一種蒸發(fā)源設(shè)備及系統(tǒng)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及蒸鍍技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種蒸發(fā)源設(shè)備及系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]蒸鍍工藝即:在真空環(huán)境中，將材料加熱并鍍到基片上，或者，將待成膜的物質(zhì)置于真空中進(jìn)行蒸發(fā)或升華，使之在工件或基片表面析出的過程。
[0003]現(xiàn)有的蒸鍍工藝一般會(huì)使用蒸發(fā)源設(shè)備，其具體結(jié)構(gòu)參照?qǐng)D1所示，主要包括:蒸發(fā)源本體11，嵌設(shè)在蒸發(fā)源本體11內(nèi)的第一主源坩禍12，與第一主源坩禍12并排設(shè)置的第二主源坩禍13，以及位于第一主源坩禍12與第二主源坩禍13之間的輔源坩禍14，第一主源坩禍12、第二主源坩禍13以及輔源坩禍14均可設(shè)置為矩形腔室，每個(gè)腔室的上方設(shè)置有多個(gè)用于噴射出經(jīng)加熱而蒸發(fā)的待成膜材料的噴嘴，一般情況下，每個(gè)坩禍設(shè)置的噴嘴的噴射角度相同，例如:輔源坩禍14的噴嘴141與蒸發(fā)源本體11的上表面垂直，即噴嘴141豎直設(shè)置;第一主源坩禍12上的噴嘴121與蒸發(fā)源本體11的上表面呈預(yù)設(shè)夾角，且噴嘴121向輔源坩禍14 一側(cè)傾斜，相應(yīng)地，第二主源坩禍13的噴嘴131與第一主源坩禍12上的噴嘴121對(duì)稱設(shè)置。考慮到噴嘴是呈束狀方式噴射，為了較好的控制各個(gè)坩禍上的噴嘴噴射出的待成膜材料的沉積范圍，在蒸發(fā)源本體11的邊緣位置設(shè)置有用于控制噴射范圍的隔離柱15，其厚度可根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行設(shè)定，此外，在第一主源坩禍12與輔源坩禍14之間設(shè)置有第一角度控制板161，在第二主源坩禍13與輔源坩禍14之間設(shè)置有第二角度控制板162，其中，隔離柱15與第一角度控制板161、第二角度控制板162的高度可根據(jù)工藝條件進(jìn)行調(diào)整，其決定了噴嘴噴射出的待成膜材料在襯底基板上的沉積范圍。
[0004]考慮到在進(jìn)行蒸鍍工藝時(shí)，蒸發(fā)源設(shè)備中的三個(gè)坩禍?zhǔn)峭瑫r(shí)工作的，S卩:坩禍下方的熱源同時(shí)開啟，然后第一主源坩禍以及第二主源坩禍中的主源材料與輔源坩禍中的輔源材料同時(shí)被加熱，并通過各自的多個(gè)噴嘴待成膜材料噴射至襯底基板上。在每次蒸鍍工藝開始之前，都需要根據(jù)預(yù)設(shè)比例對(duì)各個(gè)坩禍的熱源的溫度進(jìn)行調(diào)試，以便于主源坩禍與輔源坩禍噴射出的待成膜材料能夠均勻混合在一起，且沉積為所需混合比例的膜層。然而，由于三個(gè)坩禍的噴嘴是同時(shí)噴射，然后在基板上混合成有機(jī)膜層，因此，在對(duì)蒸發(fā)源設(shè)備的各個(gè)坩禍的熱源的溫度進(jìn)行調(diào)試時(shí)，無法同時(shí)進(jìn)行調(diào)試，必須開啟一個(gè)坩禍的熱源，而其他的坩禍的熱源熄滅，待調(diào)試成功后再熄滅該坩禍，開啟另外兩個(gè)坩禍中的一個(gè)進(jìn)行調(diào)試，這一熱源的熄滅與開啟過程就需要耗費(fèi)將近24個(gè)小時(shí)，嚴(yán)重影響了調(diào)試的便捷性，進(jìn)而影響生產(chǎn)的量產(chǎn)產(chǎn)能。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種蒸發(fā)源設(shè)備，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的蒸發(fā)源設(shè)備的坩禍調(diào)試過程耗時(shí)較長(zhǎng)且調(diào)試方案較為繁瑣的問題。
[0006]本實(shí)用新型實(shí)施例采用以下技術(shù)方案:
[0007]—種蒸發(fā)源設(shè)備，包括:蒸發(fā)源本體，第一主源坩禍，第二主源坩禍，以及輔源坩禍，設(shè)置在所述第一主源坩禍與所述輔源坩禍之間的第一角度控制板，設(shè)置在所述第二主源坩禍與所述輔源坩禍之間的第二角度控制板，還包括:
[0008]用于遮擋第一主源坩禍、第二主源坩禍以及輔源坩禍中至少一個(gè)坩禍的隔離裝置;其中，所述隔離裝置包括至少一個(gè)隔離板以及與該隔離板配套的卷軸，所述至少一個(gè)隔離板的一端固定在所述卷軸上，且以所述卷軸為軸體卷曲在所述卷軸表面，所述至少一個(gè)隔離板沿所述卷軸延伸方向的寬度至少大于所述蒸發(fā)源設(shè)備的長(zhǎng)度。
[0009]可選地，所述卷軸通過卡簪可拆卸安裝在所述蒸發(fā)源設(shè)備上。
[0010]可選地，所述隔離裝置包括一個(gè)隔離板以及與該隔離板配套的卷軸；
[0011]其中，所述卷軸設(shè)置在所述第一角度控制板靠近所述輔源坩禍的一側(cè)底端，所述隔離板的伸縮區(qū)域?yàn)樗龅谝唤嵌瓤刂瓢搴团c所述第二主源坩禍相鄰的隔離柱之間；或者，
[0012]所述卷軸設(shè)置在所述第二角度控制板靠近所述輔源坩禍的一側(cè)底端，所述隔離板的伸縮區(qū)域?yàn)樗龅诙嵌瓤刂瓢搴团c所述第一主源坩禍相鄰的隔離柱之間。
[0013]可選地，所述隔離裝置包括第一隔離板，第二隔離板，以及分別與所述第一隔離板、第二隔離板配套的第一卷軸、第二卷軸；
