專(zhuān)利名稱(chēng)：碳納米管陣列發(fā)射元件及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種場(chǎng)發(fā)射元件及其制作方法，尤其涉及一種碳納米管陣列發(fā)射元件及其制作方法。
背景技術(shù)：
碳納米管是一種新型碳材料，由日本研究人員Iijima于1991年發(fā)現(xiàn)，請(qǐng)參見(jiàn)″Helical microtubules of graphitic carbon″，S Iijima，Nature，vol.354，p56(1991)。碳納米管具有極優(yōu)異的導(dǎo)電性能，且其具有幾乎接近理論極限的尖端表面積(尖端表面積愈小，其局部電場(chǎng)愈集中)，所以碳納米管是已知的最好的場(chǎng)發(fā)射材料之一，它具有極低的場(chǎng)發(fā)射電壓，可傳輸極大的電流密度，并且電流極穩(wěn)定，因而非常適合做場(chǎng)發(fā)射顯示器的場(chǎng)發(fā)射材料。
碳納米管場(chǎng)發(fā)射元件一般包括一陰極基底及形成在陰極基底上的作為發(fā)射材料的碳納米管層。場(chǎng)發(fā)射元件可應(yīng)用在場(chǎng)發(fā)射平面顯示、真空電子源等領(lǐng)域。
目前，現(xiàn)有技術(shù)揭露了一種將碳納米管層形成在陰極基底上以制作碳納米管場(chǎng)發(fā)射元件的方法—絲網(wǎng)印刷法，其先將碳納米管混合在漿料中，然后將上述漿料印刷在陰極基底上。但是，用絲網(wǎng)印刷法形成的碳納米管表面被漿料包裹，而非與陰極基底直接結(jié)合，因而其與陰極基底的電接觸性能較差，不利于陰極基底對(duì)碳納米管發(fā)射狀態(tài)的控制。若采用導(dǎo)電漿料，并使碳納米管尖端露出，雖然可提升碳納米管與陰極基底的電接觸性能，但是，由于作為場(chǎng)發(fā)射尖端的碳納米管尖端取向雜亂無(wú)序而不一致，使得碳納米管場(chǎng)發(fā)射元件的均勻性、穩(wěn)定性難以控制。
現(xiàn)有技術(shù)中揭露了另一種碳納米管場(chǎng)發(fā)射元件的制作方法，其包括以下步驟在一硅或玻璃基底上沉積一鐵催化劑層，氧化并圖案化該鐵催化劑層；利用化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition，以下簡(jiǎn)稱(chēng)CVD)法在大約700℃溫度條件下在鐵催化劑層上生長(zhǎng)基本垂直于基底的碳納米管陣列。該制備碳納米管陣列發(fā)射元件的方法通過(guò)直接在基底上生長(zhǎng)碳納米管陣列，使得基底上的碳納米管取向基本一致，有利于提升該場(chǎng)發(fā)射元件的發(fā)射均勻性及穩(wěn)定性。但是，由于利用CVD法直接在陰極基底上生長(zhǎng)碳納米管陣列，要求該基底能承受碳納米管生長(zhǎng)的溫度，如700℃～1000℃高溫，從而限制了基底材料的選擇范圍。并且，直接采用CVD法生長(zhǎng)碳納米管陣列而制作的碳納米管陣列場(chǎng)發(fā)射元件，其作為發(fā)射端的碳納米管尖端不在同一平面，導(dǎo)致其場(chǎng)發(fā)射均勻性不佳；另外，由于生長(zhǎng)一次碳納米管陣列，只能制作一個(gè)碳納米管陣列場(chǎng)發(fā)射元件，使得碳納米管利用效率較低。
有鑒于此，有必要提供一種碳納米管陣列發(fā)射元件及其制作方法，其可具有陰極基底材料選擇范圍較廣，場(chǎng)發(fā)射均勻性較佳，碳納米管利用效率較高等特點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容下面將以若干實(shí)施例說(shuō)明一種碳納米管陣列發(fā)射元件，其可具有陰極基底材料選擇范圍較廣，場(chǎng)發(fā)射均勻性較佳，碳納米管利用效率較高等特點(diǎn)。
