專利名稱：化學(xué)氣相沉積室鈍化方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體基片的鍍鈦工藝，特別是使用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)方法的半導(dǎo)體基片鍍鈦工藝。本發(fā)明特別涉及這類工藝中使用的CVD反應(yīng)器的清洗和穩(wěn)定和這類反應(yīng)器經(jīng)這樣清洗后的鈍化和調(diào)理以及其后用反應(yīng)器對半導(dǎo)體基片進(jìn)行Ti-PECVD處理時(shí)保持反應(yīng)器的穩(wěn)定狀態(tài)。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體制做中日益增多地使用化學(xué)氣相沉積(CVD)、特別是等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)把鈦(Ti)薄膜或含鈦薄膜施加到基片上。至少在理論上可使用一種這樣的Ti-PECVD工藝把鈦沉積在半導(dǎo)體晶片上的元件、特別是高縱橫比元件的接頭上。在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明過程中經(jīng)對接頭冶金學(xué)的研究，本申請人確知，在該工藝的各種生產(chǎn)應(yīng)用中，工藝一致性、工藝可重復(fù)性和工藝穩(wěn)定性問題與薄膜的基本特性和沉積特性一樣重要。
其中一個(gè)問題是CVD反應(yīng)室的清洗方法。必須對這類反應(yīng)器進(jìn)行處理，以清除積累在反應(yīng)器表面上的反應(yīng)體、反應(yīng)產(chǎn)物和反應(yīng)副產(chǎn)物。反應(yīng)器在進(jìn)行Ti-CVD過程中積累在這些表面上的材料常常會在反應(yīng)室中發(fā)生脫落而污染反應(yīng)室，使得大量粒子污染正在處理的晶片的表面，干擾晶片上的關(guān)鍵過程反應(yīng)。此外，這類材料在反應(yīng)器表面的積累會造成過程參數(shù)的長期偏差，導(dǎo)致過程性能(pocessperformance)不穩(wěn)定或無法預(yù)知、處理結(jié)果惡化。此外，許多Ti-CVD反應(yīng)器中有用來支撐待處理晶片的鎳合金基座。硅晶片在基座清洗后更容易粘在鎳合金基座上。
當(dāng)用于Ti-PECVD的CVD反應(yīng)器中的表面的狀態(tài)比方說因清洗反應(yīng)器以清除沉積過程中所積累的沉積物而改變時(shí)，沉積過程會發(fā)生改變，只有經(jīng)過某種反應(yīng)室調(diào)理(conditioning)才會穩(wěn)定。根據(jù)本申請人的經(jīng)驗(yàn)，隨著反應(yīng)器狀態(tài)發(fā)生這類改變，反應(yīng)器必須經(jīng)歷一定時(shí)間或反應(yīng)器中必須處理一定量的晶片后該沉積過程才會穩(wěn)定。本申請人認(rèn)為，這一效應(yīng)是由于反應(yīng)器表面狀態(tài)的改變、一部分是由于表面上的薄膜沉積改變了散熱性、粘性、導(dǎo)電性或其他直接影響晶片處理結(jié)果的特性。要求反應(yīng)器經(jīng)清洗或任何此類狀態(tài)改變后在把晶片送入反應(yīng)室中進(jìn)行處理前、特別是在生產(chǎn)環(huán)境中盡量縮短初步調(diào)理反應(yīng)器所化時(shí)間。
沉積室的清洗方法一般有兩種1)就地清洗，使用該清洗方法清洗反應(yīng)器表面時(shí)不打開系統(tǒng)，空氣不流入系統(tǒng)，最好不冷卻該室的任何部件，以及2)濕式清洗，該方法一般要求冷卻反應(yīng)器部件，打開系統(tǒng)用水或其他化學(xué)物沖洗或清洗反應(yīng)器部件，清除其上的沉積物。不管那種方法，本申請人發(fā)現(xiàn)，為了在清洗后穩(wěn)定基本性能，必須復(fù)原該過程，即重新調(diào)理該室。
Ti-PECVD過程使用TiCl4和H2在等離子體環(huán)境中進(jìn)行還原反應(yīng)生成主反應(yīng)產(chǎn)物金屬Ti和主反應(yīng)副產(chǎn)物HCl。在該還原反應(yīng)過程中，還可生成TiClx之類副產(chǎn)物，x＜4。這些產(chǎn)物可與金屬Ti一起沉積在反應(yīng)器各表面上，沉積的程度與反應(yīng)室的幾何形狀和反應(yīng)室各表面上的溫度分布有很大關(guān)系。高熱金屬表面、例如高熱鎳合金表面直接接觸TiCl4時(shí)其上會生成對過程性能有害的金屬氯化物。對于本申請人的受讓人的PHOENIXTM系統(tǒng)來說，其上會生成此類有害沉積物的反應(yīng)器表面為支撐基片的基座的表面、噴射反應(yīng)氣體的噴頭的表面以及反應(yīng)器各壁上位于晶片平面附近和下方的有限區(qū)域。沉積物的成分與它在其上沉積的表面的溫度和這類表面上的各種次反應(yīng)副產(chǎn)物(reaction species)、反應(yīng)物、反應(yīng)產(chǎn)物和反應(yīng)副產(chǎn)物的濃度有關(guān)。
例如，在連續(xù)進(jìn)行Ti-PECVD過程時(shí)，含Ti薄膜積累在反應(yīng)器的內(nèi)表面上。這些薄膜的成分從反應(yīng)器的高熱表面上的富含Ti變化到低溫表面上的富含Cl。這些薄膜的本性是不穩(wěn)定的。富含Ti薄膜隨著時(shí)間的推移在接觸到該室中的剩余水和氧氣時(shí)氧化。在現(xiàn)有技術(shù)中，由于該氧化過程很難控制，因此不希望發(fā)生。這些富含Ti薄膜在氧化過程中其物理特性從導(dǎo)電變成電絕緣，造成鍍鈦過程中該反應(yīng)室中的等離子體或其他特性的不穩(wěn)定或改變。另一方面，富含Cl薄膜的蒸汽壓力較高，造成該室中的TiClx(x＜4)無法控制。這些TiClx次反應(yīng)副產(chǎn)物有利于沉積反應(yīng)，造成過程特性不穩(wěn)定。
