)，h2為金屬支撐層的厚度，d3為掩模層上同一開口單元311內(nèi)相鄰兩開口結(jié)構(gòu)420之間的間距；
圖13中，II為待放大區(qū)域；
圖14中，B-B為待剖截面；
圖18中，80為基板，81為固定掩模板組件的固定機(jī)構(gòu)，82為有機(jī)蒸鍍?cè)础?br>【具體實(shí)施方式】
[0020]下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號(hào)表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能解釋為對(duì)本發(fā)明的限制。
[0021]在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語“上”、“下”、“底”、“頂”、“前”、“后”、“內(nèi)”、“外”、“橫”、“豎”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
[0022]下面將參照附圖來描述本發(fā)明磁性掩模板的制作方法，圖3所示為本發(fā)明所提供的磁性掩模板制作流程；圖4-圖7所示為采用本發(fā)明所提供方法進(jìn)行掩模板制作的幾種不同實(shí)施例示意圖。圖4-圖7中，40為電鑄沉積的基板，400為感光膜層，401為感光膜層400上曝光區(qū)域，402為未曝光的區(qū)域，403為待電鑄沉積區(qū)域，41為電鑄形成的金屬支撐層，410為金屬支撐層上窗口結(jié)構(gòu)，42為光阻膜層，420為光阻膜層42上的開口結(jié)構(gòu)，421為光阻曝光區(qū)域，422為光阻非曝光區(qū)域。
[0023]如圖3所示，本發(fā)明所提供的磁性掩模板制作流程包括步驟:S1、金屬支撐層電鑄制作；S2、金屬支撐層表面覆膜；S3、光阻膜層曝光；S4、光阻膜層顯影。
[0024]實(shí)施例一
結(jié)合圖4，本發(fā)明的實(shí)施例一展開如下:
51、金屬支撐層電鑄制作，制作具有一定厚度的金屬支撐層41，金屬支撐層41上設(shè)置有特定的窗口結(jié)構(gòu)410，金屬支撐層41是采用電鑄工藝制作的，具體電鑄工藝包括:S11、基板準(zhǔn)備，選取表面潔凈平整的電鑄沉積基板40 ;S12、貼膜，在沉積基板40的一表面壓貼或涂覆一層感光膜形成感光膜層400 ;S13、曝光，對(duì)S12中的感光膜層400特定區(qū)域進(jìn)行曝光，其感光膜層曝光的區(qū)域401為窗口結(jié)構(gòu)410所在區(qū)域，窗口結(jié)構(gòu)410外的其它區(qū)域402的感光膜未被曝光；S14、顯影，對(duì)經(jīng)過S13步驟曝光處理后的感光膜層400進(jìn)行顯影處理，將未被曝光區(qū)域402的感光膜去除，形成待電鑄沉積區(qū)域403 ;S15、電鑄，將顯影處理后的電鑄沉積基板40置于電鑄槽中電鑄成型，在待電鑄沉積區(qū)域403上形成具有窗口結(jié)構(gòu)410的金屬支撐層41 ；
52、金屬支撐層表面覆膜，在具有窗口結(jié)構(gòu)410的金屬支撐層41一表面覆上一層具有一定厚度的光阻形成光阻膜層42 ;
53、光阻膜層曝光，在金屬支撐層41具有光阻膜層42的一面進(jìn)行曝光處理，對(duì)預(yù)設(shè)區(qū)域進(jìn)行曝光，在光阻膜層42上形成光阻曝光區(qū)域421和光阻非曝光區(qū)域422 ;
54、光阻膜層顯影，通過顯影將S3步驟中光阻非曝光區(qū)域422內(nèi)的光阻去除，保留光阻曝光區(qū)域421的光阻，顯影后形成具有開口結(jié)構(gòu)420的光阻膜層42構(gòu)成本發(fā)明蒸鍍用復(fù)合磁性掩模板的掩模層；
