。外殼250環(huán)繞高溫蓋體模塊220，但外殼250可具有任何所需的形狀。本文所示和描述的外殼形狀僅為示范性的，且其它形狀可在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
[0034]高溫蓋體模塊220可為單個(gè)整體部件，或可由一些部件組成。例如，圖2所示的高溫蓋體模塊包括噴頭230及氣源231。噴頭可包括多個(gè)孔，以允許氣體從噴頭230流動(dòng)至晶片160上的處理區(qū)域117 (如圖4所示)。本領(lǐng)域技術(shù)人員將了解高溫蓋體模塊220中可包括其它部件。為方便描述，附圖(除圖2)中，將高溫蓋體模塊220作為單個(gè)部件顯示。
[0035]高溫蓋體模塊220的形狀及設(shè)計(jì)可根據(jù)所涉及的特定部件而具有任何適當(dāng)?shù)男螤?。附圖所示的形狀僅是一個(gè)可能形狀的表示，而不應(yīng)將附圖所示的形狀作為對本發(fā)明范圍的限制。高溫蓋體模塊220具有底表面221，所述底表面221可被設(shè)置為，例如，鄰近處理腔室100的處理配件(例如處理襯里133)。高溫蓋體模塊220還包括頂表面222，如下文所述，頂表面222可與外殼250相互作用。
[0036]外殼250位于高溫蓋體模塊220的周圍。也就是說，外殼250環(huán)繞高溫蓋體模塊220的外邊緣，以最小化處理期間高溫蓋體模塊220曝露于大氣的區(qū)域。外殼250包括中空筒狀壁251，中空筒狀壁251具有下端252及上端253，下端252被設(shè)置成鄰近處理腔室主體 112。
[0037]彈性密封O形環(huán)225設(shè)置在中空筒狀壁251的上端253與高溫蓋體模塊220的頂表面222之間。圖2所示的O形環(huán)225與中空筒狀壁251的內(nèi)表面254接觸。O形環(huán)225在外殼250的大氣側(cè)與內(nèi)部區(qū)域216之間形成密封，所述內(nèi)部區(qū)域216在外殼250與高溫蓋體模塊220之間。
[0038]外殼250為柔性的，以允許高溫蓋體模塊220在外殼250內(nèi)移動(dòng)。例如，當(dāng)高溫蓋體模塊220下方的壓力低于大氣壓力時(shí)，模塊將向下移動(dòng)。外殼250允許一定程度的移動(dòng)，同時(shí)保持外殼250的初始形狀，以便在壓力平衡時(shí)，高溫蓋體模塊220返回至原始位置。高溫蓋體模塊220的移動(dòng)量可以不同。在一些實(shí)施方式中，高溫蓋體模塊220從模塊220的原始位置移動(dòng)的距離可長達(dá)約I英寸。在一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施方式中，高溫蓋體模塊220可在以下范圍內(nèi)移動(dòng):約0.1英寸至約I英寸的范圍內(nèi)，或約0.15英寸至約0.5英寸的范圍內(nèi)，或約0.2英寸至約0.4英寸的范圍內(nèi)。
[0039]高溫蓋體模塊220除相對于外殼250垂直移動(dòng)外，高溫蓋體模塊220也可由于加熱而膨脹。如果高溫蓋體模塊220處于高溫下，并且外殼相對較冷，溫差將導(dǎo)致高溫蓋體模塊220相對于外殼250膨脹。在一些實(shí)施方式中，高溫蓋體模塊220的膨脹引起高溫蓋體模塊220的外邊緣觸碰或接觸外殼250的內(nèi)表面254。在一些實(shí)施方式中，加熱后高溫蓋體模塊220的膨脹并不在高溫蓋體模塊220與外殼250之間形成額外的接觸點(diǎn)。
[0040]圖3表不外殼250的另一實(shí)施方式，在所述實(shí)施方式中，中空筒狀壁251由若干部分組成。此處，中空筒狀壁包括外中空筒狀壁261及內(nèi)中空筒狀壁263。下環(huán)狀部262與外中空筒狀壁261及內(nèi)中空筒狀壁263接觸。上環(huán)狀部264連接至內(nèi)中空筒狀壁263。在一些實(shí)施方式中，彈性密封O形環(huán)225設(shè)置在上環(huán)狀部264的下壁265與高溫蓋體模塊220的頂表面222之間。
[0041]在圖3所示的實(shí)施方式中，外中空筒狀壁261、下環(huán)狀部262、內(nèi)中空筒狀壁263及上環(huán)狀部264是整體形成的。意思是，這些個(gè)部件是作為單件結(jié)構(gòu)形成的。
