專利名稱：生產(chǎn)碳化硅的去雜質(zhì)沉降池的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及水法生產(chǎn)碳化硅設(shè)備，尤其涉及一種生產(chǎn)碳化硅的去雜質(zhì)沉降池。
背景技術(shù)：
碳化硅用于3-12英寸的單晶硅、多晶硅、砷化鉀、石英晶體的線切割。是太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、壓電晶體產(chǎn)業(yè)的工程性加工材料。JIS#800、JIS#1000、JIS1200、 JSS#1500、JIS#2000滿足不同線切割設(shè)備、不同線切割材質(zhì)，不同線切割材料直徑、不同線切割線徑的個(gè)性化要求。由于市場(chǎng)上的銷售的碳化硅的初級(jí)產(chǎn)品中含有碳，氧化鐵，氧化鋁等雜質(zhì)。在進(jìn)行水法分選碳化硅微粉工藝前必須用酸堿等溶液對(duì)來(lái)料進(jìn)行清洗、過(guò)濾去雜質(zhì)提純。目前去雜質(zhì)工藝一般采用特制塑料桶，將來(lái)料放入塑料桶內(nèi)加入水利用帶有攪拌軸的攪拌機(jī)進(jìn)行攪拌，沉降一段時(shí)間，將上面懸浮雜質(zhì)撈出，再依次加入酸溶液，分別將碳， 氧化鐵，氧化鋁等雜質(zhì)去掉，撈出，再放入堿進(jìn)行中和。如此多的工序耗費(fèi)時(shí)間很多。不利于大批量生產(chǎn)。在產(chǎn)量較大的情況下，特制塑料桶的用量也較多，占地面積大，生產(chǎn)環(huán)境混亂。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是，克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，提供一種可以節(jié)省空間、提高工作效率的生產(chǎn)碳化硅的去雜質(zhì)沉降池。本實(shí)用新型是通過(guò)以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn)一種生產(chǎn)碳化硅的去雜質(zhì)沉降池，其特征是主要由儲(chǔ)料池，攪拌機(jī)和支架構(gòu)成，所述儲(chǔ)料池形狀呈六方體，所述儲(chǔ)料池主要由水泥池體和保護(hù)層構(gòu)成整體，所述保護(hù)層沿池的底部、內(nèi)壁、池臺(tái)口及外壁包覆至整個(gè)儲(chǔ)料池表面，所述池體上方設(shè)有支架，支架上固定攪拌機(jī)。所述攪拌機(jī)的攪拌軸和攪龍?jiān)O(shè)有PVC防護(hù)層。所述保護(hù)層采用玻璃鋼層或PVC層。所述儲(chǔ)料池由若干個(gè)儲(chǔ)料池排列呈蜂窩狀排布。有益效果六方體形狀的儲(chǔ)料池采用蜂窩狀排布，占地面積減小，廠房使用率提高。在儲(chǔ)料池內(nèi)外表面設(shè)有玻璃鋼層或PVC層，防止因洗料溶液腐蝕儲(chǔ)料池體造成池體破損，使水泥渣進(jìn)入池內(nèi)污染物料。

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中1.儲(chǔ)料池，2.攪拌機(jī)，3.支架，4.水泥池體，5.保護(hù)層，6.防護(hù)層7. 電機(jī)，8.攪拌軸，9.攪龍。
具體實(shí)施方式
為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本實(shí)用新型方案，
以下結(jié)合附圖和實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。如圖1所示，一種生產(chǎn)碳化硅的去雜質(zhì)沉降池，主要由儲(chǔ)料池1，攪拌機(jī)2和支架3 構(gòu)成，所述儲(chǔ)料池主要由水泥池體4和保護(hù)層5構(gòu)成整體，所述保護(hù)層沿池的底部、內(nèi)壁、池臺(tái)口及外壁包覆至整個(gè)儲(chǔ)料池表面，所述池體上方設(shè)有支架，支架上固定攪拌機(jī)。所述儲(chǔ)料池形狀呈六方體。所述儲(chǔ)料池由若干個(gè)儲(chǔ)料池排列呈蜂窩狀排布。所述保護(hù)層采用玻璃鋼層或PVC層。所述攪拌機(jī)的攪拌軸和攪龍?jiān)O(shè)有PVC防護(hù)層6。工作時(shí)，將物料放置于儲(chǔ)料池內(nèi)，倒入清水打開(kāi)攪拌機(jī)的電機(jī)7，電機(jī)帶動(dòng)攪拌軸 8和攪龍9對(duì)物料攪拌，攪拌一段時(shí)間后放置，液體表面便析出碳，將析出碳濾出，再重復(fù)攪拌放置，濾出剩余碳。將碳去除后，再加入酸堿等液體，通過(guò)上述工序，去除氧化鐵，氧化鋁等雜質(zhì)。六方體形狀的儲(chǔ)料池采用蜂窩狀排布，占地面積減小，廠房使用率提高。在儲(chǔ)料池內(nèi)外表面設(shè)有玻璃鋼層或PVC層，防止因洗料溶液腐蝕儲(chǔ)料池體造成池體破損，使水泥渣進(jìn)入池內(nèi)污染物料。攪拌機(jī)的攪拌軸和攪龍?jiān)O(shè)有PVC防護(hù)層防止洗料液腐蝕，避免物料的污染。以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種生產(chǎn)碳化硅的去雜質(zhì)沉降池，其特征是主要由儲(chǔ)料池，攪拌機(jī)和支架構(gòu)成，所述儲(chǔ)料池形狀呈六方體，所述儲(chǔ)料池主要由水泥池體和保護(hù)層構(gòu)成整體，所述保護(hù)層沿池的底部、內(nèi)壁、池臺(tái)口及外壁包覆至整個(gè)儲(chǔ)料池表面，所述池體上方設(shè)有支架，支架上固定攪拌機(jī)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)碳化硅的去雜質(zhì)沉降池，其特征是所述攪拌機(jī)的攪拌軸和攪龍?jiān)O(shè)有PVC防護(hù)層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)碳化硅的去雜質(zhì)沉降池，其特征是所述保護(hù)層采用玻璃鋼層或PVC層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的生產(chǎn)碳化硅的去雜質(zhì)沉降池，其特征是所述儲(chǔ)料池由若干個(gè)儲(chǔ)料池排列呈蜂窩狀排布。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種生產(chǎn)碳化硅的去雜質(zhì)沉降池，其特征是主要由儲(chǔ)料池，攪拌機(jī)和支架構(gòu)成，所述儲(chǔ)料池形狀呈六方體，所述儲(chǔ)料池主要由水泥池體和保護(hù)層構(gòu)成整體，所述保護(hù)層沿池的底部、內(nèi)壁、池臺(tái)口及外壁包覆至整個(gè)儲(chǔ)料池表面，所述池體上方設(shè)有支架，支架上固定攪拌機(jī)。有益效果六方體形狀的儲(chǔ)料池采用蜂窩狀排布，占地面積減小，廠房使用率提高。在儲(chǔ)料池內(nèi)外表面設(shè)有玻璃鋼層或PVC層，防止因洗料溶液腐蝕儲(chǔ)料池體造成池體破損，使水泥渣進(jìn)入池內(nèi)污染物料。
文檔編號(hào)C01B31/36GK201942522SQ20102065718
公開(kāi)日2011年8月24日 申請(qǐng)日期2010年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月14日
發(fā)明者徐祥國(guó) 申請(qǐng)人:天津市明祥科技發(fā)展有限公司