本發(fā)明中，金屬支撐層41及具有開口結(jié)構(gòu)420的光阻膜層42構(gòu)成本發(fā)明中的復(fù)合磁性掩模板，掩模層上形成的開口結(jié)構(gòu)420與S3步驟中的光阻非曝光區(qū)域422相對(duì)應(yīng)，掩模層上形成的開口結(jié)構(gòu)420處于金屬支撐層41的窗口結(jié)構(gòu)410內(nèi)部(開口結(jié)構(gòu)420的面積小于相應(yīng)的窗口結(jié)構(gòu)410的面積)，金屬支撐層41上的每個(gè)窗口結(jié)構(gòu)410內(nèi)部至少具有一個(gè)開口結(jié)構(gòu)420。具體在實(shí)施例一中，每個(gè)窗口結(jié)構(gòu)410內(nèi)部具有一個(gè)開口結(jié)構(gòu)420。
[0025]在實(shí)施例一中，S15電鑄步驟之后還包括:褪膜步驟(圖中未示出)，將金屬支撐層41進(jìn)行褪膜處理，將金屬支撐層41窗口結(jié)構(gòu)410內(nèi)部的感光膜(即曝光區(qū)域401的感光膜)全部去除。
[0026]在實(shí)施例一中，褪膜步驟之前或之后還包括:剝離步驟(圖中未示出)，將金屬支撐層41從電鑄沉積基板40上剝離開來。
[0027]在一些實(shí)施例中，本發(fā)明在S4光阻膜層顯影步驟之后還包括:烘烤固化步驟(圖中未示出)，將經(jīng)過S4光阻膜層顯影步驟后形成的復(fù)合磁性掩模板置于烤箱中進(jìn)行烘烤固化，使得光阻膜層42具有更為穩(wěn)定的性能，且與金屬支撐層41之間具有較好的結(jié)合力。
[0028]為了更好的體現(xiàn)本發(fā)明的優(yōu)勢(shì)，本發(fā)明中光阻膜層42的厚度不大于金屬支撐層41的厚度，通過本發(fā)明制作的掩模板用于蒸鍍，其蒸鍍效果直接決定于掩模板的掩模層(即具有開口結(jié)構(gòu)的光阻膜層)的開口結(jié)構(gòu)420，較薄的光阻膜層42能夠較大程度上減小掩模板開口對(duì)蒸鍍的影響。
[0029]本實(shí)施例中，作為對(duì)本發(fā)明其它技術(shù)細(xì)節(jié)的公開，為適應(yīng)后期OLED顯示屏上像素的排布方式，采用本發(fā)明制得磁性掩模板的金屬支撐層41上窗口結(jié)構(gòu)410為陣列方式排布，相應(yīng)的，設(shè)置在掩模層上的開口結(jié)構(gòu)420亦為陣列方式排布(后續(xù)將作進(jìn)一步展開)。
[0030]本發(fā)明中，S2金屬支撐層表面覆膜步驟中是采用光阻干膜進(jìn)行壓覆成型方式或光阻濕膜涂覆成型方式進(jìn)行覆膜的。其中，采用光阻干膜進(jìn)行壓覆成型方式，即是將光阻預(yù)先形成一定厚度的干膜，然后通過壓貼的方式使得光阻干膜附著在金屬支撐層表面；采用光阻濕膜涂覆成型方式，即是將乳劑狀濕膜通過機(jī)械涂覆的方式均勻涂布在金屬支撐層表面。
[0031]另外，作為對(duì)本發(fā)明中構(gòu)成所述磁性掩模板各層厚度的限定，所述金屬支撐層41的厚度范圍為:20-60 μ m ;掩模層的厚度(即光阻膜層42的厚度)范圍為:2_20 μ m。作為其中優(yōu)選實(shí)施例，支撐層41的厚度為25 μηι、30 μηι、35 μηι、40 μηι、45 μηι、50 μηι、55 μπι，光阻膜層42的厚度為5 μm、8 μm、10 μm、12 μm、15 μπι、18 μπι。當(dāng)然，可以理解的是，本發(fā)明在實(shí)際應(yīng)用過程中，金屬支撐層41的厚度范圍并不局限于20-60 μπι，掩模層的厚度(即光阻膜層42的厚度)亦不局限于2-20 μπι。
