置在第一主源坩禍22與輔源坩禍24之間的第一角度控制板25，設(shè)置在第二主源坩禍23與輔源坩禍24之間的第二角度控制板26，此外，該實用新型所涉及的蒸發(fā)源設(shè)備還包括:用于遮擋第一主源坩禍22、第二主源坩禍23以及輔源坩禍24中至少一個坩禍噴射出的蒸發(fā)源材料的隔離裝置27;該隔離裝置27進一步包括至少一個隔離板271以及與該隔離板271配套的卷軸272，至少一個隔離板271的一端固定在卷軸272上，且以卷軸272為軸體卷曲在卷軸272表面，具體地，隔離板271的另一端Si可以拉伸至第一角度控制板25的頂端，以使得隔離板271遮擋住第一主源坩禍22。另外，結(jié)合圖2(b)所示的側(cè)面圖可知，隔離板271沿卷軸272延伸方向的寬度d至少大于最大的坩禍的長度I。
[0040]在本實用新型中，隔離裝置的卷軸可通過多種方式安裝在蒸發(fā)源設(shè)備上，例如，可焊接在蒸發(fā)源設(shè)備上?？蛇x地，為了能夠提升蒸發(fā)源設(shè)備的靈活性，避免在實際生產(chǎn)過程中，隔離裝置對蒸發(fā)源設(shè)備的蒸鍍造成影響，卷軸通過卡簪可拆卸安裝在所述蒸發(fā)源設(shè)備上，從而，在調(diào)試時將該隔離裝置安裝上，在調(diào)試結(jié)束后實際生產(chǎn)時則可將隔離裝置拆卸掉，提升了蒸發(fā)源設(shè)備靈活性。
[0041]參照圖3(a)所示，在本實用新型的一種可實現(xiàn)的實施例中，蒸發(fā)源設(shè)備的除隔離裝置以外的部件均以圖2(a)和圖2(b)中的標注，而隔離裝置重新標記為31，且該隔離裝置31包括一個隔離板32以及與該隔離板32配套的卷軸33;其中，卷軸33設(shè)置在第一角度控制板25靠近輔源坩禍24的一側(cè)底端，隔離板32的伸縮區(qū)域為第一角度控制板25和與第二主源坩禍23相鄰的隔離柱34之間。
[0042]同時，參照圖3(b)，該卷軸33設(shè)置在第二角度控制板26靠近輔源坩禍24的一側(cè)底端，隔離板32的伸縮區(qū)域為第二角度控制板26和與第一主源坩禍22相鄰的隔離柱35之間。
[0043]上述圖3(a)、圖3(b)提供的蒸發(fā)源設(shè)備，通過設(shè)置隔離裝置31，可具體實現(xiàn)以下兩種調(diào)試方案:
[0044]方案1:
[0045]針對生產(chǎn)之前待調(diào)試的蒸發(fā)源設(shè)備或是生產(chǎn)過程中檢測出蒸鍍參數(shù)問題的蒸發(fā)源設(shè)備，若蒸發(fā)源設(shè)備為圖3(a)的結(jié)構(gòu)，則可以通過轉(zhuǎn)動卷軸33的方式將隔離板32的另一端s2拉伸至第二角度控制板26的頂端，以遮擋住輔源坩禍24，此時，該蒸發(fā)源設(shè)備對調(diào)試用的襯底基板進行蒸鍍工藝，在襯底基板上沉積形成僅以主源材料為主的膜層，通過對該膜層進行厚度測試，確定計算出匹配參數(shù)值，進一步，可以通過人工計算確定出補正后的匹配參數(shù)值(補正后匹配參數(shù)值=平均厚度值/目標厚度*匹配參數(shù)值)，然后發(fā)送給設(shè)備進行主源坩禍的熱源調(diào)整(補正后的匹配參數(shù)值變大，則熱源調(diào)低)；或者，將匹配參數(shù)值直接發(fā)送給蒸發(fā)源設(shè)備，使得其自身的控制處理裝置根據(jù)匹配參數(shù)值確定補正后的匹配參數(shù)值并進一步調(diào)整主源坩禍的熱源。需要說明的是，由于此時的方案中，僅能對輔源坩禍進行遮擋，在進行調(diào)試過程的蒸鍍時，兩個主源坩禍同時噴射主源材料，因此，在計算匹配參數(shù)值時，需要對測量得到的膜層減半，以對應(yīng)其中一個主源坩禍的蒸鍍厚度。