在鈦形成過程中沉積在這些壁和反應(yīng)器其他表面上的材料具有很強(qiáng)吸濕性和溶解性，與剩余水蒸氣和氧氣反應(yīng)生成基于TiO2的薄膜。這類Ti薄膜的吸氣性是公知的。TiO2薄膜的化學(xué)性能穩(wěn)定，不導(dǎo)電。其內(nèi)部部件表面上有富含Ti鍍層的反應(yīng)器必須打開進(jìn)行清洗，加速這些反應(yīng)，在大氣中生成反應(yīng)副產(chǎn)物和熱量，而這些是必須加以控制的危險(xiǎn)因素。
鈦薄膜沉積在半導(dǎo)體晶片上后通常進(jìn)行鈍化過程把一氮化鈦之類穩(wěn)定材料的鈍化層沉積在該鈦薄膜表面上。如用CVD之一的Ti沉積處理，則在一專用反應(yīng)器中用鈦與氨氣反應(yīng)生成該TiN薄膜。在一多反應(yīng)器裝置中生成Ti薄膜和其上的TiN薄膜，該裝置包括與一傳送模件連接的一Ti-CVD反應(yīng)器和一TiN-CVD反應(yīng)器，晶片從該Ti-CVD模件經(jīng)該傳送模件傳送到該TiN-CVD模件，連續(xù)進(jìn)行處理。
需要在清洗反應(yīng)器后更高效和更有效地調(diào)理反應(yīng)器、特別是用于鈦的PECVD的反應(yīng)器。
本發(fā)明概述本發(fā)明的主要目的是在一Ti-PECVD裝置中提供穩(wěn)定的過程性能。
本發(fā)明的一個(gè)特殊目的是提供一種Ti-PECVD方法和裝置，它可在連續(xù)操作、特別是制做半導(dǎo)體時(shí)保持反應(yīng)器的穩(wěn)定和保持Ti-PECVD過程的穩(wěn)定性能。
本發(fā)明的特殊目的是在反應(yīng)器狀態(tài)改變后對用于Ti-PECVD處理的PECVD反應(yīng)器進(jìn)行磨合和穩(wěn)定，特別是該改變是由比方說用濕式清洗或就地清洗來清洗反應(yīng)器內(nèi)表面所造成的，反應(yīng)器在清洗過程中打開或保持封閉。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種便于反應(yīng)器磨合、反應(yīng)器和過程復(fù)原和過程穩(wěn)定的PECVD反應(yīng)器就地清洗過程。
本發(fā)明的某些方面部分地基于下列事實(shí)由反應(yīng)器內(nèi)表面的氧化或還原/鈍化實(shí)現(xiàn)的沉積室的穩(wěn)定消除了其揮發(fā)性足以到達(dá)晶片表面的無法控制的含鈦物質(zhì)源。
本發(fā)明的一個(gè)特殊目的是在清洗反應(yīng)器后更高效和有效地調(diào)理反應(yīng)器，特別是該反應(yīng)器用于鈦的PECVD時(shí)。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提高Ti-CVD和TiN-CVD連續(xù)過程的工作效率和減少Ti-CVD和TiN-CVD連續(xù)過程所需設(shè)備。
按照本發(fā)明原理，當(dāng)反應(yīng)器狀態(tài)改變時(shí)在Ti-PECVD反應(yīng)器中穩(wěn)定含鈦薄膜。反應(yīng)器狀態(tài)的這類改變包括由比方說清除反應(yīng)器部件表面上含鈦沉積物的反應(yīng)器內(nèi)部部件清洗造成的狀態(tài)改變；以及使用反應(yīng)器比方說在晶片上進(jìn)行Ti-PECVD過程中由沉積在反應(yīng)器部件上的含鈦薄膜造成的狀態(tài)改變。
按照本發(fā)明的某些實(shí)施例，隨著反應(yīng)器部件上的含鈦薄膜的性質(zhì)或程度的改變在Ti-PECVD反應(yīng)器中進(jìn)行含鈦薄膜的受控氧化或還原/鈍化。在本發(fā)明某些實(shí)施例中，在清洗反應(yīng)室后控制反應(yīng)物、反應(yīng)產(chǎn)物、反應(yīng)副產(chǎn)物或有關(guān)材料的沉積。在本發(fā)明其他實(shí)施例中，清洗反應(yīng)室后在復(fù)原的早期階段控制輸入反應(yīng)室中的一種或多種氧化或還原劑。在本發(fā)明另一些實(shí)施例中，在反應(yīng)器中進(jìn)行Ti-PECVD過程后受控地氧化或還原、或鈍化反應(yīng)器部件表面上形成的薄膜，從而保持這類過程中沉積在這些部件上的薄膜處于穩(wěn)定狀態(tài)。最好是，在單個(gè)基片上進(jìn)行每次PECVD沉積后或至少在一連串基片上經(jīng)選定次數(shù)的PECVD沉積后進(jìn)行這一受控氧化或還原和鈍化。
在本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例中，打開反應(yīng)器與大氣連通并用濕式清洗清除積累在反應(yīng)器部件表面上的含鈦薄膜。然后關(guān)閉反應(yīng)器并在反應(yīng)器中恢復(fù)真空。然后反應(yīng)器的各部件與反應(yīng)室中氬氣和氫氣的混合氣體中生成的等離子體接觸一段時(shí)間。特別是，最好做成一噴頭形式的氣體輸入系統(tǒng)與H2/Ar等離子體接觸例如1-5分鐘。用噴頭和其他部件與等離子體的接觸清除部件表面上的污染物。
最好是，反應(yīng)器運(yùn)行Ti-PECVD過程的各步驟，但反應(yīng)室中不放置晶片，從而在反應(yīng)器部件上預(yù)鍍含鈦薄膜。在基座用鎳合金之類金屬制成的情況下，在基座表面上預(yù)鍍含鈦薄膜可防止硅晶片與高熱基座粘結(jié)。最好是，對于Ti-PECVD反應(yīng)器或過程，噴頭預(yù)熱到最好高于約425℃的溫度。預(yù)熱噴頭是為了緊隨H2/Ar等離子體清洗而在反應(yīng)器中進(jìn)行初始Ti-PECVD過程時(shí)提高所沉積含鈦薄膜的粘結(jié)力。
