可儲(chǔ)存在查找表中。
[0057]在另一個(gè)示例性且非限制性的實(shí)施方案中，根據(jù)第二電子束源的至少一種設(shè)定和第一電子束源的至少一種設(shè)定，不僅校正第二電子束，也可校正第一電子束的位置，以便使根據(jù)模型所需的第一電子束位置與實(shí)際的第一電子束位置對(duì)準(zhǔn)。
[0058]在具有兩(2)個(gè)以上電子束源的配置中，可對(duì)預(yù)定數(shù)量電子束中的僅一個(gè)、兩個(gè)或全部進(jìn)行校正。
[0059]在本發(fā)明的又一個(gè)示例性且非限制性的實(shí)施方案中，可記錄第一電子束與第二電子束之間的距離。也可以記錄第一電子束與第二電子束的電子束電流?？烧{(diào)整第一電子束在粉層上的位置，其中調(diào)整視第一電子束與第二電子束之間的距離和第一束與第二束的束電流而定。可調(diào)整第二電子束在粉層上的位置，其中調(diào)整視第一電子束與第二電子束之間的距離和第一束與第二束的束電流而定。在距離另一電子束預(yù)定距離以內(nèi)的電子束可由于電子束中電子的靜電力而相互排斥。排斥力是以l/d3衰退的力，其中d是各束之間的距離。如果d大，則排斥力的影響就相對(duì)小，然而彼此相對(duì)接近的兩個(gè)束可明顯影響各自的位置。此實(shí)施方案記錄由于至少兩個(gè)相鄰束之間的靜電排斥力引起的所需束位置與實(shí)際束位置之間的偏差以及對(duì)其的補(bǔ)償。
[0060]在本發(fā)明的另一方面，提供一種通過(guò)連續(xù)熔化粉床的部分形成三維物品的裝置，所述部分對(duì)應(yīng)于三維物品的連續(xù)橫截面。裝置包含三維物品的計(jì)算機(jī)模型。計(jì)算機(jī)模型可以是計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)(CAD)模型。
[0061]粉末分配器可用于在工作臺(tái)上提供第一粉層。粉末分配器可通過(guò)調(diào)整粉末分配器的底表面向前一層提供預(yù)定厚度的粉層?？梢酝ㄟ^(guò)降低前一涂層和融化層和/或用粉末分配器本身調(diào)整與前一層的距離來(lái)進(jìn)行調(diào)整。
[0062]—種控制裝置用于在工作臺(tái)上引導(dǎo)來(lái)自第一電子束源的第一電子束，導(dǎo)致第一粉層在第一選定位置處根據(jù)模型熔化以形成三維物品的第一橫截面的第一部分?？刂蒲b置可儲(chǔ)存將要制造的計(jì)算機(jī)模型以及用于熔融和加熱粉層以供形成三維物品的多個(gè)束的熔化和/或加熱圖案。一種控制裝置用于在工作臺(tái)上引導(dǎo)來(lái)自第二電子束源的第二電子束，導(dǎo)致第一粉層在第二選定位置處根據(jù)模型熔化以形成三維物品的第一橫截面的第二部分。用于引導(dǎo)第二束的控制裝置可與用于引導(dǎo)第一電子束的控制裝置或與用于第一電子束的另一控制裝置連通的獨(dú)立裝置相同。
[0063]—種控制裝置用于記錄第一電子束源的至少一種設(shè)定?？捎涗浀谝浑娮邮氖β驶蚱D(zhuǎn)中的至少一項(xiàng)以對(duì)第二電子束即將進(jìn)行的校正提供參考點(diǎn)。
[0064]—種控制裝置用于記錄第二電子束源的至少一種設(shè)定。至少記錄第二電子束的偏轉(zhuǎn)或束功率以控制如何對(duì)第二電子束進(jìn)行校正。