[0046]在方案I中，通過隔離裝置的隔離板對輔源坩禍的遮擋，從而，在不必對坩禍的熱源進行熄滅、開啟等繁瑣耗時的工序的前提下，實現(xiàn)了對兩個主源坩禍的粗粒度調(diào)試，雖然對輔源坩禍進行調(diào)試時，無法使用隔離裝置的隔離板的遮擋，可能還必須采用現(xiàn)有的對兩側(cè)的兩個主源坩禍的熱源進行熄滅、開啟等工序，才能實現(xiàn)對輔源坩禍的蒸鍍厚度的調(diào)試，然而，在整個調(diào)試過程中，僅需要對坩禍的熱源進行一次熄滅、開啟的操作，因此，對輔源坩禍的調(diào)試需要耗時8小時，而對兩個主源坩禍的調(diào)試耗時非常短，甚至幾分鐘就可以完成，相比于現(xiàn)有技術(shù)中對每個坩禍分別進行調(diào)試，需要耗時24小時而言，節(jié)省了調(diào)試時長，簡化了調(diào)試工藝，提升了調(diào)試效率。
[0047]圖3(b)的蒸發(fā)源設(shè)備的工作原理同上，只是隔離板拉伸的方向不同，具體可以通過轉(zhuǎn)動卷軸33的方式將隔離板32的另一端s2拉伸至第一角度控制板25的頂端，以遮擋住輔源坩禍24。同樣，該蒸發(fā)源設(shè)備的結(jié)構(gòu)節(jié)省了調(diào)試時長，簡化了調(diào)試工藝，提升了調(diào)試效率。
[0048]方案2:
[0049]仍以圖3(a)所示的蒸發(fā)源設(shè)備為例進行說明，參照圖3(c)所示，可以通過轉(zhuǎn)動卷軸33的方式將隔離板32的另一端s2拉伸至與第二主源坩禍23相鄰的隔離柱34的頂端，以遮擋住輔源坩禍24以及第二主源坩禍23，此時，該蒸發(fā)源設(shè)備對調(diào)試用的襯底基板進行蒸鍍工藝，在襯底基板上沉積形成僅以主源材料為主的膜層，通過對該膜層進行厚度測試，確定計算出匹配參數(shù)值，此時測試的為第一主源坩禍22的蒸鍍厚度，進一步，可以通過人工計算確定出補正后的匹配參數(shù)值(補正后匹配參數(shù)值=平均厚度值/目標厚度*匹配參數(shù)值)，然后發(fā)送給設(shè)備進行第一主源坩禍的熱源調(diào)整(補正后的匹配參數(shù)值變大，則熱源調(diào)低)；或者，將匹配參數(shù)值直接發(fā)送給蒸發(fā)源設(shè)備，使得其自身的控制處理裝置根據(jù)匹配參數(shù)值確定補正后的匹配參數(shù)值并進一步調(diào)整第一主源坩禍的熱源。同理，圖3(b)所示的蒸發(fā)源設(shè)備也可以實現(xiàn)對輔源設(shè)備24以及第一主源坩禍22的遮擋，以實現(xiàn)對第二主源坩禍23的調(diào)試。
