專利名稱：硅的捆包方法以及捆包體的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種以在制造單晶硅時作為熔化原料而使用的多晶硅作為 主要捆包對象的珪的捆包方法以及捆包體。
背景技術：
作為制造單晶硅的方法之一公知有著切克勞斯基單晶拉制法(以下，稱
為cz法)。該cz法具有能夠在無轉移或者晶格缺陷極少的狀態(tài)下容易地獲
得大直徑、高純度的硅單晶的優(yōu)點。
在cz法中，將超高純度的多晶逸改入石英坩堝內而用加熱爐進行熔解，
使由金屬線吊下的晶種(硅單晶)與該硅熔液接觸， 一邊使晶種旋轉一邊慢 慢地將其拉起而使硅單晶生長。在此時，為了提高石英坩堝內的容積效率而 提高硅單晶的生產性，將切斷、粉碎棒狀的多晶硅而得到的塊狀多晶硅高密
度地裝填。
但是，因為該塊狀多晶硅;U^性材料，所以切斷面的邊緣以及破碎面的 邊緣大多較銳利。因而，被聚乙烯樹脂袋等的捆包袋捆包而運輸時，盡管使 用發(fā)泡苯乙烯、發(fā)泡罩或者塑料瓦楞板等的緩沖材料，塊狀多晶硅和捆包袋 的表面有時還是會由于振動而互相摩擦、塊狀多晶硅以及捆包體會細粉化。 若這樣的塊狀多晶硅和聚乙烯樹脂的粉末與塊狀多晶硅一起放入上述的石 英坩堝內，則由于會在拉起后得到的單晶硅中產生結晶缺陷，所以成為硅單 晶 的品質惡化的原因。
以往，為了避免這樣的來自捆包袋的細粉末的產生，例如在專利文獻l 中提出了實施真空包裝而進行運輸以使塊狀多晶硅與捆包袋密接而塊狀多 晶硅與捆包袋不會互相摩擦的方法。此外，在專利文獻2中提出了在捆包塊
狀多晶硅時，管理塊狀多晶硅和捆包袋的能夠接觸的面積，從而降低來自捆 包袋的細粉末的產生的方法。
專利文獻l:特開2002-68725號公才艮
專利文獻2:特開2006-143552號公報
但是，來自塊狀多晶硅以及捆包袋的細粉末的產生原因中最重要的原因 是上述那樣的運輸中的振動，由于該振動導致塊狀多晶硅和捆包袋摩擦。因
而，采用像專利文獻l以及專利文獻2那樣的方法的情況下，因為無法降低 塊狀多晶硅受到的振動，所以在細粉末產生的抑制上受到限制。此外，通過 在運輸箱內插入發(fā)泡苯乙烯等的緩沖材料可以降低一定程度的振動，但是為 了進一步降低振動必須采用大量的發(fā)泡苯乙烯，不僅對于使用后的處理產生 負擔，還存在給環(huán)境帶來不良影響的問題。

發(fā)明內容
本發(fā)明是鑒于這樣的問題而提出的，其目的在于提供一種硅的捆包方法 以及捆包體，能夠通過簡易的方法抑制以塊狀多晶硅為主的硅的振動，能夠 進一步降低由于硅和捆包袋的摩擦導致的細粉末的產生，能夠避免硅的品質 的降低。
為了解決上述問題，本發(fā)明提出了以下方案。
即，本發(fā)明的硅用捆包體，是采用多個捆包袋的多層結構的硅用捆包體， 其特征在于，上述捆包袋具有底部和多個側面部，并且上述底部具備底密封 部、和該底密封部的上方的折入部，將上述捆包袋的各自的上述折入部錯開 地層疊上述底部，在捆包體的底部的整個區(qū)域上都配置有某個捆包袋的折入部。