[0014]其中，所述第一卷軸設(shè)置在與所述第一主源坩禍相鄰的隔離柱的頂端，所述第一隔離板的伸縮區(qū)域?yàn)榕c所述第一主源坩禍相鄰的隔離柱和所述第二角度控制板之間；
[0015]所述第二卷軸設(shè)置在與所述第二主源坩禍相鄰的隔離柱的頂端，所述第二隔離板的伸縮區(qū)域?yàn)榕c所述第二主源坩禍相鄰的隔離柱和所述第一角度控制板之間。
[0016]可選地，所述隔離裝置包括第一隔離板，第二隔離板，以及分別與所述第一隔離板、第二隔離板配套的第一卷軸、第二卷軸；
[0017]其中，所述第一卷軸設(shè)置在所述第一角度控制板靠近所述第一主源坩禍的一側(cè)底端，所述第一隔離板的伸縮區(qū)域?yàn)榕c所述第一主源坩禍相鄰的隔離柱和所述第一角度控制板之間；
[0018]所述第二卷軸設(shè)置在與所述第二主源坩禍相鄰的隔離柱的頂端，所述第二隔離板的伸縮區(qū)域?yàn)榕c所述第二主源坩禍相鄰的隔離柱和所述第二角度控制板之間。
[0019]可選地，所述隔離板的材質(zhì)為金屬單質(zhì)或合金。
[0020]可選地，所述隔離板的材質(zhì)為不銹鋼。
[0021 ] 可選地，所述隔離板的厚度范圍為0.0lmm-0.03mm。
[0022]可選地，所述隔離板的另一端設(shè)置有卡折結(jié)構(gòu)。
[0023]—種蒸發(fā)源系統(tǒng)，包括所述的蒸發(fā)源設(shè)備，以及與所述蒸發(fā)源設(shè)備的隔離裝置連接的控制處理設(shè)備；
[0024]其中，所述控制處理設(shè)備用于根據(jù)接收到的用戶指令控制所述隔離裝置的卷軸自動(dòng)轉(zhuǎn)動(dòng)以實(shí)現(xiàn)隔離板對(duì)蒸發(fā)源設(shè)備中第一主源坩禍、第二主源坩禍以及輔源坩禍中至少一個(gè)坩禍的遮擋。
[0025]在本實(shí)用新型中，通過在蒸發(fā)源設(shè)備中增加隔離裝置，該隔離裝置至少包含一個(gè)隔離板以及與該隔離板配套的卷軸，用于遮擋第一主源坩禍、第二主源坩禍以及輔源坩禍中至少一個(gè)坩禍，從而，實(shí)現(xiàn)了對(duì)蒸發(fā)源設(shè)備中至少一個(gè)坩禍進(jìn)行獨(dú)立調(diào)試的目的，且獨(dú)立調(diào)試的時(shí)候不需要對(duì)其他坩禍進(jìn)行熄滅、開啟熱源的處理，避免了在對(duì)蒸發(fā)源設(shè)備中坩禍進(jìn)行調(diào)試時(shí)耗時(shí)時(shí)間較長(zhǎng)的缺陷，簡(jiǎn)化了調(diào)試工藝，提升了調(diào)試效率。
【附圖說明】
[0026]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)要介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0027]圖1為現(xiàn)有的蒸鍍工藝所使用的蒸發(fā)源設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖2(a)為本實(shí)用新型提供的蒸發(fā)源設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖2(b)為本實(shí)用新型提供的蒸發(fā)源設(shè)備的側(cè)面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖3(a)和圖3(b)分別為本實(shí)用新型提供的蒸發(fā)源設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖之一；
[0031]圖3(c)為本實(shí)用新型提供的圖3(a)和圖3(b)所示的蒸發(fā)源設(shè)備的工作原理示意圖；
[0032]圖4(a)為本實(shí)用新型提供的蒸發(fā)源設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖之二；
[0033]圖4(b)-圖4(d)為本實(shí)用新型提供的圖4(a)所示的蒸發(fā)源設(shè)備的工作原理示意圖；
[0034]圖5(a)為本實(shí)用新型提供的蒸發(fā)源設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖之三；
[0035]圖5(b)為本實(shí)用新型提供的圖5(a)所示的蒸發(fā)源設(shè)備的工作原理示意圖；
[0036]圖6為本實(shí)用新型提供的一種蒸發(fā)源系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0037]為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步地詳細(xì)描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0038]下面通過具體的實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型所涉及的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)描述，本實(shí)用新型包括但并不限于以下實(shí)施例。
[0039]如圖2(a)所示，為本實(shí)用新型提供的蒸發(fā)源設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖，該蒸發(fā)源設(shè)備主要包括:蒸發(fā)源本體21，第一主源坩禍22，第二主源坩禍23，以及輔源坩禍24，設(shè)