約2. 2 μ ohm cm的電阻率。在一些實(shí)施方式中，背板110可由表1中揭示的材料制 成。
[0040] 背板110、410可由表1中揭示的背板材料組成。濺射板120、420可由表1中揭示 的沉積材料組成。背板110、410及濺射板120、420可為如表1的第三欄所描述的整體的或 接合在一起的。將背板接合至濺射板可通過(guò)例如焊接、擴(kuò)散接合、軟焊、銅焊或鍛造接合執(zhí) 行。表示法A10.5CU (重量％ )合金表示該合金包括0.5重量％的銅。如在本文中使用的， 術(shù)語(yǔ)銅包括無(wú)氧銅（例如，ClO 100-無(wú)氧電子（OFE)-具有0. 0005 %含氧量的99. 99 %純銅、 C10200-無(wú)氧（OF)、及 CllOOO-電解韌銅（ETP))。

[0043] 表1
[0044] 背板110通常由被選擇以具有高熱導(dǎo)率且使傳熱流體在背板110中循環(huán)的材料制 成。背板110的適當(dāng)高熱導(dǎo)率為至少約200W/mK，例如，從約220至約400W/mK。通過(guò)有效 消散濺射靶材100中產(chǎn)生的熱量，此熱導(dǎo)率水平允許濺射靶材100操作更長(zhǎng)的工藝時(shí)間段。 在一個(gè)實(shí)施方式中，背板110由金屬（比如銅或鋁）制成。在另一實(shí)施方式中，背板110包 含金屬合金，比如例如銅鋅（海軍黃銅）或鉻銅合金。在一個(gè)示例性實(shí)施方式中，背板110 包含<：18000，<：18000 是一種具有0(0.8%)、(：11(96.1%)、附（2.5%)及51(0.6%)重量 組分的合金。背板110亦可為含有一或更多個(gè)接合板的獨(dú)立結(jié)構(gòu)。
[0045] 背板110亦可具有所需范圍內(nèi)的電阻率，以減少侵蝕槽，同時(shí)仍允許濺射靶材100 在延長(zhǎng)的時(shí)間段內(nèi)操作。電阻率應(yīng)足夠小，以允許在濺射期間對(duì)濺射靶材100施加電偏壓 或?qū)R射靶材100充電。然而，電阻率亦應(yīng)足夠大，以減少濺射靶材100中的渦流效應(yīng)，因 為當(dāng)渦流沿路徑行進(jìn)通過(guò)濺射靶材100時(shí)，由渦流產(chǎn)生的熱量與沿路徑所遇到的電阻成比 例。在一個(gè)實(shí)施方式中，背板110的電阻率為從約2至約5 μ ohm cm，或甚至從約2. 2至約 4· 1 μ ohm cm〇
[0046] 在一個(gè)實(shí)施方式中，通過(guò)將背板110及濺射靶材120置放在彼此上并將這些板加 熱至適當(dāng)?shù)臏囟龋ㄍǔＶ辽贋榧s200攝氏度），通過(guò)擴(kuò)散接合將濺射板120安裝在背板110 的前表面160上。將背板110耦接至濺射靶材的其他示例性方法包括軟焊、真空或氫銅焊、 擴(kuò)散接合及鍛造接合。
[0047] 在一個(gè)實(shí)施方式中，如圖2及圖5中所示，濺射板120的濺射表面134被設(shè)定輪廓 以減少處理沉積物的剝落。在示例性實(shí)施方式中，外周邊壁142形成圍繞中央圓柱形凸臺(tái) 130的頂平面132的周邊斜邊緣170。斜邊緣170相對(duì)于與中央圓柱形凸臺(tái)130的頂平面 132垂直的平面傾斜至少約8度的角度α (例如從約10度至約20度；約15度）。
[0048] 圖4為濺射靶材400的另一實(shí)施方式的側(cè)視截面圖，濺射靶材400可包含表1中所 描述的材料。圖5為圖4的背板背部的透視圖，該圖顯示背板410的背部表面440上的多 個(gè)相交圓形槽及弓狀通道。濺射靶材400包含安裝于背板410上的濺射板420。與濺射靶 材100不同，背板410為包括位于背板的背部表面上的多個(gè)相交圓形槽450 (450a及450b) 及弓狀通道454的固體背板。在一些實(shí)施方式中，可由具有平坦表面的平坦背板替換背板 410 (例如，不含有圖4及圖5所示的圓形槽及弓狀通道）。
[0049] 濺射板420及背板410可為整體件，該整體件包含由同一高純度材料制成的單一 結(jié)構(gòu)，且用作背板及濺射板兩者，或者濺射板420及背板410可為接合在一起以形成濺射靶 材的獨(dú)立結(jié)構(gòu)。濺射板420包含用作濺射表面434的中央圓柱形凸臺(tái)430,且中央圓柱形凸 臺(tái)430具有頂平面432,在腔室（例如腔室600)中使用濺射靶材400期間，頂平面432保持 與基板的平面平行。濺射板420由金屬或金屬化合物制成。例如，濺射板420可由表1中 所列的任一種材料組成。
[0050] 在一個(gè)實(shí)施方式中，濺射板420被安裝在背板410上，背板410為單獨(dú)結(jié)構(gòu)，且背 板410具有支撐濺射板420的前表面438及延伸超過(guò)濺射板420的半徑的環(huán)形凸緣436。環(huán) 形凸緣436包含周邊圓形表面，且具有安置于腔室600中的絕緣體658上的外部基腳442， 如圖6所示。絕緣體658將背板410與腔室600電絕緣及隔開，且通常為由陶瓷材料（比 如氧化鋁）制成的環(huán)。