[0032]在本發(fā)明中，掩模層上形成的開口結(jié)構(gòu)作為最終限定蒸鍍應(yīng)用過程中有機(jī)材料的蒸鍍質(zhì)量，作為優(yōu)選方案，本實(shí)施例中，掩模層上形成的開口結(jié)構(gòu)420的尺寸范圍為15-40 μ m，具體可以設(shè)計(jì)為 18 μ m、20 μ m、25 μ m、30 μ m、35 μ m。
[0033]本發(fā)明中金屬支撐層是通過電鑄成型的，其材質(zhì)為鎳基合金，例如為鎳鐵合金。
[0034]實(shí)施例二
作為本發(fā)明的實(shí)施例二，如圖5所示，其與實(shí)施例一不同的是:實(shí)施例一中，金屬支撐層41上的每個(gè)窗口結(jié)構(gòu)410內(nèi)部?jī)H具有一個(gè)開口結(jié)構(gòu)420 ;而本實(shí)施例中每個(gè)窗口結(jié)構(gòu)410內(nèi)部具有多個(gè)開口結(jié)構(gòu)420。
[0035]實(shí)施例三
作為本發(fā)明的實(shí)施例三，如圖6所示，其與實(shí)施例一、二不同的是:實(shí)施例一、二中“剝離步驟”是在電鑄工藝完成后進(jìn)行的(即金屬支撐層表面覆膜步驟S2之前即完成)；而在本實(shí)施例中，“剝離步驟”(作為步驟S5)是在S4光阻膜層顯影步驟之后。如此設(shè)計(jì)方式能夠防止較好的避免具有較薄厚度的金屬支撐層41在掩模板制作過程中出現(xiàn)折痕等損傷。
[0036]實(shí)施例四
本實(shí)施例如圖7所示，與前面三個(gè)實(shí)施例不同的是:本實(shí)施例中電鑄形成金屬支撐層時(shí)，電鑄沉積的厚度大于S12貼膜步驟中的感光干膜厚度，形成的所述金屬支撐層具有收縮型的窗口結(jié)構(gòu)。如圖7所示，由于電鑄沉積厚度大于感光膜40的厚度，在形成金屬支撐層41時(shí)，窗口結(jié)構(gòu)410上端會(huì)出現(xiàn)一定的收縮。如此設(shè)計(jì)能夠在減少金屬支撐層41對(duì)蒸鍍影響的同時(shí)增大金屬支撐層41與光阻膜層42之間的附著面積，從而有效的提高掩模板的壽命。
[0037]為了更好的了解本發(fā)明，以下是對(duì)本發(fā)明形成的一些產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的具體展示。
[0038]圖8至圖12所展示的為采用本發(fā)明所提供技術(shù)方案制作的一種磁性掩模板的相關(guān)實(shí)施例，其具體作以下展開:
圖8所示為采用本發(fā)明所涉及方法制作的磁性掩模板的整體示意圖；圖9所示為圖8中沿B-B方向的截面示意圖；圖10所示為構(gòu)成磁性掩模板的掩模層整體示意圖；圖11所示為構(gòu)成磁性掩模板的金屬支撐層整體示意圖；圖12所示為圖4中I區(qū)域的放大示意圖。
[0039]圖8所示為采用本發(fā)明所涉及方法制作的磁性掩模板的整體示意圖，其截面示意圖如圖9所示，磁性掩模板30由光阻膜層42和金屬支撐層41兩層結(jié)構(gòu)構(gòu)成，光阻膜層42上設(shè)置有若干由開口結(jié)構(gòu)420陣列形成的開口單元311。如圖12所示，相鄰兩開口單元311之間間隙312的寬度d2大于同一開口單元311內(nèi)相鄰兩開口結(jié)構(gòu)420之間的間距d3 ;金屬支撐層41作為光阻膜層42的載體，金屬支撐層41設(shè)置有若干鏤空的窗口結(jié)構(gòu)410，窗口結(jié)構(gòu)410之間通過內(nèi)部若干交錯(cuò)的支撐條411區(qū)分，如圖11所示。磁性