專利名稱：一種用于連續(xù)澆注金屬的方法和設備的制作方法
背景技術：
及現(xiàn)有技術本發(fā)明涉及一種用于連續(xù)澆注金屬的方法，其中液態(tài)金屬作為一股射流被供給到一個已經裝有液態(tài)金屬的結晶器中。本發(fā)明還涉及一種用于連續(xù)澆注金屬的設備，所述設備包括一個結晶器和一個元件，在澆注過程中液態(tài)金屬通過所述結晶器，液態(tài)金屬通過所述元件作為一股射流被供給到所述已經裝有液態(tài)金屬的結晶器中。
在對供給到一個結晶器中的液態(tài)金屬進行連續(xù)澆注的過程中，所述液態(tài)金屬在結晶器中冷卻并且形成一個細長的鑄坯。根據(jù)橫截面的尺寸，所述鑄坯可被稱為“大方坯”、“小方坯”或“板坯”。熱的液態(tài)金屬的第一液流在澆注過程中被輸送到一個受到冷卻的結晶器中，金屬在所述結晶器中被冷卻并且至少部分地凝固成一種細長的鑄坯。所述冷卻的和部分凝固的鑄坯連續(xù)地離開所述結晶器。所述結晶器在鑄坯離開的位置處具有至少一個以機械形式自支承的凝固坯殼，所述坯殼包圍著一個沒有凝固的中央部分。從澆注方向看過去，所述冷卻的結晶器的兩個相對的端部是敞開的并且最好與用于支承所述結晶器的裝置以及與用于使所述結晶器和所述支承裝置冷卻的裝置相連。所述結晶器最好由一種具有高導熱性能的銅基合金制成。
液態(tài)金屬從一個澆注容器經過一個延伸到所述結晶器中的管被供給到所述結晶器中。所述管最好延伸到結晶器中并且伸到已經存在于其內的液態(tài)金屬中。當液態(tài)金屬從所述管流入到已經存在于所述結晶器內的液態(tài)金屬中時，它將形成一個所謂的第一液流和一個所謂的第二液流。所述第一液流沿著澆注方向向下流動，而所述第二液流從所述結晶器壁朝向位于其中的金屬熔池的表面上下流動。在存在于結晶器中的金屬熔池的不同部分中，在澆注過程中會出現(xiàn)周期性的速度振蕩。從而，在液態(tài)金屬流周圍以一種公知的形式形成上下環(huán)路。由于存在與這種環(huán)路的周期性振蕩相關的諧振，因此大氣泡(例如氬氣泡)、來自所述澆注管的氧化物雜質和來自彎月面的熔渣將沿著澆注方向被向下輸送，即向下進入到初始形成在所述結晶器中的鑄坯中。這將使雜質和缺陷形成在最終的凝固鑄坯中。
結晶器中的振蕩流所導致的速度變化能夠使彎月面處的壓力和彎月面的高度出現(xiàn)變化。在彎月面處的速度較高時，將會導致(a)使熔渣沉陷；(b)熔渣厚度不均勻；(c)坯殼厚度不均勻；以及(d)形成裂縫的危險。
另外，振蕩流動會致使結晶器中向下的流速不均衡。在一些位置處，在一個窄側的速度可能大大高于在另一側的速度。這將使低質量熔渣所帶來的雜質和氣泡被強有力地向下輸送。
現(xiàn)有技術中涉及了各種用于分別影響在所述結晶器中的液態(tài)金屬的第一液流和第二液流的設備和方法。在現(xiàn)有技術中所涉及的這些設備中，在澆注過程中為裝在所述結晶器中的液態(tài)金屬的至少一個部分提供一個大體靜態(tài)磁場。例如，在已知的瑞典專利公開SE 436 251中，在結晶器處設置了一個靜態(tài)的直流磁場或永久磁場?；蛘撸部墒┘右粋€頻率在1赫茲以下的低頻交流磁場。當金屬流經所述磁場時，注口射流進入剩余的液態(tài)金屬發(fā)生延遲，經過的液流在澆注過程中受到有利的影響。這種技術已經被改進。例如，可以這樣的方式設置用于產生所述磁場的磁體，即，能夠在澆注方向上的結晶器不同水平位置處獲得一個磁場，從而使液態(tài)金屬中特殊的局部運動分別受到各個磁場的作用。人們還已經提出，以這樣一種方式設置磁體以及將它們連接在一起的磁軛，即，使所述磁場沿著澆注方向延伸而不是沿著與澆注方向垂直的方向。