為實(shí)現(xiàn)以上內(nèi)容，提供一種碳納米管陣列發(fā)射元件，其包括一陰極基底；及一位于該陰極基底上的碳納米管陣列切片，其包括大量基本相互平行的碳納米管片段，該大量碳納米管片段具有一第一端部及與該第一端部相對(duì)的第二端部，該第一端部作為發(fā)射端，且該發(fā)射端基本位于同一平面，該第二端部與陰極基底形成電連接。
優(yōu)選的，所述碳納米管片段均兩端開(kāi)口。
優(yōu)選的，所述平面與陰極基底平行。
所述碳納米管陣列切片的厚度為1μm～1000μm。
所述陰極基底包括硅、ITO玻璃、敷有Ag漿料的玻璃、形成有導(dǎo)電層的塑料片、鋁片或其它金屬。
以及，提供一種碳納米管陣列發(fā)射元件制作方法，其包括以下步驟提供一碳納米管陣列切片預(yù)制品，其包括碳納米管陣列切片及用于包埋該碳納米管陣列切片的包埋劑；將該碳納米管陣列切片預(yù)制品置于一陰極基底上；加熱上述陰極基底至該包埋劑處于熔融態(tài)；去除包埋劑，使碳納米管陣列切片附著在該陰極基底上，從而得到碳納米管陣列發(fā)射元件。
優(yōu)選的，所述碳納米管陣列切片預(yù)制品的制作方法，包括以下步驟提供一碳納米管陣列；將碳納米管陣列浸潤(rùn)于包埋劑溶液；冷卻固化該包埋劑溶液，形成由包埋劑包埋的碳納米管陣列；沿垂直于碳納米管陣列軸向方向按照預(yù)定厚度切割該由包埋劑包埋的碳納米管陣列以獲取一碳納米管陣列切片預(yù)制品。
所述去除包埋劑，使碳納米管陣列切片附著在該陰極基底上的方法包括采用有機(jī)溶劑將包埋劑溶解，該碳納米管陣列切片與陰極基底通過(guò)范德華作用力結(jié)合在一起。
可選的，所述加熱上述陰極基底至該包埋劑處于熔融態(tài)；并去除包埋劑，使碳納米管陣列切片附著在該陰極基底上的方法包括將該陰極基底連同位于其上的碳納米管陣列切片預(yù)制品進(jìn)行燒結(jié)。
所述包埋劑包括相變材料。
所述相變材料包括石蠟、聚烯烴、聚脂、環(huán)氧樹(shù)脂及丙烯酸。
相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本技術(shù)方案所提供的碳納米管陣列發(fā)射元件，其采用碳納米管陣列切片，而非采用在陰極基底上通過(guò)CVD法直接生長(zhǎng)的碳納米管陣列。因此，陰極基底無(wú)須經(jīng)受CVD法生長(zhǎng)碳納米管陣列過(guò)程中700℃～1000℃的高溫；進(jìn)而使得該陰極基底的材料選擇范圍較廣。并且，由于該碳納米管陣列切片可為一碳納米管陣列的一部分，因此通過(guò)一個(gè)碳納米管陣列可獲取多個(gè)碳納米管陣列切片，其有利于該碳納米管陣列發(fā)射元件的產(chǎn)量的提升。且碳納米管陣列切片中的大量碳納米管基本相互平行排列，且其作為電子發(fā)射端的尖端基本位于同一平面，其可獲得均勻的場(chǎng)發(fā)射效果。

圖1是本發(fā)明第一實(shí)施例中形成有催化劑薄膜的基底示意圖。
圖2是圖1所示基底上生長(zhǎng)有碳納米管陣列的示意圖。
圖3是圖2所示的碳納米管陣列連同基底浸泡在包埋劑溶液中的示意圖。
圖4是本發(fā)明第一實(shí)施例中由包埋劑包埋的碳納米管陣列的示意圖。
圖5是本發(fā)明第一實(shí)施例中碳納米管陣列切片預(yù)制品的示意圖。
圖6是本發(fā)明第一實(shí)施例中將碳納米管陣列切片預(yù)制品置于陰極基底上的示意圖。
圖7是本發(fā)明第一實(shí)施例中碳納米管陣列發(fā)射元件的示意圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖將對(duì)本發(fā)明實(shí)施例作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。