[0050]在方案2中，通過隔離裝置的隔離板對輔源坩禍的遮擋，從而，在不必對坩禍的熱源進行熄滅、開啟等繁瑣耗時的工序的前提下，實現(xiàn)了對第一主源坩禍的調(diào)試，雖然對輔源坩禍、第二主源坩禍進行調(diào)試時，無法使用隔離裝置的隔離板的遮擋，可能還必須采用現(xiàn)有的對坩禍的熱源進行熄滅、開啟等工序，才能實現(xiàn)對輔源坩禍、第二主源坩禍的蒸鍍厚度的調(diào)試，然而，在整個調(diào)試過程中，需要對坩禍的熱源進行兩次熄滅、開啟的操作，因此，對輔源坩禍以及第二主源坩禍的調(diào)試需要耗時2*8，約16個小時，而對第一主源坩禍的調(diào)試耗時非常短，甚至幾分鐘就可以完成，相比于現(xiàn)有技術(shù)中對每個坩禍分別進行調(diào)試，需要耗時24小時而言，節(jié)省了調(diào)試時長，簡化了調(diào)試工藝，提升了調(diào)試效率。
[0051]參照圖4(a)所示，在本實用新型的第二種可實現(xiàn)的實施例中，隔離裝置41包括第一隔離板42，第二隔離板43，以及分別與第一隔離板42、第二隔離板43配套的第一卷軸44、第二卷軸45;其中，第一卷軸44設(shè)置在與第一主源坩禍22相鄰的隔離柱46的頂端，第一隔離板42的伸縮區(qū)域為與第一主源坩禍22相鄰的隔離柱46和第二角度控制板26之間；第二卷軸45設(shè)置在與第二主源坩禍23相鄰的隔離柱47的頂端，第二隔離板43的伸縮區(qū)域為與第二主源坩禍23相鄰的隔離柱47和第一角度控制板25之間。
[0052]下面通過具體的實施方案對圖4(a)所示的蒸鍍源設(shè)備的工作原理進行說明。需要說明的是，該蒸發(fā)源設(shè)備的結(jié)構(gòu)可以分別實現(xiàn)對第一主源坩禍、第二主源坩禍以及輔源坩禍的調(diào)試，而不需現(xiàn)有技術(shù)中熄滅、開啟坩禍的熱源。具體地，由于該第一主源坩禍、第二主源坩禍以及輔源坩禍都可以進行調(diào)試，因此，各個坩禍調(diào)試的順序并不進行限定，例如:
[0053]首先，對輔源坩禍進行調(diào)試，具體參見圖4(b)，需要轉(zhuǎn)動第一卷軸44，將第一隔離板42的另一端s2拉伸至第一角度控制板25的頂端，以遮擋住第一主源坩禍22，同時，轉(zhuǎn)動第二卷軸45，將第二隔離板43的另一端s3拉伸至第二角度控制板26的頂端，以遮擋住第二主源坩禍23。然后，對調(diào)試用的襯底基板進行蒸鍍工藝，在襯底基板上沉積形成僅以輔源材料為主的膜層，通過對該膜層進行厚度測量，確定計算出匹配參數(shù)值，此時測試的為輔源坩禍24的蒸鍍厚度，進一步，通過人工計算或是控制設(shè)備自動計算得出補正后的匹配參數(shù)值，并調(diào)整輔源坩禍的熱源。
[0054]接著，對第二主源坩禍進行調(diào)試，具體參見圖4(c)，轉(zhuǎn)動第一卷軸44，將第一隔離板42的另一端s2由第一角度控制板25的頂端拉伸至第二角度控制板26的頂端，以遮擋住第一主源坩禍22以及輔源坩禍24，同時，轉(zhuǎn)動第二卷軸45，將第二隔離板43的另一端s3由第二角度控制板25恢復至與第二主源坩禍23相鄰的隔離柱47的頂端，以暴露出待調(diào)試的第二主源坩禍。然后，對調(diào)試用的襯底基板進行蒸鍍工藝，在襯底基板上沉積形成僅以第二主源材料為主的膜層，通過對該膜層進行厚度測量，確定計算出匹配參數(shù)值，此時測試的為第二主源坩禍23的蒸鍍厚度，進一步，通過人工計算或是控制設(shè)備自動計算得出補正后的匹配參數(shù)值，并調(diào)整第二主源坩禍的熱源。
[0055]同理，基于圖4(c)的操作對第一主源坩禍進行調(diào)試，參照圖4(d)所示，轉(zhuǎn)動第一卷軸44，將第一隔離板42的另一端s2由第二角度控制板26的頂