發(fā)明概述本發(fā)明的一個目的在于，提供一種在金屬連續(xù)澆注過程中能夠干擾并減小存在于一個結晶器中的液態(tài)金屬中的周期性振蕩和與其相關的諧振的方法。
本發(fā)明目的可以通過在前序中所限定的那種類型的方法來達到，其特征在于，利用磁體元件將一個隨時間變化并且基本上被固定在所述空間中的磁場施加到結晶器中的液態(tài)金屬上以防止液態(tài)金屬產生自然振蕩。所述磁場用作所述液態(tài)金屬中的一個減振裝置。
根據(jù)所述方法的一個優(yōu)選實施例，周期性地施加所述磁場。所述周期性能夠適應振蕩的周期性，對于鋼板坯的澆注，所述周期通常在1-30秒。周期性地施加所述磁場是為了在不改變主要流動形態(tài)的情況下干擾并消除液態(tài)金屬中的振蕩。所述流動形態(tài)是可改變的，例如利用強大的靜態(tài)磁場或者一個活動磁場。
根據(jù)所述方法的另一個優(yōu)選實施例，在澆注過程中以不規(guī)則的時間間隔施加所述變化磁場。由于所述磁場施加的不規(guī)則性，可以避免規(guī)則地增強所述液態(tài)金屬中的某一種有規(guī)則的周期性振蕩。由于其規(guī)則性，所述變化磁場將對在液態(tài)金屬中的這樣規(guī)則自然振蕩產生影響。
根據(jù)所述方法的另一個優(yōu)選實施例，以隨機的時間間隔進行所述不規(guī)則的磁場施加。隨機地施加所述磁場將有效地抵制和干擾所述周期性振蕩的產生。隨機地施加所述磁場能夠使在任何延長的時間段內強化存在于液態(tài)金屬中的自然振蕩的可能性達到最小。
根據(jù)所述方法的另一個優(yōu)選實施例，以預定的時間間隔進行周期性的磁場施加。這些時間最好是預先已知的時間，所述時間是在液態(tài)金屬中的周期性振蕩處于某一臨界階段的時間，例如當由于所述自然振蕩所導致的諧振開始出現(xiàn)或可能開始出現(xiàn)時。在已知的澆注環(huán)境或彎月面變形的測量后，根據(jù)實際觀察和對液態(tài)金屬中出現(xiàn)這種臨界階段的時間計算來確定所述預定時間。
根據(jù)所述方法的另一個優(yōu)選實施例，在對所述液態(tài)金屬中的某一種情況進行探測后進行所述磁場的施加。所述狀態(tài)最好是所述液態(tài)金屬或者彎月面的一種預定的且可探測的運動。
根據(jù)另一個優(yōu)選實施例，其特征在于，所述變化磁場設有隨機變化的振幅。從而，在澆注過程中增大了削弱和不增強產生在所述液態(tài)金屬中的自然振蕩的可能性。
根據(jù)另一個優(yōu)選實施例，所述變化磁場設有一個頻率，所述頻率為能夠在熔體中產生擾動的所述振蕩頻率的10至103倍。這些通常屬于寬帶頻譜。從而可獲得一種非?？煽康膶σ簯B(tài)金屬中的所述振蕩的干擾。所述磁場最好可在所述振蕩周期的一個受限制的部分中施加并且能夠提供一種安全可靠的干擾影響。
本發(fā)明的另一個目的在于提供一種設備，利用所述設備能夠在金屬連續(xù)澆注過程中干擾并防止存在于一個結晶器中的液態(tài)金屬的周期性振蕩和與其相關的諧振的產生。