第一實(shí)施例參見(jiàn)圖7，本發(fā)明第一實(shí)施例所提供的碳納米管陣列發(fā)射元件100，其包括一陰極基底50，及位于陰極基底50上的碳納米管陣列切片60。
其中，陰極基底50的材質(zhì)可選用硅片、ITO玻璃、敷有Ag漿料的玻璃、形成有導(dǎo)電層的塑料片、鋁片或其它金屬等，其可不受CVD法生長(zhǎng)碳納米管陣列的溫度限制。本實(shí)施例中選用硅片。
該碳納米管陣列切片60是通過(guò)沿垂直于一碳納米管陣列軸向方向切割該碳納米管陣列而形成的；其包括大量?jī)啥碎_(kāi)口、均勻分布、且基本相互平行排列碳納米管片段。優(yōu)選的，該大量碳納米管片段的分布具有預(yù)定圖案；該預(yù)定圖案應(yīng)可與碳納米管陣列發(fā)射元件100的應(yīng)用領(lǐng)域相適應(yīng)，例如，將碳納米管陣列發(fā)射元件應(yīng)用于場(chǎng)發(fā)射顯示器時(shí)，該預(yù)定圖案可與該場(chǎng)發(fā)射顯示器的像素陣列相對(duì)應(yīng)。該大量碳納米管片段具有一第一端及與該第一端相對(duì)的第二端，其第一端基本位于同一平面，進(jìn)而確定碳納米管陣列切片60的一第一端面61；其第二端基本位于同一平面，進(jìn)而確定碳納米管陣列切片60的一第二端面62。優(yōu)選的，該第一端面61及第二端面62與陰極基底50基本相互平行。該第一端面61中的各個(gè)碳納米管片段第一端均遠(yuǎn)離該陰極基底50，其作為碳納米管陣列發(fā)射元件100的電子發(fā)射端；該第二端面62中的各個(gè)碳納米管片段第二端均與該陰極基底50形成電接觸。碳納米管陣列切片60的厚度可為1μm～1000μm。由于碳納米管陣列切片只需要幾個(gè)微米或幾十個(gè)微米就可以具有很不錯(cuò)的場(chǎng)發(fā)射性能；而現(xiàn)有技術(shù)中可通過(guò)CVD法生長(zhǎng)出高度可達(dá)毫米量級(jí)碳納米管陣列，因此可將該生長(zhǎng)的碳納米管陣列制作成數(shù)十個(gè)甚至數(shù)百個(gè)碳納米管陣列切片，進(jìn)而可提高碳納米管的利用效率。
由于該碳納米管陣列發(fā)射元件采用碳納米管陣列切片，而非采用在陰極基底上通過(guò)CVD法直接生長(zhǎng)的碳納米管陣列。因此，陰極基底無(wú)須經(jīng)受CVD法生長(zhǎng)碳納米管陣列過(guò)程中700℃～1000℃的高溫；進(jìn)而使得該陰極基底的材料選擇范圍較廣，并保護(hù)陰極基底免受高溫破壞。另外，由于該碳納米管陣列切片可為一完整碳納米管陣列的一部分，因此通過(guò)一個(gè)碳納米管陣列可獲取多個(gè)碳納米管陣列切片，其有利于該碳納米管陣列的利用效率的提升。并且，碳納米管陣列切片中的大量碳納米管片段基本相互平行排列，且其作為電子發(fā)射端的尖端基本位于同一平面，其可獲得均勻的場(chǎng)發(fā)射效果。
下面將詳細(xì)描述該碳納米管陣列發(fā)射元件的制作方法。
(1)提供一碳納米管陣列切片預(yù)制品。其可以采用下列方法實(shí)現(xiàn)首先，制備碳納米管陣列。目前，碳納米管陣列的制備方法很多，例如參見(jiàn)圖1及圖2，在一基底10上均勻形成一層催化劑薄膜12，該催化劑薄膜12的形成可利用熱沉積、電子束沉積或?yàn)R射法來(lái)完成。