[0051] 圖6中圖示濺射處理腔室600的示例性實(shí)施方式，濺射處理腔室600能夠使用濺 射靶材100處理基板602。腔室600包含外殼壁604,外殼壁604圍著等離子體區(qū)域606且 包括側(cè)壁608、底壁610及頂板612。腔室600可為多腔室平臺(tái)（未圖示）的部分，多腔室平 臺(tái)具有通過(guò)在腔室之間移送基板602的機(jī)械臂機(jī)構(gòu)連接的互連腔室群集。在圖示的實(shí)施方 式中，處理腔室600包含濺射腔室（亦稱為物理氣相沉積或PVD腔室），該濺射腔室能夠?yàn)R 射沉積鈦于基板602上。然而，腔室600亦可用于其他目的，比如例如用于沉積鋁、銅、鉭、 氮化鉭、氮化鈦、鎢或氮化鎢；因此本要求保護(hù)的范圍不應(yīng)限制于本文所描述的用于說(shuō)明本 揭示案的示例性實(shí)施方式。
[0052] 在一個(gè)實(shí)施方式中，腔室600配備處理套組，以使腔室600適于不同的工藝。處理 套組包含可從腔室600移除的多種部件，以例如將濺射沉積物從部件表面清潔掉、替換或 修理腐蝕的部件。在一個(gè)實(shí)施方式中，如圖6所示，處理套組包含圍繞基板支撐件620的周 邊壁放置的環(huán)組件614,環(huán)組件614在基板602的外伸邊緣前終止。環(huán)組件614包含彼此配 合的沉積環(huán)616及蓋環(huán)618,以減少基板支撐件620的周邊壁或基板602的外伸邊緣上的濺 射沉積物的形成。
[0053] 如圖6所示，處理套組亦可包括屏蔽組件624,屏蔽組件624圍繞濺射靶材100的 濺射表面134及基板支撐件620的周邊邊緣，以減少濺射沉積物沉積于腔室600的側(cè)壁608 及基板支撐件620的下部分上。如圖6所示，屏蔽組件624包含上屏蔽件626及下屏蔽件 628。在基板處理期間可給屏蔽組件624的部分（比如例如上屏蔽件626)加偏壓，以便影 響腔室環(huán)境。屏蔽組件624通過(guò)遮蔽基板支撐件620、腔室600的側(cè)壁608及底壁610的表 面，減少濺射材料沉積于這些表面上。
[0054] 處理腔室600包含基板支撐件620,以支撐基板602,基板支撐件620包含基座 630?；?30具有在處理期間接收及支撐基板602的基板接收表面632,基板接收表面632 具有實(shí)質(zhì)上與上面的濺射靶材100的濺射表面134平行的平面?；逯渭?20亦可包括 靜電夾盤634,以靜電固持基板602及/或加熱器（未圖示），該加熱器比如電阻加熱器或 熱交換器。在操作中，基板602通過(guò)腔室600的側(cè)壁608中的基板裝載入口（未圖示）而 被引入腔室600,且被放置于基板支撐件620上。基板支撐件620能被升舉或降低，以在將 基板602放置于基板支撐件620上期間，升舉及降低基板支撐件620上的基板602。在等離 子體操作期間，可將基座630維持在電浮動(dòng)電勢(shì)或接地狀態(tài)。
[0055] 在濺射工藝期間，通過(guò)電源636給濺射靶材100、基板支撐件620及上屏蔽件626 相對(duì)于彼此加電偏壓。連接至濺射靶材的電源636的濺射靶材100、上屏蔽件626、基板支撐 件620及其他腔室部件操作為氣體激發(fā)器以形成或維持濺射氣體的等離子體。氣體激發(fā)器 亦可包括源線圈（未圖示），通過(guò)將電流施加至線圈而使該線圈通電。在等離子體區(qū)域606 中形成的等離子體帶能量地沖擊至濺射靶材100的濺射表面134上，且轟擊濺射表面134， 以從濺射表面134濺射材料至基板602上。
[0056] 經(jīng)由氣體輸送系統(tǒng)638將濺射氣體引入腔室600,氣體輸送系統(tǒng)638經(jīng)由具有氣 流控制閥644的導(dǎo)管622從處理氣體源640提供氣體，氣流控制閥644比如質(zhì)量流量控制 器，以使設(shè)定流量的氣體流經(jīng)導(dǎo)管622。氣體被送至混合歧管（亦未圖示），在該混合歧管 中氣體被混合以形成處理氣體組合，且這些氣體被送至腔室600中的具有出氣口的氣體分 配器646。處理氣體源640可包含非反應(yīng)性氣體（比如氬或氙），該非反應(yīng)性氣體能夠帶能 量地沖擊至靶材上，且從靶材濺射材料。處理氣體源640亦可包括反應(yīng)性氣體（比如含氧 氣體及含氮?dú)怏w中的一或更多種），該反應(yīng)性氣體能夠與濺射材料反應(yīng)，以在基板602上形 成層。經(jīng)由排氣裝置648將廢處理氣體及副產(chǎn)物從腔室600排出以控制腔室600中的氣體 壓力，排氣裝置648包括接收廢處理氣體且將廢氣傳送至具有節(jié)流閥654的排氣導(dǎo)管652 的排氣端口 650。排氣導(dǎo)管652連接至一或更多個(gè)排氣栗656。通常，腔室600中濺射氣體 的壓力被設(shè)置為低于大氣水平，比如真空環(huán)境，例如ImTorr至400mTorr的氣體壓力。
[0057] 腔室600亦可包括熱交換器，該熱交換器包含能夠保持傳熱流體的外殼660,外殼 660被安裝成鄰接濺射靶材100的背部表面140。