捆包袋的底部的折入部是通過折疊形成而成的多層結構，所以與其他的 部分相比緩沖性高。在本發(fā)明中，在將捆包袋順次重疊而多層捆包硅時，錯 開折入部地使底部層疊，使多層結構的捆包體的底部的整個區(qū)域上都配置有 某個捆包袋的折入部，由此使該底部整個區(qū)域都有較高緩沖性。因而，可以 均等地分散、吸收向收納在內部的硅傳遞的沖擊和振動，防止硅和捆包袋互 相摩擦，能夠抑制細粉末的產生。
此外，即使在捆包袋內產生了硅以及捆包袋的細粉末的情況下，通過在 從捆包袋取出硅時將細粉末捕集在折入部的折疊處而將該細粉末留在捆包 袋內，能夠有效地去除細粉末，所以特別地在捆包對象是多晶硅的情況下能 夠抑制細粉末混入到進行CZ法的石英坩堝內，能夠維持生成的單晶硅的品質。
此外，在本發(fā)明的硅用捆包體中，其特征在于，上述捆包袋中，上端部 的多余長度部通過將對置的兩側面部重合并多次折疊而形成為帶狀，將各上 述捆包袋的帶狀折疊部變換方向地配置以使折疊部互相交叉。
因為形成在各自的捆包袋的上端部處的帶狀的折疊部交叉，所以能夠將
上端部的緩沖性提高，能夠可靠地吸收來自上側的振動和沖擊。
進而，在本發(fā)明的硅用捆包體中，其特征在于，上述多個的捆包袋包括 分別形成方形的筒狀體的內側袋和外側袋，并且各袋的上述折入部為，各一 對地形成為俯視大致三角形，上述內側袋以及上述外側袋的各自的上述折入
部以不重疊的方式錯開90°地層疊上述底部。
在內側袋以及外側袋的底部上，形成有具有三角形的形狀的一對的折入 部。該折入部通過層疊下述三張的層而構成，即位于底部的底表面的層、與 側面部連續(xù)的部分向內側進4亍凸折而形成的層、進而該層以在折入部的內部 折回的方式凹折而形成的層。即，在內側袋以及外側袋的各自的底部中，形 成為以構成底部的外形的四邊之中對置的兩邊分別作為底邊的三角形的折 入部為三層結構，其他的部分為捆包袋只有一層的單層部。因而，在折入部 中，三層結構的捆包袋具有作為緩沖件的作用，所以與單層部相比緩沖性較 高。
而且，在將內側袋收納進外側袋時，各自的折入部以不重疊的方式錯開 90。地層疊底部，由此在底部上各自的折入部和單層部以互相配對的方式重 合。由此，在由內側袋和外側袋構成的兩層袋的底部中，利用三層的折入部 和單層部，在底部的整個區(qū)域上形成四層結構。因此，將底部整個區(qū)域的緩 沖性提高，所以可以均等地*、吸收向收納在內部的硅傳遞的沖擊和振動， 可以抑制硅和內側袋的互相摩擦。
進而，本發(fā)明的硅用捆包體，其特征在于，上述捆包袋含有滑動劑。由 此，因為將捆包袋順次收納進另外的捆包袋時能夠順利地推入，所以作為多 層結構時的操作變得容易，并且因為通過捆包袋進行滑動能夠抑制來自外部 的振動向最內部的捆包袋的傳遞，所以可以降^f氐向收納在最內部的捆包袋中 的硅傳遞的振動。
此外，本發(fā)明的硅的捆包方法，是利用采用多個的捆包袋的多層結構的 捆包體來捆包硅的方法，其特征在于，上述捆包袋具有底密封部、和該底密 封部的上方的底部，在將上迷捆包袋順次重疊而多層捆包硅時，將上述捆包 袋的各自的上述折入部錯開地進行層疊以使在上述捆包體的底部的整個區(qū) 域上都配置有某個捆包袋的折入部。
進而，在本發(fā)明的硅的捆包方法中，其特征在于，上述多個的捆包袋， 包括分別形成方形的筒狀體的內側袋和外側袋，并且各袋的上迷折入部為， 各一對地形成為俯視大致三角形，上述內側袋以及上述外側袋的各自的上述