預(yù)鍍反應(yīng)器部件后，在TiCl4輸入反應(yīng)器前在反應(yīng)器中形成H2/Ar等離子體快速進(jìn)行反應(yīng)器的磨合過程。首先形成H2/Ar等離子體的優(yōu)點(diǎn)是防止高熱金屬表面直接接觸TiCl4。
按照本發(fā)明的某些實(shí)施例，隨著反應(yīng)器部件上含鈦薄膜的性質(zhì)或程度的改變，在Ti-PECVD反應(yīng)器中比方說通過薄膜的氮化或鈍化進(jìn)行含鈦薄膜的受控氧化或還原。在本發(fā)明某些實(shí)施例中，在清洗反應(yīng)室后控制該室中反應(yīng)物、反應(yīng)產(chǎn)物、反應(yīng)副產(chǎn)物或有關(guān)材料的沉積。在本發(fā)明其他實(shí)施例中，清洗反應(yīng)室后在復(fù)原的早期階段控制輸入反應(yīng)室中的一種或多種氧化或還原劑。在本發(fā)明另一些實(shí)施例中，在反應(yīng)器中進(jìn)行Ti-PECVD過程后受控地氧化或還原反應(yīng)器部件表面上生成的薄膜，從而穩(wěn)定在進(jìn)行這類過程中沉積在這些部件上的薄膜。最好是，在單個(gè)基片上進(jìn)行每次PECVD沉積后或在一序列基片上經(jīng)選定次數(shù)的PECVD沉積后進(jìn)行這一受控氧化或還原和鈍化。
在本發(fā)明另一實(shí)施例中，反應(yīng)器就地清洗，不打開與大氣連通。進(jìn)行這類清洗是通常把含氟或含氯氣體輸入反應(yīng)室中，常常生成等離子體而進(jìn)行的。這類氣體的例子有三氟化氮(NF3)、三氟化氯(ClF3)或氯氣(Cl2)。該就地清洗過程用來清除積累在反應(yīng)器各部件表面上的含鈦薄膜和其他污染物。在該就地清洗后，從反應(yīng)室中除去所有這類清洗氣體和反應(yīng)產(chǎn)物。與上述濕式清洗過程后一樣，該清洗包括使反應(yīng)器部件與在氬氣、氫氣和氨氣的混合氣體中形成的等離子體接觸一段時(shí)間。該等離子體清洗進(jìn)行1-10分鐘或從反應(yīng)室中除去含氟和含氯物質(zhì)所需時(shí)間。然后用泵清除該反應(yīng)室至少5次。
與進(jìn)行上述濕式清洗過程后一樣，反應(yīng)器然后最好運(yùn)行Ti-PECVD過程的各步驟，但反應(yīng)室中不放置晶片，從而在反應(yīng)器部件上預(yù)鍍含鈦薄膜。同樣，預(yù)鍍反應(yīng)器部件后，把TiCl4輸入反應(yīng)器前在反應(yīng)器中形成H2/Ar等離子體快速進(jìn)行反應(yīng)器的磨合過程。首先形成H2/Ar等離子體的優(yōu)點(diǎn)是防止高熱金屬表面直接接觸TiCl4氣體。
在本發(fā)明另一優(yōu)選實(shí)施例中，通過在晶片上每次沉積后進(jìn)行各穩(wěn)定步驟，在反應(yīng)器的連續(xù)操作和進(jìn)行該過程中保持Ti-PECVD過程和反應(yīng)器的穩(wěn)定。為連續(xù)進(jìn)行Ti-PECVD過程期間穩(wěn)定累積在反應(yīng)器原件上的其成分會發(fā)生改變并造成反應(yīng)器和過程狀態(tài)不斷改變的含鈦薄膜，可在反應(yīng)室中晶片上的每次沉積后或預(yù)定次數(shù)的沉積后或最好是在晶片上每次進(jìn)行Ti-PECVD過程后且在把新晶片裝入反應(yīng)室中進(jìn)行同樣的Ti-PECVD處理前受控地氧化或還原這些薄膜并鈍化這些薄膜。
穩(wěn)定步驟包括輸入數(shù)量受控的氣體、例如氧氣(O2)或水蒸氣(H2O)與新沉積在反應(yīng)器表面上的薄膜進(jìn)行氧化反應(yīng)或輸入數(shù)量受控的氣體、例如氫氣(H2)、氨氣(NH3)、硅烷(SiH4)、甲烷(CH4)或乙硼烷(B2H6)進(jìn)行還原反應(yīng)。使該氣體在反應(yīng)室中流動(dòng)?？捎迷摎怏w形成等離子體以增強(qiáng)反應(yīng)。用于該穩(wěn)定過程的最好是氨氣并將其輸入反應(yīng)室中，與此同時(shí)，把氬氣激發(fā)成RF等離子體，加熱基座和噴頭。每次Ti-PECVD處理一晶片后的該穩(wěn)定步驟一般經(jīng)歷10-60秒，視具體情況而定。
在一優(yōu)選實(shí)施例中，每次Ti沉積后在反應(yīng)器中進(jìn)行鈍化步驟。在從反應(yīng)室中取出其上沉積有Ti薄膜的晶片前進(jìn)行鈍化步驟，以便同時(shí)進(jìn)行對沉積在晶片上的Ti薄膜的Ti鈍化和對沉積在反應(yīng)器各部件上的Ti薄膜的鈍化。如要在Ti沉積反應(yīng)后通過TiN薄膜的形成來鈍化晶片，把NH3輸入Ti-PECVD反應(yīng)室中最好在等離子體增強(qiáng)過程中在晶片和反應(yīng)器部件上的Ti薄膜上生成TiN薄膜。此外，最好是，當(dāng)反應(yīng)器噴頭的溫度至少為425℃、基座溫度約為630℃、晶片約為590℃、反應(yīng)器各壁為100℃-200℃時(shí)輸入NH3的同時(shí)在反應(yīng)室中形成氫-氬等離子體。
反應(yīng)室鈍化過程也可使用其他鈍化氣體。當(dāng)這類氣體與晶片的處理不相容時(shí)，可把晶片從反應(yīng)室取出后在反應(yīng)室中進(jìn)行鈍化。在這種情況下，如反應(yīng)室中只有少量薄膜積累，可在一序列晶片上進(jìn)行Ti沉積之后間隔地進(jìn)行反應(yīng)室的鈍化。
特別優(yōu)選的過程參數(shù)詳細(xì)示出在下述各例子和具體實(shí)施例中。
