若干個儲料池排列呈蜂窩狀排布。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種生產(chǎn)碳化硅的去雜質(zhì)沉降池,其特征是主要由儲料池,攪拌機和支架構(gòu)成,所述儲料池形狀呈六方體,所述儲料池主要由水泥池體和保護層構(gòu)成整體,所述保護層沿池的底部、內(nèi)壁、池臺口及外壁包覆至整個儲料池表面,所述池體上方設(shè)有支架,支架上固定攪拌機。有益效果六方體形狀的儲料池采用蜂窩狀排布,占地面積減小,廠房使用率提高。在儲料池內(nèi)外表面設(shè)有玻璃鋼層或PVC層,防止因洗料溶液腐蝕儲料池體造成池體破損,使水泥渣進入池內(nèi)污染物料。
文檔編號C01B31/36GK102092715SQ20101058638
公開日2011年6月15日 申請日期2010年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月14日
發(fā)明者徐祥國 申請人:天津市明祥科技發(fā)展有限公司
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