本發(fā)明目的可以通過在前序中所限定的那種類型的設備來達到，其特征在于，所述設備包括用于將一個能夠隨時間變化并且基本上被固定在所述空間中的磁場施加到結晶器中的液態(tài)金屬上的磁體元件。由于所述磁場是變化的，因此它可被容易地控制，即，給出這樣的一個振幅和頻率，從而能夠有效地干擾存在于或產生在液態(tài)金屬中的周期性振蕩。
根據(jù)一個優(yōu)選實施例，以這樣一種方式設置所述磁體元件，即，使所述磁體元件能夠在澆注過程中周期性地產生所述變化磁場。所述周期性能夠適應振蕩的周期性，對于鋼板坯的澆注，所述周期通常在1-30秒。
根據(jù)另一個優(yōu)選實施例，以這樣一種方式設置所述磁體元件，即，使所述磁體元件能夠以不規(guī)則的時間間隔產生所述變化磁場。由于它們與存在于液態(tài)金屬中的周期性振蕩反相的可能性很高，因此能夠有效地干擾每一個自然振蕩的產生。
根據(jù)另一個優(yōu)選實施例，以這樣一種方式設置所述磁體元件，即，使所述磁體元件能夠產生具有一個隨機變化的幅值的磁場。還可以這樣一種方式設置所述磁體元件，即，使所述磁體元件能夠產生一個具有在一個給定頻率間隔范圍內的變化頻率(例如是隨機變化的頻率)的磁場。由于所述磁場的幅值和/或頻率或者用于產生所述磁場的電流是變化的，因此能夠獲得一種非?？煽康膶σ簯B(tài)金屬中的自然振蕩的干擾，同時能夠有效地避免液態(tài)金屬中可能產生的自然振蕩增強。
根據(jù)另一個優(yōu)選實施例，所述磁體元件能夠產生一個基本上靜態(tài)的磁場，所述變化磁場疊加到所述靜態(tài)磁場上。所述靜態(tài)磁場最好用于影響結晶器中的液態(tài)金屬的所謂第一液流和第二液流，這些液流是由供給到其中的液態(tài)金屬所產生的?，F(xiàn)有技術中所涉及的同類型的基本設備已經能夠進行上述影響，由于將一個靜態(tài)磁場和疊加于其上的變化磁場施加到結晶器中的液態(tài)金屬上，因此可以被使用達到上述組合目的。
根據(jù)所述設備的另一個優(yōu)選實施例，所述變化磁場設有一個頻率，所述頻率為能夠產生擾動的液態(tài)金屬的振蕩頻率的10至103倍。從而可獲得一種非?？煽康膶σ簯B(tài)金屬中的所述振蕩的干擾。
從后面的權利要求書和下面的詳細描述中可以看出本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點。
附圖簡述下面將參照附圖結合示例對本發(fā)明進行描述。
在附圖中

圖1是從一個金屬連續(xù)澆注設備的一側看過去所得到的一個示意性的截面圖；圖2是從圖1中所示設備的上部一側看過去所得到的一個截面圖；圖3是從圖1和圖2中所示設備的上方看過去所得到的一個視圖；圖4示出了一個靜態(tài)磁場或者用于產生這種磁場的直流，其中一個變化磁場疊加在所述靜態(tài)磁場上；圖5-7示出了根據(jù)本發(fā)明的不同實施例所得到的可隨時間變化的一個變化磁場或用于使這種磁場產生變化的電流；以及圖8是表示僅在一個水平位置處具有磁體元件的設備的示意性橫截面圖。