由于反應(yīng)室中沉積在反應(yīng)器各部件上沉積的材料受控地得到穩(wěn)定，因此反應(yīng)器各表面達(dá)到一調(diào)理的狀態(tài)所化時(shí)間大大縮短，在Ti-PECVD過程中防止過程狀態(tài)發(fā)生改變。盡管與反應(yīng)室中剩余水蒸氣進(jìn)行反應(yīng)的自行穩(wěn)定過程可能很慢，但在該過程中受控地使用氧化或還原劑和鈍化劑可迅速和可反復(fù)地穩(wěn)定薄膜。特別是，在反應(yīng)器各表面上生成基于TiClx的穩(wěn)定鍍層所需時(shí)間受到控制而大大縮短。此外，在反應(yīng)器連續(xù)工作期間每次沉積后積累在反應(yīng)器上的薄膜得到穩(wěn)定，因此該過程可穩(wěn)定地處理成千片晶片。該方法優(yōu)于依賴于頻繁地就地清洗并從就地清洗進(jìn)行復(fù)原的各種方法。
特別是，在濕式清洗或比方說使用NF3的化學(xué)清洗后開始進(jìn)行比方說Ti-CVD沉積起，沉積在反應(yīng)室各壁上的材料就氧化或還原/氮化成完全絕緣和化學(xué)穩(wěn)定的薄膜，從而防止不穩(wěn)定操作或無需很長磨合期。一般來說，反應(yīng)器清洗后的穩(wěn)定期與CVD處理少于5片晶片、一般為一片晶片所需時(shí)間相當(dāng)，而原先在恢復(fù)晶片的生產(chǎn)過程前需要約75片調(diào)理晶片。即使在很長一段閑置時(shí)間后、比方說設(shè)備停機(jī)一整夜后，磨合時(shí)間一般也縮短到0片晶片。
此外，如在每次處理晶片后不進(jìn)行本發(fā)明穩(wěn)定步驟，反應(yīng)器連續(xù)操作的整個(gè)過程就會不穩(wěn)定。生產(chǎn)過程中在每兩次晶片沉積之間對沉積在反應(yīng)器部件上的鍍層進(jìn)行的該鈍化加強(qiáng)了處理和反應(yīng)器的穩(wěn)定程度。對于Ti-CVD來說，如晶片上的每次沉積造成金屬鈦也沉積到反應(yīng)器部件上，可在每相繼進(jìn)行兩片晶片的Ti-CVD處理之間用NH3等離子體處理約10-60秒、一般為30秒，在反應(yīng)器部件上的鈦上生成鈍化薄膜。從而保持薄膜特性的一致性，例如電阻率和薄膜厚度的一致性以及沉積率的一致性。
上述原理也可用于其他各種金屬無機(jī)CVD過程，特別是除了鈦，還施加鉭之類反應(yīng)邊界材料的CVD過程。
從下面對本發(fā)明各優(yōu)選實(shí)施例的詳細(xì)說明中可清楚看出本發(fā)明的上述和其他目的。
附圖的簡要說明

圖1為在一濕式CVD室清洗過程中體現(xiàn)本發(fā)明原理的一種方法的流程圖。
圖2為在一就地CVD室清洗過程中體現(xiàn)本發(fā)明原理的一種方法的與圖1類似的流程圖。
圖3為對基片進(jìn)行連續(xù)CVD處理和鈍化中體現(xiàn)本發(fā)明原理的一種方法的與圖1和2類似的流程圖。
圖4為詳細(xì)示出圖1-3過程中一優(yōu)選穩(wěn)定步驟的流程圖。
對優(yōu)選實(shí)施例的說明本發(fā)明各優(yōu)選實(shí)施例涉及在一CVD反應(yīng)器中用化學(xué)氣相沉積(CVD)、特別是等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)處理半導(dǎo)體晶片，例如見作為參考材料包括在此的美國專利5,370,739。本發(fā)明過程特別用于通過TiCl4與H2的還原反應(yīng)把鈦(Ti)沉積到一硅晶片上，同時(shí)生成副產(chǎn)物HCl氣體的反應(yīng)。在一CVD反應(yīng)器中進(jìn)行這一反應(yīng)時(shí)，Ti會與其他TiClx(x＜4)化合物一起沉積在反應(yīng)器部件表面上。這些沉積物積累在反應(yīng)器部件表面上，如不定期清除，會在反應(yīng)室中脫落而污染所處理晶片。
定期清洗反應(yīng)室可清除積累在反應(yīng)室表面上的反應(yīng)物、反應(yīng)產(chǎn)物和反應(yīng)副產(chǎn)物。該反應(yīng)器清洗可使用不打開該系統(tǒng)與大氣連通、最好不冷卻該室中的任何部件的就地清洗，也可使用濕式清洗，濕式清洗冷卻反應(yīng)器各部件，打開該系統(tǒng)，用水或其他化學(xué)品沖洗反應(yīng)器而清除其上的沉積物。經(jīng)過清洗，沉積物被清除，因此CVD反應(yīng)器中的各表面的狀態(tài)發(fā)生改變。狀態(tài)的這一改變影響到在反應(yīng)室中進(jìn)行的沉積過程，使它們在清洗后與清洗前不同。過程性能的這一改變至少在薄膜沉積到反應(yīng)器部件上后穩(wěn)定前對晶片上執(zhí)行的鍍覆的一致性和質(zhì)量有負(fù)面影響。使用圖1和2概述的本發(fā)明實(shí)施例可在使用反應(yīng)器進(jìn)一步在晶片上沉積前逆轉(zhuǎn)該影響。
圖1所示本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例為Ti-PECVD反應(yīng)器的一種濕式清洗復(fù)原和磨合方法10。在該濕式清洗復(fù)原過程10中，反應(yīng)器停機(jī)、打開后進(jìn)行普通的濕式清洗過程12。進(jìn)行濕式清洗過程12后，反應(yīng)器用標(biāo)準(zhǔn)步驟14關(guān)閉、清除后用泵抽真空。然后，把氫氣和氬氣的混合氣體輸入反應(yīng)器后執(zhí)行步驟16生成H2/Ar等離子體。該等離子體工作約1-5分鐘，或直到用等離子體清除掉噴頭和附近其他部件上的污染物并把噴頭加熱到至少425℃。在該等離子體清洗和加熱步驟16期間，反應(yīng)器中的壓力保持在約2-10Torr、氬氣的輸入流率約為150-450sccm(標(biāo)準(zhǔn)溫度和壓力下每分鐘立方厘米)，氫氣的輸入流率約為750-5000sccm.。等離子體用約為250-750w的在450kHz的RF功率激發(fā)。反應(yīng)器的其中一般裝有電阻加熱器之類加熱系統(tǒng)的基座也加熱到一使得其支撐晶片的表面達(dá)到約590℃的溫度，這一般需要電阻加熱器被加熱到約630℃。反應(yīng)器的一般也裝有加熱元件的各壁的溫度保持在約100℃-200℃。