折入部以不重疊的方式錯開90°地層疊上述底部。
根據(jù)本發(fā)明的硅的捆包方法以及捆包體，在利用多層結構捆包硅時，通 過錯開各自的捆包袋的折入部而層疊底部，能夠通過簡單的方法抑制向硅傳 遞的振動，進一步降低由于硅和捆包袋摩擦而產生的細粉末的產生，并且能 夠可靠地避免硅的品質的降^f氐。


圖l是捆包袋的立體圖。
圖2是捆包袋的底部的俯視圖。
圖3是圖2中的底部的A-A剖面圖。
圖4是說明將塊狀多晶硅收納進內側袋時的步驟的圖。
圖5是將內側袋收納進外側袋時的說明圖。
圖6是由內側袋和外側袋構成的兩層結構的捆包體的底部的俯視圖。 圖7是由內側袋和外側袋構成的兩層結構的捆包體的立體圖。 圖8是表示運輸箱的圖。
附圖標記說明
l...捆包袋
la…內側袋
lb…外側袋
3, 3a， 3b…傭J面部
4， 4a, 4b…底面部
5…底密封部
6， 6a， 6b…折入部
8a, 8b…多余長度部
9a， 9b…折疊部
10…兩層結構的捆包體
具體實施例方式
下面，根據(jù)

本發(fā)明的實施的方式的硅的捆包方法以及捆包體。 圖1是作為本實施方式的內側袋或者外側袋而采用的捆包袋的立體圖。捆包 袋l由例如聚乙烯樹脂等的透明薄膜構成，具有具備四個的側面部2、 2、 3、3和底部4的截面大致正方形的方形底袋狀的形狀，在四個的側面部2、 2、 3、 3中對置的一對的兩側面部2、 2為平面狀，而另外的對置的一對的兩側 面部3、 3上，沿長度方向設置有能夠向內側凹折的折縫以便能夠將該捆包 袋l折疊為較小。在未使用時，該捆包袋l沿該折縫被折疊而變得緊湊，使 用時通過展開而變?yōu)榇鼱睢?br> 在該捆包袋l中，底部4如下地形成。首先在筒狀體的透明薄膜中將設 置有折縫的兩側面部3、 3凹折，在其一端處，令從一對的側面部2、 2連續(xù) 的部分P的端部的內側面彼此以形成尖頂形的方式接近，從而在該端部間以 凹折狀態(tài)夾入從另外的帶有折縫的兩側面部3、 3連續(xù)的部分Q的端部，通 過密封裝置將它們熱封，由此可以形成底密封部5。而且，將帶有折縫的兩 側面部3、 3展開為平面狀，通過另外的一對的側面部2、 2而形成為筒狀， 由此在底密封部5的上方形成有從帶有折縫的兩側面部3、 3連續(xù)的部分Q 的端部向內側折入而成的一對的折入部6。由此，折入部6如圖2所示那樣， 在俯視中成為以底部4和帶有折縫的側面部3、 3的彼此的棱線作為一條邊， 并且在底部4的大致中心處形成頂點的等腰三角形。
如圖3所示，該折入部6由下述三張的層層疊而成，即位于設置有底密 封部5的底部4的底表面的層L1 (由從兩側面部2、 2連續(xù)的部分P形成的 層)、從帶有折縫的側面部3、 3連續(xù)的部分Q向內側凸折而形成的層L2、 和進而該層L2以在折入部6的內部折回的方式凹折而形成的層L3。即，在 底部6中，圖2中的等腰三角形的折入部6為透明薄膜的三層結構，其他的 部分為透明薄膜只有一層的單層部7。
