一種改善靶材結瘤的ito薄膜生產裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種ΙΤ0薄膜生產裝置，尤其是一種改善靶材結瘤的ΙΤ0薄膜生產裝置。
【背景技術】
[0002]多數情況下，ΙΤ0薄膜通過濺射這種生產方式獲得。在濺射過程中，通常會在靶材濺射表面累積一些從幾微米到幾毫米大小的異物，這些異物被認為是In或Si的不完全氧化物，一般稱之為結瘤。隨著濺射時間的增加，結瘤數量增加，結瘤的體積也會增大，并逐步覆蓋靶材表面。由于結瘤具有絕緣性，結瘤量的增加會導致濺射過程中發(fā)生異常放電，使ΙΤ0薄膜上產生粒狀物，影響ΙΤ0薄膜的質量。
[0003]結瘤是在生產透明導電膜過程中，濺射靶材特有的問題。對于靶材表面結瘤的異常增加，可以通過中止濺射操作，對濺射靶材表面的結瘤進行清潔再生處理。但這種方法會中斷連續(xù)作業(yè)，是導致生產效率下降的主要原因。并且這種方法不但花費作業(yè)者的時間和精力，也會影響到作業(yè)者工作心情，降低工作效率。并且即使去除靶材上的結瘤，但反復進行的再生處理也很難使靶材恢復到新靶材的狀態(tài)。這樣造成的一種結果就是，靶材在用盡以前(通常指靶材消耗殆盡的壽命)，會因為結瘤的增加導致靶材不能繼續(xù)使用。所以，從生產效率和材料成本兩個方面來看，減少結瘤，提高靶材的潔凈度，是ΙΤ0薄膜生產中主要的改進方向之一。
【實用新型內容】
[0004]本實用新型針對現(xiàn)有技術存在之缺失，其主要目的是提供一種能夠改善靶材結瘤的ΙΤ0薄膜生產裝置。
[0005]為實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用如下之技術方案:
[0006]一種改善靶材結瘤的ΙΤ0薄膜生產裝置，包括密封腔體，以及設置于密封腔體內的放卷輥、收卷輥、鍍膜主輥與靶材，放卷輥與收卷輥分別位于密封腔體內兩側，鍍膜主輥處于收卷輥與放卷輥之間的下方，所述靶材包括有第一靶材與第二靶材，分別設于鍍膜主輥左右兩邊的密封腔體壁面上。
[0007]本實用新型進一步方案，所述ΙΤ0薄膜生產裝置還設有放導輥和收導輥，放導輥位于放卷輥與鍍膜主輥之間，收導輥位于收卷輥與鍍膜主輥之間，所述放卷棍上的基材按順序經過放導輥內側，鍍膜主輥，收導輥內側，到收卷輥收卷。
[0008]本實用新型進一步方案，放導輥與收導輥軸心之間的距離小于收卷輥與放卷輥軸心之間的距離。
[0009]本實用新型進一步方案，所述密封腔體底面到鍍膜主輥最下端的距離小于靶材的厚度。
[0010]本實用新型進一步方案，第一靶材中心到鍍膜主輥軸心之間的距離等于第二靶材中心到鍍膜主輥軸心之間的距離。
[0011]本實用新型進一步方案，所述第一靶材為Si靶材，所述第二靶材為ΙΤ0靶材。
[0012]本實用新型進一步方案，所述密封腔體設有進氣口和出氣口，進氣口與送氣管道相連，出氣口與真空栗相連。
[0013]本實用新型與現(xiàn)有技術相比，本實用新型通過將靶材都設于密封腔體的壁面上，利用氧化物自身的重量和密封腔體內氣流的流動，使得氧化物濺落在無效濺射區(qū)，減少了靶材表面的氧化物，使得本實用新型具有以下優(yōu)點和進步:(1)減少了結瘤，降低了濺射過程中的異常放電和薄膜表面粒狀物的產生，提高ΙΤ0薄膜透過率，降低霧度和表面電阻，使產品性能更穩(wěn)定，質量更佳；(2)提高了靶材的利用率，降低了生產成本；(3)降低了作業(yè)者對靶材的清潔次數，節(jié)約了生產時間，提高了生產效率。
[0014]為更清楚地闡述本實用新型的結構特征、技術手段及其所達到的具體目的和功能，下面結合附圖與具體實施例來對本實用新型作進一步詳細說明:
【附圖說明】
[0015]圖1是本實用新型之實施例的結構示意圖。
[0016]附圖標識說明:
[0017]1、放卷輥，2、放導輥，3、鍍膜主輥，4、收導輥，5、收卷輥，6、第一靶材，7、第二靶材，8、基材，9、密封腔體，10、進氣口，11、出氣口。
【具體實施方式】
[0018]如圖1所示，一種改善靶材結瘤的ΙΤ0薄膜生產裝置，包括密封腔體9，以及設置于密封腔體9內的放卷輥1、收卷輥5、鍍膜主輥3與靶材，放卷輥1與收卷輥5分別位于密封腔體9內兩側，鍍膜主輥3處于收卷輥5與放卷輥1之間的下方，靶材包括有第一靶材6與第二靶材7，分別設于鍍膜主輥3左右兩邊的密封腔體9壁面上。
