新型銀基電接觸復合材料及其制備方法
【技術(shù)領域】:
[0001] 本發(fā)明涉及一種新型銀基電接觸復合材料及其制備技術(shù),屬于金屬功能材料領 域,可用于制備導電、導熱性能好,耐電弧燒蝕,抗熔焊性能好的新型電接觸材料。
【背景技術(shù)】
[0002] 電接觸材料是指在各類開關、電器、儀器儀表、電子元器件中,承擔接通、分段、連 續(xù)負載電流的材料,其性能的優(yōu)劣直接影響著電子產(chǎn)品的可靠性、穩(wěn)定性、精度和使用壽命 等,它是電子、電器、電訊等行業(yè)儀器設備的關鍵核心材料、是航空、航天、航海、電子、化工、 能源、交通、汽車等行業(yè)的關鍵基礎材料。
[0003]目前,電子、電器產(chǎn)品的質(zhì)量和壽命主要由電接觸材料的性能決定,電觸頭材料 在開閉過程中產(chǎn)生的現(xiàn)象極其復雜,影響因素諸多,因此為了滿足各類電器的實際應用要 求,電接觸材料必須具備以下幾個方面的性能:(1)低電阻率和蒸汽壓,高熔點、沸點、熱導 率、熔化熱和升華熱,高電子逸出功,好的熱穩(wěn)定性,高的起弧電壓;(2)室溫和高溫強度、 硬度高,韌性和塑性好;(3)良好的抗氧化性和耐腐蝕性能;(4)耐摩擦磨損性能好,接觸電 阻低且穩(wěn)定,耐電弧燒損,熔焊及金屬轉(zhuǎn)移的傾向小;(5)加工性能和焊接性能好等。國內(nèi) 外銀基電接觸材料的制備方法和產(chǎn)品牌號主要有:(1)粉末冶金法(包括,機械合金化、真 空熱壓、加壓內(nèi)氧化反應、擠壓、乳制等),具體產(chǎn)品牌號包括:Ag-Sn0 2In203、Ag-Sn02Bi20 3、 八8-(:11(證0)8-|%0附0)8附、48(^8^^8沉等;(2)熔鑄法(包括,真空熔煉、定向凝固、旋 鍛加工、擠壓、乳制等),具體產(chǎn)品牌號包括:Ag、AgCu、AgZn、AgCe、AgSnCeLa等;然而,普遍 存在工作壽命短、耐電弧燒蝕性能差、抗熔焊性能差等問題,低水平重復的材料較多,造成 材料資源的浪費大,影響到電工、儀器設備和電器的有效服役壽命。
[0004] 隨著航空、航天、航海、電子、電器、能源、交通、汽車等行業(yè)的發(fā)展,配套的電子、電 器產(chǎn)品不斷向高度集成化、高可靠性方向發(fā)展,對銀基電接觸復合材料的制造技術(shù)和性能 提出了更高的要求,對高性能電接觸材料的需求也愈來愈強勁,銀基電接觸復合材料正朝 著高性能化、多功能化、多樣化、節(jié)約貴金屬和環(huán)保型等方向發(fā)展,研究和開發(fā)高性能銀基 電接觸復合材料,使其負載容量、可靠性及使用壽命進一步提高,是國內(nèi)外該領域未來電接 觸材料的發(fā)展方向。
[0005] 碳納米管鍍銀材料具有一系列優(yōu)異的特性:化學穩(wěn)定性、導電、導熱、耐蝕、耐磨、 易加工、可焊接等,是一類具有良好應用發(fā)展前景的新材料,也是理想的復合材料。例如,碳 納米管增強銅基復合材料,具有高強、高導、耐磨、耐腐、易加工、導熱性好等特點,在航空、 航天、交通運輸、電力、電氣、機械工程等領域具有廣泛地應用前景,也是目前高強高導電、 減磨材料的理想替代品。
[0006] 近幾年,隨著石墨烯的生產(chǎn)逐漸規(guī)?;捌滟|(zhì)量和層數(shù)可控性程度的提高,石墨 烯復合材料的研究越來越受到國內(nèi)外學者的關注。石墨烯作為金屬的增強體有其獨特的優(yōu) 勢,如高溫穩(wěn)定性、高強度和剛度、優(yōu)越的導電性和電導率。因此,利用碳納米管、石墨烯獨 有的優(yōu)異電學和力學特性來提高銀基電接觸材料的強度、抗熔焊以及耐磨性,從材料組成 體系上進行創(chuàng)新,開發(fā)新型銀基電接觸復合材料,對促進電接觸材料的開發(fā)和應用,具有重 要的意義。因此,設計Ag-Pd-CNT-GNS多元系銀基復合材料成分及組成,再采用高能球磨 機、冷等靜壓、真空燒結(jié)、熱鍛、熱擠壓、乳制、拉拔和熱處理等技術(shù)集成進行加工,制備新型 銀基電接觸復合材料,具有重要意義。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0007] 本發(fā)明涉及一種新型銀基電接觸復合材料及其制備技術(shù),屬于金屬功能材料領 域,可用于制備導電、導熱性能好,耐電弧燒蝕,抗熔焊性能好的新型電接觸材料。
[0008] 本發(fā)明的新型銀基電接觸復合材料其化學成份(重量% )為:〇· 01 - 1.0 Pd, 0.01 - 1.0 碳納米管(CNT),0.01 - 1.0 石墨烯(GNS),余量為 Ag。
[0009] 本發(fā)明的銀基電接觸復合材料的制備技術(shù)依序包括下列工藝步驟:
[0010] (1)選擇粒度小于200目(平均粒度<74μπι),純度大于99.9%的銀粉、鈀粉、鍍銀 碳納米管、石墨烯為原材料,根據(jù)材料化學成份設計配方要求,在水冷式高能攪拌球磨機中 進行機械合金化5h - 6h,轉(zhuǎn)速為100 - 200rpm。
[0011] (2)將步驟(1)中球磨好的復合粉體材料在冷等靜壓設備中進行成型,成型壓力 為100 - 200MPa,形狀為圓柱形錠坯,尺寸為Φ20_~Φ40_。
[0012] (3)將步驟(2)中的錠坯放入真空燒結(jié)爐內(nèi),在真空度小于IX 10_3Pa、燒結(jié)溫度 為900°C - 1000°C的條件下進行燒結(jié),時間為2h - 4h,最終得到Ag-Pd-CNT-GNS復合材料。
[0013] (4)將步驟⑶中得到的復合材料錠坯進行熱擠壓,得到棒材、板材等半產(chǎn)品,擠 壓比>22:1,擠壓溫度為600 °C~800 °C。
[0014] (5)擠壓材料半成品再經(jīng)過拉拔、乳制、熱處理等工序加工,制備成絲材或片材等 半成品;拉拔、乳制變形量為10%~20%,熱處理溫度為500°(:~600°(:。
[0015] (6)根據(jù)使用要求,再進行絲材、片材的精深加工,最終制備得到Ag-Pd-CNT-GNS 新型銀基復合材料產(chǎn)品。
【具體實施方式】
[0016] 本發(fā)明的新型銀基復合材料具體實施列為:材料的物理、力學性能及電學性能等, 具體如表1所示。
[0017] 表1.銀基復合材料的技術(shù)性能指標
【主權(quán)項】
1. 一種銀基電接觸復合材料,其特征在于其化學成份的重量%為:0.01 -l.OPd, 0.01 - 1.0 碳納米管(CNT),0.01 - 1.0 石墨烯(GNS),余量為Ag。2. 銀基電接觸復合材料的制備方法,其特征在于依序包括下列工藝步驟: (1) 選擇粒度小于200目(平均粒度〈74μm),純度大于99. 9 %的銀粉、鈀粉、鍍銀碳納 米管、石墨烯為原材料,根據(jù)材料化學成份設計配方要求,在水冷式高能攪拌球磨機中進行 機械合金化5h- 6h,轉(zhuǎn)速為100 - 200rpm; (2) 將步驟(1)中球磨好的復合粉體材料在冷等靜壓設備中進行成型,成型壓力為 100 - 200MPa,形狀為圓柱形錠坯,尺寸為Φ20_~Φ40_ ; (3) 將步驟(2)中的錠坯放入真空燒結(jié)爐內(nèi),在真空度小于lXl(T3Pa、燒結(jié)溫度為 900°C- 1000°C的條件下進行燒結(jié),時間為2h- 4h,最終得到Ag-Pd-CNT-GNS復合材料; (4) 將步驟(3)中得到的復合材料錠坯進行熱擠壓,得到棒材、板材等半產(chǎn)品,擠壓比 >22:1,擠壓溫度為600 °C~800°C; (5) 擠壓材料半成品再經(jīng)過拉拔、乳制、熱處理等工序加工,制備成絲材或片材等半成 品;拉拔、乳制變形量為10%~20%,熱處理溫度為500°(:~600°(:; (6) 根據(jù)使用要求,再進行絲材、片材的精深加工,最終制備得到Ag-Pd-CNT-GNS新型 銀基復合材料產(chǎn)品。3. 根據(jù)去哪里要求2所述的銀基電接觸復合材料的制備方法,其特征在于所述材料化 學成份設計配方的重量%為:〇. 01 - 1. 0Pd,0. 01 - 1. 0碳納米管(CNT),0. 01 - 1. 0石墨 烯(GNS),余量為Ag。
【專利摘要】新型銀基電接觸復合材料及其制備方法。本發(fā)明涉及一種利用高能攪拌球磨技術(shù)來制備銀鈀碳納米管石墨烯復合材料的新方法:以粒度小于200目,純度大于99.9%的銀粉、鈀粉、鍍銀碳納米管、石墨烯為原材料,按合金設計成分的重量進行配比,然后在水冷條件下的高能攪拌式球磨機中進行球磨,再將球磨好的復合粉體材料進行冷等靜壓成型,最后在真空度小于1×10-3Pa的燒結(jié)爐中進行真空燒結(jié),溫度為900℃-1000℃,燒結(jié)時間為2h-4h,得到新型銀基電接觸復合材料。其重量百分比化學成份為:0.01-1.0Pd,0.01-1.0碳納米管,0.01-1.0石墨烯,余量為Ag。本方法具有制備工藝簡單、材料綜合性能好,產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定等特點,是一種性能優(yōu)異的電接觸材料,在電子、電工、儀器儀表、電器等行業(yè)具有廣泛地應用前景。
【IPC分類】H01H11/04, H01H1/027, C22C5/06, C22C1/05
【公開號】CN105385877
【申請?zhí)枴緾N201510755210
【發(fā)明人】謝明, 李愛坤, 陳家林, 孫紹霞, 王松, 張吉明, 胡潔瓊, 王塞北, 楊有才, 陳永泰, 劉滿門, 朱剛, 李再久, 陳松
【申請人】昆明貴金屬研究所
【公開日】2016年3月9日
【申請日】2015年11月9日