優(yōu)選的，該催化劑薄膜12具有一預(yù)定圖案結(jié)構(gòu)，以使得其上生長(zhǎng)的碳納米管陣列中碳納米管分布具有該預(yù)定圖案結(jié)構(gòu)；該預(yù)定圖案的制作可通過(guò)在催化劑薄膜12的形成過(guò)程中采用一掩模圖案實(shí)現(xiàn)；該預(yù)定圖案結(jié)構(gòu)應(yīng)與后續(xù)碳納米管陣列切片的陰極基底的圖案結(jié)構(gòu)相同，其可根據(jù)碳納米管陣列發(fā)射元件的應(yīng)用領(lǐng)域而確定；例如，將碳納米管陣列發(fā)射元件用于場(chǎng)發(fā)射顯示器時(shí)，該預(yù)定圖案應(yīng)與顯示器的像素陣列相對(duì)應(yīng)。基底10的材料可用玻璃、石英、硅或氧化鋁。本實(shí)施例采用多孔硅，其表面有一層多孔層，孔的直徑極小，一般小于3納米。催化劑薄膜12可選用鐵、鈷、鎳及其合金材料。
在空氣中氧化退火催化劑薄膜12，以形成催化劑顆粒(圖未示)，再將分布有催化劑顆粒的基底10放入反應(yīng)爐中(圖未示)，在700～1000攝氏度下，通入碳源氣，生長(zhǎng)出定向排列的碳納米管陣列20，其中碳源氣可為甲烷、乙炔、乙烯等氣體，碳納米管陣列20的高度可通過(guò)控制CVD生長(zhǎng)時(shí)間來(lái)控制。
其次，提供一包埋劑溶液，并將上述生長(zhǎng)的碳納米管陣列放入包埋劑溶液中。參見(jiàn)圖3，將一包埋劑溶液32裝進(jìn)一容器30中，該包埋劑溶液32可為熔融態(tài)的相變材料，或其它高分子溶液；其中，相變材料如石蠟、聚烯烴、聚脂、環(huán)氧樹(shù)脂、及丙烯酸等聚合物材料。包埋劑溶液32的材質(zhì)選擇以其處于固態(tài)時(shí)熔點(diǎn)較低為佳，以使最終作為碳納米管切片發(fā)射元件的陰極基底能承受該溫度。將已生長(zhǎng)好的定向排列的碳納米管陣列20連同基底10一起浸到包埋劑溶液32中，直至包埋劑溶液32完全浸潤(rùn)碳納米管陣列20。包埋劑溶液32完全浸潤(rùn)的時(shí)間與碳納米管陣列20的高度、密度以及整個(gè)碳納米管陣列20的面積相關(guān)。為使包埋劑溶液32能完全浸潤(rùn)碳納米管陣列20，該包埋劑溶液32的粘度最好在200cPs以下。本實(shí)施例中采用的包埋劑溶液32為熔融態(tài)石蠟。
然后，冷卻固化包埋劑溶液，并沿垂直于碳納米管陣列軸向方向切割該由包埋劑包埋的碳納米管陣列，以獲取一碳納米管陣列切片預(yù)制品。參見(jiàn)圖4及圖5，將被包埋劑溶液32完全浸潤(rùn)的碳納米管陣列20連同基底10一起從容器30中取出，冷卻使該包埋劑溶液32固化。當(dāng)然，也可以先冷卻固化包埋劑溶液，再將固化后形成的由包埋劑包埋的碳納米管陣列20連同基底10一起從容器30中取出。然后在碳納米管陣列20預(yù)定高度，用切片機(jī)(圖未示)將由包埋劑42包埋的碳納米管陣列20沿垂直于碳納米管陣列20的軸向方向進(jìn)行切割，形成具有預(yù)定厚度的碳納米管陣列切片預(yù)制品40(如圖5所示)。該碳納米管陣列切片預(yù)制品40包括碳納米管陣列切片44及用于包埋該碳納米管陣列切片44的包埋劑42；該碳納米管陣列切片44中的大量碳納米管片段可能會(huì)因在切片過(guò)程中受到垂直于碳納米管軸向的壓力其端部產(chǎn)生彎折。
另外，也可進(jìn)一步將由包埋劑包埋的碳納米管陣列20從基底10上分離揭下后再進(jìn)行切割，以形成具有預(yù)定厚度的碳納米管陣列切片預(yù)制品40。
本實(shí)施例中用切片機(jī)切割由包埋劑42包埋的碳納米管陣列20以形成具有預(yù)定厚度的碳納米管陣列切片預(yù)制品40的具體方法可為首先根據(jù)碳納米管陣列20的生長(zhǎng)高度將由包埋劑42包埋的碳納米管陣列20沿垂直于碳納米管陣列20的軸向方向進(jìn)行切割，除去碳納米管陣列20上方多余的包埋劑。然后按照所需碳納米管切片預(yù)制品的厚度沿同一方向進(jìn)行切割，得到具有預(yù)定厚度的碳納米管陣列切片預(yù)制品40，該預(yù)定厚度可為1～1000微米。該碳納米管陣列切片預(yù)制品40中的大量碳納米管片段具有兩端開(kāi)口、長(zhǎng)度均一、基本相互平行排列、且貫穿整個(gè)碳納米管陣列切片預(yù)制品40的特點(diǎn)。