[0065]—種校正裝置用于根據(jù)第一電子束源的至少一種設(shè)定和第二電子束源的至少一種設(shè)定來(lái)校正第二電子束的位置以便使根據(jù)模型的所需第二電子束位置與實(shí)際的第二電子束位置對(duì)準(zhǔn)。校正可視用于使電子束偏轉(zhuǎn)和/或成形的至少一個(gè)束源線圈中和/或用于使電子束和/或束功率偏轉(zhuǎn)和/或成形的靜電透鏡或板中的設(shè)定而定。校正裝置可通過(guò)調(diào)整通過(guò)束源線圈的用于使第二電子束偏轉(zhuǎn)的電流來(lái)將實(shí)際的第二電子束位置移動(dòng)至所需的第二電子束位置。校正裝置可包含束源線圈設(shè)定為使電子束沿預(yù)定方向偏轉(zhuǎn)預(yù)定距離的查找表?；蛘撸Ｕb置可實(shí)時(shí)計(jì)算用于使電子束沿預(yù)定方向偏轉(zhuǎn)預(yù)定距離的束源線圈設(shè)定。
[0066]—種儲(chǔ)存裝置可用于儲(chǔ)存第一電子束源與第二電子束源中至少一種設(shè)定的每種組合的位置校正值。儲(chǔ)存裝置可包含查找表。
[0067]在本發(fā)明的另一個(gè)示例性且非限制性的實(shí)施方案中，所述裝置還包含用于記錄第一電子束與第二電子束之間的距離的控制裝置。距離是電子束之間在其將要撞擊的粉床或起動(dòng)板上的實(shí)際距離。
[0068]所述裝置還可包含用于記錄第一電子束與第二電子束的電子束電流的控制裝置。除了記錄所述第一電子束與第二電子束之間的距離以外，亦可檢測(cè)電子束電流，因其可影響實(shí)際校正值。
[0069]在控制裝置中，可調(diào)整第一電子束在粉層上的位置，其中所述調(diào)整視第一電子束與第二電子束之間的距離和第一束與第二束的束電流而定。彼此接近的電子束可由于其帶電粒子而相互排斥。排斥程度視電子束之間的距離和電子束電流而定，即電子束數(shù)量/每個(gè)電子束中的時(shí)間單位。當(dāng)已知電子束之間的距離及其功率時(shí)，控制裝置可用于調(diào)整第二電子束在粉層上的位置，其中所述調(diào)整視第一電子束與第二電子束之間的距離和第一束與第二束的束電流而定。
[0070]控制裝置可適于重復(fù)記錄和調(diào)整，直到第一電子束與第二電子束的實(shí)際位置在距離第一電子束與第二電子束的所需位置的預(yù)定值以內(nèi)。
[0071]在本發(fā)明的一個(gè)示例性且非限制性的實(shí)施方案中，校正裝置可為與控制裝置相同的裝置。
[0072]在一個(gè)示例性且非限制性的實(shí)施方案中，一種通過(guò)連續(xù)熔化粉床的部分來(lái)形成三維物品的方法，所述部分對(duì)應(yīng)于三維物品的連續(xù)橫截面，所述方法包括在起動(dòng)板116上提供第一粉層?？筛鶕?jù)幾種方法在工作臺(tái)上均勻分配粉末。一種分配粉末的方式是用耙系統(tǒng)收集自料斗106、107落下的材料。使耙在建造儲(chǔ)槽上移動(dòng)，由此使粉末分配在起動(dòng)板上。耙的下方部分與起動(dòng)板或前一粉層的上方部分之間的距離決定分配在起動(dòng)板上的粉末厚度?？赏ㄟ^(guò)調(diào)整建造平臺(tái)114的高度來(lái)容易地調(diào)整粉層厚度。
[0073]可在工作臺(tái)上自第一能量束源引導(dǎo)第一能量束，導(dǎo)致第一粉層在第一選定位置處根據(jù)模型熔化以形成三維物品的第一橫截面的第一部分。第一能量束151可到達(dá)預(yù)定區(qū)域，此預(yù)定區(qū)域取決于最大偏轉(zhuǎn)角度和電子束源101至工作臺(tái)的距離。因此，第一能量束151只能到達(dá)總建造區(qū)域的一部分，即三維物品130的第一橫截面的一部分。
[0074]可在起動(dòng)板116上根據(jù)控制裝置140給出的指令引導(dǎo)電子束。在控制裝置140中，可儲(chǔ)存關(guān)于如何控制三維物品中的每一層的束源101、102的指令。
[0075]可在工作臺(tái)上自第二能量束源102引導(dǎo)第二能量束152,導(dǎo)致第一粉層在第二選定位置2處根據(jù)模型熔化以形成三維物品130的第一橫截面的第二部分。