優(yōu)選實施方案詳述圖1-3示出了一個用于連續(xù)澆注金屬(諸如鋼)的設備。所述設備包括一個結晶器，所述結晶器限定了一個由四個相對的壁構成的筒體。所述結晶器最好由一種銅合金或其它具有適合的導熱性和熱阻的合金制成。在所述結晶器1的至少兩個相對的壁的外部設置用于對所述壁進行冷卻的元件2、3。所述冷卻元件2、3可包括任何類型的支承框架，穿過所述支承框架可設置用于輸送冷卻介質(諸如水)的冷卻通道。所述通道可以這樣的方式進行設置，即，使所述冷卻介質直接流向所述壁的外表面以對所述壁進行冷卻。
所述設備還包括一個元件4，即一種所謂的“浸入式水口(SEN)”，利用該元件能夠使一種液體金屬從一個容器(未示出)被供給到由所述結晶器所限定的空間內。在澆注過程中，結晶器1中充滿金屬。所述金屬主要是以一種液態(tài)金屬的形式存在的，但是沿著液態(tài)金屬與結晶器1的界面形成了一個凝固的或部分凝固外層，即一種所謂的坯殼，所述坯殼在澆注方向上其厚度是逐漸增大的。所述結晶器1還能夠在大體豎直方向上進行振動，同時一個由液態(tài)金屬和包圍所述液態(tài)金屬的凝固外殼構成的鑄坯5被連續(xù)地從結晶器1的一端送出。
所述元件4從上方延伸到存在于結晶器1中的液態(tài)金屬中。更多的液態(tài)金屬通過所述元件4不斷地被供給到結晶器1中。從所述元件4流入到所述結晶器1內的液態(tài)金屬中的液態(tài)金屬在已經存在于結晶器1中的液態(tài)金屬中形成了一個第一液流(由箭頭18所示)和一個第二液流(由箭頭19所示)。這些自然振蕩屬于寬帶頻譜類型的振蕩。由于在液態(tài)金屬中產生這樣的振蕩會形成諧振，因此可能會將包括氣體或熔渣的大氣泡向下輸送到所述鑄坯5中。因此，雜質、含有雜質的氣泡或氬氣以及來自彎月面的熔渣會存在于最終完全凝固的鑄坯5中。結晶器中的振蕩液流所導致的速度變化會導致彎月面處的壓力變化和彎月面的高度變化。在彎月面處速度較高的情況下，這將導致熔渣沉陷、熔渣厚度不均勻、坯殼厚度不均勻以及帶來形成裂縫的危險。另外，所述振蕩液流會使結晶器中的金屬流速不均衡。在某些情況下，在一個窄壁板側的速度會大大高于在另一個窄壁板側的速度。這將使低質量熔渣所帶來的雜質和氣泡被強有力地向下輸送。
為了避免上述問題，所述設備包括第一組磁體元件6，所述第一組磁體元件6能夠提供或產生一個穿過所述結晶器1中液態(tài)金屬(即，在一個與澆注方向垂直的方向上)的變化磁場。在本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例中，所述磁體元件能夠無規(guī)則地(例如，以隨機的時間間隔但在給定的時間間隔范圍內)產生一個變化磁場，所述變化磁場具有在至少一個預定的振幅范圍內的隨機振幅。
磁體元件最好可以這樣一種方式被設計，即，使所述磁體元件所產生的磁場具有一個隨機變化的頻率，所述頻率處在至少一個預定的頻率范圍內。但是，最低的頻率或者至少平均頻率應該大于1赫茲，最好大于10赫茲。或者，磁體元件還可以這樣一種方式被設計，即，使所述磁體元件所產生的磁場具有一個預定的幅值和頻率，例如，如圖6和圖7所示可利用一個矩形波或一個正弦波表示的一個磁場。所述設備還可包括用于激勵所述磁體元件以便能夠以預定的周期產生所述磁場的裝置(未示出)。所述激勵裝置可包括用于探測在所述磁體元件受到激勵時所出現(xiàn)的某一種情況(例如液態(tài)金屬或一個元件4中的液態(tài)金屬的某一種運動情況)或者能夠利用模擬/計算來預測某一種情況是否出現(xiàn)的裝置20以及用于控制所述激勵的裝置21。從而可以獲得一個使由其存在的自然振蕩所導致的擾動能夠適應液態(tài)金屬運動情況的設備。
