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氫氧化釹的生產(chǎn)工藝的制作方法

文檔序號(hào):3468131閱讀:751來源:國(guó)知局
專利名稱:氫氧化釹的生產(chǎn)工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及氫氧化釹的生產(chǎn)工藝。
背景技術(shù)
計(jì)算機(jī)、手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、光纖通信、微波通信以及汽車等終端產(chǎn)品都離不開功能陶瓷元件。功能陶瓷元件有多層陶瓷電容器、光纖通信用的光效放大器、光隔離器、微波通信用的微波鐵氧體以及連接光纖套圈等。超微氫氧化釹主要用于多層陶瓷電容器,它具有純度高、粒度小、粒度分布窄等優(yōu)點(diǎn),它們的摻入可大大提高功能陶瓷元件的性能。
傳統(tǒng)生產(chǎn)氫氧化釹的方法是氧化釹用硝酸溶解轉(zhuǎn)化成硝酸鑭,硝酸鑭加入到氨水中沉淀,沉淀物用水洗滌除去硝酸根,然后過濾、烘干、粉碎得到氫氧化釹產(chǎn)品。該方法的主要缺點(diǎn)是1、氫氧化釹洗滌困難;2、產(chǎn)品含有硝酸根離子,以氧化物計(jì)總稀土的量較難達(dá)到84.0%-86.0%的指標(biāo);3、氫氧化釹過濾困難,容易穿濾;4、烘干物料結(jié)塊,需要粉碎;5、粉碎的產(chǎn)品粒度分布不好。以下為傳統(tǒng)方法生產(chǎn)的產(chǎn)品主要指標(biāo)

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種不引入陰離子雜質(zhì),工藝簡(jiǎn)化,產(chǎn)品粒度小、粒度分布窄的氫氧化釹的生產(chǎn)工藝。
本發(fā)明的氫氧化釹的生產(chǎn)工藝,其特征在于由氧化釹和水反應(yīng)生成,生成物經(jīng)過烘干。
氧化釹與水反應(yīng),它們之間的理論消耗量為L(zhǎng)a2O3∶H2O=1∶0.16(重量比),作為水的用量可以大于或等于該數(shù)值即可,但考慮工藝的可靠性、經(jīng)濟(jì)性及反應(yīng)進(jìn)行的順利性,水的用量最好為氧化釹重量的1~10倍,優(yōu)選3-6倍。
氧化釹與水的反應(yīng)屬于放熱反應(yīng),反應(yīng)在室溫下即可進(jìn)行,本發(fā)明提供反應(yīng)的起始溫度優(yōu)選50~90℃。
反應(yīng)的生成物進(jìn)行烘干的方式可以是靜態(tài)的(烘箱烘干),也可以是動(dòng)態(tài)的(噴霧烘干)。烘干溫度為100~300℃。
反應(yīng)完成后,生成物經(jīng)過動(dòng)態(tài)烘干就可達(dá)到本發(fā)明的要求,如果生成物經(jīng)過靜態(tài)烘干,烘干后研磨就可達(dá)到本發(fā)明的要求。
為了保證產(chǎn)品質(zhì)量,氧化釹的規(guī)格可以選擇高含量的,99.5~99.99%。
為了保證產(chǎn)品質(zhì)量,水選用凈化處理后的高純水,其電導(dǎo)率小于5.0us/cm得到的氫氧化釹的外觀為紫羅蘭色本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)1、產(chǎn)品中不含有陰離子雜質(zhì),產(chǎn)品的稀土總量(以氧化物計(jì))達(dá)到85.5%,接近理論量。
2、省去了過濾、粉碎工序,簡(jiǎn)化了工藝,降低了生產(chǎn)成本。
3、產(chǎn)品不需要粉碎,產(chǎn)品粒度分布比較窄,D50小于1.0μm。
如圖1,SEM照片(掃描電鏡),可以證明產(chǎn)品的粒度比較小。
如圖2,產(chǎn)品的XRD(譜圖),與純的氫氧化釹的標(biāo)準(zhǔn)譜圖比較,比較一致,說明產(chǎn)品是純凈的氫氧化釹。
如圖3,為氫氧化釹的粒度分布圖,說明產(chǎn)品的粒度分布比較窄,圖4為傳統(tǒng)生產(chǎn)工藝得到的氫氧化釹的粒度分布圖與圖3形成對(duì)比。


圖1為氫氧化釹的SEM照片。
圖2為氫氧化釹的XRD譜線。
圖3為氫氧化釹粒度分布圖。
圖4為采用傳統(tǒng)工藝得到的氫氧化釹的粒度分布圖。
具體實(shí)施例方式
實(shí)施例一在反應(yīng)器中加入5倍氧化釹重量的水,在攪拌狀態(tài)下緩慢加入氧化釹,起始溫度為50℃,隨著氧化釹的加入反應(yīng)產(chǎn)生大量的熱,溫度升高到100度以上。當(dāng)氧化釹加入完畢后,攪拌下反應(yīng)2小時(shí),然后冷卻放料。在200℃下進(jìn)行噴霧烘干,得到符合圖1~3所示的氫氧化釹產(chǎn)品。
實(shí)施例二同實(shí)施例一,不同的是反應(yīng)完畢,冷卻后的物料先在105℃下靜態(tài)烘干,烘干后進(jìn)行研磨,得到的產(chǎn)品效果同實(shí)施例一。
權(quán)利要求
1.氫氧化釹的生產(chǎn)工藝,其特征在于由氧化釹和水反應(yīng)生成,生成物經(jīng)過烘干。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝,其特征在于水的用量為氧化釹重量的1~10倍。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝,其特征在于反應(yīng)的起始溫度為50~90℃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝,其特征在于生成物烘干采用動(dòng)態(tài)烘干的方式。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝,其特征在于生成物烘干采用靜態(tài)烘干,烘干后進(jìn)行研磨。
全文摘要
氫氧化釹的生產(chǎn)工藝,其特征在于由氧化釹和水反應(yīng)生成,生成物經(jīng)過烘干。水的用量最好為氧化釹重量的1~10倍,反應(yīng)的起始溫度最好在50℃以上。本發(fā)明得到的產(chǎn)品中不含有陰離子雜質(zhì),產(chǎn)品的稀土總量(以氧化物計(jì))達(dá)到85.5%,接近理論量。省去了過濾、粉碎工序,簡(jiǎn)化了工藝,降低了生產(chǎn)成本。產(chǎn)品不需要粉碎,產(chǎn)品粒度分布窄,D50小于1.0μm。
文檔編號(hào)C01F17/00GK1456509SQ0211038
公開日2003年11月19日 申請(qǐng)日期2002年5月10日 優(yōu)先權(quán)日2002年5月10日
發(fā)明者俞小源, 馬勇, 柯陽, 達(dá)建文, 陳璠, 王慶杰 申請(qǐng)人:淄博華慶粉體材料技術(shù)有限公司
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