當(dāng)污染物被等離子體清除且各部件達(dá)到合適溫度時(shí)，基座上不放置晶片，在反應(yīng)室中進(jìn)行Ti-PECVD過程18，從而把一薄層含鈦薄膜鍍在基座、噴頭、反應(yīng)器各壁和反應(yīng)器內(nèi)部各部件表面上。在進(jìn)行該沉積時(shí)，先激發(fā)Ar/H2等離子體，然后才輸入TiCl4氣體進(jìn)行Ti沉積反應(yīng)。激發(fā)等離子體可防止鎳合金基座之類高熱金屬表面上生成有害的金屬氯化物。在進(jìn)行該Ti沉積時(shí)，反應(yīng)器中的壓力保持在約2-10Torr,TiCl4的輸入流率約為2.5-7.5sccm，氫氣的輸入流率約為750-5000sccm.，氬氣的輸入流率約為150-450sccm。等離子體用約為250-750w的在450kHz的RF功率激發(fā)。反應(yīng)器的基座保持在一使得其支撐晶片的表面達(dá)到約590℃的溫度，這一般需要電阻加熱器被加熱到約630℃。噴頭保持在至少約425°的溫度，反應(yīng)器各壁的溫度保持在約100℃-200℃。如基座不由鎳之類金屬制成，則無需促進(jìn)基座上的沉積。
反應(yīng)室經(jīng)Ti-PECVD預(yù)鍍18后，對沉積在反應(yīng)室各部件上的富含Ti薄膜進(jìn)行穩(wěn)定或鈍化步驟20。使用濕式清洗和磨合方法10時(shí)，把氧化或還原劑受控地輸入反應(yīng)室中與所沉積Ti薄膜進(jìn)行受控反應(yīng)而沉積穩(wěn)定的鈦薄膜，從而實(shí)現(xiàn)反應(yīng)器的清洗。步驟20的穩(wěn)定過程50結(jié)合圖4在下文詳述。反應(yīng)器一旦按照方法10清洗完畢，最好使用下文結(jié)合圖3所述方法在反應(yīng)室中連續(xù)處理晶片。
圖2示出本發(fā)明另一優(yōu)選實(shí)施例的就地清洗和磨合方法30。在方法30中，反應(yīng)器保持密封和真空，其中沒有晶片，進(jìn)行普通的就地清洗過程32，在此過程中使用NF3、ClF3或Cl2之類清洗氣體，一般與等離子體一起，清除沉積在反應(yīng)器各表面上的薄膜。在就地清洗過程32后，反應(yīng)器進(jìn)行步驟34，生成NH3/H2/Ar等離子體約1-10分鐘，清除反應(yīng)器中的剩余清洗氣體和污染物。然后反應(yīng)器進(jìn)行一序列泵清除周期36，最好至少5次，此時(shí)反應(yīng)室用氬氣或氮?dú)庵惗栊詺怏w加壓到5-20Torr后降壓到小于1Torr。然后，需要的話，與上面結(jié)合濕式清洗過程10所述等離子體清洗和加熱步驟16一樣，用H2/Ar等離子體把噴頭加熱到至少425℃。反應(yīng)器中的壓力保持在約2-10Torr，氬氣的輸入流率約為150-450sccm，氫氣的輸入流率約為750-5000sccm.。等離子體用約為250-750w的在450kHz的RF功率激發(fā)。反應(yīng)器的基座保持在一使得其支撐晶片的表面達(dá)到約590℃的溫度，反應(yīng)器各壁的溫度保持在約100℃-200℃，噴頭保持在至少約425°的溫度。然后，與上文一樣，反應(yīng)器進(jìn)行Ti-PECVD過程步驟18，此時(shí)反應(yīng)室中沒有晶片；然后對沉積在反應(yīng)室各部件上的富含Ti薄膜進(jìn)行步驟20的穩(wěn)定過程50。反應(yīng)器一旦按照方法30清洗完畢，最好使用下文結(jié)合圖3所述方法在反應(yīng)室中連續(xù)處理晶片。
反應(yīng)器最好按照圖3所述方法40對晶片進(jìn)行連續(xù)Ti-PECVD處理。在晶片的連續(xù)處理方法40中，把需要作Ti-PECVD處理的一新晶片裝入(步驟41)反應(yīng)室中。這一晶片一般可為其上有部分形成的半導(dǎo)體裝置的一硅半導(dǎo)體晶片，其絕緣頂層中有高縱橫比小孔的圖案，導(dǎo)電接頭從這些小孔中露出，要在該絕緣頂層上鍍一層鈦后再鍍鎢之類的上金屬導(dǎo)電層以與接頭電連接。然后對晶片進(jìn)行Ti-PECVD過程42。
最好如下進(jìn)行Ti-PECVD過程42，首先在反應(yīng)室中激發(fā)H2/Ar等離子體(步驟43)，然后輸入TiCl4(步驟44)后用Ti-PECVD進(jìn)行鈦的還原反應(yīng)(步驟45)。最好在如下條件下進(jìn)行Ti-PECVD步驟45，反應(yīng)器中的壓力保持在約2-10Torr,TiCl4的輸入流率約為2.5-7.5sccm，氫氣的輸入流率約為750-5000sccm.，氬氣的輸入流率約為150-450sccm，等離子體用約為250-750w的在450kHz的RF功率激發(fā)，晶片保持約590℃的溫度，噴頭保持在至少約425°的溫度，反應(yīng)器各壁的溫度保持在約100℃-200℃。Ti-PECVD步驟45完成后，在反應(yīng)室中進(jìn)行穩(wěn)定步驟46，包括鈍化晶片上的Ti鍍層和穩(wěn)定反應(yīng)器各部件表面上的Ti沉積物。鈍化或穩(wěn)定步驟46最好用NH3等離子體在晶片和反應(yīng)器各部件上的Ti薄膜上生成一TiN層，但也可包括結(jié)合圖4所述的替代過程。該步驟穩(wěn)定反應(yīng)器各部件上的Ti薄膜所需鈍化時(shí)間比在晶片上生成TiN薄膜所需鈍化時(shí)間短，因此適合于TiN處理晶片的TiN處理時(shí)間也可用來鈍化反應(yīng)室。鈍化步驟46按照下文結(jié)合圖4所述鈍化過程進(jìn)行。完成鈍化步驟46后，本發(fā)明該實(shí)施例的整個(gè)Ti-PECVD過程也就完成，然后從反應(yīng)室中取出經(jīng)處理晶片(步驟47)。如此時(shí)無需清洗反應(yīng)室而需用Ti-PECVD處理另一些晶片，就把一新晶片裝入反應(yīng)室重復(fù)過程40。否則按照圖1或2的方法10或30進(jìn)行反應(yīng)器清洗。在晶片的這一連續(xù)處理過程中，如需要可在進(jìn)行就地清洗前可處理上千片晶片。