所述設備還包括第二組磁體元件7。所述第二磁體元件組7的設置位置與所述第一磁體元件組6相比更靠近結晶器1中液態(tài)金屬的上表面，所述第二磁體元件組7所處位置基本上與所述元件4向下伸入到液態(tài)金屬中的部分處于同一水平位置。沿著澆注方向看過去，緊挨著所述元件4設置所述第一磁體組6，在這種情況下，所述第一磁體元件組6在所述元件4的用于使液態(tài)金屬流出的一個或多個開口的下方。所述第二磁體元件組7能夠產生一個與所述第一磁體元件組6所產生的上述任何一個磁場類似的磁場。
圖3示出了一組磁體元件6或7，該圖是從上方看過去的。從圖3中可以明顯地看出，磁體元件組6、7包括兩對磁芯，最好為鐵芯8、9和10、11。在所述磁芯8-11中的每一個上分別設置一個導電繞組12-15。利用一個或幾個電源為所述繞組12-15提供電流(最好是隨時間變化的直流電)以產生一個穿過結晶器1中的液態(tài)金屬的磁場。所述每一對磁芯8、9和10、11通過磁軛或支架16、17相互連接在一起。從圖3中可以明顯地看出，所述磁芯和繞組是以一種已知的方式設置的，但也可利用其它的方式進行設置，并且所設置的磁芯和繞組的數(shù)量可多些或少些。這樣，可利用另一種方式設置磁軛16、17和磁芯8-11，例如用于在澆注方向上的幾個水平位置處產生所述磁場，或者用于產生一個或幾個沿著澆注方向延伸的磁場。
根據(jù)現(xiàn)有技術，按照從圖1-3中明顯看出的方式設置的磁體元件已經能夠產生一個穿過結晶器1中液態(tài)金屬的穩(wěn)態(tài)或周期性變化的(f＜1Hz)低頻磁場以影響在液態(tài)金屬中所形成的上述第一液流和第二液流，從而使在現(xiàn)有技術中出現(xiàn)的與所述液流相關的問題得到解決。在本發(fā)明所涉及的設備中，所設置的磁體元件組6、7最好能夠產生一個穿過結晶器1中液態(tài)金屬的大體穩(wěn)態(tài)磁場以便能夠以一種有利于澆注的方式影響所述第一液流和第二液流。由磁體元件組6、7所產生的不同類型的變化磁場疊加在所述靜態(tài)磁場上。所述靜態(tài)磁場如圖4中所示，而可疊加在所述靜態(tài)磁場上的不同類型的變化磁場如圖5-7中所示。圖5-7中所示的變化磁場是按照本發(fā)明所產生的磁場類型的示例。圖5中所示的磁場是以隨機的時間間隔產生的，具有一個在一給定范圍內的隨機幅值以及一個在一給定范圍內的頻率。但圖6中所示的磁場具有一個給定的恒定幅值和頻率，對于圖7中所示的磁場也是如此。圖4-7中所示的圖表還可示出供給所述用于產生所述磁場的導電繞組12-15的電流。
所述變化磁場的頻率最好高于被所述磁場擾動的液態(tài)金屬的振蕩頻率。所述磁場的頻率最好為所述振蕩頻率的10至103倍。所述振蕩頻率的數(shù)量級為0.01-10赫茲。由于所述磁場的頻率或平均頻率低于或者基本上與所述頻率相等，因此應該產生相位與所述振蕩相反或者至少不完全相同的磁場。
在一些情況下，例如當具有不同振幅和頻率的自然振蕩存在于所述液態(tài)金屬的不同部分中時，所述磁體元件最好能夠產生一個或幾個適合于出現(xiàn)在液態(tài)金屬不同部分中的特定振蕩環(huán)境的磁場，使所述磁場在這些部分中能夠被精確地傳播。