(2)參見(jiàn)圖6，將上述所得的碳納米管陣列切片預(yù)制品40置于一陰極基底50上。該陰極基底50的材質(zhì)可選用硅片、ITO玻璃、敷有Ag漿料的玻璃、形成有導(dǎo)電層的塑料片、鋁片或其它金屬等。本實(shí)施例中選用硅片。
(3)加熱上述陰極基底至該包埋劑處于熔融態(tài)；并將包埋劑42去除，使碳納米管陣列切片60附著在陰極基底50上。首先，加熱上述陰極基底50至該包埋劑42處于熔融態(tài)。本實(shí)施例中的包埋劑42為固化的石蠟，其熔點(diǎn)為50～70攝氏度；因此可將承載有碳納米管陣列切片預(yù)制品40的陰極基底50加熱至大約80攝氏度左右；當(dāng)包埋劑石蠟處于熔融態(tài)時(shí)，通過(guò)進(jìn)行切片獲取的碳納米管陣列切片44中大量碳納米管片段彎折的端部因應(yīng)力得到釋放而發(fā)生回彈效應(yīng)伸直。
然后，采用二甲苯將石蠟溶解而將其去除。當(dāng)然，采用的包埋劑42的材質(zhì)不同，應(yīng)選用適當(dāng)?shù)挠袡C(jī)溶劑去除。石蠟去除過(guò)程中，碳納米管陣列切片60由于范德華力的作用而附著在陰極基底50上，其與陰極基底50可形成良好的電接觸；進(jìn)而得到碳納米管陣列發(fā)射元件100(參見(jiàn)圖7)。
第二實(shí)施例第二實(shí)施例所提供的碳納米管陣列發(fā)射元件及其制作方法與第一實(shí)施例基本相同。其不同點(diǎn)在于碳納米管陣列發(fā)射元件所采用的陰極基底為敷有Ag漿料的玻璃。相應(yīng)的，該碳納米管陣列發(fā)射元件的制作方法中，將步驟(3)變更為將承載有碳納米管陣列切片預(yù)制品的陰極基底置于氮?dú)饣驓鍤獾榷栊詺怏w的保護(hù)環(huán)境中或真空環(huán)境中進(jìn)行燒結(jié)，燒結(jié)溫度可為350℃～600℃，并保溫時(shí)間20～60分鐘。由于燒結(jié)溫度一般高于包埋劑的熔點(diǎn)，在燒結(jié)過(guò)程中，包埋劑處于熔融態(tài)，通過(guò)進(jìn)行切片獲取的碳納米管陣列切片中大量碳納米管片段彎折的端部因應(yīng)力得到釋放而發(fā)生回彈效應(yīng)伸直。包埋劑(本實(shí)施例中采用石蠟)在燒結(jié)溫度下因汽化而被去除。當(dāng)然，該包埋劑也可在燒結(jié)后采用有機(jī)溶劑將其溶解而去除。碳納米管陣列切片在燒結(jié)過(guò)程中附著在該陰極基底上，其與該陰極基底具有較強(qiáng)的結(jié)合力，可與陰極基底50形成良好的電接觸；進(jìn)而可獲得一碳納米管陣列切片發(fā)射元件。
另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可在本發(fā)明精神內(nèi)做其它變化，如適當(dāng)變更包埋劑的材質(zhì)，或變更碳納米管陣列切片預(yù)制品與陰極基底的結(jié)合方法等，只要其不偏離本發(fā)明的技術(shù)效果均可。這些依據(jù)本發(fā)明精神所做的變化，都應(yīng)包含在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種碳納米管陣列發(fā)射元件，其包括一陰極基底；及一位于該陰極基底上的碳納米管陣列切片，其包括大量基本相互平行的碳納米管片段，該大量碳納米管片段具有一第一端部及與該第一端部相對(duì)的第二端部，該第一端部作為發(fā)射端，且該發(fā)射端基本位于同一平面，該第二端部與陰極基底形成電連接。