不論是用于步驟20清洗之后穩(wěn)定空反應(yīng)室還是用于在沉積到一晶片上后在步驟46中鈍化一晶片和穩(wěn)定反應(yīng)室表面，穩(wěn)定過程50大致相同。圖4詳細(xì)說明這一穩(wěn)定過程的各子步驟，包括步驟51，即在反應(yīng)室中有或沒有晶片的情況下每次沉積Ti后輸入穩(wěn)定氣體、氫氣和氬氣，可使用、也可不使用等離子體。該穩(wěn)定氣體可為氧化氣體或還原氣體或鈍化晶片或反應(yīng)室各部件上的薄膜的氣體。步驟51包括使穩(wěn)定氣體在反應(yīng)室中以約10-1000sccm的流率流動(dòng)、氫氣以約500-5000sccm的流率流動(dòng)、氬氣以約50-500sccm的流率流動(dòng)。過程50也可包括任選步驟53，即使用約以250-750wRF激發(fā)的等離子體。該過程還包括步驟54，即把反應(yīng)室中各部件保持在適合于反應(yīng)體進(jìn)行反應(yīng)的溫度上。最后，過程50包括步驟55，即在這些條件下空置反應(yīng)室，其時(shí)間足以進(jìn)行穩(wěn)定反應(yīng)和鈍化Ti薄膜。
根據(jù)若干可能的鈍化反應(yīng)之一來選擇穩(wěn)定氣體，鈍化反應(yīng)可為氧化反應(yīng)，也可為還原反應(yīng)。氧化反應(yīng)可使用氧氣或水之類氧化物，包括如下氧化反應(yīng)
和還原反應(yīng)可使用氫氣(H2)、氮?dú)?N2)、氨氣(NH3)、硅烷(SiH4)、甲烷(CH4)或乙硼烷(B2H6)之類還原物，包括如下還原反應(yīng),,，，,，和
。
在這些反應(yīng)中，可把氬氣用作載氣。
在一優(yōu)選實(shí)施例中，在一定條件下使用NH3穩(wěn)定氣體進(jìn)行穩(wěn)定反應(yīng)。對于這一反應(yīng)，優(yōu)選的過程條件如下氣流子步驟51總壓力 2-10Torr氬氣流率 150-450sccm氮?dú)饬髀?0-5000sccm氨氣流率 500-5000sccm等離子體子步驟53等離子體功率 250-750w等離子體功率頻率 450kHz溫度保持子步驟54晶片溫度 590℃基座溫度 630℃噴頭溫度 ＞425℃反應(yīng)室壁溫 100-200℃以及穩(wěn)定時(shí)間子步驟穩(wěn)定步驟時(shí)間約10-60秒(決定于Ti-PECVD過程條件)當(dāng)使用其他穩(wěn)定反應(yīng)時(shí)，可使用由本領(lǐng)域的熟練技術(shù)人員確定的穩(wěn)定過程條件用選定穩(wěn)定反應(yīng)鈍化晶片上的鈦薄膜。但是，最好是，用來穩(wěn)定反應(yīng)室的反應(yīng)與所處理晶片的制做相容。如不相容，其中沒有晶片的反應(yīng)室的穩(wěn)定過程與晶片的穩(wěn)定過程分開進(jìn)行。此時(shí)相繼進(jìn)行反應(yīng)室的穩(wěn)定過程和晶片的穩(wěn)定過程。一般來說，反應(yīng)室和晶片的穩(wěn)定使用不同穩(wěn)定反應(yīng)會使產(chǎn)量下降到無法接受的程度。即使使用同一過程，如鈍化反應(yīng)室所化時(shí)間對于進(jìn)行晶片的鈍化所化時(shí)間來說太長，產(chǎn)量也會下降。不管何種原因，如要對晶片或反應(yīng)室相繼進(jìn)行該過程，最好晶片每次沉積后無需穩(wěn)定反應(yīng)室，而是每經(jīng)兩次、三次或若干次沉積后穩(wěn)定反應(yīng)室，此時(shí)可使用本發(fā)明原理。
上述本發(fā)明可進(jìn)一步參見作為參考材料包括在此的本申請人的受讓人的下列美國專利和申請美國專利Nos.5,665,640、5,667,243和5,593,511以及美國專利申請序列號No.08/253,978。
除了上述詳細(xì)說明的實(shí)施例，還可有其他實(shí)施例。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員顯然可知，本發(fā)明也可用于其他種種場合；以上主要結(jié)合各優(yōu)選實(shí)施例說明了本發(fā)明。因此，在本發(fā)明的原理范圍內(nèi)可作出種種添加和修正。
權(quán)利要求
1.一種保持一CVD處理室的穩(wěn)定性的方法，該CVD處理室用來把含鈦材料化學(xué)氣相沉積在支撐在該室中的基片上，包括下列步驟在該反應(yīng)器中化學(xué)氣相沉積鈦后把氧化或還原氣體輸入該室中并與該室各部件的CVD鍍鈦表面接觸一段足以使所沉積材料穩(wěn)定這些表面上的含鈦薄膜的時(shí)間。
2.按權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在把鈦沉積到該室中的一基片上后及在把另一基片裝入該室中以在該室中進(jìn)行Ti-CVD處理前進(jìn)行把氧化或還原氣體輸入該室中與該室各部件的CVD鍍鈦表面接觸一段足以使所沉積材料穩(wěn)定這些表面上的鈦的時(shí)間的步驟。
3.按權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，在每次把鈦沉積到該室中的一基片上后及在把下一片基片裝入該室中以在該室中進(jìn)行Ti-CVD處理前進(jìn)行把氧化或還原氣體輸入該室中與該室各部件的CVD鍍鈦表面接觸一段足以使所沉積材料穩(wěn)定這些表面上的鈦的時(shí)間的步驟。