圖8示出了本發(fā)明所涉及的設備的另一個實施例，其中僅有一組磁體元件22在澆注方向上設置在結晶器的僅一個水平位置處。所述磁體元件組22設置在所述元件4的一個開口/多個開口的一個下游區(qū)域中。
本領域普通技術人員顯然能夠得到本發(fā)明所涉及的設備和方法的多種變型，這些將落在由附屬權利要求書所限定的本發(fā)明保護范圍內。
重要的是，注意所述磁場是固定的或靜止的，即所述磁場是不移動的并且攪動液態(tài)金屬，這是常規(guī)攪動器所出現(xiàn)的情況。
應該理解的是，所述元件4可以這樣的一種方式被設置，即所述元件4沒有伸入到結晶器中的液態(tài)金屬中，而是利用一個自由式注口接觸到液態(tài)金屬。
還應該注意的是，本發(fā)明的目的在于衰減或干擾所述自然振蕩，所述自然振蕩包括液態(tài)金屬內的大量運動，即在某一種流動情況下液態(tài)金屬中的大部分相互或多或少地周期性移動，這對于澆注情況是不利的。
所述變化磁場最好疊加在一個大體靜態(tài)磁場上，所述靜態(tài)磁場通常恒定地施加在所述液態(tài)金屬上。當建立所需的澆注環(huán)境時，以脈沖的形式或周期性地施加變化磁場，可使靜態(tài)磁場強度至少周期性地稍微減小一些。這對于流動形態(tài)和能量消耗是有利的。
權利要求
1.一種用于連續(xù)澆注金屬的方法，其中液態(tài)金屬作為一股射流被供給到一個已經裝有液態(tài)金屬的結晶器(1)中，其特征在于，利用磁體元件(6、7)將一個隨時間變化并且被基本上固定在所述空間中的磁場施加到結晶器中的液態(tài)金屬上以防止液態(tài)金屬產生自然振蕩。
2.一種如權利要求1所述的方法，其特征在于，將一個大體靜態(tài)磁場施加到所述液態(tài)金屬上，將所述變化磁場疊加到所述大體靜態(tài)的磁場上。
3.一種如權利要求1或2所述的方法，其特征在于，周期性地施加所述變化磁場。
4.一種如權利要求1-3中任何一項所述的方法，其特征在于，在澆注過程中以不規(guī)則的時間間隔施加所述變化磁場。
5.一種如權利要求4所述的方法，其特征在于，以隨機的時間間隔進行所述不規(guī)則的磁場施加。
6.一種如權利要求3或4所述的方法，其特征在于，以預定的時間間隔進行周期性的磁場施加。
7.一種如權利要求1-6中任何一項所述的方法，其特征在于，在對所述液態(tài)金屬中的某一種情況進行探測后進行所述磁場的施加。
8.一種如權利要求1-7中任何一項所述的方法，其特征在于，所述變化磁場設有隨機變化的幅值。
9.一種如權利要求1-7中任何一項所述的方法，其特征在于，所述變化磁場設有一個恒定的幅值。
10.一種如權利要求1-9中任何一項所述的方法，其特征在于，所述磁場的變化限定了一個正弦波。
11.一種如權利要求1-10中任何一項所述的方法，其特征在于，所述變化磁場設有一個頻率，所述頻率為能夠產生擾動的所述振蕩頻率的10至103倍。
12.一種用于連續(xù)澆注金屬的設備，所述設備包括一個結晶器(1)和一個元件(4)，在澆注過程中液態(tài)金屬通過所述結晶器，液態(tài)金屬通過所述元件(4)作為一股射流被供給到所述已經裝有液態(tài)金屬的結晶器中，其特征在于，所述設備包括用于將一個能夠隨時間變化并且被基本上固定在所述空間中的磁場施加到結晶器(1)中的液態(tài)金屬上的磁體元件(6、7).