此外，在本實施方式中，將成為單晶硅的原料的塊狀多晶硅W作為主要 的捆包對象。該塊狀多晶硅W是在單晶硅制造方法之一的CZ法中作為原料 而采用的，可以通過切斷、粉碎棒狀的多晶硅而獲得。在CZ法中，將該塊 狀多晶硅W放入石英坩堝內而用加熱爐進行熔解，使利用金屬線吊下的晶種 (硅單晶)與該硅熔液接觸， 一邊使晶種旋轉一邊慢慢地將其拉起而使硅單 晶生長，制造單晶硅。
接著，對硅的捆包方法的具體的步驟進行說明。將上述的結構的捆包袋 l作為內側袋la，如圖4(a)所示，首先將塊狀多晶硅W收納進該內側袋 la的內部。接著，如圖4 (b)所示，在內側袋la的上端的開口部處，令不 帶有折縫的一對的側面部2a、 2b的內側面彼此以形成尖頂形的方式接近， 在該兩側面部2a， 2a的端部間以凹折狀態(tài)夾入另外的帶有折縫的兩側面部
8 3a、 3a的端部，將它們重合而形成多余長度部8a。將該多余長度部8a的一 部分密封。而且，如圖4 (c)所示，通過將該多余長度部8a多次折疊而形 成帶狀的折疊部9a,塊狀多晶硅W的向內側袋la的收納步驟完成。
而且，如圖5所示，將在內部封入有塊狀多晶硅W的內側袋la收納進 外側袋lb。另外，外側袋lb也和內側袋la同樣地形成為與捆包袋1相同 的形狀，但其外徑尺寸比內側袋la的外徑尺寸稍大。進而，在作為外側袋 lb的構成材料的透明薄膜中，含有滑動材料，由此外側袋lb的表面的滑動 性較高。
在將內側袋la收納進外側袋lb時，將作為截面形狀的正方形的邊對齊 而進行收納。此時，各自的4斤入部6a、 6b以不重疊的方式錯開90° ，即， 以內側袋la的未帶有折縫的側面部2a、 2a和外側袋lb的帶有折縫的側面 部3b、 3b重疊、此外內側袋的帶有折縫的側面部3a、 3a和外側袋lb的未 帶有折縫的側面部2b、 2b重疊的方式4吏內側袋la的底部4a和外側袋lb的 底部4b層疊。由此，各自的底部4a、 4b的折入部6a、 6b和單層部7a、 7b 以互相配對的方式重合，如圖6所示，在由內側袋la和外側袋lb構成的兩 層構造的捆包體10的底部11中，通過三層的4斤入部6a、 6b和單層部7a、 7b，能夠在底部11的整個區(qū)域上形成由透明薄膜形成的四層結構。
這樣地將內側袋la收納進內部的外側袋lb和內側袋la同樣，在外側 袋lb上端的開口部處將不帶有折縫的一對的側面部2b、 2b的內側面彼此以 形成尖頂形的方式接近，在該兩側面部2b, 2b的端部間以凹折狀態(tài)夾入另 外的帶有折縫的兩側面部3b、 3b的端部，將它們重合而形成多余長度部8a， 將該多余長度部8a的一部分密封。進而通過將它多次折疊而形成帶狀的折 疊部9b，將內側袋la封入內部。通過這樣的步驟捆包的將塊狀多晶硅W收 納進內部的兩層結構的捆包體10，能夠塞進如圖8所示的具有多個的收納 空間進而在其內部可以多層重疊的運輸箱20內而向單晶硅的制造工廠送 貨。
作為本實施方式的硅的捆包方法以及捆包體的捆包對象的塊狀多晶硅 W是脆性材料，所以斷裂面的邊緣以及破碎面的邊緣大多較銳利。因而，被 聚乙烯樹脂等的捆包袋l捆包而運輸時，若向塊狀多晶硅W傳遞振動，則該 塊狀多晶硅W與捆包袋1的表面互相摩擦，塊狀多晶硅W以及捆包袋細粉化。 若這樣的塊狀多晶硅W以及聚乙烯樹脂等的細粉末與塊狀多晶硅W—起被放 入石英坩堝內，則會在拉起后獲得的單晶硅中發(fā)生結晶缺陷等，所以成為硅