4.按權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于在把鈦沉積到該室中的一基片上后、在從該室中取出該基片前進(jìn)行把氧化或還原氣體輸入該室中與該室各部件的CVD鍍鈦的表面接觸一段足以使所沉積材料穩(wěn)定這些表面上的含鈦薄膜的時(shí)間的步驟；以及該方法進(jìn)一步包括下列步驟在取出基片前鈍化該室中的該基片。
5.按權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，用氧化或還原氣體接觸基片上的含鈦薄膜的基片鈍化步驟與用氧化或還原氣體接觸該室各部件的CVD鍍鈦表面同時(shí)進(jìn)行。
6.按權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，把氧化或還原氣體輸入該室中的步驟包括下列步驟把氨氣輸入該室中與CVD鍍鈦表面接觸，從而在這些表面上的鈦上生成一氮化鈦。
7.按權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，進(jìn)行把氨氣輸入該室中與CVD鍍鈦表面接觸的步驟時(shí)，壓力約為2-10Torr、氨氣流率約為500-5000sccm、氬氣流率約為150-450sccm、等離子體功率約為在450kHzRF的250-750w、歷時(shí)至少10秒。
8.按權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，進(jìn)行把氧化或還原氣體輸入該室中與CVD鍍鈦表面接觸的步驟時(shí)，壓力約為2-10Torr、氧化或還原氣體的流率約為10-5000sccm、氫氣流率約為500-5000sccm、氬氣流率約為50-500sccm、等離子體功率約為250-750wRF、歷時(shí)至少10秒。
9.按權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，進(jìn)行把氧化或還原氣體輸入該室中與CVD鍍鈦表面接觸的步驟時(shí)，該室中輸入氣體的噴頭的溫度保持在至少425℃。
10.按權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，進(jìn)行把氧化或還原氣體輸入該室中與CVD鍍鈦表面接觸的步驟時(shí)，反應(yīng)器中含鈦表面的溫度保持在至少100℃上。
11.按權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，把氧化或還原氣體輸入該室中的步驟包括如下步驟輸入從H2、N2、NH3、O2、H2O、SiH4、CH4和B2H6中選擇的一種氣體。
12.按權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括下列步驟把氬氣和氫氣的混合氣體輸入真空壓力下的該室中；在把含鈦反應(yīng)氣體輸入該室中前，用該室中的氣體在反應(yīng)器各部件的表面旁生成等離子體；把含鈦反應(yīng)氣體輸入該室中并化學(xué)還原該氣體，使含鈦薄膜沉積在該室中。
13.按權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括下列步驟清洗該室中各部件的表面后及把一基片裝入該室中進(jìn)行Ti-CVD處理前把含鈦反應(yīng)氣體輸入該室中并化學(xué)還原該氣體，使含鈦薄膜沉積在反應(yīng)器的受熱部件上；以及然后進(jìn)行把氧化或還原氣體輸入該室中與該室各部件的CVD鍍鈦表面接觸一段足以使所沉積材料穩(wěn)定這些表面上的鈦的時(shí)間的步驟。
14.按權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括下列步驟清洗該室中各部件的表面后及把含鈦反應(yīng)氣體輸入該室中并化學(xué)還原該氣體，使含鈦薄膜沉積在反應(yīng)器的受熱部件上的步驟前把氬氣和氫氣的混合氣體輸入真空壓力下的該室中；用該室中的氣體在反應(yīng)器各部件的表面旁生成等離子體并用該等離子體提高一反應(yīng)器部件的溫度。
15.一種調(diào)理一反應(yīng)器的CVD處理室的方法，該反應(yīng)器把一鍍層材料化學(xué)氣相沉積到該室中的一基片的表面上，包括下列步驟清洗該室，清除原先沉積在該反應(yīng)器各部件表面上的鍍層材料；把惰性氣體和反應(yīng)氣體的混合氣體輸入真空壓力下的該室中；用該室中的氣體生成等離子體并用等離子體提高一反應(yīng)器部件的溫度；然后，把含有反應(yīng)氣體的鍍層材料輸入該室中使該氣體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，使得鍍層材料薄膜沉積在該室中受熱部件的表面上；以及然后，把氧化或還原氣體輸入該室中與各部件表面上的薄膜接觸一段足以穩(wěn)定所沉積薄膜的時(shí)間。
16.按權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，該清洗步驟包括下列步驟打開反應(yīng)器的該室后濕式清洗該室中的各部件。
17.按權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，該清洗步驟包括下列步驟該室關(guān)閉、在真空下就地清洗反應(yīng)器該室中的各部件。
18.按權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于該清洗步驟包括下列步驟清洗該室以清除原先沉積在反應(yīng)器各部件表面上的鈦；該混合氣體輸入步驟包括下列步驟把氬氣和氫氣的混合氣體輸入真空壓力下的該室中；該鍍層材料輸入步驟下列步驟把TiCl4氣體輸入該室中并用氫氣化學(xué)還原該氣體，使鈦薄膜沉積在該室中各部件表面上；以及該氧化和還原氣體輸入步驟包括下列步驟把氧化或還原氣體輸入該室中并與各部件表面上的鈦薄膜接觸一段足以穩(wěn)定所沉積鈦薄膜的時(shí)間。
