一種薄膜制作工藝的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及薄膜領(lǐng)域，特別是涉及一種薄膜制作工藝。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜是一種薄而軟的透明薄片。用塑料、膠粘劑、橡膠或其他材料制成。聚酯薄膜科學(xué)上的解釋為:由原子，分子或離子沉積在基片表面形成的2維材料。例:光學(xué)薄膜、復(fù)合薄膜、超導(dǎo)薄膜、聚酯薄膜、尼龍薄膜、塑料薄膜等等。薄膜被廣泛用于電子電器，機(jī)械，印刷等行業(yè)，而氧化鋅薄膜具有良好的壓電特性和光電特性，廣泛應(yīng)用于光電技術(shù)領(lǐng)域，尤其是MEMS傳感器技術(shù)中。氧化鋅薄膜的晶格取向性是其重要屬性之一，對(duì)其應(yīng)用的最終產(chǎn)品有著重要的影響，現(xiàn)有的氧化鋅薄膜工藝所得產(chǎn)品，薄膜表面光滑度不佳，不夠致密，甚至有裂紋出現(xiàn)，從而影響了在其上布設(shè)微電器件的質(zhì)量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供一種薄膜制作工藝，為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
[0004]—種薄膜制作工藝，其特征在于，其具體步驟為:
[0005](1)采用金剛石基片，將基片在丙酮、無(wú)水乙醇以及去離子水中依次超聲10-12min，在氮?dú)猸h(huán)境下烘干，置于濺射臺(tái)上；
[0006](2)以體積比2:1的氬氣和氧氣混合氣體將氧化鋅靶濺射至金剛石基片上，沉積時(shí)間為30min;
[0007](3)對(duì)沉積后的薄膜進(jìn)行快速退火處理，退火溫度750°C，保溫時(shí)間30min。
[0008]優(yōu)選的，所述濺射功率為350W，而濺射時(shí)候的基片溫度為350-370°C的情況下，
[0009]優(yōu)選的，所述步驟(3)中退火時(shí)在250°C以上的時(shí)候采用快速退火，250°C以下的時(shí)候采用慢速退火。
[0010]有益效果:通過(guò)本發(fā)明工藝提供的一種薄膜制作工藝而制備所得氧化鋅薄膜表面形態(tài)優(yōu)異，晶格強(qiáng)度好，而且制作的步驟簡(jiǎn)單，加快了制作的效率。
【具體實(shí)施方式】
[0011]本發(fā)明提供一種薄膜制作工藝，為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
[0012]—種薄膜制作工藝，其特征在于，其具體步驟為:
[0013](1)采用金剛石基片，將基片在丙酮、無(wú)水乙醇以及去離子水中依次超聲llmin，在氮?dú)猸h(huán)境下烘干，置于濺射臺(tái)上；
[0014](2)以體積比2:1的氬氣和氧氣混合氣體將氧化鋅靶濺射至金剛石基片上，沉積時(shí)間為30min;
[0015](3)對(duì)沉積后的薄膜進(jìn)行快速退火處理，退火溫度750°C，保溫時(shí)間30min。
[0016]所述濺射功率為350W，而濺射時(shí)候的基片溫度為350°C的情況下，所述步驟(3)中退火時(shí)在250°C以上的時(shí)候采用快速退火，250°C以下的時(shí)候采用慢速退火。
[0017]通過(guò)本發(fā)明工藝提供的一種薄膜制作工藝而制備所得氧化鋅薄膜表面形態(tài)優(yōu)異，晶格強(qiáng)度好，而且制作的步驟簡(jiǎn)單，加快了制作的效率。
[0018]顯然本發(fā)明具體實(shí)現(xiàn)并不受上述方式的限制，只要采用了本發(fā)明的方法構(gòu)思和技術(shù)方案進(jìn)行的各種非實(shí)質(zhì)性的改進(jìn)，或未經(jīng)改進(jìn)將本發(fā)明的構(gòu)思和技術(shù)方案直接應(yīng)用于其它場(chǎng)合的，均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種薄膜制作工藝，其特征在于，其具體步驟為: (1)采用金剛石基片，將基片在丙酮、無(wú)水乙醇以及去離子水中依次超聲10-12min，在氮?dú)猸h(huán)境下烘干，置于濺射臺(tái)上； (2)以體積比2:1的氬氣和氧氣混合氣體將氧化鋅靶濺射至金剛石基片上，沉積時(shí)間為30min； (3)對(duì)沉積后的薄膜進(jìn)行快速退火處理，退火溫度750°C，保溫時(shí)間30min。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種薄膜制作工藝，其特征在于，所述濺射功率為350W，而濺射時(shí)候的基片溫度為350-370°C的情況下。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種絕緣外殼的制作方法，其特征在于，所述步驟(3)中退火。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種薄膜制作工藝，其具體步驟為：采用金剛石基片，將基片在丙酮、無(wú)水乙醇以及去離子水中依次超聲10-12min，在氮?dú)猸h(huán)境下烘干，置于濺射臺(tái)上，以體積比2:1的氬氣和氧氣混合氣體將氧化鋅靶濺射至金剛石基片上，沉積時(shí)間為30min，對(duì)沉積后的薄膜進(jìn)行快速退火處理，退火溫度750℃，保溫時(shí)間30min，通過(guò)本發(fā)明工藝提供的一種薄膜制作工藝而制備所得氧化鋅薄膜表面形態(tài)優(yōu)異，晶格強(qiáng)度好，而且制作的步驟簡(jiǎn)單，加快了制作的效率。
【IPC分類】C23C14/34, C23C14/58, C23C14/08
【公開(kāi)號(hào)】CN105420676
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510819063
【發(fā)明人】焦國(guó)平, 齊繼業(yè), 方興旺
【申請(qǐng)人】安徽松泰包裝材料有限公司
【公開(kāi)日】2016年3月23日
【申請(qǐng)日】2015年11月23日