13.一種如權利要求12所述的設備，其特征在于，所述磁體元件(6、7)能夠產生一個基本上靜態(tài)的磁場，所述變化磁場疊加到所述靜態(tài)磁場上。
14.一種如權利要求12或13所述的設備，其特征在于，以這樣一種方式設置所述磁體元件(6、7)，即，使所述磁體元件(6、7)能夠在澆注過程中周期性地產生所述變化磁場。
15.一種如權利要求12-14中任何一項所述的設備，其特征在于，以這樣一種方式設置所述磁體元件(6、7)，即，使所述磁體元件(6、7)能夠以不規(guī)則的時間間隔產生所述變化磁場。
16.一種如權利要求12-15中任何一項所述的設備，其特征在于，以這樣一種方式設置所述磁體元件(6、7)，即，使所述磁體元件(6、7)能夠以隨機的時間間隔產生所述變化磁場。
17.一種如權利要求12-15中任何一項所述的設備，其特征在于，以這樣一種方式設置所述磁體元件(6、7)，即，使所述磁體元件(6、7)能夠以預定的時間間隔產生所述變化磁場。
18.一種如權利要求12、13或17所述的設備，其特征在于，以這樣一種方式設置所述磁體元件(6、7)，即，在對所述液態(tài)金屬中的一種給定情況進行探測時使所述磁體元件(6、7)產生所述變化磁場。
19.一種如權利要求12-18中任何一項所述的設備，其特征在于，以這樣一種方式設置所述磁體元件(6、7)，即，使所述磁體元件(6、7)能夠產生具有一個變化的幅值的磁場，最好具有隨機變化的幅值。
20.一種如權利要求12-18中任何一項所述的設備，其特征在于，以這樣一種方式設置所述磁體元件(6、7)，即，使所述磁體元件(6、7)能夠產生具有一個基本上恒定的幅值的磁場。
21.一種如權利要求12-20中任何一項所述的設備，其特征在于，以這樣一種方式設置所述磁體元件(6、7)，即，使所述磁體元件(6、7)能夠產生一個具有在一給定范圍內的變化頻率的磁場，最好具有隨機變化的頻率。
22.一種如權利要求12-21中任何一項所述的設備，其特征在于，所述變化磁場設有一個頻率，所述頻率為能夠產生擾動的液態(tài)金屬的振蕩頻率的10至103倍。
23.一種如權利要求12-22中任何一項所述的設備，其特征在于，所述磁體元件(6、7)包括磁芯(8、9、10、11)和導體繞組(12-15)，為所述磁芯(8、9、10、11)和導體繞組(12-15)提供隨時間變化的直流電以產生所述變化磁場。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于連續(xù)澆注金屬的方法和設備,其中所述設備包括一個結晶器(1)和一個元件(4),在澆注過程中液態(tài)金屬通過所述結晶器,液態(tài)金屬通過所述元件(4)作為一股射流被供給到所述已經裝有液態(tài)金屬的結晶器中。所述設備包括用于將一個能夠隨時間變化并且基本上被固定在所述空間中的磁場施加到結晶器(1)中的液態(tài)金屬上的磁體元件(6、7)。
文檔編號B22D11/04GK1329526SQ9981397
公開日2002年1月2日 申請日期1999年11月2日 優(yōu)先權日1998年12月1日
發(fā)明者C·斯萬, T·克龍, J·E·埃里克松, G·塔爾貝克 申請人:Abb股份有限公司