19.按權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于該等離子體生成步驟包括下列步驟把該室中一噴頭的溫度提高到至少425℃。
20.按權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，在把氧化或還原氣體輸入該室中與各部件表面上的薄膜接觸一段足以穩(wěn)定所沉積薄膜的時(shí)間的步驟后，進(jìn)一步包括下列步驟把一基片裝入該室中；把TiCl4氣體輸入該室中并用氫氣化學(xué)還原該氣體，使鈦薄膜沉積在該基片的一表面上。
21.按權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，在基片裝入步驟后，進(jìn)一步包括下列步驟再次把氧化或還原氣體輸入該室中與反應(yīng)器的各部件表面上的薄膜接觸一段足以穩(wěn)定所沉積薄膜的時(shí)間；以及在進(jìn)一步清洗該室前，把另一基片裝入該室中并執(zhí)行CVD過程以把鍍層材料薄膜沉積在該基片上來處理該基片。
22.按權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，在基片裝入步驟后，進(jìn)一步包括下列步驟從該室中取出基片前，再次把氧化或還原氣體輸入該室中與該基片的該表面上的薄膜接觸一段足以穩(wěn)定沉積在該基片的該表面上的薄膜的時(shí)間。
23.按權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，再次輸入氧化或還原氣體的步驟包括下列步驟把氨氣輸入該室中與該基片的該表面上的薄膜接觸一段足以通過在該薄膜上生成一氮化鈦從而穩(wěn)定沉積在該基片的該表面上的薄膜的時(shí)間。
24.一種在一基片表面上沉積鈦薄膜并鈍化所沉積鈦薄膜的方法，包括下列步驟把氬氣和氫氣的混合氣體輸入一真空室中；把TiCl4氣體輸入該室中并用氫氣化學(xué)還原該氣體，使鈦薄膜沉積在該基片的一表面上；以及然后，該基片仍在該室中，把一鈍化氣體輸入該室中與基片表面上的鈦薄膜接觸一段足以穩(wěn)定沉積在該基片上的含鈦薄膜的時(shí)間。
25.按權(quán)利要求24所述的方法，其特征在于TiCl4氣體輸入步驟包括下列步驟用氫氣化學(xué)還原該TiCl4氣體，使鈦薄膜沉積在該室中各反應(yīng)器部件表面上；以及然后，該基片仍在該室中，把該鈍化氣體輸入該室中與反應(yīng)器各部件表面上的鈦薄膜接觸一段足以穩(wěn)定沉積在這些部件上的鈦薄膜的時(shí)間。
26.按權(quán)利要求24所述的方法，其特征在于TiCl4氣體輸入步驟包括下列步驟用氫氣化學(xué)還原該TiCl氣體，使鈦薄膜沉積在該室中各反應(yīng)器部件表面上；以及然后，該基片在該室中原封不動(dòng)，把該鈍化氣體輸入該室中與反應(yīng)器各部件表面上的鈦薄膜接觸一段足以穩(wěn)定沉積在這些部件上的鈦薄膜的時(shí)間。
27.按權(quán)利要求24所述的方法，其特征在于把氬氣和氫氣的混合氣體輸入該室中的步驟包括下列步驟在該混合氣體中形成等離子體。
28.按權(quán)利要求24所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括下列步驟在反應(yīng)器中沉積鈦及使所沉積薄膜接觸氧化或還原氣體時(shí)把該室中的一噴頭的溫度保持在至少425℃。
29.一種保持CVD處理室的穩(wěn)定性的方法，該處理室把一含金屬邊界層材料化學(xué)氣相沉積到支撐在該處理室中的基片上，包括下列步驟在該反應(yīng)器中化學(xué)氣相沉積該邊界層材料后把一穩(wěn)定氣體輸入該室中與該室中已鍍有該材料的各部件的表面接觸一段足以使沉積在這些表面上的材料穩(wěn)定的時(shí)間。
30.按權(quán)利要求29所述的方法，其特征在于，在該材料沉積到該室中一基片上后、從該室中取出該基片前進(jìn)行把該氣體輸入該室中與這些表面接觸的步驟，從而在把另一基片裝入該室中前同時(shí)鈍化沉積在基片上的材料。
全文摘要
說明了一種方法,用該方法可在濕式清洗(10)或就地清洗(20)后或在每次進(jìn)行沉積(40)后有效地調(diào)理、鈍化用來沉積等離子體增強(qiáng)Ti－CVD薄膜的處理室。該方法可使Ti－PECVD之類CVD過程在最短時(shí)間中、經(jīng)最少量調(diào)理晶片后恢復(fù)薄膜的電阻率、均勻性和沉積率之類特性,從而提高該系統(tǒng)的生產(chǎn)率。該方法還在連續(xù)操作過程中保持該系統(tǒng)的穩(wěn)定性。從而可在該室的就地清洗之間處理上千片晶片。在清洗該室緊后、對晶片進(jìn)行Ti－CVD過程前,該方法包括用反應(yīng)氣體生成等離子體加熱反應(yīng)器各部件(16、34),然后輸入含有鍍層材料的反應(yīng)體把鍍層材料沉積在反應(yīng)器各部件上(18),然后把氧化或還原氣體輸入該室中穩(wěn)定反應(yīng)器各部件上的鍍層(20),然后恢復(fù)晶片沉積過程(40)。連續(xù)進(jìn)行晶片的Ti－CVD時(shí)(40),該方法包括:需要時(shí)輸入氬氣和氫氣的混合氣體生成等離子體加熱反應(yīng)器各部件(43);然后輸入并化學(xué)還原TiCl
文檔編號C23C16/14GK1319146SQ99806388
公開日2001年10月24日 申請日期1999年4月14日 優(yōu)先權(quán)日1998年4月20日
發(fā)明者邁克爾·S·阿明, 約瑟夫·T·希爾曼, 格特·洛伊申克, 邁克爾·沃德, 圖魯爾·亞沙爾 申請人:東京電子有限公司