[0042]圖4表示處理腔室100的實(shí)施方式，處理腔室100包括腔室主體及腔室蓋體200。腔室主體包括筒狀腔室壁112，筒狀腔室壁112具有頂表面114，頂表面114封閉處理區(qū)域117。處理區(qū)域117包括晶片支撐件145 (如圖所示的晶片支撐件145支撐晶片160)，和環(huán)繞晶圓支撐件145的處理襯里133。腔室蓋體200包括高溫蓋體模塊220，高溫蓋體模塊220具有底表面221，所述底表面221設(shè)置為鄰近處理襯里133的頂表面115。在位于處理襯里133的頂表面115與高溫蓋體模塊220的底表面221之間有縫隙290。
[0043]圖4的實(shí)施方式具有外殼250，其中下環(huán)狀部262、內(nèi)中空筒狀壁263及上環(huán)狀部264是整體形成的，而外中空筒狀壁261為獨(dú)立部件。本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，根據(jù)組成外殼250部分的數(shù)量或順序，整體形成及獨(dú)立部分有其它配置。例如，外筒狀壁261、下環(huán)狀部262及內(nèi)筒狀壁263可為整體形成，而上環(huán)狀部264為獨(dú)立的。在一些實(shí)施方式中，外殼250由一個(gè)不同的部件(例如，圖2的圓頂形狀)，或兩個(gè)、三個(gè)、四個(gè)(例如圖4)、五個(gè)、六個(gè)、七個(gè)、八個(gè)、九個(gè)或更多個(gè)不同的部分組成，任何數(shù)量的這些不同部分可整體形成。
[0044]如圖4所示，在外中空筒狀壁261為獨(dú)立部件的情況下，O形環(huán)270設(shè)置在外中空筒狀壁261的頂端271與下環(huán)狀部262的下表面272之間。這個(gè)O形環(huán)270可使得外殼250的各部分能夠分別彎曲，而不會(huì)破壞處理區(qū)域與大氣之間的密封。
[0045]外殼250的厚度或外殼的各部分的厚度可以不同，以使彎曲更容易或更難。在一些實(shí)施方式中，如圖4所示，外殼250的下環(huán)狀部262比上環(huán)狀部264更薄。因此，當(dāng)高溫蓋體模塊220向下移動(dòng)時(shí)，外殼250圍繞下環(huán)狀部262彎曲。這表示下環(huán)狀部262部分可彎曲，或通過O形環(huán)270到外筒狀壁261的連接可移動(dòng)或彎曲，或到內(nèi)筒狀壁的連接可移動(dòng)或彎曲。
[0046]當(dāng)處理區(qū)域117未處于減少的壓力(decreased pressure)下時(shí)，在高溫蓋體模塊220與處理襯里133之間有縫隙290。這允許將蓋體置放于腔室之上，而沒有在處理襯里133或高溫蓋體模塊220底表面221產(chǎn)生刮擦或凹痕的風(fēng)險(xiǎn)。也就是說，當(dāng)處理區(qū)域117處于大氣壓力下時(shí)，高溫蓋體模塊220的底表面221不觸碰處理襯里133的頂表面115。如圖5所示，當(dāng)處理區(qū)域117處于減小的壓力下時(shí)，外殼250彎曲以允許高溫蓋體模塊220在外殼250內(nèi)移動(dòng)，以接觸處理襯里133的頂表面115。這時(shí)，縫隙290變得很小至不存在，以便高溫蓋體220與處理襯里133之間有直接接觸，以增強(qiáng)處理腔室內(nèi)的加熱均勻性。
[0047]圖6表示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施方式的部分外殼250的橫截面透視圖。在這里，外殼250為包括下環(huán)狀部262、內(nèi)中空筒狀壁柱263及上環(huán)狀部264的整體部件。圖示的外連接區(qū)域273在下環(huán)狀部262的外邊緣周圍。圖示的外連接區(qū)域273具有多個(gè)孔295，通過所述孔295，外殼250可連接到腔室的頂部或連接到外筒狀壁261的頂部。所述上環(huán)狀部中也有多個(gè)孔296，所述孔296可用于將外殼連接到高溫蓋體模塊220的頂表面。
