一、實施例二相同，通過調(diào)節(jié)電磁線圈27的疏密以及電磁線圈27與反應(yīng)腔室21的室壁之間的距離同樣可以調(diào)節(jié)反應(yīng)腔室21內(nèi)不同區(qū)域的磁場強度，從而實現(xiàn)相同半徑不同位置的磁場強度的異化控制。
[0037]具體地，在反應(yīng)腔室21的圓周方向上，電磁線圈27的疏密可以根據(jù)對磁場的實際需要任意設(shè)置，如需要相對較強的磁場時，電磁線圈27的設(shè)置較密；如需要相對較弱的磁場時，電磁線圈27的設(shè)置較疏。當(dāng)電磁線圈27較密時，反應(yīng)腔室21內(nèi)磁場的均勻性更優(yōu)。換言之，根據(jù)實際使用情況的需要，電磁線圈沿反應(yīng)腔室的圓周方向可以等間距排列，也可以不等間距排列。不難理解，盡管本實施例中描述了電磁線圈27沿反應(yīng)腔室21的圓周方向間隔設(shè)置，但這并不表示相鄰的兩個電磁線圈27之間必須保留一定的距離，實際上，根據(jù)對磁場的要求，相鄰的兩個電磁線圈27也可以緊貼在一起。
[0038]電磁線圈27與反應(yīng)腔室21的室壁之間的距離也可以根據(jù)對磁場的實際需要任意設(shè)置，如需要相對較強的磁場時，電磁線圈27與反應(yīng)腔室21的室壁之間的距離較近；如需要相對較強的弱場時，電磁線圈27與反應(yīng)腔室21的室壁之間的距離較遠。
[0039]除此之外，本實施例還可通過單獨調(diào)節(jié)電磁線圈27的電源的功率而改變對應(yīng)區(qū)域的磁場強度，即實現(xiàn)特定位置的電磁線圈磁場強度的調(diào)節(jié)，從而實現(xiàn)對磁場強度的精細化控制。
[0040]實施例四
[0041]如圖3d所示，在實施例四中，將四個電磁線圈27分為兩組，同一組中的兩個電磁線圈并聯(lián)，每組由一個電源供電，從而實現(xiàn)分組調(diào)控。
[0042]使用時，將四個電磁線圈27沿反應(yīng)腔室21的圓周方向間隔設(shè)置。同一組內(nèi)的電磁線圈27可以相鄰設(shè)置，也可以根據(jù)實際使用情況與其它組內(nèi)的電磁線圈穿插設(shè)置。與實施例一、實施例二相同，通過調(diào)節(jié)電磁線圈27的疏密以及電磁線圈27與反應(yīng)腔室21的室壁之間的距離同樣可以調(diào)節(jié)反應(yīng)腔室21內(nèi)不同區(qū)域的磁場強度，從而實現(xiàn)相同半徑不同位置的磁場強度的異化控制。具體設(shè)置方式參見實施例一或?qū)嵤├?，在此不再贅述?br>[0043]實施例四同樣可以實現(xiàn)對磁場的精細化控制，而且與實施例三相比，減少了電源的數(shù)量，降低了電磁裝置的成本。
[0044]實施例五
[0045]如圖3e所7K,在實施例五中，將四個電磁線圈27分為兩組，同一組內(nèi)的兩個電磁線圈串聯(lián)，每組由一個電源供電，從而實現(xiàn)分組調(diào)控。
[0046]使用時，將四個電磁線圈27沿反應(yīng)腔室21的圓周方向間隔設(shè)置。同一組內(nèi)的電磁線圈27可以相鄰設(shè)置，也可以根據(jù)實際使用情況與其它組內(nèi)的電磁線圈穿插設(shè)置。與實施例一、實施例二相同，通過調(diào)節(jié)電磁線圈27的疏密以及電磁線圈27與反應(yīng)腔室21的室壁之間的距離同樣可以調(diào)節(jié)反應(yīng)腔室21內(nèi)不同區(qū)域的磁場強度，從而實現(xiàn)相同半徑不同位置的磁場強度的異化控制。具體設(shè)置方式參見實施例一或?qū)嵤├?，在此不再贅述?br>[0047]實施例五同樣可以實現(xiàn)對磁場的精細化控制，而且與實施例三相比，減少了電源的數(shù)量，降低了電磁裝置的成本。
[0048]實施例六
[0049]如圖3f所示，在實施例六中，將四個電磁線圈27分為兩組，兩組內(nèi)的電磁線圈的連接方式不同，即一組內(nèi)的兩個電磁線圈串聯(lián)，另一組內(nèi)的兩個電磁線圈并聯(lián)。每組由一個電源供電，從而實現(xiàn)分組調(diào)控。
[0050]使用時，將四個電磁線圈27沿反應(yīng)腔室21的圓周方向間隔設(shè)置。同一組內(nèi)的電磁線圈27可以相鄰設(shè)置，也可以根據(jù)實際使用情況與其它組內(nèi)的電磁線圈穿插設(shè)置。與實施例一、實施例二相同，通過調(diào)節(jié)電磁線圈27的疏密以及電磁線圈27與反應(yīng)腔室21的室壁之間的距離同樣可以調(diào)節(jié)反應(yīng)腔室21內(nèi)不同區(qū)域的磁場強度，從而實現(xiàn)相同半徑不同位置的磁場強度的異化控制。具體設(shè)置方式參見實施例一或?qū)嵤├?，在此不再贅述?br>[0051]實施例六同樣可以實現(xiàn)對磁場的精細化控制，而且與實施例三相比，減少了電源的數(shù)量，降低了電磁裝置的成本。
[0052]雖然在實施例四至實施例六中，僅介紹了將電磁線圈分為兩組。這并不表示使用時，只能將電磁線圈分為兩組。實際上，電磁線圈的分組情況是根據(jù)實際使用需要任意改變。