單晶的品質惡化的原因。
例如，在只用一個的捆包袋1捆包塊狀多晶硅W的情況下，對位于捆包 袋l的折入部6的上部的塊狀多晶硅W而言，因為該折入部6是三層結構而 緩沖性較高而起到緩沖的作用，吸收運輸時產生的振動。由此，能夠抑制位 于折入部6的上方的塊狀多晶硅W和捆包袋1的摩擦，所以能夠抑制塊狀多 晶硅W以及捆包袋1的細粉化。但是，對位于單層部7的上方的塊狀多晶硅 W而言，因為振動直接地傳遞，所以會產生塊狀多晶硅W與捆包袋1的摩擦， 產生塊狀多晶硅W和該捆包袋1的細粉末。這些粉末在底部4上，作為只在 單層部7處產生的污垢而表面化。
另一方面，在本實施方式中，如上所述，將內側袋la和外側袋lb的各 自的折入部6a、 6b以不重疊的方式錯開90°地將底部4a、 4b層疊，從而 在由內側袋la和外側袋lb構成的兩層結構的捆包體10的底部11的整個區(qū) 域上都形成有由三層的折入部6a、 6b和單層部7a、 7b形成的透明薄膜形成 的四層結構。
換言之，在本實施方式中，捆包體IO是硅用的多重的捆包體，具有多 個捆包袋la， lb,該多個捆包袋具有相互重合的底面部4a、 4b,在底面部 4a、 4b的各自上，局部地設置有至少一個的片狀層疊部(折入部6a、 6b)， 捆包袋la、 lb的一個捆包袋的片狀層疊部(6a)與捆包袋la、 lb的另一個 捆包袋的片狀層疊部(6b)錯開。而且，捆包袋la、 lb的片狀層疊部(折 入部6a、 6b)作為整體而配置在捆包體10的底面部11的整個區(qū)域中。
在本實施方式中，捆包袋la、 lb的一個捆包袋的片狀層疊部(6a)繞 著一點而與捆包袋la、 lb的另外一個捆包袋的片狀層疊部(6b)錯開。代 替地或者追加地，捆包袋中的一個捆包袋的片狀層疊部也可沿著線而與捆包 袋中的另外的一個捆包袋的片狀層疊部錯開。在本實施方式中，在重疊的底 面部4a、 4b的大致整個區(qū)域中，重疊的片的總數(shù)實質上相同。在本實施方 式中，各底面部4a、 4b包括形成有片狀層疊部的第1區(qū)域(6a、 6b )、和沒 有形成有片狀層疊部或與片狀層疊部相比層疊數(shù)少的第2區(qū)域(7a、 7b)， 捆包袋la、 lb的一個捆包袋的第1區(qū)域(6a、 6b )與捆包袋la、 lb的另外 一個捆包袋的笫2區(qū)域(7a、 7b)重合。第1區(qū)域(6a、 6b )具有與第2區(qū) 域(7a、 7b )相似的形狀。笫1區(qū)域(6a、 6b )以及第2區(qū)域(7a、 7b )分 別具有實質多邊形狀(三角形狀)。第1區(qū)域(6a、 6b)具有與第2區(qū)域(7a、 7b)相同程度的尺寸，或者具有比第2區(qū)域(7a、 7b)小的尺寸。此時，各
底面部4a、 4b包括多個第1區(qū)域(6a、 6b)和多個第2區(qū)域(7a、 7b)，各 地面部4a、 4b中，第1區(qū)域(6a、 6b)與第2區(qū)域(7a、 7b )繞著點而沿 周方向交互地配置。各底面部4a、 4b具有實質多邊形狀，在各底面部4a、 4b中，在該多邊形狀的每一邊上都配置有一個第1區(qū)域(6a、 6b)或一個 第2區(qū)域(7a、 7b)。在本實施方式中，片材層疊部(6a、 6b)也可包含捆 包袋la、 lb的內襯部。