[0048]雖然上述內(nèi)容是針對本發(fā)明的實(shí)施方式，但是在不背離本發(fā)明的基本范圍的情況下，可設(shè)計(jì)本發(fā)明的其它與進(jìn)一步的實(shí)施方式，且本發(fā)明的范圍由以下專利申請范圍所界定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種蓋體組件，所述蓋體組件包括: 高溫蓋體模塊，所述高溫蓋體模塊具有底表面及頂表面，所述底表面設(shè)置成鄰近處理腔室的處理配件； 外殼，所述外殼在所述高溫蓋體模塊周圍，所述外殼包括中空筒狀壁，所述中空筒狀壁具有下端及上端，所述下端將設(shè)置成鄰近處理腔室主體；以及 彈性密封O形環(huán)，所述彈性密封O形環(huán)設(shè)置在所述外殼的所述中空筒狀壁的所述上端與所述高溫蓋體模塊的所述頂表面之間， 其中，所述外殼為柔性的，以允許所述高溫蓋體模塊在所述外殼內(nèi)移動(dòng)。2.一種處理腔室，所述處理腔室包括: 腔室主體，所述腔室主體包括具有頂表面的筒狀腔室壁，所述筒狀腔室壁封閉處理區(qū)域，所述處理區(qū)域包括晶片支撐件及圍繞所述晶片支撐件的處理襯里； 腔室蓋體，所述腔室蓋體包括: 高溫蓋體模塊，所述高溫蓋體模塊具有底表面及頂表面，所述底表面設(shè)置成鄰近所述處理襯里的頂表面， 外殼，所述外殼在所述高溫蓋體模塊的周圍，所述外殼包括中空筒狀壁，所述中空筒狀壁具有下端及上端，所述下端鄰近所述筒狀腔室壁的所述頂表面；及 彈性密封O形環(huán)，所述彈性密封O形環(huán)設(shè)置在所述外殼的所述中空筒狀壁的所述上端與所述高溫蓋體模塊的所述頂表面之間；以及 O形環(huán)，所述O形環(huán)設(shè)置在所述筒狀腔室壁的所述頂表面與所述外殼的所述中空筒狀壁的所述下端之間， 其中，當(dāng)所述處理區(qū)域處于大氣壓力下時(shí)，所述高溫蓋體模塊的所述底表面并不觸碰所述處理襯里的所述頂表面，而當(dāng)所述處理區(qū)域處于減小的壓力下時(shí)，所述外殼彎曲以允許所述高溫蓋體模塊在所述外殼內(nèi)移動(dòng)，以接觸所述處理襯里的所述頂表面。3.如權(quán)利要求1或2所述裝置，其中所述外殼的所述中空筒狀壁包括外中空筒狀壁、內(nèi)中空筒狀壁、與所述外中空筒狀壁及所述內(nèi)中空筒狀壁接觸的下環(huán)狀部，及連接至所述內(nèi)中空筒狀壁的上環(huán)狀部。4.如權(quán)利要求3所述的裝置，其中所述彈性密封O形環(huán)設(shè)置在所述上環(huán)狀部的下壁與所述高溫蓋體的所述頂表面之間。5.如權(quán)利要求3所述的裝置，其中所述外中空筒狀壁、所述下環(huán)狀部、所述內(nèi)中空筒狀壁及所述上環(huán)狀部是整體形成的。6.如權(quán)利要求5所述的裝置，其中所述下環(huán)狀部比所述外中空筒狀壁、所述內(nèi)中空筒狀壁及所述上環(huán)狀部更薄。7.如權(quán)利要求3所述的裝置，其中所述下環(huán)狀部、所述內(nèi)中空筒狀壁及所述上環(huán)狀部是整體形成的，而所述外中空筒狀壁是獨(dú)立的。8.如權(quán)利要求7所述的裝置，進(jìn)一步包括O形環(huán)，所述O形環(huán)設(shè)置在所述外中空筒狀壁的頂端與所述下環(huán)狀部的下表面之間。9.如權(quán)利要求1或2所述的裝置，其中所述外殼具有足夠的柔性，以允許所述高溫蓋體模塊在所述外殼內(nèi)的移動(dòng)長達(dá)約I英寸。10.如權(quán)利要求1或2所述的裝置，其中所述高溫蓋體模塊包括噴頭組件，所述噴頭組件包括位于底表面上的多個(gè)孔。11.如權(quán)利要求1或2所述的裝置，其中，當(dāng)加熱時(shí)，所述高溫蓋體模塊的膨脹并不在所述高溫蓋體模塊與所述外殼之間形成額外的接觸點(diǎn)。
【專利摘要】本文公開了用于處理腔室的蓋體組件及包括蓋體組件的處理腔室。蓋體組件包括高溫蓋體模塊及外殼。高溫蓋體模塊設(shè)置成鄰近處理腔室的處理襯里。柔性外殼設(shè)置在高溫蓋體模塊的周圍，且使用彈性環(huán)連接到所述高溫蓋體模塊。
【IPC分類】C23C16/44, H01L21/205, C23C16/00
【公開號】CN105143502
【申請?zhí)枴緾N201480013391
【發(fā)明人】利克爾·杜魯坎, 喬爾·M·休斯頓, 吳典曄, 高建德, 張鎂
【申請人】應(yīng)用材料公司
【公開日】2015年12月9日
【申請日】2014年3月11日
【公告號】US20140252015, WO2014164743A1