[0076]如同第一能量束151，第二能量束152也可到達(dá)預(yù)定區(qū)域，此預(yù)定區(qū)域視最大偏轉(zhuǎn)角度和能量束源至工作臺(tái)的距離而定。
[0077]因此，第二能量束152只能到達(dá)總建造區(qū)域的一部分，即三維物品130的第一橫截面的一部分。
[0078]在本發(fā)明的示例性且非限制性的實(shí)施方案中，在重疊區(qū)域中至少彼此部分重疊的第一粉層的第一位置與第二位置可由分別來(lái)自第一能量束源101與第二能量束源102的第一能量束151與第二能量束152同時(shí)熔化。
[0079]可通過(guò)不同方式在重疊區(qū)域中由第一束151與第二束152進(jìn)行同時(shí)熔化。
[0080]第一種方式是在區(qū)域3中的第一通道用第一束151熔化或加熱粉末，同時(shí)第二束152可在第二通道熔化或加熱粉末，第二通道與第一通道是分開(kāi)的。在第一束離開(kāi)通道后，由第一束熔化的第一通道可由第二束再次熔化，即第一束與第二束并非任何時(shí)間均同時(shí)在相同位置。
[0081]第二種方式是用第一束與第二束熔化或加熱粉末以使得第一束151與第二束152至少一次同時(shí)在相同位置。
[0082]第一層完成后，即熔化粉末材料以制成三維物品的第一層后，在工作臺(tái)116上提供第二粉層。在一個(gè)實(shí)施方案中，根據(jù)與前一層相同的方式分配第二粉層。然而，在用于向工作臺(tái)上分配粉末的相同增材制造機(jī)械中可能存在替代性的方法。例如，可借助于第一粉末分配器來(lái)提供第一層，可通過(guò)另一粉末分配器來(lái)提供第二層。根據(jù)來(lái)自控制裝置的指令自動(dòng)改變粉末分配器的設(shè)計(jì)。單耙系統(tǒng)形式的粉末分配器，即其中用一個(gè)耙接住自左側(cè)粉末料斗106和右側(cè)粉末料斗107落下的粉末，耙本身可改變?cè)O(shè)計(jì)。
[0083]在工作臺(tái)116上分配第二粉層之后，可在工作臺(tái)116上引導(dǎo)來(lái)自第一能量束源101的第一能量束151，導(dǎo)致第二粉層在第三選定位置處根據(jù)模型熔化以形成三維物品的第二橫截面。
[0084]第二層中的熔化部分可與第一層的熔化部分粘接。可通過(guò)不僅熔融最上層中的粉末，而且使最上層下方緊接一層的厚度的至少一部分再熔融來(lái)使第一層與第二層中的熔化部分熔融在一起。
[0085]在通過(guò)連續(xù)熔化粉床的部分來(lái)形成三維物品的方法的另一個(gè)示例性且非限制性的實(shí)施方案中，所述部分對(duì)應(yīng)于三維物品的連續(xù)橫截面，所述方法包括以下步驟:提供三維物品的模型；在工作臺(tái)上提供第一粉層；在工作臺(tái)上自第一電子束源引導(dǎo)第一電子束，導(dǎo)致第一粉層在第一選定位置處根據(jù)模型熔化以形成三維物品的第一橫截面的第一部分；檢測(cè)第一電子束源周圍的第一外部磁場(chǎng)和/或電場(chǎng)；根據(jù)第一電子束源周圍的外部磁場(chǎng)和/或電場(chǎng)來(lái)校正第一電子束的位置以便使根據(jù)模型所需的第一電子束位置與實(shí)際的第一電子束位置對(duì)準(zhǔn)。
[0086]在一個(gè)示例性且非限制性的實(shí)施方案中，外部磁場(chǎng)和/或電場(chǎng)源自至少第二電子束源，其目的在于在第二選定位置處根據(jù)模型熔化第一粉層以形成三維物品的第一橫截面的第二部分。
[0087]在又一個(gè)示例性且非限制性的實(shí)施方案中，通過(guò)使用來(lái)自至少一個(gè)第二電子束源的電場(chǎng)和/或磁場(chǎng)