由此，能夠將底部ll整個區(qū)域的緩沖性提高，所以能夠均等地M、 吸收向收納在內部的塊狀多晶硅W傳遞的沖擊和振動，能夠抑制塊狀多晶硅 W與內側袋la的摩擦。因而，能夠進一步降低來自塊狀多晶硅W以及內側 袋la的細粉末的發(fā)生，防止塊狀多晶硅W的品質的降低。
此外，因為能夠使用以往釆用的捆包袋1而通過上述的簡易的方法而可 靠地抑制塊狀多晶硅W受到的振動，所以不需要特別附加新的設備，能夠容 易地避免塊狀多晶硅W的品質的降低。進而，在運輸時，因為即便不在必要 之外使用作為緩沖材料的發(fā)泡苯乙烯也能夠抑制振動，所以不會產生發(fā)泡苯 乙烯的處理的負擔和給環(huán)境面帶來的不良影響。
進而，即使在內側袋la內產生了塊狀多晶硅W以及內側袋la的細粉末 的情況下，也可以通過在從內側袋la取出塊狀多晶硅W時將細粉末捕集在 折入部6a的折疊處而將該細粉末留在內側袋la內，而有效率地去除細粉末， 所以能夠抑制細粉末混入到進行CZ法的石英坩堝內，能夠維持生成的單晶 硅的品質。
此外，在本實施方式中，利用由內側袋la和外側袋lb構成的兩層結構 的捆包體10來捆包塊狀多晶硅W時，如圖7所示，兩袋la、 lb的上端部的 各自的折疊部9a、 9b變換90。方向而交叉，所以在上端部的緩沖性也能夠 提高，能夠適當?shù)匚諄碜陨蟼鹊恼駝雍蜎_擊。
進而，如上所述，因為在本發(fā)明的多晶硅的捆包袋l的外側袋lb中能 夠含有滑動劑，所以由此能夠將內側袋la順利地推入外側袋lb內，能夠使 兩層捆包時的操作變得容易。此外，在來自外部的振動向外側袋傳遞時，通 過內側袋la的表面與外側袋lb的內表面的滑動，即使外側袋lb振動也能 夠降低振動向內側袋la的傳遞。由此，能夠進而降低向塊狀多晶硅W傳遞 的振動，能夠進一步有效地抑制細粉末的產生。
為了確認本實施方式的捆包體的效果而進行了運輸試驗。在該試驗中， 將長度5 ~ 60咖的塊狀多晶硅各5kg捆包時，將內袋和外袋的折入部重疊的
捆包體、和折入部錯開90°而交叉的捆包體(本實施例)各500袋分別捆 包進瓦楞板箱。將該瓦楞板箱裝載在卡車上，為了再現(xiàn)運輸時的振動而進行 了 500km的行駛。之后確認瓦楞板箱里的物品，內袋和外袋的折入部重疊的 捆包體發(fā)現(xiàn)在底部有污垢，與之相對，將內袋和外袋的折入部交叉地包裝的 捆包體沒有發(fā)現(xiàn)在底部附著微粉末。
以上，對本發(fā)明的實施的方式的硅的捆包方法以及捆包體進行了說明， 但本發(fā)明不限定于此，能夠在不脫離該發(fā)明的技術的思想的范圍內適當變 更。例如，在本實施方式中，在內側袋la以及外側袋lb的各自上，將不帶 有折縫的側面部2a、 2b重合而形成多余長度部8a、 8b，通過將它多次折疊 而形成折疊部9a、 9b，但也可以令帶有折縫的側面部3a、 3b重合而形成多 余長度部，并由此形成折疊部9a、 9b。