[0019]所述ΙΤ0薄膜生產裝置還設有放導輥2和收導輥4，放導輥2位于放卷輥1與鍍膜主輥3之間，收導輥4位于收卷輥5與鍍膜主輥3之間。放導輥2與收導輥4軸心之間的距離小于收卷輥5與放卷輥1軸心之間的距離。這樣能使基材8更加貼緊鍍膜主輥3的表面。
[0020]所述密封腔體9底面到鍍膜主輥3最下端的距離小于靶材的厚度，使密封腔體9的體積更小，結構更加緊湊。第一靶材6中心到鍍膜主輥3軸心之間的距離等于第二靶材7中心到鍍膜主輥3軸心之間的距離，使濺射效果更加均勻。
[0021]所述密封腔體9設有進氣口 10和出氣口 11，進氣口 10與送氣管道相連，出氣口11與真空栗相連。真空栗從出氣口 11抽出空氣，使密封腔體9達到真空狀態(tài)。送氣管道將高純度Ar氣體通入進氣口 10。
[0022]在濺射過程中，通過輥的轉動，放卷棍上的基材8按順序經過放導輥2內側，鍍膜主輥3，收導輥4內側，到收卷輥5收卷。期間，基材8先后經過第一靶材6和第二靶材7濺射。所述第一靶材6為Si靶材，所述第二靶材7為ΙΤ0靶材。
[0023]本實用新型之實施例通過改變靶材的位置，將靶材設于密封腔體9的壁面上，在濺射過程中，利用氧化物自身的重量和密封腔體9內氣流的流動，使得氧化物濺落在無效濺射區(qū)，減少了靶材表面的氧化物，從而達到改善靶材結瘤的效果。
[0024]以上所述，僅是本實用新型的較佳實施例而已，并非對本實用新型的技術范圍作任何限制，故凡是依據本實用新型的技術實質對以上實施例所作的任何細微修改、等同變化與修飾，均仍屬于本實用新型技術方案的范圍內。
【主權項】
1.一種改善靶材結瘤的ITO薄膜生產裝置，其特征在于:包括密封腔體，以及設置于密封腔體內的放卷棍、收卷棍、鍍膜主棍與革巴材，放卷棍與收卷棍分別位于密封腔體內兩側，鍍膜主輥處于收卷輥與放卷輥之間的下方，所述靶材包括有第一靶材與第二靶材，分別設于鍍膜主輥左右兩邊的密封腔體壁面上。2.根據權利要求1所述一種改善靶材結瘤的ITO薄膜生產裝置，其特征在于:所述ITO薄膜生產裝置還設有放導輥和收導輥，放導輥位于放卷輥與鍍膜主輥之間，收導輥位于收卷輥與鍍膜主輥之間，所述放卷棍上的基材按順序經過放導輥內側，鍍膜主輥，收導輥內偵1|，到收卷棍收卷。3.根據權利要求2所述一種改善靶材結瘤的ITO薄膜生產裝置，其特征在于:放導輥與收導輥軸心之間的距離小于收卷輥與放卷輥軸心之間的距離。4.根據權利要求1所述一種改善靶材結瘤的ITO薄膜生產裝置，其特征在于:所述密封腔體底面到鍍膜主輥最下端的距離小于靶材的厚度。5.根據權利要求1所述一種改善靶材結瘤的ITO薄膜生產裝置，其特征在于:第一靶材中心到鍍膜主輥軸心之間的距離等于第二靶材中心到鍍膜主輥軸心之間的距離。6.根據權利要求1所述一種改善靶材結瘤的ITO薄膜生產裝置，其特征在于:所述第一靶材為Si靶材，所述第二靶材為ITO靶材。7.根據權利要求1所述一種改善靶材結瘤的ITO薄膜生產裝置，其特征在于:所述密封腔體設有進氣口和出氣口，進氣口與送氣管道相連，出氣口與真空栗相連。
【專利摘要】一種改善靶材結瘤的ITO薄膜生產裝置，包括密封腔體，以及設置于密封腔體內的放卷輥、收卷輥、鍍膜主輥與靶材，放卷輥與收卷輥分別位于密封腔體內兩側，鍍膜主輥處于收卷輥與放卷輥之間的下方，所述靶材包括有第一靶材與第二靶材，分別設于鍍膜主輥左右兩邊的密封腔體壁面上。本實用新型通過將靶材都設于密封腔體壁面上，利用氧化物自身的重量和密封腔體內氣流的流動，使得氧化物濺落在無效濺射區(qū)，減少了濺射結瘤，提高ITO薄膜透過率，降低霧度和表面電阻，使產品性能更穩(wěn)定，并且提高了靶材的利用率，降低了工人對靶材的清潔次數，節(jié)約了生產成本和生產時間。
【IPC分類】C23C14/08, C23C14/56
【公開號】CN205062175
【申請?zhí)枴緾N201520480160
【發(fā)明人】耿國凌, 由龍, 陳帥, 王洪浜, 鄒威
【申請人】山東金鼎電子材料有限公司
【公開日】2016年3月2日
【申請日】2015年7月6日