2.如權(quán)利要求1所述的碳納米管陣列發(fā)射元件，其特征在于所述碳納米管片段均兩端開(kāi)口。
3.如權(quán)利要求1所述的碳納米管陣列發(fā)射元件，其特征在于所述平面與陰極基底平行。
4.如權(quán)利要求1所述的碳納米管陣列發(fā)射元件，其特征在于所述碳納米管陣列切片的厚度為1μm～1000μm。
5.如權(quán)利要求1所述的碳納米管陣列發(fā)射元件，其特征在于所述陰極基底包括硅、ITO玻璃、敷有Ag漿料的玻璃、形成有導(dǎo)電層的塑料片、或鋁片。
6.一種碳納米管陣列發(fā)射元件制作方法，其包括以下步驟提供一碳納米管陣列切片預(yù)制品，其包括碳納米管陣列切片及用于包埋該碳納米管陣列切片的包埋劑；將該碳納米管陣列切片預(yù)制品置于一陰極基底上；加熱上述陰極基底至該包埋劑處于熔融態(tài)；去除包埋劑，使碳納米管陣列切片附著在該陰極基底上，從而得到碳納米管陣列發(fā)射元件。
7.如權(quán)利要求6所述的碳納米管陣列發(fā)射元件制作方法，其特征在于所述碳納米管陣列切片預(yù)制品的制作方法，包括以下步驟提供一碳納米管陣列；將碳納米管陣列浸潤(rùn)于一包埋劑溶液；冷卻固化該包埋劑溶液，形成由包埋劑包埋的碳納米管陣列；沿垂直于碳納米管陣列軸向方向按照預(yù)定厚度切割該由包埋劑包埋的碳納米管陣列以獲取一碳納米管陣列切片預(yù)制品。
8.如權(quán)利要求6所述的碳納米管陣列發(fā)射元件制作方法，其特征在于所述去除包埋劑，使碳納米管陣列切片附著在該陰極基底上的方法包括采用有機(jī)溶劑將包埋劑溶解，該碳納米管陣列切片與陰極基底通過(guò)范德華作用力結(jié)合在一起。
9.如權(quán)利要求6所述的碳納米管陣列發(fā)射元件制作方法，其特征在于所述加熱上述陰極基底至該包埋劑處于熔融態(tài)，并去除包埋劑，使碳納米管陣列切片附著在該陰極基底上的方法包括將該陰極基底連同位于其上的碳納米管陣列切片預(yù)制品進(jìn)行燒結(jié)。
10.如權(quán)利要求6所述的碳納米管陣列發(fā)射元件制作方法，其特征在于所述包埋劑包括相變材料。
11.如權(quán)利要求10所述的碳納米管陣列發(fā)射元件制作方法，其特征在于所述相變材料包括石蠟、聚烯烴、聚脂、環(huán)氧樹(shù)脂及丙烯酸。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種碳納米管陣列發(fā)射元件，其包括一陰極基底；及一位于該陰極基底上的碳納米管陣列切片。該碳納米管陣列切片包括大量基本相互平行的碳納米管片段，該大量碳納米管片段具有一第一端部及與該第一端部相對(duì)的第二端部，該第一端部作為發(fā)射端，且該發(fā)射端基本位于同一平面，該第二端部與陰極基底形成電連接。由于該碳納米管陣列發(fā)射元件采用碳納米管陣列切片，而非采用在陰極基底上通過(guò)CVD法直接生長(zhǎng)的碳納米管陣列。因此，陰極基底的選材可不受CVD法生長(zhǎng)碳納米管陣列的溫度限制；進(jìn)而使得該陰極基底的材料選擇范圍較廣。且其可具場(chǎng)發(fā)射均勻性好及碳納米管利用效率高等特點(diǎn)。本發(fā)明還提供該碳納米管陣列發(fā)射元件的制作方法。
文檔編號(hào)C01B31/02GK1897205SQ20051003603
公開(kāi)日2007年1月17日 申請(qǐng)日期2005年7月15日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月15日
發(fā)明者黃華, 魏洋, 吳揚(yáng), 劉亮, 劉長(zhǎng)洪, 范守善 申請(qǐng)人:清華大學(xué), 鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司