[0053]在實施例一至實施例六中，電磁線圈與反應(yīng)腔室的室壁平行，即電磁線圈與反應(yīng)腔室的室壁之間的夾角為0°。然而，本發(fā)明并不局限于此。實際上，電磁線圈與反應(yīng)腔室的室壁之間的夾角為可以為O彡Θ <180°的任意角度。如圖4a所示，電磁線圈與反應(yīng)腔室的室壁之間的夾角為90°。如圖4b所示，電磁線圈與反應(yīng)腔室的室壁之間的夾角為45。。
[0054]另外，本實施例的電磁線圈包括繞組，即繞組就是電磁線圈?；蛘?，電磁線圈包括繞組和鐵芯，鐵芯嵌置于繞組中間的空腔內(nèi)。
[0055]需要說明的是，本實施例提供的半導(dǎo)體加工設(shè)備可作為薄膜沉積設(shè)備，用于實施沉積工藝；或作為刻蝕設(shè)備，用于實施刻蝕工藝。
[0056]在本發(fā)明提供的半導(dǎo)體加工設(shè)備中，設(shè)于反應(yīng)腔室外側(cè)的電磁裝置包括沿反應(yīng)腔室的圓周方向間隔排列的多個獨立的電磁線圈，通過控制輸入電磁線圈的電流的大小可實現(xiàn)實時調(diào)節(jié)不同半徑處的磁場強度，同時可以實時調(diào)節(jié)相同半徑、不同圓周位置處的磁場強度，增加了對反應(yīng)腔室內(nèi)磁場調(diào)節(jié)的靈活性。
[0057]可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發(fā)明的保護范圍。
【主權(quán)項】
1.一種半導(dǎo)體加工設(shè)備，包括反應(yīng)腔室和設(shè)于所述反應(yīng)腔室外側(cè)的電磁裝置，其特征在于，所述電磁裝置包括電源和多個獨立的電磁線圈，所述多個電磁線圈沿反應(yīng)腔室的圓周方向間隔排列，所述電源為所述電磁線圈提供電能。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體加工設(shè)備，其特征在于，所述多個電磁線圈并聯(lián)或串聯(lián)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體加工設(shè)備，其特征在于，所述電源的數(shù)量與所述電磁線圈的數(shù)量相同，每個所述電源為一個所述電磁線圈單獨供電。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體加工設(shè)備，其特征在于，包括η個所述電源，所述多個電磁線圈被分成η組，一個電源對應(yīng)一組電磁線圈，每組電磁線圈內(nèi)的所述電磁線圈串聯(lián)和/或并聯(lián)，η彡2的整數(shù)。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體加工設(shè)備，其特征在于，所述電磁線圈的軸線與所述反應(yīng)腔室的室壁之間的夾角為OS Θ <180°的任意角度。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體加工設(shè)備，其特征在于，所述電磁線圈沿所述反應(yīng)腔室的圓周方向均勻排列。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體加工設(shè)備，其特征在于，所述電磁線圈沿所述反應(yīng)腔室的圓周方向不等間距排列。8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任意一項所述的半導(dǎo)體加工設(shè)備，其特征在于，所述電磁線圈包括繞組。9.根據(jù)權(quán)利要求1-7任意一項所述的半導(dǎo)體加工設(shè)備，其特征在于，所述電磁線圈包括繞組和鐵芯，所述鐵芯嵌置于所述繞組中間的空腔內(nèi)。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體加工設(shè)備，其特征在于，所述半導(dǎo)體加工設(shè)備用于沉積薄膜或刻蝕。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體加工設(shè)備，包括反應(yīng)腔室和設(shè)于所述反應(yīng)腔室外側(cè)的電磁裝置，所述電磁裝置包括電源和多個獨立的電磁線圈，所述多個電磁線圈沿反應(yīng)腔室的圓周方向間隔排列，所述電源為所述電磁線圈提供電能。該半導(dǎo)體加工設(shè)備不僅可實時調(diào)節(jié)不同半徑處的磁場強度，而且可以實時調(diào)節(jié)相同半徑、不同圓周位置處的磁場強度。
【IPC分類】C23C14/35
【公開號】CN105603370
【申請?zhí)枴緾N201410593283
【發(fā)明人】邊國棟, 王厚工, 李冰
【申請人】北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司
【公開日】2016年5月25日
【申請日】2014年10月29日