并且，在本實施方式中，說明了利用兩層結構來捆包塊狀多晶硅W的情 況，但并不限定于此，三層結構和其以上的結構都可以。此外，捆包袋l只 要能夠形成折入部，不限定于本實施的方式的形狀。即，無論是任何形狀的 捆包袋，只要使各捆包袋的底部錯開而層疊，在捆包體的底部的整個區(qū)域上 都配置有折入部，即包含在本發(fā)明的宗旨中，包含滿足這一點的所有實施方 式。
進而，在本實施方式中，作為捆包對象舉出了塊狀多晶硅W，但并不限 定于此，例如，在捆包將棒狀的多晶硅切斷的圓柱體切塊等和單晶硅的情況 下，也可以使用本發(fā)明的硅的捆包方法以及捆包體。
權利要求
1. 一種硅用捆包體，為采用多個的捆包袋的多層結構，其特征在于，上述捆包袋具有底部和多個側面部，并且上述底部具備底密封部、和該底密封部的上方的折入部，將上述捆包袋的各自的上述折入部錯開地層疊上述底部，在捆包體的底部的整個區(qū)域上都配置有某個捆包袋的折入部。
2. 如權利要求1所述的硅用捆包體，其特征在于， 上述捆包袋中，上端部的多余長度部通過將對置的兩側面部重合并多次折疊而形成為帶狀，各上述捆包袋的帶狀的折疊部以互相交叉的方式變換方 向地配置。
3. 如權利要求1所述的硅用捆包體，其特征在于， 上述多個的捆包袋包括分別形成方形的筒狀體的內側袋和外側袋， 各袋的上述折入部為，各一對地形成為俯視大致三角形， 上述內側袋以及上述外側袋的各自的上述折入部以不重疊的方式錯開90°地層疊上述底部。
4. 如權利要求1至3的任意一項所述的硅用捆包體，其特征在于，上 述捆包袋含有滑動劑。
5. —種硅用捆包方法，是通過使用多個捆包袋的多層結構的捆包體來 捆包硅的方法，其特征在于，包括下述工序準備上述捆包袋的工序，上述捆包袋具有底部和多個側面部，并且上述 底部具備底密封部、和該底密封部的上方的折入部；層疊工序，在將上述捆包袋順次重疊而多層捆包硅時，將上迷捆包袋的 各自的上述折入部錯開地層疊以便在上述捆包體的底部的整個區(qū)域上都配 置有某個的捆包袋的折入部。
6. 如權利要求5所述的硅的捆包方法，其特征在于，各袋的上述折入部為，各一對地形成為俯視大致三角形， 上述內側袋以及上述外側袋的各自的上述折入部以不重疊的方式錯開 90°地層疊上述底部。
7. —種硅用的多重捆包體，其特征在于， 具有多個捆包袋，該多個捆包袋分別具有相互重疊的底部， 在上述底部的各自上，局部地設置有至少一個的片材層疊部， 上述捆包袋中的一個捆包袋的片材層疊部與上述捆包袋中的另外一個 捆包袋的片材層疊部錯開。
全文摘要
一種硅的捆包方法以及捆包體，在利用包括內側袋(1a)和外側袋(1b)的兩層結構的捆包體捆包多晶硅時，作為內側袋(1a)和外側袋(1b)采用下述方式，即具有底部(4a)、(4b)，該底部具備從方形的兩側面部(3a)、(3b)連續(xù)的部分向內側折入而形成的俯視大致呈三角形的一對的折入部，將收納有多晶硅的內側袋(1a)收納進外側袋(1b)時，內側袋(1a)以及外側袋(1b)的各自的上述折入部(6a)、(6b)以不重疊的方式錯開90度而將底部(4a)、(4b)層疊。
文檔編號C01B33/02GK101376442SQ200810146329
公開日2009年3月4日 申請日期2008年8月25日 優(yōu)先權日2007年8月27日
發(fā)明者佐佐木剛 申請人:三菱麻鐵里亞爾株式會社